專利名稱：局部曝光方法和局部曝光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)形成有感光膜的被處理基板局部地進(jìn)行曝光處理的局部曝光方法和局部曝光裝置。
背景技術(shù)：
例如，在FPD (平板顯示器)的制造中，能進(jìn)行通過(guò)所謂光刻工序來(lái)形成線路圖案的工序。在該光刻工序中，如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，在玻璃基板等被處理基板上使規(guī)定的膜成膜后，涂敷光致抗蝕劑(以下稱為抗蝕劑)，通過(guò)使抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)的預(yù)備干燥處理(減壓干燥和預(yù)焙處理)來(lái)形成抗蝕劑膜(感光膜)。而且，與線路圖案對(duì)應(yīng)地曝光上述抗蝕劑膜，對(duì)其進(jìn)行顯影處理，形成圖案。然而，在這樣的光刻工序中，如圖10(a)所示使抗蝕劑圖案R具有不同的膜厚(厚膜部Rl和薄膜部似)，并利用其進(jìn)行多次蝕刻處理，由此能降低光掩模數(shù)和工序數(shù)。另外，這樣的抗蝕劑圖案R，能通過(guò)使用在1張中具有光的透射率不同的部分的半色調(diào)掩模 (halftone mask)的半(半色調(diào))曝光處理而得到。使用圖10(a) (e)，對(duì)使用了應(yīng)用該半曝光的抗蝕劑圖案R時(shí)的線路圖案形成工序進(jìn)行具體說(shuō)明。例如，在圖10(a)中，在玻璃基板G上按以下順序進(jìn)行層疊柵極電極200 ；絕緣層 201 ；包括a-Si層(非摻雜非結(jié)晶Si層)202a和n+a-Si層202b (磷摻雜非結(jié)晶Si層)的 Si層202 ；和用于形成電極的金屬層203。此外，在金屬層203上，一樣地形成抗蝕劑膜后，通過(guò)減壓干燥和預(yù)焙處理將抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)，之后，通過(guò)上述半曝光處理和顯影處理形成抗蝕劑圖案R。形成該抗蝕劑圖案R(厚膜部Rl和薄膜部似)后，如圖10(b)所示，將該抗蝕劑圖案R作為掩模，進(jìn)行金屬層203的蝕刻(第1次蝕刻)。然后，對(duì)抗蝕劑圖案R整體，在等離子體中實(shí)施灰化(用灰磨光ashing)處理。由此，如圖10(c)所示，能得到膜厚減為一半左右的抗蝕劑圖案R3。而且，如圖10(d)所示，將該抗蝕劑圖案R3作為掩模來(lái)利用，并對(duì)露出的金屬層 203和Si層202進(jìn)行蝕刻(第2次的蝕刻)，最后如圖10(e)所示通過(guò)除去抗蝕劑R3來(lái)得到線路圖案。然而，在使用以上述方式形成了厚膜部Rl和薄膜部R2的抗蝕劑圖案R的半曝光處理中，存在以下課題當(dāng)形成抗蝕劑圖案R時(shí)，在其膜厚在基板面內(nèi)不均勻的情況下，形成的圖案的線寬和圖案間的間距參差不齊。S卩，當(dāng)用圖11(a) (e)進(jìn)行具體說(shuō)明時(shí)，圖11 (a)表示抗蝕劑圖案R之中的薄膜部R2的厚度t2，形成得比如圖10(a)所示的厚度tl厚的情況。在該情況下，與如圖10所示的工序同樣地，實(shí)施金屬膜203的蝕刻(圖11(b))和對(duì)抗蝕劑圖案R整體的灰化處理(圖11(c))。
此處，如圖11(c)所示，能得到膜厚減為一半左右的膜抗蝕劑圖案R3，但被除去的抗蝕劑膜的厚度，由于與圖10(c)的情況相同，因此圖示的一對(duì)抗蝕劑圖案R3間的間距p2， 變得比圖10(c)所示的間距pi窄。因此，從該狀態(tài)，經(jīng)過(guò)對(duì)金屬膜203和Si層202的蝕刻(圖11 (d)，和抗蝕劑圖案 R3的去除(圖11(e))而得到的線路圖案，其間距p2變得比圖10(e)所示的間距pi窄(線路圖案的線寬變寬)。對(duì)于上述課題，在現(xiàn)有技術(shù)中采用的方法是按照在曝光處理時(shí)使光透射的每個(gè)掩模圖案，通過(guò)膜厚測(cè)量來(lái)特別指定在抗蝕劑圖案R中的膜厚形成得比期望值厚的規(guī)定部位，并提高該部位的曝光靈敏度。即，在曝光處理前加熱抗蝕劑膜使溶劑蒸發(fā)的預(yù)焙處理中，使基板面內(nèi)的加熱量具有差異，來(lái)使上述規(guī)定部位的曝光靈敏度變化，由此調(diào)整顯影處理后的剩余膜厚度(面內(nèi)均勻化)。具體地說(shuō)，將預(yù)焙處理中使用的加熱器分割為多個(gè)區(qū)域，通過(guò)獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)控制分割后的加熱器，來(lái)進(jìn)行每個(gè)區(qū)域的溫度調(diào)整。進(jìn)而，通過(guò)變更支撐基板的接近式栓(proximity peen)的高度(變更加熱器與基板間的距離)來(lái)進(jìn)行加熱溫度的調(diào)整?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2007-158253號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題如上述在通過(guò)因預(yù)焙而進(jìn)行的加熱處理來(lái)進(jìn)行剩余膜厚的調(diào)整的情況下，分割的加熱器面積由于在硬件的制約上需要確保某種程度的大小，因此存在不能進(jìn)行細(xì)小區(qū)域的加熱調(diào)整的問(wèn)題。此外，在因接近式栓的高度而進(jìn)行的加熱調(diào)整中，由于需要變更栓高度的作業(yè)工時(shí)，因此存在生產(chǎn)效率降低的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述那樣的現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題點(diǎn)而完成的，提供能容易地調(diào)整在基板的被處理面內(nèi)細(xì)小地設(shè)定的每個(gè)區(qū)域的曝光量，并能提高顯影處理后的抗蝕劑殘膜的均勻性，并能抑制配線圖案的線寬和間距的參差不齊的局部曝光方法。此外，本發(fā)明還提供在形成感光膜的基板局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光裝置。用于解決問(wèn)題的方法為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的局部曝光方法，是將在基板上形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，在排列為線狀的多個(gè)發(fā)光元件的下方，使上述基板在與該排列方向交叉的方向上相對(duì)地移動(dòng)，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述大區(qū)塊預(yù)先設(shè)定的照度，對(duì)上述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制，由此局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光方法，其特征在于，包括將上述大區(qū)塊分割為多個(gè)小區(qū)塊的步驟；對(duì)上述大區(qū)塊內(nèi)的每個(gè)小區(qū)塊，分等級(jí)地設(shè)定不同的照射照度的步驟；對(duì)相對(duì)于上述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的上述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行上述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟；對(duì)由上述發(fā)光元件的照射而被曝光處理的感光膜進(jìn)行顯影處理的步驟；對(duì)每個(gè)進(jìn)行過(guò)上述顯影處理的小區(qū)塊，測(cè)量上述感光膜的剩余膜厚，并取得在上述小區(qū)塊設(shè)定的照度和剩余膜厚的相關(guān)數(shù)據(jù)的步驟； 和根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)，從對(duì)每個(gè)上述大區(qū)塊設(shè)定的感光膜的目標(biāo)剩余膜厚，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明的局部曝光方法，是將在基板上形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，在排列為線狀的多個(gè)發(fā)光元件的下方，使上述基板在與該排列方向交叉的方向上相對(duì)地移動(dòng)，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述大區(qū)塊預(yù)先設(shè)定的照度，對(duì)上述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制，由此局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光方法，其特征在于，包括將上述大區(qū)塊分割為多個(gè)小區(qū)塊的步驟；對(duì)上述大區(qū)塊內(nèi)的每個(gè)小區(qū)塊，分等級(jí)地設(shè)定不同的照射照度的步驟；對(duì)相對(duì)于上述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的上述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行上述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟；對(duì)由上述發(fā)光元件的照射而被曝光處理的感光膜進(jìn)行顯影處理的步驟；對(duì)每個(gè)進(jìn)行過(guò)上述顯影處理的小區(qū)塊， 測(cè)量上述感光膜的顯影后的線寬，并取得在上述小區(qū)塊設(shè)定的照度與線寬的相關(guān)數(shù)據(jù)的步驟；和根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)，從對(duì)每個(gè)上述大區(qū)塊設(shè)定的感光膜的目標(biāo)線寬，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟。另外，在根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟之后，優(yōu)選執(zhí)行使基板相對(duì)于上述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的步驟；和當(dāng)在上述基板上形成的上述多個(gè)大區(qū)塊在上述多個(gè)發(fā)光元件的下方相對(duì)地移動(dòng)時(shí)，對(duì)各大區(qū)塊，根據(jù)上述求得的必要照度對(duì)上述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制的步驟。按照這樣的方法，作為對(duì)被處理基板的曝光處理進(jìn)行補(bǔ)正的方法，對(duì)要進(jìn)一步調(diào)整膜厚(或線寬)的任意部位局部地進(jìn)行曝光處理。在該局部性的曝光處理中，在預(yù)先設(shè)定方案內(nèi)容的測(cè)定模式中，能夠得到多個(gè)階段的照度和剩余膜厚(或線寬)的相關(guān)數(shù)據(jù)，因此對(duì)每個(gè)成為膜厚(或線寬)控制單位的區(qū)塊，從目標(biāo)膜厚(或目標(biāo)線寬)能容易地設(shè)定最適當(dāng)?shù)谋匾斩?。因此，即使是例如在半曝光處理中在抗蝕劑膜具有不同膜厚(厚膜部和薄膜部) 的情況(即，即使是如薄膜部那樣薄的膜厚)，也能對(duì)顯影處理后的抗蝕劑膜厚進(jìn)行調(diào)整而使其均勻。其結(jié)果，能抑制配線圖案的線寬和間距的參差不齊。此外，通過(guò)將上述相關(guān)數(shù)據(jù)作為數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行保持，即使通過(guò)掩模圖案的變更而目標(biāo)膜厚(或者目標(biāo)線寬)進(jìn)行變化，也能根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)容易地得到必要照度。此外，在對(duì)相對(duì)于上述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的上述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行上述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，優(yōu)選對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊，對(duì)一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行發(fā)光控制，并以上述設(shè)定的照度進(jìn)行照射。在這樣地通過(guò)一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光控制而對(duì)一個(gè)小區(qū)塊進(jìn)行照射的情況下，能夠在基板面設(shè)定最多的小區(qū)塊，能提高膜厚(或線寬)均勻性的精度。此外，在通過(guò)多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光控制而對(duì)一個(gè)小區(qū)塊進(jìn)行照射的情況下，需要設(shè)定與多個(gè)發(fā)光元件的照射面積對(duì)應(yīng)的小區(qū)塊，因此與通過(guò)一個(gè)發(fā)光元件來(lái)對(duì)應(yīng)的情況相比在基板面設(shè)定的小區(qū)塊的數(shù)量減少，能以更加短的時(shí)間得到在各大區(qū)塊的必要照度。此外，在對(duì)相對(duì)于上述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的上述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行上述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，優(yōu)選將從上述發(fā)光元件發(fā)出的光，通過(guò)光擴(kuò)散板對(duì)上述基板上的感光膜進(jìn)行放射。這樣通過(guò)將從發(fā)光元件發(fā)出的光通過(guò)光擴(kuò)散板進(jìn)行放射，能夠使光利用放射板而適度地?cái)U(kuò)散，并使鄰接的發(fā)光元件的光連接為線狀地進(jìn)行照射。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能得到如下述的局部曝光方法能容易地調(diào)整在基板的被處理面內(nèi)細(xì)小地設(shè)定的每個(gè)區(qū)域的曝光量，并提高顯影處理后的抗蝕殘膜的均勻性，能抑制配線圖案的線寬和間距的參差不齊。


圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是示意性地表示在光刻工序中的局部曝光裝置的配置的圖。圖4是表示在本發(fā)明的局部曝光方法中設(shè)定方案內(nèi)容的工序和通常的局部曝光處理的工序的流程圖。圖5是表示在本發(fā)明的局部曝光方法中，將被處理基板面虛擬地分割為多個(gè)大區(qū)塊和小區(qū)塊的形象的基板平面圖。圖6是表示分配到圖5的小區(qū)塊的照度的設(shè)定例的平面圖。圖7是表示對(duì)分配到圖6的小區(qū)塊的照度進(jìn)行顯影處理后的膜厚的圖表。圖8是表示在本發(fā)明的局部曝光方法中使用的方案的例子的表。圖9是表示在根據(jù)本發(fā)明的局部曝光方法而實(shí)施的局部曝光中在圖5的大區(qū)塊設(shè)定的必要照度的例子的平面圖。圖10(a) 圖10(e)是用于說(shuō)明使用半曝光處理的配線圖案的形成工序的截面圖。圖11(a) 圖11(e)是表示使用半曝光處理的配線圖案的形成工序的圖，是表示與圖10的情況相比抗蝕劑膜厚更厚的情況的截面圖。圖12是表示分配到大區(qū)塊的照度的圖。圖13是表示分配到大區(qū)塊的照度的圖。圖14是第二實(shí)施方式的插補(bǔ)作業(yè)的說(shuō)明圖。符號(hào)說(shuō)明1 局部曝光裝置2 基板搬送路3 光照射器4 光源9:發(fā)光驅(qū)動(dòng)部20 搬送滾軸(基板搬送機(jī)構(gòu))40 控制部G 玻璃基板(被處理基板)L =UV-LED元件(發(fā)光元件)GR 發(fā)光控制組
T 方案表格
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的局部曝光方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施局部曝光方法的局部曝光裝置1的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，圖2是其平面圖。此外， 圖3是示意性地表示在光刻工序中的局部曝光裝置I(AE)的配置的附圖。圖1、圖2所示的局部曝光裝置I(AE)，例如如圖3所示，配置在一邊以水平的狀態(tài)在X方向水平地搬送(此后，記載為平流搬送)被處理基板一邊進(jìn)行一連串的光刻工序的機(jī)構(gòu)內(nèi)。即，在光刻工序中配置在被處理基板涂敷成為感光膜的抗蝕劑液的抗蝕劑涂敷裝置51 (CT)；和在減壓后的處理室內(nèi)對(duì)基板上的抗蝕劑膜(感光膜)進(jìn)行干燥的減壓干燥裝置52 (DP)。而且，按順序配置為了使抗蝕劑膜固定在基板G而進(jìn)行加熱處理的預(yù)焙裝置 53 (PRB)；將其冷卻到規(guī)定溫度的冷卻裝置M(COL)；對(duì)抗蝕劑膜在規(guī)定線路圖案進(jìn)行曝光的曝光裝置55 (EXP)；和對(duì)曝光后的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理的顯影裝置56 (DEV)。此處，本發(fā)明的局部曝光裝置1(AE)，例如如圖3所示，配置在對(duì)基板整體進(jìn)行曝光處理的曝光裝置55 (EXP)的后段。在這樣配置的局部曝光裝置1中，例如，在使用正性型抗蝕劑的情況下，當(dāng)對(duì)多張基板G連續(xù)地進(jìn)行處理時(shí)，在全部基板G的規(guī)定區(qū)域與其他區(qū)域相比配線圖案寬度寬且圖案間間距窄的情況下，實(shí)施對(duì)上述規(guī)定區(qū)域的(用于減少膜厚)局部曝光。另外，在以下的實(shí)施方式中，以正性型抗蝕劑的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但在本發(fā)明的局部曝光方法中，也能適用于負(fù)性抗蝕劑的情況，在該情況下，對(duì)要將抗蝕殘膜留得更厚的規(guī)定區(qū)域?qū)嵤┚植科毓?。?duì)局部曝光裝置I(AE)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1、圖2所示，局部曝光裝置 1 (AE)具備通過(guò)能旋轉(zhuǎn)地鋪設(shè)的多個(gè)滾軸20將基板G向X方向搬送的基板搬送路2?；灏崴吐?，如圖2所示具有多個(gè)在Y方向延伸的圓柱狀的滾軸20，這些多個(gè)滾軸20，在X方向空開(kāi)規(guī)定的間隔，分別被能旋轉(zhuǎn)地配置。此外，多個(gè)滾軸20，被設(shè)置為其旋轉(zhuǎn)軸21的旋轉(zhuǎn)通過(guò)傳送帶22能連動(dòng)，1個(gè)旋轉(zhuǎn)軸21與發(fā)動(dòng)機(jī)等的滾軸驅(qū)動(dòng)裝置10連接。此外，局部曝光裝置I(AE)具備用于覆蓋基板搬送路2的周圍并且形成對(duì)基板G 的曝光處理空間的箱狀的處理室8。如圖所示，在處理室8的前部一側(cè)壁上設(shè)置在Y方向延伸的細(xì)長(zhǎng)狀的搬入口 8a。 基板搬送路2上的基板G通過(guò)該搬入口 8a，搬入到處理室8內(nèi)。此外，在處理室8的后部一側(cè)壁上，設(shè)置基板搬送路2上的基板G能通過(guò)的在Y方向延伸的細(xì)長(zhǎng)狀的搬出口 8b。S卩，以基板搬送路2上的基板G通過(guò)該搬出口 8b并能從處理室8搬出的方式構(gòu)成。此外，如圖所示，在處理室8內(nèi)的基板搬送路2的上方，配置用于對(duì)基板G進(jìn)行局部性的曝光(UV光放射)的光照射器3。該光照射器3，具備將光源4收容于遮蔽空間的箱體5，在該箱體5的底部設(shè)置由光擴(kuò)散板構(gòu)成的光放射窗6。S卩，在光源4和作為被照射體的基板G之間配置光放射窗6。收容于箱體5的光源4，是在基板寬度方向(Y方向)上延伸設(shè)置的線狀光源4，該線狀光源4按以下方式構(gòu)成在線路基板7上將分別發(fā)出規(guī)定波長(zhǎng)(例如與g線G36nm)、h線G05nm)、i線(364nm)的任意一個(gè)相近的)UV光的多個(gè)UV-LED元件Ll Ln (η為正整數(shù))配置為直線狀。從光源4放射出的光，通過(guò)光放射窗6而適度地?cái)U(kuò)散，因此鄰接的UV-LED元件L 的光連接為線狀地向下方照射。此外，構(gòu)成光源4的各UV-LED元件L，分別由發(fā)光驅(qū)動(dòng)部9獨(dú)立地控制其發(fā)光驅(qū)動(dòng)。進(jìn)而，能分別控制對(duì)各UV-LED元件L供給的正向電流值。S卩，各UV-LED元件L，通過(guò)發(fā)光驅(qū)動(dòng)部9，能夠改變與該供給電流對(duì)應(yīng)的發(fā)光的放射照度。此外，在通常的曝光處理時(shí)，鄰接的多個(gè)(例如5個(gè))UV-LED元件L為一組(稱作發(fā)光控制組GR)，以該組為單元通過(guò)發(fā)光驅(qū)動(dòng)部9進(jìn)行發(fā)光控制。另外，上述發(fā)光驅(qū)動(dòng)部9，通過(guò)由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部40，控制其驅(qū)動(dòng)。此外，如圖1所示，光照射器3由升降軸11從下方支撐，升降軸11，通過(guò)由發(fā)動(dòng)機(jī)等構(gòu)成的升降驅(qū)動(dòng)部12，例如通過(guò)滾珠絲杠式構(gòu)造設(shè)置為能上下移動(dòng)。即，光照射器3，相對(duì)于在基板搬送路2被搬送的基板G，能夠改變其照射位置的高度。升降驅(qū)動(dòng)部12由控制部40來(lái)控制。此外，在處理室8內(nèi)，在光照射器3的側(cè)面(圖中的上流側(cè))，設(shè)置用于檢測(cè)從光源 4放射并通過(guò)光放射窗6的光的照度(放射束)的照度傳感器13。該照度傳感器13設(shè)置于相對(duì)光放射窗6的下方位置從側(cè)面能進(jìn)退的進(jìn)退軸14的前端，而且，進(jìn)退軸14，其進(jìn)退驅(qū)動(dòng)部15由支持軸16吊著。此外，支持軸16設(shè)置為通過(guò)水平移動(dòng)驅(qū)動(dòng)部17能向基板寬度方向(Y方向)移動(dòng)，由此照度傳感器13能檢測(cè)出在光放射窗6的下方中任意位置的照度。另外，通過(guò)照度傳感器13檢測(cè)的信號(hào)，供給到由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部40。此外，上述進(jìn)退驅(qū)動(dòng)部15和水平移動(dòng)驅(qū)動(dòng)部17由控制部40控制。此外，在該局部曝光裝置1中，例如在處理室8的搬入口 8a的上流側(cè)，設(shè)置用于檢測(cè)在基板搬送路2搬送的基板G的規(guī)定地方(例如前端)的基板檢測(cè)傳感器30，來(lái)將檢測(cè)信號(hào)輸出到控制部40。由于在基板搬送路2上以規(guī)定的速度(例如50mm/sec)搬送基板 G，由此控制部40根據(jù)上述檢測(cè)信號(hào)和取得該檢測(cè)信號(hào)后的時(shí)間和基板搬送速度，能取得基板G的搬送位置。此外，控制部40在規(guī)定的存儲(chǔ)區(qū)域中具有發(fā)光控制程序P，所述發(fā)光控制程序P用于在規(guī)定的定時(shí)控制構(gòu)成光源4的各UV-LED元件L的亮度，即向各元件L供給的電流值。該發(fā)光控制程序P，作為在其執(zhí)行時(shí)使用的方案的參數(shù)，預(yù)先設(shè)定應(yīng)對(duì)基板G的規(guī)定位置放射的必要照度(向發(fā)光控制組GR供給的電流值)和用于特別指定對(duì)上述基板G 的規(guī)定位置進(jìn)行發(fā)光控制的發(fā)光控制組GR的信息等。此處，使用圖4說(shuō)明用于求得在局部曝光裝置1實(shí)施的存儲(chǔ)在控制部40的方案內(nèi)容(參數(shù))的工序(稱作測(cè)量模式)和通常的局部曝光工序的一連串的動(dòng)作。另外，在上述測(cè)量模式中，如圖1、圖2所示，局部曝光裝置1、顯影裝置56 (DEV)和膜厚測(cè)量裝置57聯(lián)合地進(jìn)行作業(yè)。此外，在圖4的流程圖中，用虛線包圍的步驟表示在局部曝光裝置1以外的處理內(nèi)容。首先，形成了抗蝕劑膜的基板G搬入曝光裝置55 (EXP)，實(shí)施在規(guī)定的掩模圖案的曝光處理(半曝光處理)(圖4的步驟Ml)。在步驟Ml的曝光處理后，基板G被搬送到局部曝光裝置1的基板搬送路2，當(dāng)被基板檢測(cè)傳感器30檢測(cè)到時(shí)，其基板檢測(cè)信號(hào)供給到控制部40(圖4的步驟^2)?？刂撇?0根據(jù)上述基板檢測(cè)信號(hào)和基板搬送速度，開(kāi)始取得(檢測(cè))基板G的搬送位置(圖4的步驟M3)。此處，在方案內(nèi)容(參數(shù))未設(shè)定的情況下，實(shí)施用于通過(guò)控制部40的控制設(shè)定方案內(nèi)容的測(cè)量模式(圖4的步驟M4)。針對(duì)該測(cè)量模式，使用圖5和圖7進(jìn)行具體說(shuō)明。在測(cè)量模式中，如圖5所示基板G的被處理面(感光膜面)被虛擬地分割為多個(gè)大區(qū)塊Bl (由粗線分割的區(qū)域)，而且各大區(qū)塊Bl內(nèi)的區(qū)域被虛擬地分割為多個(gè)(例如25 個(gè))小區(qū)塊B2(由點(diǎn)劃線分割的區(qū)域)。在控制部40中，各大區(qū)塊Bl的識(shí)別根據(jù)坐標(biāo)值G^^nBl(xl，yl)、Bl(x2，yl)等) 進(jìn)行，各小區(qū)塊B2的識(shí)別根據(jù)在其大區(qū)塊Bl內(nèi)制定的坐標(biāo)值(例如B2(xl-l，yl-l))來(lái)進(jìn)行。上述大區(qū)塊Bi，是膜厚管理的最小的單位區(qū)域(目標(biāo)膜厚相同的區(qū)域)，在實(shí)施不是測(cè)量模式的通常的局部曝光工序時(shí)，該區(qū)域內(nèi)以均勻的照度被照射。此外，上述小區(qū)塊B2，是測(cè)量模式的照射控制的最小的單元區(qū)域，在測(cè)量模式下照射到各小區(qū)塊B2的照度設(shè)定為分別與照射到其他的小區(qū)塊B2的照度不同。具體而言，如圖6所示各大區(qū)塊Bl之中的小區(qū)塊B2，在0 48mJ/cm2范圍，按每個(gè)規(guī)定間隔分配不同的數(shù)字。在圖6中，在各個(gè)25個(gè)小區(qū)塊B2中分配不同的照度。由此， 對(duì)各小區(qū)塊B2的曝光量根據(jù)照度而不同，在顯影處理后的膜厚中產(chǎn)生與上述照度對(duì)應(yīng)的差異。這樣在測(cè)量模式中對(duì)多個(gè)小區(qū)塊B2以分別不同的照度進(jìn)行照射，是為了求得用于將關(guān)于各大區(qū)塊Bl的顯影處理后的膜厚作為期望值(目標(biāo)膜厚)的最適合的照度(以下，稱作必要照度)。即，選擇在測(cè)量模式中顯影處理后成為與目標(biāo)膜厚一致的剩余膜厚的小區(qū)塊B2，可以將對(duì)該小區(qū)塊B2照射的照度作為必要照度。此外，在本實(shí)施方式中，各小區(qū)塊B2的大小，與一個(gè)UV-LED元件L的照射面積對(duì)應(yīng)，通過(guò)獨(dú)立地進(jìn)行在測(cè)量模式中各UV-LED元件L的發(fā)光控制，對(duì)各小區(qū)塊B2以圖6所示的設(shè)定照度進(jìn)行照射。在這樣地通過(guò)一個(gè)UV-LED元件L的發(fā)光控制來(lái)對(duì)一個(gè)小區(qū)塊B2進(jìn)行照射的情況下，能夠在基板面設(shè)定最多的小區(qū)塊B2，能提高必要照度的精度，并能提高膜厚均勻性。因此，控制部40，在測(cè)量模式中，當(dāng)基板G被搬送到光照射器3的下方時(shí)，按照對(duì)通過(guò)各UV-LED元件L的下方的各小區(qū)塊B2以圖6所示的設(shè)定照度由各UV-LED元件L進(jìn)行照射的方式，控制發(fā)光驅(qū)動(dòng)部9 (圖4的步驟M5)。此處，結(jié)束了在步驟St5的曝光處理后的基板G，被搬入顯影裝置56 (DEV)，實(shí)施顯影處理(圖4的步驟M6)。然后，進(jìn)行了顯影處理后的基板G，被搬入膜厚測(cè)量裝置57，針對(duì)各大區(qū)塊B1中的各小區(qū)塊B2測(cè)量抗蝕劑膜的剩余膜厚(圖4的步驟M7)。通過(guò)該測(cè)量，能得到關(guān)于各大區(qū)塊Bl的如圖7所示的剩余膜厚與照度的相關(guān)圖表(相關(guān)數(shù)據(jù))(圖4的步驟M8)。gp，圖7是以橫軸為照度(0 48mJ/cm2)、縱軸為剩余膜厚(A)，標(biāo)繪了與各照度 (0、2、4、…、48mJ/cm2)對(duì)應(yīng)的小區(qū)塊B2的剩余膜厚的相關(guān)圖表圖的一個(gè)例子。
在控制部40中，反饋在上述圖7中作為圖表表示的每個(gè)大區(qū)塊Bl的相關(guān)數(shù)據(jù)，在其存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)(未圖示)例如作為相關(guān)表格進(jìn)行存儲(chǔ)。此外，在控制部40存儲(chǔ)的圖8的方案表格T中，預(yù)先對(duì)全部的大區(qū)塊Bi，分別設(shè)定作為目標(biāo)的膜厚值(例如大區(qū)塊Bl (xl，yl)為7500 A，Bl(x3，yl)為8000 Α)，控制部 40通過(guò)將該目標(biāo)膜厚適用于相關(guān)數(shù)據(jù)，求得關(guān)于全部大區(qū)塊Bl適當(dāng)?shù)谋匾斩取Ｈ缓?，關(guān)于全部大區(qū)塊Bl求得必要照度時(shí)，控制部40將那些必要照度登錄在方案表格T上(圖4的步驟M9)。在圖8的例子中，大區(qū)塊Bl (xl，yl)登錄OmJ/cm2 ( S卩，不必進(jìn)行補(bǔ)正照射)，Bl (x3, yl)登錄2mJ/cm2。此外，控制部40，設(shè)定與向各大區(qū)塊Bl的照射對(duì)應(yīng)的多個(gè)(在附圖中為5個(gè)) UV-LED元件L作為發(fā)光控制組GR，為了使各發(fā)光控制組GR以上述必要照度進(jìn)行發(fā)光而求得需要的正向電流值，并登錄到方案表格T中。在圖8的例子中，大區(qū)塊Bl(xl，yl)與發(fā)光控制組GR5對(duì)應(yīng)，設(shè)定OmA的電流值，Bl (x3, yl)與發(fā)光控制組GR5對(duì)應(yīng)，設(shè)定4. ImA的電流值。在該正向電流值的測(cè)量中，通過(guò)升降驅(qū)動(dòng)部12光照射器3上升移動(dòng)到規(guī)定高度， 通過(guò)上述進(jìn)退驅(qū)動(dòng)部15和水平移動(dòng)驅(qū)動(dòng)部17，照度傳感器13移動(dòng)到光放射窗6的下方。 此處，例如光放射窗6與照度傳感器13的距離調(diào)整為等于光放射窗6與基板G上表面的距離，成為發(fā)光控制單元的控制組GR的發(fā)光照度分別由照度傳感器13進(jìn)行檢測(cè)。而且，由照度傳感器13檢測(cè)出的照度的值成為應(yīng)使其發(fā)光控制組GR發(fā)光的照度時(shí)，測(cè)量此時(shí)的供給電流，并作為驅(qū)動(dòng)電流值登錄到方案表格T中(圖4的步驟^lO)。另一方面，在圖4的步驟St4中，在已經(jīng)設(shè)定有方案內(nèi)容的情況下，控制部40，作為通常的局部曝光工序，根據(jù)方案表格T進(jìn)行UV-LED元件L的發(fā)光控制(圖4的步驟Mil)。S卩，如圖9示意性地表示那樣，由于各大區(qū)塊Bl的必要照度設(shè)定在方案中，因此在基板G上的各大區(qū)塊Bl通過(guò)各發(fā)光控制組GR的下方的定時(shí)，對(duì)各發(fā)光控制組GR，供給與必要照度對(duì)應(yīng)的正向電流。例如，在圖8的方案表格T的例子中，在大區(qū)塊Bl (x2，yl)通過(guò)的定時(shí)，對(duì)發(fā)光控制組GR5供給7. 5mA的正向電流，在Bl (x3，yl)通過(guò)的定時(shí)，對(duì)發(fā)光控制組 GR5供給4. ImA的電流。另外，如上所述，在本實(shí)施方式中，將五個(gè)UV-LED元件L作為發(fā)光控制組GR，各組 GR與一個(gè)大區(qū)塊Bl對(duì)應(yīng)。這樣，當(dāng)基板G通過(guò)光源4的下方時(shí)，對(duì)全部大區(qū)塊Bl以基于方案的必要照度進(jìn)行照射，局部曝光處理結(jié)束。另外，如圖3所示，通過(guò)該局部曝光處理(AE)，對(duì)基板G的曝光處理完成，該曝光后的抗蝕劑膜通過(guò)顯影裝置56 (DEV)進(jìn)行顯影處理。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，作為補(bǔ)正對(duì)基板G的曝光處理的方法，對(duì)要使膜厚更薄的任意部位進(jìn)行局部的曝光處理。在該局部性的曝光處理中，在預(yù)先設(shè)定方案內(nèi)容的測(cè)量模式中，由于能得到多個(gè)階段的照度與剩余膜厚的相關(guān)數(shù)據(jù)，因此對(duì)作為膜厚控制的單位的每個(gè)大區(qū)塊Bi，能根據(jù)目標(biāo)殘膜容易地設(shè)定最適當(dāng)?shù)谋匾斩?。因此，即使是例如在半曝光處理中抗蝕劑膜具有不同膜厚(厚膜部和薄膜部)的情況下(即，即使是如薄膜部那樣薄的膜厚)，也能對(duì)顯影處理后的抗蝕劑膜厚進(jìn)行調(diào)整而使其均勻。其結(jié)果是，能抑制配線圖案的線寬和間距的參差不齊。此外，通過(guò)將上述相關(guān)數(shù)據(jù)作為數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行保持，即使因掩模圖案的變更而使需要的減少的膜厚(目標(biāo)膜厚)變化，也能根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)容易地得到必要照度。在上述步驟中，按每個(gè)大區(qū)塊求得最適當(dāng)?shù)谋匾斩?。然后，設(shè)該值為例如圖12 所示的值。然后，只要以如圖12所示的值的照度對(duì)每個(gè)大區(qū)塊Bl進(jìn)行照射即可。接著，對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此處，與第一實(shí)施方式相同的部分省略說(shuō)明。在第二實(shí)施方式中，求得圖12所示的值后，進(jìn)一步進(jìn)行后述的作業(yè)，根據(jù)該作業(yè)的結(jié)果進(jìn)行照度的控制。此處，為了容易理解，使用圖 12 的 Bl (xl，yl)Bl(x2, yl)Bl(x3, yl)Bl(x4, yl) Bl(x5,yl)的區(qū)域進(jìn)行說(shuō)明。以Bl(xl，yl) Bl(x5，yl)的X方向的位置為橫軸、以每個(gè)各大區(qū)塊Bl的照度為縱軸形成的圖表如圖13所示。在第一實(shí)施方式中，以圖12、13所示的照度設(shè)定每個(gè)大區(qū)塊Bl的照度，并進(jìn)行照射。然而，例如，在Bl(x2，yl)與Bl(x3，yl)的邊界部分，照度階梯狀地變化(1 — 2mJ/cm2)。 于是，為了照度在邊界部分平滑地變化，例如如圖14所示，在Bl (xl, yl) Bl (x5,yl)之間進(jìn)行插補(bǔ)作業(yè)。例如，將每個(gè)大區(qū)塊Bl(xn，yl)的最適照度標(biāo)繪在大區(qū)塊Bl (xn，yl)的X方向的中央，求得對(duì)該標(biāo)繪的點(diǎn)平滑地進(jìn)行插補(bǔ)后的圖表D。然后，與該圖表D對(duì)應(yīng)地，分別獨(dú)立地控制各小區(qū)塊B2(xn，yn)的照度，并進(jìn)行照射。此處，在進(jìn)行Bl (xl，yl) Bl(x5，yl)之間的插補(bǔ)時(shí)，可以使用常用的插補(bǔ)方法。而且，進(jìn)行插補(bǔ)的程序預(yù)先存儲(chǔ)在控制部40中，可以自動(dòng)地進(jìn)行插補(bǔ)作業(yè)。同樣，在Y方向也進(jìn)行各大區(qū)塊Bl之間的插補(bǔ)作業(yè)。這樣，能夠設(shè)定全部的每小區(qū)塊B2的照度，按每小區(qū)塊B2進(jìn)行控制。如上所述，第二實(shí)施方式，雖然與第一實(shí)施方式相比作業(yè)和控制更加復(fù)雜，但能夠比第一實(shí)施方式精度更加高地調(diào)整抗蝕劑膜厚。另外，在上述實(shí)施方式中，以使半曝光處理后的抗蝕剩余膜厚均勻的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但在本發(fā)明的局部曝光方法中，能不只適用于半曝光處理。例如，進(jìn)行不是半曝光處理的通常的曝光處理的情況通過(guò)適用發(fā)明的局部曝光方法，也能夠使抗蝕剩余膜厚面內(nèi)均勻。此外，在測(cè)量模式中，不限定于如圖4的步驟St7、SM那樣測(cè)量抗蝕剩余膜厚來(lái)求得剩余膜厚與照度的相關(guān)數(shù)據(jù)，也可以測(cè)量顯影處理后的圖案線寬來(lái)求得圖案線寬與照度的相關(guān)數(shù)據(jù)，并根據(jù)該相關(guān)數(shù)據(jù)制作方案表格。例如，可以將對(duì)圖案線寬成為與期望值(目標(biāo)線寬)一致的線寬的小區(qū)塊B2進(jìn)行照射的照度，設(shè)為其大區(qū)塊Bl的必要照度。此外，在上述實(shí)施方式中，以一邊平流搬送基板G—邊進(jìn)行曝光處理的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但在本發(fā)明中，不限定于該方式，也可以是在處理室內(nèi)以靜止的狀態(tài)保持被處理基板并對(duì)保持的基板進(jìn)行曝光處理的結(jié)構(gòu)。在該情況下，可以使線狀光源相對(duì)于被處理基板移動(dòng)(即，可以是線狀光源與被處理基板相對(duì)地向逆方向移動(dòng)的結(jié)構(gòu))。此外，在上述實(shí)施方式的測(cè)量模式中，對(duì)一個(gè)小區(qū)塊B2，進(jìn)行一個(gè)UV-LED元件L的發(fā)光控制，并以分別設(shè)定的照度進(jìn)行照射，但本發(fā)明不限定于此。S卩，測(cè)量模式的最小的發(fā)光控制單元的大小沒(méi)有限定，例如對(duì)一個(gè)小區(qū)塊B2，可以對(duì)互相鄰接的多個(gè)UV-LED元件L進(jìn)行發(fā)光控制，以設(shè)定的規(guī)定的照度進(jìn)行照射。此外，也可以組合上述實(shí)施方式的一部分來(lái)實(shí)施。 在這樣地通過(guò)多個(gè)UV-LED元件L的發(fā)光控制對(duì)一個(gè)小區(qū)塊B2進(jìn)行照射的情況下，需要設(shè)定與多個(gè)UV-LED元件L的照射面積對(duì)應(yīng)的小區(qū)塊B2，因此與通過(guò)一個(gè)UV-LED元件L進(jìn)行對(duì)應(yīng)的情況相比能減少在基板面設(shè)定的小區(qū)塊B2的數(shù)量，能以更短的時(shí)間得到各大區(qū)塊Bl的必要照度。另外，上述的實(shí)施方式是適用于液晶、等離子體顯示器、有機(jī)EL等的FPD基板的例子，但本發(fā)明也能適用于基板為FPD基板以外的半導(dǎo)體晶片、光掩模用的掩模原版(mask reticule)、太陽(yáng)電池制造用的基板等。
權(quán)利要求
1.一種局部曝光方法，是將在基板上形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，在排列為線狀的多個(gè)發(fā)光元件的下方，使所述基板在與該排列方向交叉的方向上相對(duì)地移動(dòng)，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊預(yù)先設(shè)定的照度，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制，由此局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光方法，其特征在于，包括將所述大區(qū)塊分割為多個(gè)小區(qū)塊的步驟；對(duì)所述大區(qū)塊內(nèi)的每個(gè)小區(qū)塊，分等級(jí)地設(shè)定不同的照射照度的步驟； 對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟；對(duì)通過(guò)所述發(fā)光元件的照射而被曝光處理的感光膜進(jìn)行顯影處理的步驟； 對(duì)進(jìn)行過(guò)所述顯影處理的每個(gè)小區(qū)塊，測(cè)量所述感光膜的剩余膜厚，并取得在所述小區(qū)塊設(shè)定的照度和剩余膜厚的相關(guān)數(shù)據(jù)的步驟；和根據(jù)所述相關(guān)數(shù)據(jù)，從對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊設(shè)定的感光膜的目標(biāo)剩余膜厚，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的局部曝光方法，其特征在于在根據(jù)所述相關(guān)數(shù)據(jù)，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟之后，執(zhí)行 使基板相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的步驟；和當(dāng)在所述基板上形成的所述多個(gè)大區(qū)塊在所述多個(gè)發(fā)光元件的下方相對(duì)地移動(dòng)時(shí)，對(duì)各大區(qū)塊，根據(jù)所述求得的必要照度，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的局部曝光方法，其特征在于在對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊，對(duì)一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行發(fā)光控制，并以所述設(shè)定的照度進(jìn)行照射。
4.如權(quán)利要求1所述的局部曝光方法，其特征在于在對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，將從所述發(fā)光元件發(fā)出的光，通過(guò)光擴(kuò)散板對(duì)所述基板上的感光膜進(jìn)行放射。
5.一種局部曝光方法，是將在基板形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，在排列為線狀的多個(gè)發(fā)光元件的下方，使所述基板在與該排列方向交叉的方向上相對(duì)地移動(dòng)，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊預(yù)先設(shè)定的照度，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制，由此局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光方法，其特征在于，包括將所述大區(qū)塊分割為多個(gè)小區(qū)塊的步驟；對(duì)所述大區(qū)塊內(nèi)的每個(gè)小區(qū)塊，分等級(jí)地設(shè)定不同的照射照度的步驟； 對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟；對(duì)通過(guò)所述發(fā)光元件的照射而被曝光處理的感光膜進(jìn)行顯影處理的步驟； 對(duì)每個(gè)進(jìn)行過(guò)所述顯影處理的小區(qū)塊，測(cè)量所述感光膜的顯影后的線寬，并取得在所述小區(qū)塊設(shè)定的照度和線寬的相關(guān)數(shù)據(jù)的步驟；和根據(jù)所述相關(guān)數(shù)據(jù)，從對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊設(shè)定的感光膜的目標(biāo)線寬，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的局部曝光方法，其特征在于在根據(jù)所述相關(guān)數(shù)據(jù)，求得對(duì)各大區(qū)塊進(jìn)行照射的必要照度的步驟之后，執(zhí)行 使基板相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的步驟；和當(dāng)在所述基板上形成的所述多個(gè)大區(qū)塊在所述多個(gè)發(fā)光元件的下方相對(duì)地移動(dòng)時(shí)，對(duì)各大區(qū)塊，根據(jù)所述求得的必要照度，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制步驟。
7.如權(quán)利要求5所述的局部曝光方法，其特征在于在對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，對(duì)所述每個(gè)小區(qū)塊，對(duì)一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行發(fā)光控制，并以所述設(shè)定的照度進(jìn)行照射。
8.如權(quán)利要求5所述的局部曝光方法，其特征在于在對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的所述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行所述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟中，將從所述發(fā)光元件發(fā)出的光，通過(guò)光擴(kuò)散板對(duì)所述基板上的感光膜進(jìn)行放射。
9.一種局部曝光裝置，是在形成有感光膜的基板上局部地實(shí)施曝光處理的局部曝光裝置，其特征在于，具有排列為線狀的多個(gè)發(fā)光元件；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其在所述多個(gè)發(fā)光元件的下方，使基板在與所述排列方向交叉的方向上相對(duì)地移動(dòng)；和控制部，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制，所述控制部，將在基板上形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，根據(jù)對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊預(yù)先設(shè)定的照度，對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件選擇性地進(jìn)行發(fā)光控制。
10.如權(quán)利要求9所述的局部曝光裝置，其特征在于所述大區(qū)塊內(nèi)的區(qū)域被分割為多個(gè)小區(qū)塊，照射在被分割的各個(gè)所述小區(qū)塊的照度， 對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊分配以規(guī)定間隔而不同的照度來(lái)照射到所述基板，將在成為與顯影處理后的目標(biāo)膜厚一致的剩余膜厚的所述小區(qū)塊進(jìn)行了照射的照度， 設(shè)定為所述大區(qū)塊的照度，所述控制部，根據(jù)所述對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊設(shè)定的照度，進(jìn)行所述多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光控制。
11.如權(quán)利要求9所述的局部曝光裝置，其特征在于所述大區(qū)塊內(nèi)的區(qū)域被分割為多個(gè)小區(qū)塊，照射在被分割的各個(gè)所述小區(qū)塊的照度， 對(duì)每個(gè)所述小區(qū)塊分配以規(guī)定間隔而不同的照度來(lái)照射到所述基板，測(cè)量顯影處理后在感光膜形成的圖案線寬，根據(jù)圖案線寬和照度的相關(guān)數(shù)據(jù)，將對(duì)成為目標(biāo)線寬的所述小區(qū)塊進(jìn)行了照射的照度設(shè)定為所述大區(qū)塊的照度，所述控制部，根據(jù)所述對(duì)每個(gè)所述大區(qū)塊設(shè)定的照度，進(jìn)行所述多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光控制。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能提高顯影處理后的抗蝕殘膜的均勻性并抑制配線圖案的線寬和間距的參差不齊的局部曝光方法，其包括將在被處理基板形成的感光膜分割為多個(gè)大區(qū)塊，并將上述大區(qū)塊分割為多個(gè)小區(qū)塊的步驟；對(duì)上述大區(qū)塊內(nèi)的每個(gè)小區(qū)塊，分等級(jí)地設(shè)定不同的照射照度的步驟；對(duì)相對(duì)于多個(gè)發(fā)光元件相對(duì)地移動(dòng)的上述基板的感光膜，根據(jù)對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊設(shè)定的照射照度，進(jìn)行上述發(fā)光元件的發(fā)光控制的步驟；對(duì)上述感光膜進(jìn)行顯影處理的步驟；對(duì)每個(gè)上述小區(qū)塊，測(cè)量上述感光膜的剩余膜厚，并取得在上述小區(qū)塊設(shè)定的照度和剩余膜厚的相關(guān)數(shù)據(jù)的步驟；和根據(jù)上述相關(guān)數(shù)據(jù)從對(duì)每個(gè)上述大區(qū)塊設(shè)定的感光膜的目標(biāo)剩余膜厚求得對(duì)各大區(qū)塊照射的必要照度的步驟。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102566307SQ20111043575
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者久保田光, 尾上幸太朗, 池田文彥 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社