子的平均濃度An的均勻分布。除了平均濃度的分 布均勻性之外，紅外單色照射的使用還使得能夠獲得該濃度An的明顯增加，特別是在所要 處理的基板1的發(fā)射區(qū)IE和界面24的水平處，換句話說，在p/n結(jié)的水平處。該增加W及該均 勻性有利地使得實現(xiàn)所要處理的光伏元件10的取決于深度的更快且更均勻的修復(fù)。
[0085] 在所要處理的基板1中施加橫向磁場導(dǎo)致平均濃度An的增加。有利地，該方法使 得實現(xiàn)從照射下的效率的退化效應(yīng)來說，光伏元件的恢復(fù)動力學(xué)的非常明顯的改善。
[0086] 恢復(fù)動力學(xué)的加快導(dǎo)致光伏元件10的再生時間的明顯降低。再生時間意味著的是 使光伏元件10恢復(fù)在正常操作條件下的穩(wěn)定性能所必需的光伏元件10的處理時間。
[0087] 圖6說明使用磁場的光伏元件10的再生時間tLIR-B與用標(biāo)準(zhǔn)方法的光伏元件的再生 時間tLIR的比率的相對于磁場強(qiáng)度的變化。標(biāo)準(zhǔn)方法意味著的是不使用施加至光伏元件的 磁場的方法。除了施加磁場之外，運兩種方法具有相同的實施條件?？紤]光伏元件10的恢復(fù) 方法在127°C的溫度下且使用具有l(wèi)OOOW/m 2的福照度的紅外單色福射進(jìn)行，進(jìn)行計算。
[0088] 圖6清楚地顯示，在所述恢復(fù)方法期間使用施加到光伏元件10的磁場使得能夠明 顯降低再生時間，特別是對于高于5X ICT3T的磁場強(qiáng)度。例如，使用具有等于0.OlT的強(qiáng)度的 磁場，對于具有由表現(xiàn)出ICT3S的量的壽命的基板1形成的基體的光伏元件10,再生時間 (tLIR-B)對應(yīng)于通過標(biāo)準(zhǔn)方法的再生時間（tLIR)除W約5。
[0089] 使用施加到光伏元件10的橫向磁場的恢復(fù)方法使得能夠明顯減少再生時間。因此 該恢復(fù)方法有利地與光伏太陽能電池的工業(yè)制造方法相容。
[0090] 而且，通過固定再生時間，使用磁場的恢復(fù)方法有利地使得能夠減少照射強(qiáng)度或 者福照度。例如，對于表現(xiàn)出ICT3S的量的壽命的基板，具有0.OlT的強(qiáng)度的施加至光伏元件 10的磁場的使用使得再生所必需的照射強(qiáng)度能夠除W約3。因此，可W展望采用較小強(qiáng)度的 照射源，從而消耗較少的能量。
[0091] 在使用橫向磁場的處理方法的研究期間進(jìn)行的不同試驗和不同計算使得能夠建 立將完全再生所需的時間tLIR-B根據(jù)該方法的主要參數(shù)關(guān)聯(lián)的數(shù)學(xué)式。實際上，數(shù)學(xué)式給出 相對于如下的時間tLIR-B:所要處理的光伏元件的W開爾文計的溫度T、施加到所要處理的光 伏元件10的W特斯拉計的橫向磁場Be的強(qiáng)度、和W太陽計的福照度I。福照度對應(yīng)于投射到 基板1的前表面Ia上的福射的強(qiáng)度。在國際單位制中，1個太陽對應(yīng)于lOOOW/m2。所述數(shù)學(xué)式 是對于基于P滲雜的娃基板的光伏元件10和對于包括在1(T 4和0.4T之間的橫向磁場強(qiáng)度Be 建立的。
[0092]因此，根據(jù)一種優(yōu)選實施方式，光伏元件10由具有包括在4.0 X 1〇14原子/cm哺7 X IOis原子/cm3之間的濃度的棚滲雜的娃基板制成。根據(jù)該實施方式，W秒計的處理時間t有 利地大于或等于：
[0094] 其中t表示運樣的時間:在其期間基板1被保持在包括在20°C-23(rC溫度范圍內(nèi)的 目標(biāo)溫度值處或目標(biāo)范圍內(nèi)，同時產(chǎn)生載流子和同時施加通過光伏元件10的磁場B，T對應(yīng) 于光伏元件10的W開爾文計的溫度，B。對應(yīng)于磁場B的所述分量Be的W特斯拉計的強(qiáng)度，和 I對應(yīng)于投射到基板1的前表面Ia的福射的W太陽計的福照度。而且，在式（1)中，Cl對應(yīng)于 包括在1.3 X 1(T5和3.2 X 1(T5之間且優(yōu)選等于1.7 X 1(T5的第一常數(shù)，C2對應(yīng)于包括在1.00 和32.0之間且優(yōu)選等于4.32的第二常數(shù)，C3對應(yīng)于包括在-1.00和-2.00之間且優(yōu)選等于-1.62的第=常數(shù)，和C4對應(yīng)于包括在6562和8523之間且優(yōu)選等于7500的第四常數(shù)。
[0095] 根據(jù)另一優(yōu)選實施方式，光伏元件10由具有嚴(yán)格大于7Xl〇is原子/cm3的濃度的棚 滲雜的娃基板1制成。根據(jù)該實施方式，W秒計的處理時間t大于或者等于：
[0097] 其中t表示運樣的時間:在其期間基板1被保持在包括在20°C-23(rC溫度范圍內(nèi)的 目標(biāo)溫度值處或目標(biāo)范圍內(nèi)，同時產(chǎn)生載流子和同時施加通過光伏元件10的磁場B，T對應(yīng) 于光伏元件10的W開爾文計的溫度，B。對應(yīng)于磁場B的所述分量Be的W特斯拉計的強(qiáng)度，和 I對應(yīng)于投射到光伏元件10的前表面Ia上的福射的W太陽計的福照度。而且，在式（2)中， C'l對應(yīng)于包括在1.2X10-哺1.9X10-S之間且優(yōu)選等于1.51X10- 8的附加第一常數(shù)，C'2對 應(yīng)于包括在1.00和32.0之間且優(yōu)選等于4.32的附加第二常數(shù)，C'3對應(yīng)于包括在2.5X1(T 8 和4 X l〇-s之間且優(yōu)選等于3.7 X l〇-s的附加第=常數(shù)，和C' 4對應(yīng)于包括在6562和8523之間 且優(yōu)選等于7500的附加第四常數(shù)。
[0098] 而且，還提供設(shè)計用于進(jìn)行根據(jù)上文中呈現(xiàn)的不同實施方式描述的處理方法的裝 置。
[0099] 根據(jù)圖1中說明的實施方式，恢復(fù)裝置20被配置成修復(fù)光伏元件10。后者包括設(shè)置 有彼此相反且優(yōu)選基本上平行的前表面la和背表面lb的基板1。前表面la設(shè)計成接收光強(qiáng) 度或者福照度?；?包括在表面Ia上的發(fā)射區(qū)化、和基體區(qū)1B。裝置20包括用于在基板1中 產(chǎn)生載流子的工具2。
[0100] 載流子產(chǎn)生工具2優(yōu)選地包括照射所要處理的光伏元件10的光源2。光源2可包括 使得能夠產(chǎn)生具有優(yōu)選地包括在300和1300nm之間的波長的入射光束的單色或者多光譜 燈。
[0101] 光源2可不妨只包括面素或氣氣燈。根據(jù)一種實施方式，所述光源由用約1000W/V 的福照度進(jìn)行所要處理的光伏元件10的連續(xù)照射的氣氣燈形成。有利地，光源2被配置成提 供強(qiáng)照射使得光伏元件10接收高于5 X IO4WzV的照射。
[0102] 光源2可進(jìn)一步包括L邸或者激光源，其有利地產(chǎn)生強(qiáng)照射。與其它光源相比，激光 源或者L邸的使用有利地使得能夠減少能量消耗。
[0103] 處理裝置20還包括配置成將基板1保持在包括在20°C-23(rC溫度范圍內(nèi)且優(yōu)選地 在50°C-23(rC溫度范圍內(nèi)的溫度下的熱處理工具3。熱處理工具3可包括熱源。而且，載流子 產(chǎn)生工具2也可形成熱處理工具3。例如，面素?zé)艨稍谒鼈儗μ柲茈姵?加熱的同時照射太 陽能電池1。
[0104] 如圖1中所示，基板1的溫度的控制優(yōu)選地通過腔室3進(jìn)行，腔室3被配置成將基板1 的溫度保持在目標(biāo)溫度值處或者目標(biāo)溫度范圍內(nèi)。腔室3可W是常規(guī)的裝配有配置成測量 基板1的溫度的溫度傳感器的爐子。該爐子還可包括光伏元件10的溫度調(diào)節(jié)裝置。所述調(diào)節(jié) 裝置連接到控制電路，該控制電路被配置成根據(jù)光伏元件10的溫度控制所述爐子和調(diào)節(jié)裝 置的溫度。
[0105] 而且，將基板1的溫度控制工具3配置成使得光伏元件10被照射。例如，用于保持光 伏元件10的溫度的腔室3可包括光源2。
[0106] 腔室3優(yōu)選地包括對于由光源2發(fā)射的福射透明的壁。所述透明的壁被置于光源2 和光伏元件10的前表面Ia之間，W讓由光源2發(fā)射的福射通過，從而照射基板1的前表面la。
[0107] 該裝置進(jìn)一步包括磁場B的施加工具4,其被配置成使得磁場B具有與發(fā)射區(qū)IE和 基板1之間的界面24基本上平行的分量Be。優(yōu)選地，分量Bc垂直于穿過前表面Ia和背表面化 的軸(Ox)。
[0108] 根據(jù)一種實施方式，磁場B的施加工具4包括由氣隙13分開的兩個永磁體11和12。 磁體11和12被安裝在支撐體14上，使得它們被布置成彼此面對。磁體11包括面對磁體12的 表面12'布置的表面11'。將磁體11和12W運樣的方式配置:彼此面對的表面11'和12'具有 相反的磁極(N和S)。
[0109] 磁體11和12被配置成產(chǎn)生流經(jīng)氣隙13的空間的橫向磁場B。根據(jù)光伏元件10或基 板IW及腔室3的構(gòu)造和組成，磁體11和12被布置成產(chǎn)生具有與界面24基本上平行的分量Be 的磁場B。優(yōu)先地，界面24平行于表面Ia和化，且磁體11和12是W運樣的方式配置和布置的： 所產(chǎn)生的磁場B具有與表面Ia和化平行的方向。
[0110] 氣隙13進(jìn)一步配置成包括所要處理的光伏元件10。換句話說，氣隙13被配置成容 納包括光伏元件10的腔室3。在優(yōu)先方式中，裝置20包括位于氣隙13中的元件的固定工具 (圖中未示出），特別是光伏元件10的固定工具。布置在氣隙13中的元件的固定防止基板1中 產(chǎn)生的磁場線的