顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一顯示介質(zhì)層。第一基板包括一底板、一柵極、一有源層、一源極與一漏極及一遮蔽結(jié)構(gòu)。柵極設(shè)置于底板上，有源層與柵極電性絕緣且對(duì)應(yīng)設(shè)置，源極與漏極電連接有源層，遮蔽結(jié)構(gòu)位于有源層上，并覆蓋至少部分的有源層。遮蔽結(jié)構(gòu)包括一金屬層及一抗反射結(jié)構(gòu)，抗反射結(jié)構(gòu)直接接觸金屬層。顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
【專利說(shuō)明】
顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種顯示面板，且特別是涉及一種具有高開(kāi)口率的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，不論面板尺寸大小，高分辨率（即相同尺寸下被要求 更高像素）的顯示器以逐漸成為市場(chǎng)主流，其能夠處理數(shù)位訊號(hào)，并顯示更多的畫面細(xì)節(jié)。
[0003] 然而，當(dāng)分辨率越高，往往會(huì)犧牲像素的開(kāi)口率。在此，開(kāi)口率是指除去每個(gè)像素 的配線部、晶體管部之后，光的穿透面積與每個(gè)像素的整體面積之間的比例。開(kāi)口率越高， 光線通過(guò)部分的面積越大，光穿透的效率就越高。在現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管（Thin Film transistor, TFT)基板/彩色濾光片（Color Filter, CF)基板進(jìn)行對(duì)組時(shí)，雖然可根據(jù)對(duì)位 標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，但是，基板上的諸多元件在對(duì)組過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)大小變化、旋轉(zhuǎn)、變形等問(wèn)題， 如此一來(lái)，這些元件的對(duì)組精度往往無(wú)法控制，進(jìn)而影響到產(chǎn)品的開(kāi)口率。
[0004] 因此，如何維持顯示面板的對(duì)組精度，且兼顧高的開(kāi)口率，以達(dá)到顯示器省電節(jié)能 的目的，實(shí)為本領(lǐng)域積極研究的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板，通過(guò)在基板上設(shè)置一金屬層與抗反射結(jié) 構(gòu)，可縮小遮光矩陣的面積，有效提升顯示面板的開(kāi)口率。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明，提出一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一顯示介質(zhì) 層。第一基板包括一底板、一柵極、一有源層、一源極與一漏極及一遮蔽結(jié)構(gòu)。柵極設(shè)置于 底板上，有源層與柵極電性絕緣且對(duì)應(yīng)設(shè)置，源極與漏極電連接有源層，遮蔽結(jié)構(gòu)位于有源 層上，并覆蓋至少部分的有源層。遮蔽結(jié)構(gòu)包括一金屬層及一抗反射結(jié)構(gòu)，抗反射結(jié)構(gòu)直接 接觸金屬層。顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0007] 為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合所附的 附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下：
【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的部分剖視圖；
[0009] 圖1B為本發(fā)明第一實(shí)施例的顯不面板的部分俯視圖；
[0010] 圖2A~圖2C為本發(fā)明的遮蔽層的不同實(shí)施例的示意圖；
[0011] 圖3A為本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的部分剖視圖；
[0012] 圖3B為本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的部分俯視圖；
[0013] 圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示面板的部分剖視圖；
[0014] 圖5A為本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示面板的部分剖視圖；
[0015] 圖5B為本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示面板的部分俯視圖；
[0016] 圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的顯示面板的部分剖視圖；
[0017] 圖7A~圖7C為以固定厚度的鋁-銅的氮化物（Al-Cu-N)/不同厚度的氧化銦鋅 (ΙΖ0)，對(duì)于不同波長(zhǎng)光線的反射率的量測(cè)結(jié)果的示意圖；
[0018] 圖8為鋁（A1)以及鋁-釹（Al-Nd)合金，對(duì)于不同波長(zhǎng)光線的反射率的量測(cè)結(jié)果 的示意圖。
[0019] 符號(hào)說(shuō)明
[0020] 1、2、3、4、5 :顯示面板
[0021] 101、102、103 :第一基板
[0022] 10 :底板
[0023] 21 :柵極
[0024] 21G :柵極線
[0025] 22 :源極
[0026] 22D :數(shù)據(jù)線
[0027] 23 :漏極
[0028] 27 :貫孔
[0029] 30 :有源層
[0030] 40 :柵極絕緣層
[0031] 50 :遮蔽結(jié)構(gòu)
[0032] 500 :金屬層
[0033] 501 :抗反射結(jié)構(gòu)
[0034] 502 :側(cè)壁
[0035] 51 :第一抗反射層
[0036] 52 :第二抗反射層
[0037] 502 :邊緣傾斜處
[0038] 61 :第一保護(hù)層
[0039] 62 :第二保護(hù)層
[0040] 63 :平坦層
[0041] 71 :第一電極
[0042] 72:第二電極
[0043] 200、201 :第二基板
[0044] 80 :底板
[0045] 81 :彩色濾光片
[0046] 82、82 ' ：遮光矩陣
[0047] 82-1 :第一遮光部
[0048] 82-2 :第二遮光部
[0049] 82-2 (T):條狀部
[0050] 82-2 (P):凸出部
[0051] 86 :平坦層
[0052] 300 :顯示介質(zhì)層
[0053] 90:間隔物
[0054] L1、L2、L3:光線
[0055] R1、R2、R3:反射光
[0056] Ml、M2:介質(zhì)
[0057] A-A'、B-B'、C_C' ：剖線面
[0058] X、Y、Z:坐標(biāo)軸
【具體實(shí)施方式】
[0059] 以下是參照所附的附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中相同的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相 同或類似的部分。需注意的是，附圖已簡(jiǎn)化以利清楚說(shuō)明實(shí)施例的內(nèi)容，附圖上的尺寸比例 并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制，因此并非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。
[0060] 本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板可包括一第一基板、一第二基板以及一顯示介質(zhì)層。第 二基板與第一基板相對(duì)設(shè)置，顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。舉例來(lái)說(shuō)，第一 基板可例如為一薄膜晶體管基板，第二基板可例如為一彩色濾光片基板，顯示介質(zhì)層可例 如為一液晶層，但本發(fā)明并未限定于此。
[0061] 在本發(fā)明實(shí)施例中，第一基板可包括一底板、一柵極、一有源層、一源極與一漏極 及一遮蔽結(jié)構(gòu)。柵極設(shè)置于底板上，有源層與柵極電性絕緣且對(duì)應(yīng)設(shè)置，源極與漏極電連接 有源層，遮蔽結(jié)構(gòu)位于有源層上且覆蓋至少部分的有源層。遮蔽結(jié)構(gòu)包括一金屬層與一抗 反射結(jié)構(gòu)，抗反射結(jié)構(gòu)直接接觸金屬層。
[0062] 以下以第一至第五實(shí)施例，詳細(xì)敘述本發(fā)明的顯示面板的不同實(shí)施方式。
[0063] 第一實(shí)施例
[0064] 圖1Α繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板1的部分剖視圖。圖1Β繪示本發(fā)明第一 實(shí)施例的顯示面板1的部分俯視圖。在此，圖1Α為沿著圖1Β的Α-Α'剖面線所繪示的顯示 面板1的剖面示意圖。
[0065] 如圖1Α、圖1Β所不，顯不面板1可包括一第一基板101、一第二基板200以及一顯 示介質(zhì)層300。第二基板200與第一基板101相對(duì)設(shè)置，顯示介質(zhì)層300設(shè)置于第一基板 101與第二基板200之間。顯示介質(zhì)層300中的顯示介質(zhì)，例如可為液晶或有機(jī)發(fā)光層。此 外，顯示面板1也可包括間隔物90,設(shè)置于第一基板101與第二基板200之間。
[0066] 本發(fā)明第一實(shí)施例的第一基板101包括一底板10、一柵極21、一有源層30、一源極 22與一漏極23、一柵極絕緣層40及一遮蔽結(jié)構(gòu)50。柵極21、有源層30、源極22、漏極23與 柵極絕緣層40構(gòu)成一晶體管。柵極21設(shè)置于底板10上，有源層30與柵極21對(duì)應(yīng)設(shè)置， 源極22與漏極23電連接有源層30。有源層30與柵極21可為電性絕緣且相對(duì)設(shè)置，例如 此實(shí)施例中，柵極絕緣層40設(shè)置于柵極21與有源層30之間。
[0067] 在本實(shí)施例中，底板10可例如為一玻璃基板或一可撓式基板（例如塑膠）。有源 層30可為一非晶硅（a-Si)層、一多晶硅層或一金屬氧化物層。適用于有源層的金屬氧化 物層，例如可為氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide, IGZ0)層。此外，遮蔽結(jié)構(gòu)50為 一兩層或多層結(jié)構(gòu)。
[0068] 圖2A~圖2C繪不本發(fā)明的遮蔽結(jié)構(gòu)50的不同實(shí)施例。遮蔽結(jié)構(gòu)50可包括一金 屬層500與一抗反射結(jié)構(gòu)501，抗反射結(jié)構(gòu)501可設(shè)置于金屬層500上方，并直接接觸金屬 層500。光線經(jīng)由抗反射結(jié)構(gòu)501產(chǎn)生的反射光與經(jīng)由金屬層500產(chǎn)生的反射光會(huì)進(jìn)行破 壞性干涉，降低遮蔽層50的整體反射率。
[0069] 舉例來(lái)說(shuō)，如圖2A所示，光線L1由介質(zhì)Ml進(jìn)入介質(zhì)M2時(shí)會(huì)折射成為光線L2,同 時(shí)在介質(zhì)Ml、M2的界面產(chǎn)生反射光R1，光線L2由介質(zhì)M2進(jìn)入抗反射結(jié)構(gòu)501時(shí)會(huì)折射成 為光線L3,同時(shí)在介質(zhì)M2與抗反射結(jié)構(gòu)501的界面產(chǎn)生反射光R2,光線L3經(jīng)由金屬層500 的反射會(huì)產(chǎn)生反射光R3。在此，介質(zhì)Ml例如為空氣，介質(zhì)M2例如為玻璃?？狗瓷浣Y(jié)構(gòu)501 的折射率與金屬層500的折射率為不同，使得在抗反射結(jié)構(gòu)501的界面所產(chǎn)生的反射光R2 與在金屬層500的界面所產(chǎn)生的反射光R3產(chǎn)生光程差，而造成非建設(shè)性干涉（或破壞性干 涉）?？狗瓷浣Y(jié)構(gòu)501的折射率可為大于或小于金屬層500的折射率。
[0070] 本發(fā)明實(shí)施例中，金屬層500的材料可選自由鋁（A1)、鉬（Mo)、鉻（Cr)、鎳（Ni)、 銅（Cu)、鐵（Fe)、釹（Nd)、其合金、及其混合物所組成的群組。亦即，金屬層500可為前述金 屬、前述金屬的合金、或前述金屬及前述合金的混合物。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)金屬層500為合金時(shí)， 可例如為鋁合金、鎳合金或銅合金。
[0071] 抗反射結(jié)構(gòu)501的材料可選自由一金屬氧化物、一金屬氮化物、一金屬合金氧 化物、一金屬合金氮化物、及其混合物所組成的族群。例如，抗反射結(jié)構(gòu)可包括氧化銦錫 (indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅（indium zinc oxide, IZO) 〇
[0072] 再者，抗反射結(jié)構(gòu)501的材料所包括的金屬，可與金屬層500所包括的金屬為相同 金屬。例如，抗反射結(jié)構(gòu)501可為金屬層500的材料的氧化物或氮化物，并且，可通過(guò)使金 屬層500進(jìn)行氧化或氮化，而形成抗反射結(jié)構(gòu)。具體而言，當(dāng)金屬層500為鋁，抗反射結(jié)構(gòu) 501可為鋁的氧化物或氮化物。又例如，當(dāng)金屬層500為合金，抗反射結(jié)構(gòu)501可為此合金 的氧化物、此合金的氮化物、此合金的氧化物、或此合金的氮化物。具體而言，當(dāng)金屬層500 為鋁鎳合金，抗反射結(jié)構(gòu)501可為鋁鎳合金的氧化物或氮化物。當(dāng)金屬層500為鋁銅合金， 抗反射結(jié)構(gòu)501可為鋁銅合金的氧化物或氮化物。
[0073] 如圖2B所示，抗反射結(jié)構(gòu)501設(shè)置于金屬層500的上方，且抗反射結(jié)構(gòu)501可完 全覆蓋金屬層500,并且覆蓋金屬層500的側(cè)壁502。這樣的結(jié)構(gòu)能有效避免金屬層500的 傾斜（taper)的側(cè)壁502反射率過(guò)高的問(wèn)題。
[0074] 此外，抗反射結(jié)構(gòu)501也可為一兩層或多層結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2C所示，抗反射 結(jié)構(gòu)501可包括一第一抗反射層51與一第二抗反射層52,第一抗反射層51與第二抗反射 層52分別設(shè)置于金屬層500的兩側(cè)。在本實(shí)施例中，第一抗反射層51位于金屬層500的 上側(cè)，可降低來(lái)自顯示面板1外部的自然光反射，第二抗反射層52位于金屬層500的位于 下側(cè)，可降低來(lái)自背光模塊（未繪示）的光源反射。在此，上側(cè)可表示接近第二基板200的 出光側(cè)，下側(cè)可表示遠(yuǎn)離此出光側(cè)的另一側(cè)。
[0075] 然而，本發(fā)明并未限定抗反射結(jié)構(gòu)501的層數(shù)，也就是說(shuō)，抗反射結(jié)構(gòu)501可包括 更多的抗反射層?？狗瓷浣Y(jié)構(gòu)501可位于金屬層500的上側(cè)或下側(cè)，或者可同時(shí)位于金屬 的上側(cè)及下側(cè)。并且，抗反射結(jié)構(gòu)501的層數(shù)并沒(méi)有限制。當(dāng)抗反射結(jié)構(gòu)501包括多層抗 反射層時(shí)，以多層抗反射層位于金屬層500的上側(cè)為例，多層抗射層中的每一層的折射率η 值并沒(méi)有一定限制，例如，η值可為朝向出光側(cè)而漸漸變大或漸漸變小?；蛘?，η值也可是大 /小/大/小…交錯(cuò)排列。
[0076] 在本發(fā)明第一實(shí)施例中，第一基板101還可包括一第一保護(hù)層61、一第一電極71 及一第二電極72。第一保護(hù)層61位于有源層30與遮蔽結(jié)構(gòu)50之間，第一電極71接觸漏 極23,第二電極72設(shè)置于第一保護(hù)層61上。此外，遮蔽結(jié)構(gòu)50可具有如圖2C所繪示的 結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，遮蔽結(jié)構(gòu)50的抗反射結(jié)構(gòu)501 (第二抗反射層52)可直接接觸第一保護(hù)層 61。金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu)501能有效遮蔽有源層30。
[0077] 第一電極71與第二電極72可為透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。在本實(shí) 施例中，第一電極71可例如為一像素電極（pixel electrode)層，第二電極72可例如為一 共用電極（common electrode)層。如圖1B所示，第二電極72可例如為一柵狀。
[0078] 此外，圖1B繪示柵極線（gate line) 21G與數(shù)據(jù)線（data line) 22D，圖1A的柵極 21連接于圖1B的柵極線21G，圖1A的源極22連接于圖1B數(shù)據(jù)線22D。
[0079] 本發(fā)明實(shí)施例的第二基板200可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板80、一彩 色濾光片81、一遮光矩陣82及一平坦層86。平坦層86可為有機(jī)透明平坦層。遮光矩陣82 包括多個(gè)第一遮光部82-1及多個(gè)第一開(kāi)口部83,多個(gè)第一遮光部82-1間隔設(shè)置并沿一第 一方向（Y方向）沿伸，且第一開(kāi)口部83由第一遮光部82-1所曝露出。舉例來(lái)說(shuō)，圖1B繪 示第二基板200的其中兩個(gè)第一遮光部82-1，而第一開(kāi)口部83位于兩個(gè)第一遮光部82-1 之間。
[0080] 由于遮蔽結(jié)構(gòu)50 (包括金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu)501)已遮蔽有源層30,遮光矩陣 82可僅用以防止相鄰像素間的混光。因此，有源層30在第二基板200上的垂直投影，至少 部分位于第一開(kāi)口部83中，也就是說(shuō)，以平面圖透視觀察有源層30與遮光矩陣82的位置 關(guān)系，遮光矩陣82的第一開(kāi)口部83可曝露出至少部分的有源層30。亦即，此實(shí)施例的遮 光矩陣82可不需要在一第二方向上（圖中為X方向）遮蔽有源層30?；蛘?，遮光矩陣82 在第二方向上可遮蔽部分的有源層，而不需要遮蔽全部的有源層（第二方向不同于第一方 向，圖中為X方向，此實(shí)施例中，第二方向?yàn)榇怪庇诘谝环较颍?。因此，此結(jié)構(gòu)能有效降低遮 光矩陣82的面積，增加顯示面板1的開(kāi)口率。
[0081] 第二實(shí)施例
[0082] 圖3A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板2的部分剖視圖。圖3B繪示本發(fā)明第二 實(shí)施例的顯示面板2的部分俯視圖。在此，圖3A為沿著圖3B的B-B'剖面線所繪示的顯示 面板2的剖面示意圖。要注意的是，為了更清楚說(shuō)明顯示面板2的結(jié)構(gòu)，圖3B的部分俯視 圖省略部分元件，例如數(shù)據(jù)線22D、柵極線21G等結(jié)構(gòu)。
[0083] 類似于第一實(shí)施例，顯示面板2可包括一第一基板102、一第二基板200以及一顯 示介質(zhì)層300。第二基板200與第一基板102相對(duì)設(shè)置，顯示介質(zhì)層300設(shè)置于第一基板 1〇2與第二基板200之間。此外，顯示面板2也可包括間隔物90,設(shè)置于第一基板102與第 二基板200之間。與第一實(shí)施例的顯示面板1不同之處，在于第二實(shí)施例的第一基板102 的結(jié)構(gòu)。
[0084] 本發(fā)明第二實(shí)施例的第一基板102包括一底板10、一柵極21、一有源層30、一源 極22與一漏極23、一柵極絕緣層40及一遮蔽結(jié)構(gòu)50。柵極21設(shè)置于底板10上，有源層 30與柵極21電性絕緣且相對(duì)設(shè)置，源極22與漏極23電連接有源層30,柵極絕緣層40設(shè) 置于柵極21與有源層30之間。
[0085] 第一基板102還可包括一第一保護(hù)層61、一第一電極71及一第二電極72。第一 保護(hù)層61位于有源層30與遮蔽結(jié)構(gòu)50之間，第一導(dǎo)電層71接觸漏極23。此外，遮蔽結(jié)構(gòu) 50可具有如圖2C所繪示的結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，遮蔽結(jié)構(gòu)50的抗反射結(jié)構(gòu)501 (第二抗反射層 52)可直接接觸第一保護(hù)層61。金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu)501能有效遮蔽有源層30。
[0086] 如圖3A所示，第一基板102還包括一第二保護(hù)層62與一平坦層63。平坦層63位 于第一保護(hù)層61上。在本實(shí)施例中，平坦層63可例如設(shè)置于第一保護(hù)層61與第二電極72 之間，且平坦層63可例如包括有機(jī)材料，能有效將第二電極72與第一基板102中的其他元 件（例如：有源層30)絕緣。第二保護(hù)層62設(shè)置于平坦層63上，且部分的第二保護(hù)層62 介于第一電極71與第二電極72之間。
[0087] 如圖3A所示，第一基板102可包括一貫孔（via) 27,貫孔27貫穿平坦層63和第一 保護(hù)層61，以曝露漏極23的一表面。至少部分第一電極71位于貫孔27內(nèi)，使第一電極71 可電連接漏極23的表面。也就是說(shuō)，第一電極71可沿著貫孔27而設(shè)置于第二保護(hù)層62、 漏極23及平坦層63的表面，并直接接觸漏極23。
[0088] 第一電極71與第二電極72可為透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。在本實(shí) 施例中，第一電極71可例如為一像素電極（pixel electrode)層，第二電極72可例如為一 共用電極（common electrode)層。如圖3B所示，第一電極71可例如為一柵狀。
[0089] 類似地，本發(fā)明實(shí)施例的第二基板200可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板 80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82及一平坦層86。平坦層86可為有機(jī)透明平坦層。如 圖3B所示，遮光矩陣82包括多個(gè)第一遮光部82-1及多個(gè)第一開(kāi)口部83,多個(gè)第一遮光部 82-1間隔設(shè)置并沿一第一方向（Y方向）沿伸，且第一開(kāi)口部83由第一遮光部82-1所曝露 出。
[0090] 此外，由于遮蔽結(jié)構(gòu)50 (包括金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu)501)已遮蔽有源層30,遮 光矩陣82可僅用以防止相鄰像素間的混光，因此，有源層30在第二基板200上的垂直投 影，至少部分位于第一開(kāi)口部83中，也就是說(shuō)，以平面圖透視觀察有源層30與遮光矩陣82 的位置關(guān)系，遮光矩陣82的第一開(kāi)口部83可曝露出至少部分的有源層30。亦即，此實(shí)施例 的遮光矩陣82可不需要在X方向上遮蔽有源層30?；蛘撸诠饩仃?2在X方向上可遮蔽 部分的有源層30,而不需要遮蔽全部的有源層30。因此，此結(jié)構(gòu)能有效降低遮光矩陣82的 面積，增加顯示面板2的開(kāi)口率。
[0091] 第三實(shí)施例
[0092] 圖4繪示本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示面板3的部分剖視圖。本發(fā)明第三實(shí)施例的顯 示面板3的俯視圖類似于第二實(shí)施例，因此可直接參照?qǐng)D3B所繪示的結(jié)構(gòu)。
[0093] 類似于第二實(shí)施例，顯示面板3可包括一第一基板103、一第二基板200以及一顯 示介質(zhì)層300。第二基板200與第一基板103相對(duì)設(shè)置，顯示介質(zhì)層300設(shè)置于第一基板 103與第二基板200之間。此外，顯示面板3也可包括間隔物90,設(shè)置于第一基板103與第 二基板200之間。與第二實(shí)施例的顯示面板2不同之處，在于第一基板103的遮蔽結(jié)構(gòu)50。
[0094] 在本實(shí)施例中，遮蔽結(jié)構(gòu)50可具有如圖2B所繪示的結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，遮蔽結(jié)構(gòu)50 的抗反射結(jié)構(gòu)501設(shè)置于金屬層500的上方，且完全覆蓋金屬層500。此外，遮蔽結(jié)構(gòu)50的 金屬層500直接接觸第二電極72。
[0095] 由于第二電極72可為透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅，因此，第二電極72 可作為遮蔽結(jié)構(gòu)50的另一層抗反射結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，本實(shí)施例的抗反射結(jié)構(gòu)可包括一電極 (即第二電極72)，通過(guò)將金屬層500直接接觸第二導(dǎo)電層72,可有效降低金屬層500的反 射率。在此，位于金屬層500上方的抗反射結(jié)構(gòu)501可降低來(lái)自顯示面板3外部的自然光 反射，第二電極72可降低來(lái)自背光模塊（未繪不）的光源反射。
[0096] 在本發(fā)明實(shí)施例中，遮蔽結(jié)構(gòu)50可包括金屬層500、位于金屬層500上側(cè)的第一抗 反射層51及位于金屬層500下側(cè)的第二抗反射層52 (見(jiàn)圖2C)。第一抗反射層51可包括 金屬合金的氮化物和透明導(dǎo)電層，第二抗反射層52可包括透明導(dǎo)電層。例如，具體的遮蔽 結(jié)構(gòu)50可為ITO/AlCu/AlCuN/ITO的疊層，其中的ΙΤ0為透明導(dǎo)電層，且可與像素電極或共 同電極為共用，例如，可與第二電極72為共用。
[0097] 類似地，如圖4所示，第一基板103可包括一貫孔27,貫孔27貫穿平坦層63和第 一保護(hù)層61，以曝露漏極23的一表面。至少部分第一電極71位于貫孔27內(nèi)，使第一電極 71可電連接漏極23的表面。也就是說(shuō)，第一電極71可沿著貫孔27設(shè)置于第二保護(hù)層62、 漏極23及平坦層63的表面，并直接接觸漏極23。
[0098] 本發(fā)明第三實(shí)施例的第二基板200的結(jié)構(gòu)類似于第一、第二實(shí)施例，在此不多加 贅述。
[0099] 第四實(shí)施例
[0100] 圖5A繪示本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示面板4的部分剖視圖。圖5B繪示本發(fā)明第四 實(shí)施例的顯示面板4的部分俯視圖。在此，圖5A為沿著圖5B的C-C'剖面線所繪示的顯示 面板4的剖面示意圖。要注意的是，為了更清楚說(shuō)明顯示面板4的結(jié)構(gòu)，圖5B的部分俯視 圖省略部分元件，例如數(shù)據(jù)線22D、柵極線21G等結(jié)構(gòu)。
[0101] 類似于第二實(shí)施例，顯示面板4可包括一第一基板102、一第二基板201以及一顯 示介質(zhì)層300。第二基板201與第一基板102相對(duì)設(shè)置，顯示介質(zhì)層300設(shè)置于第一基板 1〇2與第二基板201之間。此外，顯示面板4也可包括間隔物90,設(shè)置于第一基板102與第 二基板201之間。與第二實(shí)施例的顯示面板2不同之處，在于第四實(shí)施例的第二基板201 的結(jié)構(gòu)。
[0102] 由于貫孔27的存在，部分液晶有可能位于貫孔27中，產(chǎn)生液晶運(yùn)轉(zhuǎn)異常的現(xiàn)象。 因此，在本實(shí)施中，可利用遮光矩陣82'遮蔽貫孔27,避免上述現(xiàn)象影響顯示品質(zhì)。
[0103] 在本實(shí)施例中，第二基板201可例如為一彩色濾光片基板，包括一底板80、一彩色 濾光片81、一遮光矩陣82'及一平坦層86。平坦層86可為有機(jī)透明平坦層。遮光矩陣82' 包括多個(gè)第一遮光部82-1、多個(gè)第二遮光部82-2及多個(gè)第二開(kāi)口部84。第一遮光部82-1 間隔設(shè)置且沿一第一方向沿伸，第二遮光部82-2沿一第二方向沿伸，第一方向和第二方向 為不同。在本實(shí)施例中，第一方向例如為Y方向，第二方向例如為X方向，且第二開(kāi)口部84 由第一遮光部82-1和第二遮光部82-2曝露出。
[0104] 舉例來(lái)說(shuō)，圖5B繪示兩個(gè)第一遮光部82-1與兩個(gè)第二遮光部82-2,兩個(gè)第一遮 光部82-1與兩個(gè)第二遮光部82-2的中間的區(qū)域即為第二開(kāi)口部84。此外，第二遮光部 82-2的至少一者可具有一條狀部82-2 (T)和一凸出部82-2 (P)，凸出部82-2 (P)由條狀部 82-2 (T)的一側(cè)邊凸出。
[0105] 在本實(shí)施例中，遮光矩陣82'設(shè)置于貫孔27上，凸出部82-2 (P)可遮蔽貫孔27,且 第一基板102的有源層30在第二基板201上的垂直投影，至少部分位于第二開(kāi)口部84中。 也就是說(shuō)，以平面圖透視觀察有源層30與遮光矩陣82'的位置關(guān)系，遮光矩陣82'的第二 開(kāi)口部84可曝露出至少部分的有源層30。
[0106] 此外，遮光矩陣82'的第一遮光部82-1可用以防止相鄰像素間的混光，第二遮光 部82-2可用以遮蔽貫孔27。由于遮蔽結(jié)構(gòu)50(包括金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu)501)已遮 蔽有源層30,此實(shí)施例的遮光矩陣82'僅用以防止相鄰像素間的混光且對(duì)應(yīng)遮蔽貫孔27， 在X方向上可遮蔽部分的有源層30,而不需要遮蔽全部的有源層30。因此，能有效降低遮 光矩陣82'的面積，增加顯示面板4的開(kāi)口率。
[0107] 第五實(shí)施例
[0108] 圖6繪示本發(fā)明第五實(shí)施例的顯示面板5的部分剖視圖。本發(fā)明第五實(shí)施例的顯 示面板5的俯視圖類似于第四實(shí)施例，因此可直接參照?qǐng)D5B所繪示的結(jié)構(gòu)。
[0109] 在本實(shí)施例中，遮蔽層50可具有如圖2B所繪示的結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，遮蔽結(jié)構(gòu)50的 抗反射結(jié)構(gòu)501設(shè)置于金屬層500的上方，且完全覆蓋金屬層。此外，如圖6所示，遮蔽層 50 (的金屬層500)可直接接觸第二電極72。
[0110] 由于第二電極72可為透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫或氧化銦鋅，因此，第二電極72 可作為金屬層500的另一層抗反射結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，通過(guò)將金屬層500直接接觸第二電極 72,可有效降低金屬層500的反射率。
[0111] 本發(fā)明第五實(shí)施例也可包括第二基板201，第二基板201例如為一彩色濾光片基 板，可包括一底板80、一彩色濾光片81、一遮光矩陣82'及一平坦層86。平坦層86可為有 機(jī)透明平坦層。遮光矩陣82'設(shè)置于貫孔27上，且可包括第一遮光部82-1與第二遮光部 82-2。第一遮光部82-1可用以防止相鄰像素間的混光，第二遮光部82-2的凸出部82-2 (P) 可用以遮蔽貫孔27。由于接觸第二電極72的遮蔽結(jié)構(gòu)50 (包括金屬層500與抗反射結(jié)構(gòu) 501)已遮蔽有源層30,遮光矩陣82'僅用以防止相鄰像素間的混光且對(duì)應(yīng)遮蔽貫孔27,在 X方向上可遮蔽部分的有源層30,而不需要遮蔽全部的有源層30。因此，能有效降低遮光矩 陣82'的面積，增加顯示面板5的開(kāi)口率。
[0112] 本發(fā)明的遮蔽結(jié)構(gòu)50可用來(lái)遮蔽晶體管中的有源層30,因此，對(duì)側(cè)基板上的遮光 矩陣82、82'可不需用來(lái)遮蔽有源層30,或者只需要遮蔽部分的有源層30。因此，遮光矩 陣82、82'的面積可得以減少，而增加顯示面板的開(kāi)口率。雖然以上實(shí)施例以邊界電場(chǎng)切換 型液晶顯不器（fringe field switching liquid crystal display, FFS LCD))為例，但 本發(fā)明并不限限定于此。本發(fā)明適用于具有晶體管的所有類型顯示面板，例如IXD面板及 0LED面板。可應(yīng)用的IXD面板，除了邊界電場(chǎng)切換型液晶顯示器之外，也包括扭轉(zhuǎn)向列型 (twisted nematic, TN)LCD，以及平面切換型（in-plane switching, IPS)LCD、垂直配向型 (vertical alignment, VA) LCD 等等，但不以此為限。
[0113] 再者，本發(fā)明各實(shí)施例的顯示面板以金屬層500搭配抗反射結(jié)構(gòu)501對(duì)有源層30 進(jìn)行遮蔽，這是由于金屬本身反射率太高，可能無(wú)法有效遮蔽，因此通過(guò)抗反射結(jié)構(gòu)501降 低光的反射，使金屬層500搭配抗反射結(jié)構(gòu)501達(dá)到良好的遮蔽效果。以下以鋁-銅的氮 化物/氧化銦鋅（ΙΖ0)為抗反射結(jié)構(gòu)501的一實(shí)施例，量測(cè)其對(duì)于不同波長(zhǎng)光線的反射率。
[0114] 圖7A~圖7C繪示遮光結(jié)構(gòu)為鋁釹合金/鋁-銅的氮化物/氧化銦鋅（AINd/ AlCuN/IZO)，對(duì)于不同波長(zhǎng)光線的反射率的量測(cè)結(jié)果。圖7A于鋁-銅的氮化物的厚度為 400 A，且氧化銦鋅厚度分別為420 560 A、700 A下，搭配偏光片（polarizer)量 測(cè)不同波長(zhǎng)光線的反射率。圖7B于鋁-銅的氮化物的厚度為560 A,且氧化銦鋅厚度分別 為42〇A、560A.、700晨下，搭配偏光片量測(cè)不同波長(zhǎng)光線的反射率。圖7C于鋁-銅 的氮化物的厚度為750 A，且氧化銦鋅厚度分別為420 A、560 A、700 A下，搭配偏光 片量測(cè)不同波長(zhǎng)光線的反射率。
[0115] 圖8繪示以厚度為2500 A的鋁（A1)以及鋁-釹（Al-Nd)合金，對(duì)于不同波長(zhǎng)光 線的反射率的量測(cè)結(jié)果。
[0116] 比較圖7A~圖7C與圖8的結(jié)果，可明顯看出無(wú)論在何種厚度組合下，鋁釹合金/ 鋁-銅的氮化物/氧化銦鋅對(duì)于不同波長(zhǎng)光線的反射率都明顯低于鋁或鋁-釹合金對(duì)于不 同波長(zhǎng)光線的反射率。也就是說(shuō)，通過(guò)鋁-銅的氮化物/氧化銦鋅作為抗反射結(jié)構(gòu)501，能 有效降低光的反射，使金屬層500搭配抗反射結(jié)構(gòu)501達(dá)到良好的遮蔽效果。
[0117] 承上述實(shí)施例，本發(fā)明的顯示面板可通過(guò)在基板上設(shè)置一金屬層與抗反射結(jié)構(gòu)， 縮小遮光矩陣的面積，有效提升顯示面板的開(kāi)口率，達(dá)到顯示器省電節(jié)能的目的。
[0118] 雖然結(jié)合以上實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因 此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種顯不面板，包括： 第一基板，包括： 底板； 柵極，設(shè)置于該底板上； 有源層，與該柵極電性絕緣且對(duì)應(yīng)設(shè)置； 源極與漏極，電連接該有源層；及 遮蔽結(jié)構(gòu)，位于該有源層上，該遮蔽結(jié)構(gòu)覆蓋至少部分的該有源層，該遮蔽結(jié)構(gòu)包括金 屬層及抗反射結(jié)構(gòu)，該抗反射結(jié)構(gòu)直接接觸該金屬層； 第二基板；以及 顯示介質(zhì)層，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。2. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該第一基板還包括： 第一保護(hù)層，位于該有源層和該遮蔽結(jié)構(gòu)之間。3. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該第二基板包括遮光矩陣，該遮光矩陣包括： 多個(gè)第一遮光部；及 多個(gè)第一開(kāi)口部，由該些第一遮光部曝露出， 其中該些第一遮光部間隔設(shè)置且沿一第一方向沿伸，且該有源層在該第二基板上的垂 直投影，至少部分位于該第一開(kāi)口部中。4. 如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中該第一基板還包括： 平坦層，位于該第一保護(hù)層上。5. 如權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中該第一基板還包括： 貫孔，貫穿該平坦層和該第一保護(hù)層，以曝露該漏極的一表面； 第一電極，該第一電極的至少部分位于該貫孔內(nèi)，以使該第一電極電連接該漏極的該 表面。6. 如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中該第二基板包括遮光矩陣，該遮光矩陣包括： 多個(gè)第一遮光部； 多個(gè)第二遮光部；及 多個(gè)第二開(kāi)口部，由該些第一遮光部和該些第二遮光部曝露出， 其中該些第一遮光部間隔設(shè)置且沿該一第一方向沿伸，該些第二遮光部沿一第二方向 沿伸，該第一方向和該第二方向?yàn)椴煌摰诙诠獠康闹辽僖徽呔哂幸粭l狀部和一凸出 部，該凸出部由該條狀部的一側(cè)邊凸出，該凸出部遮蔽該貫孔，且該有源層在該第二基板上 的垂直投影，至少部分位于該第二開(kāi)口部中。7. 如權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中該抗反射結(jié)構(gòu)包括電極。8. 如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其中該抗反射結(jié)構(gòu)的材料包括氧化銦錫、或氧化銦 鋅。9. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該金屬層的材料為擇自由鋁、鉬、鉻、鎳、銅、鐵、 釹、其合金、及其混合物所組成的族群中。10. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該抗反射結(jié)構(gòu)的材料為擇自由一金屬氧化物、 一金屬氮化物、一金屬合金氧化物、一金屬合金氮化物、及其混合物所組成的族群中。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105990371SQ201510067247
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月9日
【發(fā)明人】賴曉萍, 呂昭良, 顏?zhàn)訒F, 謝朝樺
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司