集成的引線接合器和具有缺陷剔除的三維測量系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種裝置，所述裝置包括具有引線接合裝置(210)、測量裝置(215)和剔除裝置(220)的引線接合器系統(tǒng)。所述引線接合裝置(210)被構(gòu)造為將引線接合型電互連件附接到電子組件。引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成，以形成電子組件的至少一部分。所述測量裝置(215)被構(gòu)造為進(jìn)行與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量，并且所述剔除裝置(220)被構(gòu)造為根據(jù)所述三維引線接合測量識別應(yīng)予剔除的電子組件。
【專利說明】集成的引線接合器和具有缺陷剔除的三維測量系統(tǒng)
[0001 ] 要求優(yōu)先權(quán)
[0002]本申請要求于2013年12月11日提交的美國臨時(shí)專利申請序列號61/914.573的權(quán)益。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本文件涉及電子裝置，并且更具體地講涉及半導(dǎo)體裝置的自動引線接合。
【背景技術(shù)】
[0004]引線接合是指在半導(dǎo)體裝置(例如，集成電路或IC)與其包裝之間或者向另一個(gè)電子裝置(諸如，用于例如半導(dǎo)體裝置或印刷電路板(PCB)的引線框架)加入電互連的工藝。一旦引線接合工藝完成，手動檢查引線接合(諸如由操作者使用顯微鏡)以識別缺陷。本發(fā)明人已認(rèn)識到需要改善引線接合工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本文件整體涉及系統(tǒng)、裝置以及用于組裝電子裝置和系統(tǒng)的方法，并且具體地講涉及半導(dǎo)體裝置的引線接合。如本文先前所解釋的，一旦引線接合工藝完成，便可手動檢查引線接合以識別缺陷。因?yàn)闄z查與接合工藝分開，所以在通過手動檢查發(fā)現(xiàn)問題之前可能已完成一個(gè)或多個(gè)批次。這可能產(chǎn)生大量的缺陷產(chǎn)品。另外，手動檢查增加制造過程的成本和時(shí)間。本主題可通過將檢查與引線接合工藝實(shí)時(shí)集成來改善制造過程，而不是將檢查作為離線步驟來進(jìn)行。
[0006]本主題的設(shè)備例子包括具有引線接合裝置、測量裝置和剔除裝置的引線接合器系統(tǒng)。引線接合裝置被構(gòu)造為將引線接合型電互連件附接到電子組件。引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成，以形成電子組件的至少一部分。測量裝置被構(gòu)造為進(jìn)行與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量，并且剔除裝置被構(gòu)造為根據(jù)三維引線接合測量識別應(yīng)予剔除的電子組件。
[0007]本部分旨在提供對本專利申請主題的概述。并非旨在提供本發(fā)明的排他性或窮舉性說明。其中包括有詳細(xì)描述，用以提供關(guān)于本專利申請的更多信息。
【附圖說明】
[0008]在未必按比例繪制的附圖中，類似的數(shù)字在不同的視圖中可表示類似的部件。具有不同字母后綴的類似數(shù)字可以表示類似部件的不同示例。附圖通過示例而非限制的方式概括地示出了本申請文件中討論的各個(gè)實(shí)施例。
[0009]圖1為電子裝置或電子組件的引線接合方法的例子的流程圖。
[0010]圖2為引線接合器系統(tǒng)的例子的圖示。
[0011]圖3為引線接合器系統(tǒng)的另一個(gè)例子的圖示。
[0012]圖4示出具有反饋控制的引線接合系統(tǒng)中的工藝流程的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]如本文先前所解釋的，如果檢查與生產(chǎn)產(chǎn)品集成，引線接合工藝便可改善。于是，檢查在組裝發(fā)生時(shí)實(shí)時(shí)進(jìn)行，而不是在引線接合已完成之后離線進(jìn)行。
[0014]圖1為電子裝置或電子組件的引線接合方法100的例子的流程圖。在框105處，一個(gè)或多個(gè)引線接合使用引線接合器系統(tǒng)被附接在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間。一個(gè)或多個(gè)引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成一個(gè)或多個(gè)電互連。第一半導(dǎo)體裝置、第二電子裝置以及電互連形成電子組件的至少一部分。第一半導(dǎo)體裝置可包括IC或其他半導(dǎo)體裝置。第二電子裝置可包括例如第一半導(dǎo)體裝置(諸如引線框架)的包裝。第二電子裝置可包括印刷電路板(PCB)或基板。在某些例子中，第二電子裝置為第二半導(dǎo)體裝置。
[0015]在框110處，由引線接合器系統(tǒng)的測量裝置進(jìn)行與一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量。除了別的以外，與一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量的一些例子包括一個(gè)或多個(gè)引線接合的環(huán)路高度和一個(gè)或多個(gè)引線接合的位置。測量由測量裝置自動進(jìn)行并且測量不需要操作者參與。測量裝置可從引線接合器系統(tǒng)的引線接合站接收電子組件。引線接合站可在對于電子組件的引線接合完成時(shí)將該組件傳遞到測量裝置。測量可在引線接合器系統(tǒng)在線并且進(jìn)行引線接合時(shí)實(shí)時(shí)進(jìn)行。三維測量可用于檢測組件的引線接合中的缺陷，所述缺陷，除了別的以外，諸如提升的引線接合、短路的引線接合，以及太長或太尚的引線接合(過尚環(huán)路尚度)。
[0016]在框115處，由引線接合器系統(tǒng)的剔除裝置根據(jù)三維引線接合測量選擇性地識別應(yīng)予剔除的電子組件。當(dāng)三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，剔除裝置可識別應(yīng)予剔除的電子組件。例如，當(dāng)引線環(huán)路高度的三維量度高于規(guī)定的環(huán)路高度閾值，或者高于或低于環(huán)路高度值的規(guī)定范圍時(shí)，電子組件可被識別以便剔除。
[0017]圖2為引線接合器系統(tǒng)的例子的圖示。該系統(tǒng)包括引線接合裝置210、測量裝置215和剔除裝置220。作為制造過程的一部分，可使用輸入處理器205或輸入箱處理器將用于引線接合的電子裝置送入到引線接合裝置210中。引線接合裝置210將引線接合型電互連件附接到所接收的裝置，諸如具有例如數(shù)微米直徑的引線或帶狀物。引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成，以形成電子組件的至少一部分。由引線接合裝置210形成的引線接合可包括包含，除了別的以外，銅、鋁或金中的一種或多種的引線或帶狀物，并且引線接合可附接到第一半導(dǎo)體裝置的一個(gè)或多個(gè)接觸墊。半導(dǎo)體裝置可包括離散部件(例如，二極管或晶體管)或者可包括具有許多半導(dǎo)體電路的1C，諸如處理器或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)。第二電子裝置可包括半導(dǎo)體裝置的包裝的至少一部分，或者可包括第一半導(dǎo)體裝置附接在其上的PCB或基板。在某些例子中，第二電子裝置可為第二半導(dǎo)體裝置。引線接合的末端可使用焊料和環(huán)氧樹脂中的一者或兩者附接或接合到接觸墊。引線接合裝置可將引線接合施加到電子組件中包括的另外的半導(dǎo)體裝置或電子裝置。完成的組件由輸出處理器225或輸出箱處理器收集。
[0018]測量裝置215可從引線接合裝置210分離并且可從引線接合裝置210接收電子組件。圖3為引線接合器系統(tǒng)的另一個(gè)例子的圖示。在所示的例子中，引線接合裝置和測量裝置被集成到單個(gè)引線接合/檢查模塊310中?？稍谶M(jìn)行引線接合時(shí)，或者在引線接合已完成但電子組件被傳遞到剔除裝置320之前檢查引線接合。
[0019]返回到圖2，測量裝置215進(jìn)行與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量。與一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量的一些例子包括，除了別的以外，一個(gè)或多個(gè)引線接合的環(huán)路高度、一個(gè)或多個(gè)引線接合的長度、一個(gè)或多個(gè)引線接合的位置，以及第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置中的一者或兩者的旋轉(zhuǎn)量。
[0020]測量裝置215可包括獲得電子組件的圖像的三維成像裝置(例如，三維照相機(jī))。圖像可包括由引線接合裝置210完成的電子組件的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定的被關(guān)注區(qū)域。測量裝置215可包括處理器，諸如微處理器或數(shù)字信號處理器，以處理由三維成像裝置獲得的圖像?？墒褂脠D案識別來識別并測量引線接合。例如，處理器可對使用成像裝置獲得的圖像的像素采用邊緣檢測算法以從圖像的背景識別引線接合的引線或帶狀物。引線接合的特征可被識別并且所檢測的引線接合的坐標(biāo)可被用于計(jì)算諸如引線接合環(huán)路高度和位置之類的參數(shù)。待接合的裝置的特征可被識別以確定裝置旋轉(zhuǎn)和傾斜。電子組件中三維測量的方法可見于授予Chung等人的2010年2月8日提交的巴黎合作條約(PCT )專利申請公布N0.W02010090605，該申請以引用方式全文并入本文中。
[0021]在一些例子中，測量裝置215包括紅外成像裝置以獲得電子組件的熱圖像。測量裝置215可包括處理器以處理熱圖像，以測量引線接合的參數(shù)。在一些例子中，測量裝置215包括激光測量或成像裝置。測量裝置215可使用干涉測量法測定引線接合的特征。
[0022]三維測量可在引線接合裝置完成組件的接合并且組件移動到測量裝置時(shí)實(shí)時(shí)進(jìn)行，或者如果兩個(gè)裝置集成，則三維測量可在正在接合時(shí)進(jìn)行。三維測量可提供比二維測量更多的細(xì)節(jié)和準(zhǔn)確度。然而，處理三維圖像以表征引線接合可比二維測量花費(fèi)更長時(shí)間。在某些例子中，如果需要更快的處理，則測量裝置215可被切換到進(jìn)行二維分析。例如，成像裝置可包括立體照相機(jī)以創(chuàng)建三維圖像。測量裝置215可被切換到僅使用一個(gè)照相機(jī)以創(chuàng)建二維圖像以供處理。加速處理的另一種方法是對被測量的組件進(jìn)行取樣。測量裝置可在小于由引線接合裝置形成的所有多個(gè)電子組件(例如，五分之一或十分之一)上進(jìn)行三維測量。
[0023]在一些例子中，引線接合器系統(tǒng)包括晶粒附接裝置230。晶粒附接裝置230可集成到引線接合裝置210中。晶粒附接裝置230可將半導(dǎo)體裝置或其他電子裝置安裝到基板或PCB上作為組裝過程的一部分。在一些例子中，晶粒附接裝置230將第一半導(dǎo)體裝置安裝在一個(gè)或多個(gè)其他電子裝置附近。在一些例子中，晶粒附接裝置230堆疊第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置作為電子組件的一部分。測量裝置215可生成第一半導(dǎo)體裝置和第二半導(dǎo)體裝置的堆疊高度的三維測量。
[0024]剔除裝置220根據(jù)引線接合三維測量識別應(yīng)予剔除的電子組件。在某些例子中，當(dāng)與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，剔除裝置220識別應(yīng)予剔除的電子組件。例如，測量結(jié)果可高于或低于可接受值的范圍，或者可高于或低于用于測量的指定閾值。
[0025]根據(jù)一些例子，剔除裝置220根據(jù)引線接合三維測量選擇性地改變電子組件。該改變可為機(jī)械改變，所述機(jī)械改變使得易于在制造過程的下游識別缺陷部件。在一些例子中，當(dāng)與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，剔除裝置220在引線接合中形成電不連續(xù)性。以這種方式，在制造過程中的稍后階段，可使用電測試(例如，用以評估功能性和電連續(xù)性中的一者或兩者的電測試)來識別缺陷部件。
[0026]在一些變型中，剔除裝置220包括引線切割機(jī)構(gòu)以在缺陷被識別時(shí)切割引線接合。引線可通過加熱或使用刀片或激光切斷來切割。在某些變型中，剔除裝置220包括提升機(jī)構(gòu)以在缺陷被識別時(shí)將引線接合中的引線提升遠(yuǎn)離接合墊。在某些變型中，剔除裝置220包括鉆孔機(jī)構(gòu)以在缺陷被識別時(shí)磨出引線框架的至少一部分。在某些變型中，剔除裝置220包括模具沖壓機(jī)構(gòu)以在缺陷被識別時(shí)沖壓出引線接合的至少一部分。如果誤差在晶粒附接參數(shù)中并且測量與引線接合不相關(guān)，則這可能是有用的。改變的引線接合可為有缺陷的引線接合或者可為便于切割、提升、鉆孔或沖壓的任何引線接合以使得組件不能通過電連續(xù)性測試。缺陷裝置可由剔除裝置剔除或者可在組裝過程的下游通過某種裝置從過程中剔除。
[0027]在一些例子中，剔除裝置220標(biāo)記缺陷電子組件。在各變型中，剔除裝置220用顏色或劃線標(biāo)記缺陷電子組件。在某些變型中，標(biāo)記是機(jī)器可識別的，并且引線接合器系統(tǒng)下游的裝置從制造過程剔除缺陷部件。在某些變型中，標(biāo)記足夠大以由操作者在無需視覺輔助(諸如顯微鏡)的情況下識別，并且缺陷部件由操作者剔除。
[0028]在一些例子中，引線接合器系統(tǒng)包括控制器235。控制器235可使用硬件電路、固件、軟件或硬件、固件和軟件的任何組合來實(shí)施。例子包括處理器，諸如微處理器、專用集成電路(ASIC)或其他類型的處理器?？刂破?35(由硬件、固件或軟件)被構(gòu)造為執(zhí)行所描述的功能。這些功能對應(yīng)于模塊，所述模塊為軟件、硬件、固件或它們的任何組合。多種功能可在模塊中的一個(gè)或多個(gè)中執(zhí)行。
[0029]引線接合器系統(tǒng)可包括與控制器成整體或者電耦合到控制器235的存儲器電路。剔除裝置220可將標(biāo)識符存儲在存儲器電路中以識別使用一個(gè)或多個(gè)三維測量確定的缺陷電子組件。缺陷組件然后可被跟蹤或電子映射。電子映射可使下游裝置能夠使用標(biāo)識符從過程中剔除缺陷部件。在一些例子中，當(dāng)與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，引線接合器系統(tǒng)可生成誤差消息。操作者然后可采取措施來糾正誤差。
[0030]將檢查與引線接合集成可提供引線接合工藝的實(shí)時(shí)反饋控制。測量裝置215可在引線接合器系統(tǒng)的測量裝置和引線接合裝置之間傳送至少一個(gè)三維測量。在一些例子中，三維測量由控制器235接收?？刂破?35響應(yīng)于所傳送的測量來調(diào)整引線接合裝置的至少一個(gè)引線接合參數(shù)。在一些例子中，當(dāng)與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，控制器235調(diào)整引線接合參數(shù)。例如，如果測量結(jié)果指示引線接合位置在規(guī)定范圍之外，則控制器235可調(diào)整位置以使測量回到范圍內(nèi)。在一些例子中，控制器235計(jì)算位置的測量結(jié)果和規(guī)定值之間的誤差并且調(diào)整引線接合位置以使誤差最小化。類似地，控制器235可提供其他引線接合測量(諸如引線接合環(huán)路高度和引線接合長度)的反饋調(diào)整。
[0031]在一些例子中，控制器235在制造過程的晶粒附接步驟期間接收裝置(諸如放置在基板上的一個(gè)或多個(gè)裝置)旋轉(zhuǎn)的三維量度。如果三維測量結(jié)果指示引線接合位置在規(guī)定范圍之外，則控制器235可調(diào)整旋轉(zhuǎn)以使測量回到范圍內(nèi)。這可能有助于引線接合器系統(tǒng)的初始設(shè)置。操作者可物理地設(shè)置初始引線接合位置。該初始位置可能是不正確的，并且可能是故意不正確的。引線接合器系統(tǒng)可使用反饋控制通過使編程誤差最小化而達(dá)到與正確設(shè)置的誤差歸零。
[0032]控制器可基于三維測量采取不同的行動。所采取的行動可取決于故障類型、故障次數(shù)和故障嚴(yán)重程度中的一個(gè)或多個(gè)。在某些例子中，行動基于統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC)分析。例如，控制器235可能直到測量結(jié)果中的誤差超過閾值或在規(guī)定范圍之外才嘗試調(diào)整引線接合器或晶粒附接參數(shù)。控制器235可僅僅記錄測量結(jié)果或指示測量結(jié)果的偏差，直到誤差達(dá)到預(yù)定嚴(yán)重程度。
[0033]在一些例子中，引線接合器系統(tǒng)包括與控制器235電連通的用戶界面。用戶界面可包括小鍵盤、鍵盤、計(jì)算機(jī)鼠標(biāo)和顯示器中的一個(gè)或多個(gè)?？刂破骺杀痪幊桃燥@示三維測量中的一個(gè)或多個(gè)。在一些變型中，當(dāng)三維測量在規(guī)定范圍之外時(shí)，或者測量結(jié)果以其他方式指示引線接合工藝有誤差時(shí)，控制器235生成警報(bào)。警報(bào)可使用用戶界面顯示。在某些變型中，警報(bào)被傳送(例如，使用有線或無線通信信號傳送)到單獨(dú)裝置或系統(tǒng)以用于向用戶顯示。在某些變型中，三維測量中的一個(gè)或多個(gè)被傳送并且存儲在數(shù)據(jù)庫(例如，存儲在服務(wù)器上的數(shù)據(jù)庫)中以用于未來的SPC數(shù)據(jù)分析或?qū)崟r(shí)數(shù)據(jù)分析。如果SPC分析檢測到異常情況或規(guī)格之外的情況，則警報(bào)可被用來(例如，由控制器、單獨(dú)裝置或使用者)停止引線接合和/或晶粒附接工藝或者在當(dāng)前批次的組件結(jié)束時(shí)停止該工藝。
[0034]圖4示出具有反饋控制的引線接合系統(tǒng)中的工藝流程的示意圖。在框405處，電子裝置(諸如半導(dǎo)體裝置)被輸入到引線接合系統(tǒng)中。在框410處，裝置執(zhí)行晶粒附接或引線接合以形成電子組件或子組件。在框415處，確定一個(gè)或多個(gè)測量結(jié)果(例如，三維測量或二維測量)。測量結(jié)果與引線接合和晶粒附接中的一者或兩者相關(guān)聯(lián)。一個(gè)或多個(gè)測量結(jié)果在框435處被反饋以將工藝參數(shù)維持在規(guī)定范圍內(nèi)。如果測量表明誤差，則晶粒附接工藝和引線接合工藝中的一者或兩者可被調(diào)整。
[0035]在框420處，諸如通過本文先前所述的方法中的任一種來識別缺陷裝置。在框425處，沒有缺陷的裝置被傳遞到引線接合站的輸出。具有缺陷的裝置可被收集在報(bào)廢站處，或者可被傳遞到輸出以便稍后由另一個(gè)裝置剔除。
[0036]本文所述的系統(tǒng)、裝置和方法相較于離線并與組裝過程分開進(jìn)行的檢查(手動或自動)有若干優(yōu)點(diǎn)。引線接合和晶粒附接中的一者或兩者的檢查和監(jiān)測在引線接合和晶粒附接進(jìn)行時(shí)實(shí)時(shí)執(zhí)行。這減少了在過程離線之后分開檢查所需的時(shí)間和地面空間。這也可消除需要由操作者進(jìn)行檢查，從而減少時(shí)間和成本。與引線接合和晶粒附接實(shí)時(shí)的檢查和監(jiān)測允許系統(tǒng)的過程表征和SPC。這也使基于機(jī)器的立即交互能夠解決所檢測到的誤差。這允許缺陷裝置從組裝過程被快速移除以減少由使用缺陷部件而產(chǎn)生的下游組裝成本。_7] 附加注釋和實(shí)例
[0038]實(shí)例I可包括包含引線接合器系統(tǒng)的主題(諸如設(shè)備)，該引線接合器系統(tǒng)包括被構(gòu)造為將引線接合型電互連件附接到電子組件的引線接合裝置。引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成，以形成電子組件的至少一部分。該主題也可包括被構(gòu)造為進(jìn)行與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量的測量裝置，以及被構(gòu)造為根據(jù)三維引線接合測量識別應(yīng)予剔除的電子組件的剔除裝置。
[0039]在實(shí)例2中，實(shí)例I的主題可任選地包括控制器，該控制器被構(gòu)造為從測量裝置接收至少一個(gè)三維測量并且響應(yīng)于所傳送的測量來調(diào)整引線接合裝置的至少一個(gè)引線接合參數(shù)。
[0040]在實(shí)例3中，實(shí)例2的主題可任選地包括被構(gòu)造為生成半導(dǎo)體裝置的旋轉(zhuǎn)量度的測量裝置，其中控制器被任選地構(gòu)造為響應(yīng)于所生成的旋轉(zhuǎn)量度而調(diào)整至少一個(gè)引線接合參數(shù)。
[0041]在實(shí)例4中，實(shí)例1-3中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括被構(gòu)造為根據(jù)三維引線接合測量選擇性地改變電子組件的剔除裝置。
[0042]在實(shí)例5中，實(shí)例1-4中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括剔除裝置，該剔除裝置被構(gòu)造為在與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，在引線接合中形成電不連續(xù)性。
[0043]在實(shí)例6中，實(shí)例1-5中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括剔除裝置，該剔除裝置被構(gòu)造為在與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，標(biāo)記電子組件的至少一部分。
[0044]在實(shí)例7中，實(shí)例1-6中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括電耦合到剔除裝置或與剔除裝置成整體的存儲器電路，其中剔除裝置被構(gòu)造為在與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，對于電子組件的至少一部分將標(biāo)識符存儲在存儲器電路中。
[0045]在實(shí)例8中，實(shí)例1-7中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括測量裝置，該測量裝置被構(gòu)造為生成引線接合的環(huán)路高度和引線接合的位置中的一者或兩者的三維測量。
[0046]在實(shí)例9中，實(shí)例1-8中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括晶粒附接裝置，該晶粒附接裝置被構(gòu)造為堆疊第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置作為電子組件的一部分，并且其中測量裝置被構(gòu)造為生成第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置的堆疊高度的三維測量。
[0047]在實(shí)例10中，實(shí)例1-9中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括具有三維成像裝置的測量裝置。
[0048]在實(shí)例11中，實(shí)例1-10中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括具有激光或紅外成像裝置中的至少一者的測量裝置。
[0049]在實(shí)例12中，實(shí)例1-11中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括引線接合裝置，該引線接合裝置被構(gòu)造為對于多個(gè)電子組件形成電子組件的至少一部分，并且其中測量裝置被構(gòu)造為在小于由引線接合裝置形成的所有多個(gè)電子組件上進(jìn)行三維測量。
[0050]在實(shí)例13中，實(shí)例1-12中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括引線接合裝置，該引線接合裝置被構(gòu)造為在第一半導(dǎo)體裝置和用于第一半導(dǎo)體裝置或第二半導(dǎo)體裝置的引線框架中的至少一個(gè)之間形成引線接合。
[0051]實(shí)例14可包括主題(諸如方法、執(zhí)行動作的裝置或包括指令的機(jī)器可讀介質(zhì)，該指令由機(jī)器執(zhí)行時(shí)，使得機(jī)器執(zhí)行動作)，或者可任選地與實(shí)例1-13中的一項(xiàng)或任何組合的主題組合以涵蓋此類主題，包括由引線接合器系統(tǒng)附接一個(gè)或多個(gè)引線接合以在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成一個(gè)或多個(gè)電互連以形成第一電子組件的至少一部分；由引線接合器系統(tǒng)的測量裝置進(jìn)行與一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量；以及由引線接合器系統(tǒng)的剔除裝置根據(jù)三維引線接合測量選擇性地識別應(yīng)予剔除的第一電子組件。
[0052]在實(shí)例15中，實(shí)例14的主題可任選地包括由引線接合器系統(tǒng)在進(jìn)行與第一電子組件的一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量期間形成第二電子組件的至少一部分。
[0053]在實(shí)例16中，實(shí)例14和15中的一者或兩者的主題可任選地包括在改變第一電子組件期間開始與第二電子組件的一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量。
[0054]在實(shí)例17中，實(shí)例14-16中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括在引線接合器系統(tǒng)的測量裝置和引線接合裝置之間傳送至少一個(gè)三維測量，以及響應(yīng)于所傳送的測量而通過引線接合器系統(tǒng)調(diào)整至少一個(gè)引線接合參數(shù)。
[0055]在實(shí)例18中，實(shí)例14-17中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括生成引線接合的環(huán)路高度和引線接合的位置中的一個(gè)或多個(gè)的三維測量。
[0056]在實(shí)例19中，實(shí)例14-18中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括堆疊第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置以形成第一電子組件的至少一部分，其中進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量包括生成第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置的IC堆疊高度的三維測量。
[0057]在實(shí)例20中，實(shí)例14-19中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括使用三維成像裝置進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量。
[0058]在實(shí)例21中，實(shí)例14-20中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括在與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，移除引線接合的電連續(xù)性。
[0059]在實(shí)例22中，實(shí)例14-21中的一項(xiàng)或任何組合的主題可任選地包括在與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，選擇性地標(biāo)記第一電子組件的IC管芯或電子裝置中的至少一者。
[0060]實(shí)例23可以包括或可任選地與實(shí)例I至22中任何一項(xiàng)或多項(xiàng)的任何部分或任何部分的組合相結(jié)合，以涵蓋可包括用于執(zhí)行實(shí)例I至22的功能中任何一者或多者的裝置或含指令的機(jī)器可讀介質(zhì)的主題，所述指令當(dāng)由機(jī)器執(zhí)行時(shí)會使機(jī)器執(zhí)行實(shí)例I至22的功能中的任何一者或多者。
[0061 ]這些非限制性實(shí)例可以任何排列或組合來進(jìn)行組合。
[0062]上述【具體實(shí)施方式】包括對附圖的參考，這些附圖形成【具體實(shí)施方式】的一部分。附圖以舉例說明的方式示出了可實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例。這些實(shí)施例在本文中也稱為“實(shí)例”。在本文件中提及的所有出版物、專利和專利文件的全文以引用方式并入本文，如同以引入方式單獨(dú)并入一樣。如果本文與以引用方式并入的那些文件的用法相矛盾，則所并入的參考文獻(xiàn)中的用法應(yīng)視為對本文件的補(bǔ)充;若兩者之間存在不能協(xié)調(diào)的差異，則以本文件的用途為準(zhǔn)。
[0063]在本文件中，術(shù)語“一個(gè)”或“一種”如專利文件中常見的，用來包括一個(gè)或一個(gè)以上，而與“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”的任何其他情況或用法無關(guān)。在本文件中，除非另外指明，否則術(shù)語“或”用來指非排他性的或，使得“A或B”包括“A而非B”、“B而非A”以及“A和B”。在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語“包括”和“在其中”用作各自術(shù)語“包含”和“其中”的通俗英語等同物。而且，在所附權(quán)利要求中，術(shù)語“包括”和“包含”是開放式的，即，包括除了在權(quán)利要求中這樣的術(shù)語之后列出的那些元件之外的元件的系統(tǒng)、裝置、物品或方法仍將認(rèn)為落入該權(quán)利要求范圍內(nèi)。此外，在以下權(quán)利要求書中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標(biāo)號，并非旨在將數(shù)字要求強(qiáng)加于它們的對象。
[0064]本文所述的方法實(shí)例可以至少部分地由機(jī)器或計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)。一些實(shí)例可包括使用指令編碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或機(jī)器可讀介質(zhì)，該指令可操作將電子裝置配置成執(zhí)行上述實(shí)例中描述的方法。這類方法的實(shí)現(xiàn)可包括代碼，諸如微碼、匯編語言代碼、高級語言代碼等。該代碼可包括用于執(zhí)行各種方法的計(jì)算機(jī)可讀指令。該代碼可形成計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的一部分。另外，在執(zhí)行期間或其他時(shí)間，該代碼可有形地存儲在一個(gè)或多個(gè)易失性或非易失性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。這些計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括但不限于硬盤、可移除磁盤、可移除光盤(例如，高密度磁盤和數(shù)字視頻盤)、磁帶、存儲卡或存儲棒、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)等。
[0065]以上說明旨在是示例性的，而非限制性的。例如，上述實(shí)例(或其一個(gè)或多個(gè)方面)可彼此結(jié)合使用。其他實(shí)施例可諸如由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在查看上述說明后使用。根據(jù)專利實(shí)施細(xì)則37C.F.R.§1.72(b)提供說明書摘要，以便讀者快速確定本技術(shù)公開的實(shí)質(zhì)。說明書摘要的提交不旨在用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義。同樣，在上面的【具體實(shí)施方式】中，可將各種特征歸類以使本公開簡明。這不應(yīng)理解成未要求權(quán)利的公開特征對于任何權(quán)利要求必不可少。相反，本發(fā)明的主題具有的特征可少于特定公開的實(shí)施例的所有特征。因此，下面的權(quán)利要求據(jù)此并入【具體實(shí)施方式】中，每個(gè)權(quán)利要求自身代表獨(dú)立的實(shí)施例。應(yīng)結(jié)合所附權(quán)利要求以及這些權(quán)利要求所擁有的等同物的所有范圍來確定本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種包括引線接合器系統(tǒng)的設(shè)備，所述引線接合器系統(tǒng)包括: 被構(gòu)造為將引線接合型電互連件附接到電子組件的引線接合裝置，其中引線接合在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成，以形成所述電子組件的至少一部分； 被構(gòu)造為進(jìn)行與引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量的測量裝置；以及 被構(gòu)造為根據(jù)所述三維引線接合測量識別應(yīng)予剔除的電子組件的剔除裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括控制器，其中所述控制器被構(gòu)造為從所述測量裝置接收至少一個(gè)三維測量并且響應(yīng)于所述所傳送的測量來調(diào)整所述引線接合裝置的至少一個(gè)引線接合參數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述測量裝置被構(gòu)造為生成所述半導(dǎo)體裝置的旋轉(zhuǎn)量度，其中所述控制器被構(gòu)造為響應(yīng)于所述所生成的旋轉(zhuǎn)量度而調(diào)整至少一個(gè)引線接合參數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述剔除裝置被構(gòu)造為根據(jù)所述三維引線接合測量選擇性地改變電子組件。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述剔除裝置被構(gòu)造為在與所述引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足所述三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，在引線接合中形成電不連續(xù)性。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述剔除裝置被構(gòu)造為在與所述引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足所述三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，標(biāo)記電子組件的所述至少一部分。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中引線接合器系統(tǒng)包括電耦合到所述剔除裝置或與所述剔除裝置成整體的存儲器電路，其中所述剔除裝置被構(gòu)造為在與所述引線接合相關(guān)聯(lián)的三維測量不滿足所述三維測量的規(guī)定范圍時(shí)，對于電子組件的所述至少一部分將標(biāo)識符存儲在所述存儲器電路中。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述測量裝置被構(gòu)造為生成引線接合的環(huán)路高度和引線接合的位置中的一者或兩者的三維測量。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括晶粒附接裝置，所述晶粒附接裝置被構(gòu)造為堆疊所述第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置作為所述電子組件的一部分，并且其中所述測量裝置被構(gòu)造為生成所述第一半導(dǎo)體裝置和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置的堆疊高度的三維測量。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述測量裝置包括三維成像裝置。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述測量裝置包括激光或紅外成像裝置中的至少一者。12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述引線接合裝置被構(gòu)造為對于多個(gè)電子組件形成電子組件的所述至少一部分，并且其中所述測量裝置被構(gòu)造為在小于由所述引線接合裝置形成的所有所述多個(gè)電子組件上進(jìn)行所述三維測量。13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述引線接合裝置被構(gòu)造為在所述第一半導(dǎo)體裝置和用于所述第一半導(dǎo)體裝置或所述第二半導(dǎo)體裝置的引線框架中的至少一個(gè)之間形成引線接合。14.一種方法，所述方法包括: 由引線接合器系統(tǒng)附接一個(gè)或多個(gè)引線接合以在第一半導(dǎo)體裝置和第二電子裝置之間形成一個(gè)或多個(gè)電互連，以形成第一電子組件的至少一部分； 由所述引線接合器系統(tǒng)的測量裝置進(jìn)行與所述一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量；以及 由所述引線接合器系統(tǒng)的剔除裝置根據(jù)所述三維引線接合測量選擇性地識別應(yīng)予剔除的所述第一電子組件。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，包括由所述引線接合器系統(tǒng)在進(jìn)行與所述第一電子組件的所述一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的所述一個(gè)或多個(gè)三維測量期間形成第二電子組件的至少一部分。16.根據(jù)權(quán)利要求14-15中任一項(xiàng)所述的方法，包括在改變所述第一電子組件期間開始與第二電子組件的一個(gè)或多個(gè)引線接合相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)三維測量。17.根據(jù)權(quán)利要求14-16中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法包括: 在所述引線接合器系統(tǒng)的所述測量裝置和引線接合裝置之間傳送至少一個(gè)三維測量；以及 響應(yīng)于所述所傳送的測量而通過所述引線接合器系統(tǒng)調(diào)整至少一個(gè)引線接合參數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求14-17中任一項(xiàng)所述的方法，其中進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量包括生成引線接合的環(huán)路高度和引線接合的位置中的一個(gè)或多個(gè)的三維測量。19.根據(jù)權(quán)利要求14-18中任一項(xiàng)所述的方法，還包括堆疊所述第一半導(dǎo)體裝置和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置以形成所述第一電子組件的所述至少一部分，其中進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量包括生成所述第一半導(dǎo)體裝置和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裝置的IC堆疊高度的三維測量。20.根據(jù)權(quán)利要求14-19中任一項(xiàng)所述的方法，其中進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量包括使用三維成像裝置進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)三維測量。
【文檔編號】H01L23/544GK105849881SQ201480070290
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年10月24日
【發(fā)明人】達(dá)倫·W·凱勒
【申請人】飛兆半導(dǎo)體公司