一種提高多晶硅電池pecvd工序產(chǎn)能的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種提高多晶娃電池陽CVD工序產(chǎn)能的方法，屬于太陽能光伏技術(shù)領(lǐng) 域。
【背景技術(shù)】
[0002] 面對全球能源危機(jī)，太陽能光伏發(fā)電技術(shù)已經(jīng)成為半導(dǎo)體行業(yè)的新的發(fā)展熱點。 晶娃太陽能電池制造分為制絨/清洗、擴(kuò)散、刻蝕/后清洗、PECVD鍛膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、測試 分選等工序。
[0003] 對于晶體娃太陽能電池管式PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù))氮化娃薄膜沉 積技術(shù)，采用氨氣和硅烷作為等離子反應(yīng)氣體源，采用石墨舟片做為娃片的承載板和射頻 電極，常規(guī)的PECVD工藝運(yùn)行一舟需要31min左右，產(chǎn)量較低，隨著前道工序產(chǎn)能的提升， PECVD工序成為產(chǎn)能瓶頸，必須通過增加 PECVD機(jī)臺數(shù)來提高產(chǎn)量，由此使得電池制造成本 大幅度上升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供一種提高多晶娃電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，通過優(yōu)化鍛膜 的工藝參數(shù)，增加氮化娃膜沉積速率，提高了 PECVD工序的產(chǎn)能。
[0005] -種提高多晶娃電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，包括沉積在娃基襯底上包含兩層氮 化娃膜。
[0006] -種提局多晶娃電池 PECVD工序廣能的方法，娃基襯底上沉積的兩層氮化娃膜的 第一層厚度為10~20 nm，折射率為2.2~2.3;第二層厚度為60~70 nm，折射率為2.0~2.1。 [0007] -種提局多晶娃電池 PECVD工序廣能的方法，所述娃基襯底為多晶娃襯底。
[000引一種提局多晶娃電池 PECVD工序廣能的方法，制備方法包括如下步驟： 1) 將156 X 156娃片進(jìn)行制絨； 2) 將制絨后的娃片進(jìn)行擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊，即為娃基襯底； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨舟后，置于管式陽CVD鍛膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)抽真空，并 升溫至300~500 °C; 4) 當(dāng)陽CVD設(shè)備真空室真空達(dá)到1600~1700 mtor，在爐管內(nèi)通入氣體流量為4200 seem 的氨氣、1000 seem的硅烷，在6500~7200W的射頻功率，占空比為4/48~5/50下電離160~190 sec，在娃基襯底上沉積第一層厚度為10~20 nm，折射率為2.3~2.4的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續(xù)進(jìn)行沉積，沉積溫度為300~500°C，在爐管內(nèi)通入 氣體流量為7200 seem的氨氣、800 seem的硅烷，在6500~7200W的射頻功率，占空比5/35~5/ 32下電離350~500 see,在第一層氮化娃膜上沉積厚度為60~70 nm，折射率為2.0~2.1的第 二層氮化娃膜。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點為通過對工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，無需改進(jìn)設(shè)備，提高了陽工序產(chǎn)能。
【具體實施方式】
[0010] 實施例1: 一種提高多晶娃電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，包括如下步驟： 1) 取電阻率為0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm規(guī)格的P型多晶娃片500片，將娃片進(jìn)行制 絨； 2) 將制絨后的娃片進(jìn)行擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊，即為娃基襯底； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨舟后，置于管式陽CVD鍛膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 當(dāng)陽CVD設(shè)備真空室真空達(dá)到1600 mtor，在爐管內(nèi)通入氣體流量為4200 seem的氨 氣、1000 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為4/48下電離190 see,在娃基襯底上 沉積第一層厚度為20 nm，折射率為2.3的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續(xù)進(jìn)行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內(nèi)通入 氣體流量為7200 seem的氨氣、680 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為5/35下電 離420 see,在第一層氮化娃膜上沉積厚度為65 nm，折射率為2.04的第二層氮化娃膜。
[0011] 實施例2: 一種提高多晶娃電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，包括如下步驟： 1) 取電阻率為0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm規(guī)格的P型多晶娃片500片，將娃片進(jìn)行制 絨； 2) 將制絨后的娃片進(jìn)行擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊，即為娃基襯底； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨舟后，置于管式陽CVD鍛膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 當(dāng)陽CVD設(shè)備真空室真空達(dá)到1700 mtor，在爐管內(nèi)通入氣體流量為4200 seem的氨 氣、1000 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為5/50下電離160 see,在娃基襯底上 沉積第一層厚度為20 nm，折射率為2.3的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續(xù)進(jìn)行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內(nèi)通入 氣體流量為7200 seem的氨氣、680 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為5/32下電 離390 see,在第一層氮化娃膜上沉積厚度為65 nm，折射率為2.04的第二層氮化娃膜。
[0012] 對比例； 常規(guī)的陽CVD工藝，包括如下步驟： 1) 取電阻率為0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm規(guī)格的P型多晶娃片500片，將娃片進(jìn)行制 絨； 2) 將制絨后的娃片進(jìn)行擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊，即為娃基襯底； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨舟后，置于管式陽CVD鍛膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 當(dāng)陽CVD設(shè)備真空室真空達(dá)到1600 mtor，在爐管內(nèi)通入氣體流量為4200 seem的氨 氣、1000 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為4/48下電離190 see,在娃基襯底上 沉積第一層厚度為20 nm，折射率為2.3的氮化娃膜； 5)將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續(xù)進(jìn)行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內(nèi)通入 氣體流量為7200 seem的氨氣、680 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率，占空比為4/40下電 離510 see,在第一層氮化娃膜上沉積厚度為65 nm，折射率為2.04的第二層氮化娃膜。
[0013] 結(jié)果對比：
從上表的數(shù)據(jù)可W看出，本發(fā)明的實施例1和2與對比例比較，產(chǎn)能有較大幅度提升，同 時效率也有明顯提高。
【主權(quán)項】
1. 一種提高多晶硅電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，其特征為:包括沉積在硅基襯底上包含 兩層氮化硅膜。2. 如權(quán)利要求1所述的一種提高多晶硅電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，其特征為:硅基襯 底上沉積的兩層氮化硅膜的第一層厚度為10~20 nm，折射率為2.2~2.3;第二層厚度為60~ 70 nm，折射率為2.0~2.1 〇3. 如權(quán)利要求1所述的一種提高多晶硅電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，其特征為:所述硅 基襯底為多晶娃襯底。4. 一種提高多晶硅電池 PECVD工序產(chǎn)能的方法，其特征為:制備方法包括如下步驟： 1) 將156X156硅片進(jìn)行制絨； 2) 將制絨后的硅片進(jìn)行擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除磷硅玻璃并刻邊，即為硅基襯底； 3) 將清洗后的硅基襯底插入石墨舟后，置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)抽真空，并 升溫至300~500 °C; 4) 當(dāng)PECVD設(shè)備真空室真空達(dá)到1600~1700 mtor，在爐管內(nèi)通入氣體流量為4200 seem 的氨氣、1000 seem的硅烷，在6500~7200W的射頻功率，占空比為4/48~5/50下電離160~190 sec，在硅基襯底上沉積第一層厚度為10~20 nm，折射率為2.3~2.4的氮化硅膜； 5) 將鍍有第一層氮化硅膜的硅片繼續(xù)進(jìn)行沉積，沉積溫度為300~500°C，在爐管內(nèi)通入 氣體流量為7200 seem的氨氣、800 seem的硅烷，在6500~7200W的射頻功率，占空比5/35~5/ 32下電離350~500 sec，在第一層氮化硅膜上沉積厚度為60~70 nm，折射率為2.0~2.1的第 二層氮化娃膜。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高多晶硅電池PECVD工序產(chǎn)能的方法，通過優(yōu)化鍍膜的工藝參數(shù)，增加氮化硅膜沉積速率，提高了PECVD工序的產(chǎn)能。
【IPC分類】H01L31/18, C23C16/505, C23C16/34, H01L31/068, H01L31/0216
【公開號】CN105576082
【申請?zhí)枴緾N201610116142
【發(fā)明人】陳園, 楊曉琴, 曹黔晉, 黃明, 曹江偉, 曹雪
【申請人】江西展宇新能源股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年3月2日