半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半導(dǎo)體襯底的該第2主面，通過加速能量不同的多次離子注入而注入第1導(dǎo)電型雜質(zhì)，在該半導(dǎo)體襯底形成第1雜質(zhì)區(qū)域；第2工序，在該第2主面，以比該多次離子注入低的加速能量對第2導(dǎo)電型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入，在該半導(dǎo)體襯底，以與該第1雜質(zhì)區(qū)域之間余留未注入雜質(zhì)的無注入?yún)^(qū)域的方式形成第2雜質(zhì)區(qū)域；熱處理工序，對該半導(dǎo)體襯底實施熱處理，以由該第1導(dǎo)電型雜質(zhì)形成緩沖層，由該第2導(dǎo)電型雜質(zhì)形成集電極層，在該緩沖層與該集電極層之間余留沒有發(fā)生該第1導(dǎo)電型雜質(zhì)和該第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的擴(kuò)散的無擴(kuò)散區(qū)域；以及形成與該集電極層接觸的集電極電極的工序。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置例如用于大功率的通斷。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻(xiàn)I中公開了一種穿通型IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor) ο該IGBT從背面?zhèn)绕鹁哂衟+型半導(dǎo)體襯底、n-型半導(dǎo)體層、n+型半導(dǎo)體層。
[0003]專利文獻(xiàn)I:日本特開2001-77357號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在專利文獻(xiàn)I公開的技術(shù)中，存在下述問題，S卩，位于p+型的區(qū)域與漂移層之間的η+型半導(dǎo)體層(緩沖層)在IGBT的截止時阻礙從ρ+型的區(qū)域向漂移層的空穴的供給，向漂移層的空穴的供給不足。如果在截止時不能對漂移層供給足夠的空穴，則存在發(fā)生振蕩的問題。如果為了增加截止時的空穴的供給而降低緩沖層的雜質(zhì)濃度，則存在不能確保耐壓的問題。
[0005]本發(fā)明就是為了解決上述的問題而提出的，其目的在于提供一種確保耐壓并且在截止時能夠向漂移層供給足夠的空穴的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0006]本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具有:第I工序，在具有第I主面、和與該第I主面相反的面即第2主面的半導(dǎo)體襯底的該第2主面，通過加速能量不同的多次離子注入而注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)，在該半導(dǎo)體襯底形成第I雜質(zhì)區(qū)域;第2工序，在該第2主面，以比該多次離子注入低的加速能量對第2導(dǎo)電型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入，在該半導(dǎo)體襯底，以與該第I雜質(zhì)區(qū)域之間余留未注入雜質(zhì)的無注入?yún)^(qū)域的方式形成第2雜質(zhì)區(qū)域;熱處理工序，對該半導(dǎo)體襯底實施熱處理，以由該第I導(dǎo)電型雜質(zhì)形成緩沖層，由該第2導(dǎo)電型雜質(zhì)形成集電極層，在該緩沖層與該集電極層之間余留沒有發(fā)生該第I導(dǎo)電型雜質(zhì)和該第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的擴(kuò)散的無擴(kuò)散區(qū)域;以及形成與該集電極層接觸的集電極電極的工序。
[0007]本發(fā)明的其他特征在下面加以明確。
[0008]發(fā)明的效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，通過加速能量不同的多次離子注入而形成緩沖層，因此能夠制造一種確保耐壓并且在截止時可向漂移層供給足夠的空穴的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0010]圖1是利用本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0011]圖2是表示集電極層、無擴(kuò)散區(qū)域、緩沖層以及漂移層的雜質(zhì)濃度的圖表。
[0012]圖3是說明第I主面?zhèn)鹊臉?gòu)造的剖視圖。
[0013]圖4是對第I工序進(jìn)行說明的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。
[0014]圖5是對第2工序進(jìn)行說明的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。
[0015]圖6是熱處理工序后的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。
[0016]圖7是以虛線表示對比例的緩沖層的雜質(zhì)濃度分布的圖。
[0017]圖8是表示變形例涉及的緩沖層的雜質(zhì)濃度分布的圖。
[0018]圖9是說明本發(fā)明的實施方式2涉及的第I工序的剖視圖。
[0019]圖10是表示緩沖層的雜質(zhì)濃度分布的圖。
【具體實施方式】
[0020]參照附圖對本發(fā)明的實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。對相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，有時省略重復(fù)說明。
[0021]實施方式1.
[0022]圖1是利用本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置10的剖視圖。半導(dǎo)體裝置10是穿通型IGBT。半導(dǎo)體裝置10具有例如由η型(下面稱為第I導(dǎo)電型)的單晶硅形成的半導(dǎo)體襯底12。半導(dǎo)體襯底12具有第I主面12Α、和與第I主面12Α相反的面即第2主面12Β。在半導(dǎo)體襯底12形成有第I導(dǎo)電型的漂移層12a。
[0023]在半導(dǎo)體襯底12的第2主面12B側(cè)，形成有與漂移層12a接觸的第I導(dǎo)電型的緩沖層
14。在緩沖層14的第2主面12B側(cè)具有無擴(kuò)散區(qū)域16。無擴(kuò)散區(qū)域16呈與漂移層12a相同的雜質(zhì)濃度。在無擴(kuò)散區(qū)域16的第2主面12B側(cè)，形成有ρ型(下面稱為第2導(dǎo)電型)的集電極層18。與集電極層18相接觸地形成有集電極電極20。
[0024]在半導(dǎo)體襯底12的第I主面12A側(cè)，形成有第2導(dǎo)電型的基極層22、被基極層22包圍的第I導(dǎo)電型的發(fā)射極層24。在半導(dǎo)體襯底12的第I主面12A之上，形成有柵極絕緣膜26、被柵極絕緣膜26包圍的柵極電極28。在柵極絕緣膜26、基極層22以及發(fā)射極層24的上方形成有發(fā)射極電極30。
[0025]圖2是表示集電極層18、無擴(kuò)散區(qū)域16、緩沖層14以及漂移層12a的雜質(zhì)濃度的圖表。在圖2示出集電極層18的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度，以及無擴(kuò)散區(qū)域16、緩沖層14及漂移層12a的第I導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度。緩沖層14的雜質(zhì)濃度分布是無極大值的梯形形狀。無擴(kuò)散區(qū)域16的雜質(zhì)濃度與漂移層12a的雜質(zhì)濃度相等。
[0026]對本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖3所示，完成半導(dǎo)體襯底12的第I主面12A側(cè)的構(gòu)造。接著，在將保護(hù)帶粘貼于發(fā)射極電極30之后，從第2主面12B側(cè)研磨半導(dǎo)體襯底12。研磨后的半導(dǎo)體襯底12的厚度例如設(shè)為ΙΟΟμπι。
[0027]接著，在半導(dǎo)體襯底12的第2主面12Β，通過加速能量不同的多次離子注入而注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)。將該工序稱為第I工序。圖4是對第I工序進(jìn)行說明的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。在第I工序中，首先，以4MeV的加速能量注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50。隨后，以3MeV的加速能量相比于第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50在第2主面12B側(cè)注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)52。隨后，以2MeV的加速能量相比于第I導(dǎo)電型雜質(zhì)52在第2主面12B側(cè)注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)54。圖4的箭頭表示離子的注入方向。以2MeV的加速能量注入的第I導(dǎo)電型雜質(zhì)54例如到達(dá)從第2主面12B算起深度1.5μπι左右的部位。
[0028]在第I工序中如上所述需要非常高的加速能量，因此使用高能量離子注入裝置?？紤]到各注入之后的晶體缺陷所導(dǎo)致的雜質(zhì)分布的變動，優(yōu)選先實施加速能量高的注入，但也可以為其他順序。第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54例如為P(磷)，但只要是第I導(dǎo)電型的雜質(zhì)即可，沒有特別的限定。并且，上述多次(3次)離子注入的劑量是均等的。此外，將半導(dǎo)體襯底12中的被注入了第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54的區(qū)域稱為第I雜質(zhì)區(qū)域56。
[0029]接著，在半導(dǎo)體襯底12的第2主面12B，以比上述的多次離子注入低的加速能量將第2導(dǎo)電型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入。將該工序稱為第2工序。圖5是對第2工序進(jìn)行說明的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。在第2工序中，以10keV的加速能量相比于第I導(dǎo)電型雜質(zhì)54在第2主面12B側(cè)注入第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60。圖5的箭頭表示離子的注入方向。第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60例如為B(硼)，但只要是第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)即可，沒有特別的限定。將半導(dǎo)體襯底12中的被注入了第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60的區(qū)域稱為第2雜質(zhì)區(qū)域62。
[0030]第I雜質(zhì)區(qū)域56是以幾MeV的加速能量進(jìn)行離子注入而形成的，與此相對，第2雜質(zhì)區(qū)域62是以10keV的加速能量進(jìn)行離子注入而形成的，因此在第I雜質(zhì)區(qū)域56與第2雜質(zhì)區(qū)域62之間余留未注入雜質(zhì)的無注入?yún)^(qū)域64。
[0031]接著，對半導(dǎo)體襯底12實施熱處理。將該工序稱為熱處理工序。在熱處理工序中，通過激光退火或者使用電爐將半導(dǎo)體襯底12加熱至例如300?500°C左右，將第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54以及第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60激活。圖6是熱處理工序后的半導(dǎo)體襯底12的剖視圖。通過熱處理工序，由第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54形成緩沖層14，由第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60形成集電極層18。此時，在緩沖層14與集電極層18之間余留沒有發(fā)生第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54和第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60的擴(kuò)散的無擴(kuò)散區(qū)域16。
[0032]接著，在根據(jù)需要對第2主面12B進(jìn)行清洗之后，形成與集電極層18接觸的集電極電極20。如此，圖1所示的半導(dǎo)體裝置10完成。下面，對該半導(dǎo)體裝置10的截止動作進(jìn)行說明。如果在將半導(dǎo)體裝置10設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)之后降低施加于柵極電極28的正電壓，則在柵極絕緣膜26的周邊形成的溝道消失，從發(fā)射極層24向漂移層12a的電子注入停止。
[0033]此時，緩沖層14的電位上升，從集電極層18向漂移層12a的空穴供給量減少。并且，在漂移層12a蓄積的載流子(電子和空穴)成對地消失?；蛘撸茖?2a的電子流向集電極電極20側(cè)，與空穴結(jié)合而消失，或漂移層12a的空穴從基極層22流向發(fā)射極電極30，與電子結(jié)合而消失。如果漂移層12a的載流子全部消失，則漂移層12a成為高電阻，完成截止。
[0034]在半導(dǎo)體裝置10的截止時，耗盡層從第I主面12A側(cè)朝向緩沖層14延伸。為了利用緩沖層14阻止該耗盡層而確保耐壓，需要使緩沖層14的雜質(zhì)量充分多。因此，在本發(fā)明的實施方式I中，緩沖層14的雜質(zhì)量、即第I工序中的劑量的總和設(shè)為足以阻止上述耗盡層的量。
[0035]在這里，為了易于理解半導(dǎo)體裝置10的制造方法的意義，說明對比例。對比例的半導(dǎo)體裝置的制造方法是在第I工序中通過將加速能量設(shè)為3MeV的I次離子注入而形成第I雜質(zhì)區(qū)域，這一點與本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法不同。對比例的第I工序中的第I導(dǎo)電型雜質(zhì)的劑量等于實施方式I的第I工序中的第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54的劑量的總和。從而，在對比例的第I工序中，通過I次離子注入而供給第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50的3倍的劑量。
[0036]圖7是以虛線表示對比例的緩沖層的雜質(zhì)濃度分布的圖。實線表示實施方式I的緩沖層14的雜質(zhì)濃度分布。由于在對比例中通過I次離子注入而形成第I雜質(zhì)區(qū)域，因此緩沖層的雜質(zhì)濃度的最高值比緩沖層14的雜質(zhì)濃度的最高值高。由于對比例的緩沖層與緩沖層14的雜質(zhì)量(劑量)相等，因此圖7的由虛線和X軸包圍的部分的面積與圖7的由實線(緩沖層14)和X軸包圍的部分的面積相等。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠制造確保耐壓并且在截止時可向漂移層供給充分的空穴的半導(dǎo)體裝置。首先對確保耐壓進(jìn)行說明。如上所述，緩沖層14的雜質(zhì)量是足以阻止截止時的耗盡層的量，因此半導(dǎo)體裝置10確保了耐壓。
[0038]接著，對在截止時能夠向漂移層供給充分的空穴這一情況進(jìn)行說明。為了在截止時向漂移層12a供給充分量的空穴，優(yōu)選降低緩沖層的雜質(zhì)濃度的最大值，以使得緩沖層14不阻礙從集電極層18向漂移層12a移動的空穴的流動。本發(fā)明的實施方式I的緩沖層14是在進(jìn)行了加速能量不同的多次離子注入之后實施熱處理而形成的，因此雜質(zhì)分散。因此，能夠降低緩沖層14的雜質(zhì)濃度的最大值。因此，在截止時能夠向漂移層供給充分量的空穴。
[0039]將半導(dǎo)體裝置10與利用對比例的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行比較。由于兩者的緩沖層的劑量相等，因此具有同等的耐壓特性。然而，緩沖層14是通過加速能量不同的多次離子注入而形成的，因此雜質(zhì)濃度的最大值低，與此相對，對比例的緩沖層是通過I次離子注入而形成的，因此雜質(zhì)濃度的最大值高。從而，半導(dǎo)體裝置10在截止時能夠向漂移層12a供給充分的空穴，但對比例的半導(dǎo)體裝置在截止時不能向漂移層供給充分的空穴。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠制造確保耐壓并且在截止時可向漂移層供給充分的空穴的半導(dǎo)體裝置。
[0040]對無擴(kuò)散區(qū)域16的意義進(jìn)行說明。由于集電極層18的空穴能夠容易地進(jìn)入無擴(kuò)散區(qū)域16，因此無擴(kuò)散區(qū)域16具有促進(jìn)向漂移層12a的空穴供給的效果。從而，能夠使半導(dǎo)體襯底12變薄而降低損耗。另外，在注入能量發(fā)生波動，集電極層18向第I主面12A側(cè)移動、或緩沖層14向第2主面12B側(cè)移動的情況下，無擴(kuò)散區(qū)域16具有防止集電極層18與緩沖層14接觸的功能。通過利用無擴(kuò)散區(qū)域16防止集電極層18與緩沖層14的接觸，從而能夠使半導(dǎo)體裝置10的電特性穩(wěn)定化。
[0041]本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法不僅能夠利用于上述的平面型IGBT，而且對于例如溝槽型IGBT或二極管等在半導(dǎo)體襯底的第I主面與第2主面之間流動電流的構(gòu)造的元件也能夠利用。另外，雖然將η型設(shè)為第I導(dǎo)電型、將ρ型設(shè)為第2導(dǎo)電型，但也可以將P型設(shè)為第I導(dǎo)電型、將η型設(shè)為第2導(dǎo)電型而形成半導(dǎo)體裝置10。
[0042]為了設(shè)置圖5的無注入?yún)^(qū)域64，必須在第I工序中以高的加速能量注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54。優(yōu)選第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54的加速能量在I?1MeV的范圍進(jìn)行選擇。在實施方式I中選擇了4、3、2MeV。此外，第I工序的離子注入的次數(shù)只要是多次即可，不限定于3次。
[0043]為了設(shè)置圖5的無注入?yún)^(qū)域64，必須在第2工序中以低的加速能量注入第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60。優(yōu)選第2導(dǎo)電型雜質(zhì)60的加速能量在5?10keV的范圍進(jìn)行選擇。在實施方式I中選擇了 10keV0
[0044]在第I工序中，優(yōu)選將第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54盡可能地注入至遠(yuǎn)離第2主面12B的部位。因此，在第I工序中，也可以相對于第2主面12B而垂直地注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54，有意地產(chǎn)生溝道效應(yīng)。由此，能夠使第I導(dǎo)電型雜質(zhì)50、52、54到達(dá)至半導(dǎo)體襯底12的深處。
[0045]在第I工序中，也可以將質(zhì)子作為第I導(dǎo)電型雜質(zhì)而進(jìn)行注入。由于質(zhì)子注入適于將缺陷導(dǎo)入至半導(dǎo)體基板的深處，因此能夠容易地設(shè)置無擴(kuò)散區(qū)域16。
[0046]緩沖層14的雜質(zhì)濃度分布不限定于圖2的梯形形狀。例如，圖8所示的緩沖層70的雜質(zhì)濃度分布也能夠獲得上述的效果。緩沖層70的雜質(zhì)濃度的最大值與實施方式I的緩沖層14的雜質(zhì)濃度的最大值大致相等。此外，這些變形也能夠應(yīng)用于實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0047]實施方式2.
[0048]本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法與實施方式I的共通點多，因此以與實施方式I的不同點為中心進(jìn)行說明。圖9是對本發(fā)明的實施方式2的第I工序進(jìn)行說明的剖視圖。第I工序中的多次離子注入以下述方式進(jìn)行，即，越往第2主面12B側(cè)，第I導(dǎo)電型雜質(zhì)的劑量越多。
[0049]具體地說，首先，以4MeV的加速能量注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)80。接著，以3MeV的加速能量，按照劑量比第I導(dǎo)電型雜質(zhì)80多的方式，注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)82。接著，以2MeV的加速能量，按照劑量比第I導(dǎo)電型雜質(zhì)82多的方式，注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)84。
[0050]第I導(dǎo)電型雜質(zhì)84的劑量比第I導(dǎo)電型雜質(zhì)82的劑量多。第I導(dǎo)電型雜質(zhì)82的劑量比第I導(dǎo)電型雜質(zhì)80的劑量多。并且，通過實施加熱工序，能夠獲得在圖10以實線表示的緩沖層90的雜質(zhì)濃度分布。緩沖層90的雜質(zhì)濃度分布具有朝向第2主面12B緩緩地上升的斜度90a。虛線表示實施方式I的緩沖層14的雜質(zhì)濃度分布。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠獲得與實施方式I相同的效果。并且，由于緩沖層90的雜質(zhì)濃度分布具有圖10所示的斜度90a，因此截止動作時的緩沖層90的電場強(qiáng)度得到緩和。即，在截止時，在耗盡層從第I主面12A側(cè)向緩沖層延伸時，對于圖10的虛線的雜質(zhì)濃度分布而言，雜質(zhì)濃度從第I主面12A朝向第2主面12B急劇地上升，因此電場容易集中。然而，緩沖層90因為斜面90a而導(dǎo)致其雜質(zhì)濃度緩緩地上升，因此難以發(fā)生電場集中。由此，可以抑制浪涌電壓的急劇上升，能夠可靠地抑制振蕩。
[0052]標(biāo)號的說明
[0053]10半導(dǎo)體裝置，12半導(dǎo)體襯底，12a漂移層，12A第I主面，12B第2主面，14緩沖層，16無擴(kuò)散區(qū)域，18集電極層，20集電極電極，22基極層，24發(fā)射極層，26柵極絕緣膜，28柵極電極，30發(fā)射極電極，50、52、54第I導(dǎo)電型雜質(zhì)，56第I雜質(zhì)區(qū)域，60第2導(dǎo)電型雜質(zhì)，62第2雜質(zhì)區(qū)域，64無注入?yún)^(qū)域，80、82、84第I導(dǎo)電型雜質(zhì)，90緩沖層。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有: 第I工序，在具有第I主面、和與所述第I主面相反的面即第2主面的半導(dǎo)體襯底的所述第2主面，通過加速能量不同的多次離子注入而注入第I導(dǎo)電型雜質(zhì)，在所述半導(dǎo)體襯底形成第I雜質(zhì)區(qū)域； 第2工序，在所述第2主面，以比所述多次離子注入低的加速能量對第2導(dǎo)電型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底，以與所述第I雜質(zhì)區(qū)域之間余留未注入雜質(zhì)的無注入?yún)^(qū)域的方式形成第2雜質(zhì)區(qū)域； 熱處理工序，對所述半導(dǎo)體襯底實施熱處理，以由所述第I導(dǎo)電型雜質(zhì)形成緩沖層，由所述第2導(dǎo)電型雜質(zhì)形成集電極層，在所述緩沖層與所述集電極層之間余留沒有發(fā)生所述第I導(dǎo)電型雜質(zhì)和所述第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的擴(kuò)散的無擴(kuò)散區(qū)域;以及形成與所述集電極層接觸的集電極電極的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第I導(dǎo)電型雜質(zhì)以I?1MeV的加速能量注入至所述第2主面， 所述第2導(dǎo)電型雜質(zhì)以5?10keV的加速能量注入至所述第2主面。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述多次離子注入的劑量是均等的。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述多次離子注入以下述方式進(jìn)行，即，越往所述第2主面?zhèn)龋龅贗導(dǎo)電型雜質(zhì)的劑量越多。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第I工序中，相對于所述第2主面垂直地注入所述第I導(dǎo)電型雜質(zhì)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第I工序中，將質(zhì)子作為所述第I導(dǎo)電型雜質(zhì)而進(jìn)行注入。
【文檔編號】H01L21/336GK105830220SQ201380081607
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2013年12月13日
【發(fā)明人】川瀨祐介, 金田和德, 湊忠玄
【申請人】三菱電機(jī)株式會社