應形成多個第二導電柱70。如圖7所示,部分的第二導電柱70電性連接形成于第一半導體元件21上的該些第一導電柱40,且部分的第二導電柱70電性連接形成于導線架10的第二部分12上的該些第一導電柱40。
[0098]參見圖8,利用銅電鍍方法提供且形成一第二導電膜80于第二介電層60上。于本實施例中,第二導電膜80大致覆蓋第二介電層60,且電性連接第二介電層60中的該些第二導電柱70 (如圖7所示)。
[0099]在形成第二導電膜80于第二介電層60后,即完成根據(jù)本發(fā)明一實施例的嵌入式封裝裝置的制造。
[0100]需了解的是,本發(fā)明的嵌入式封裝裝置的制造方法不以前述實施例為限。于部分實施例中,多個第一導電柱40及第二導電柱70亦可在第二介電層60形成于第一介電層30上后,利用單一道激光鉆孔方式及銅電鍍方法一次形成。
[0101]綜上所述,本發(fā)明提供一種嵌入式封裝裝置,可成功整合至少兩個具有不同厚度的電子元件。特別地,嵌入式封裝裝置中包括至少一三五族半導體元件,且可被應用在一功率相關的產(chǎn)品,例如變壓器或電源供應器。通過前述結構特征,嵌入式封裝裝置的熱量逸散能力亦可被有效改善。
[0102]雖然本發(fā)明以前述的實施例公開如上,然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當可做些許的更動與潤飾。因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求請求保護的范圍為準。
【主權項】
1.一種嵌入式封裝裝置,包括: 一導線架; 一第一半導體元件,設置于該導線架上; 一第二半導體元件,設置于該導線架上,且電性連接該第一半導體元件; 一無源元件,設置于該導線架上,且電性連接該第一半導體元件及該第二半導體元件; 一第一介電層,形成于該導線架上,且覆蓋該第一半導體元件、該第二半導體元件及該無源元件; 多個第一導電柱,形成于該第一介電層中;以及 一第一導電膜,形成于該第一介電層上,且透過該些第一導電柱電性連接該第二半導體元件及該導線架的至少其中之一; 其中,該第一半導體元件及該第二半導體元件的至少其中之一以覆晶方式安裝于該導線架上。2.如權利要求1所述的嵌入式封裝裝置,還包括: 一第二介電層,形成于該第一介電層上,且覆蓋該第一導電膜; 多個第二導電柱,形成于該第二介電層中,且電性連接該些第一導電柱的一部分;以及 一第二導電膜,形成于該第二介電層上,且透過該些第二導電柱及該些第一導電柱的該部分電性連接該第一半導體元件。3.如權利要求1所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一半導體元件為具有一第一源極接墊、一第一漏極接墊及一第一柵極接墊的一高電壓開關,該第二半導體元件為具有一第二源極接墊、一第二漏極接墊及一第二柵極接墊的一低電壓開關。4.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置,其中該高電壓開關具有多個并聯(lián)的高電壓晶體管,且每一個高電壓晶體管具有與該第一源極接墊電性連接的一第一源極、與該第一漏極接墊電性連接的一第一漏極及與該第一柵極接墊電性連接的一第一柵極,其中該低電壓開關具有多個并聯(lián)的低電壓晶體管,且每一個低電壓晶體管具有與該第二源極接墊電性連接的一第二源極、與該第二漏極接墊電性連接的一第二漏極及與該第二柵極接墊電性連接的一第二柵極。5.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置,其中該導線架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分,該導線架的該第一部分電性連接該第一漏極接墊,該導線架的該第二部分電性連接該第一柵極接墊及該第二源極接墊,該導線架的該第三部分電性連接該第一源極接墊及該第二漏極接墊,且該導線架的該第四部分電性連接該第二柵極接墊。6.如權利要求5所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一導電膜具有一第一部分及一第二部分,該第一導電膜的該第一部分電性連接該第二柵極接墊,且該第一導電膜的該第二部分電性連接該第二源極接墊。7.如權利要求6所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一導電膜還具有一第三部分,且該第一導電膜的該第三部分電性連接該第二源極接墊。8.如權利要求4所述的嵌入式封裝裝置,其中該高電壓開關為一橫向型元件,且該些尚電壓晶體管為含氣的尚電子移動率晶體管。9.如權利要求4所述的嵌入式封裝裝置,其中該低電壓開關為具有相對的一第一表面及一第二表面的一縱向型元件,該第二漏極接墊設置于鄰近于該導線架的該第二表面上,且該第二源極接墊及該第二柵極接墊設置于該第一表面上。10.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置,其中該無源元件具有一第一端子及一第二端子,該第一端子電性連接該第二漏極接墊及該第一源極接墊,且該第二端子電性連接該第二源極接墊及該第一柵極接墊。11.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一源極接墊及該第二漏極接墊透過該導線架電性連接,且該第一柵極接墊及該第二源極接墊透過該導線架及該些第一導電柱電性連接。12.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置,還包括一驅(qū)動芯片,設置于該導線架上,且電性連接該第二柵極接墊。13.—種嵌入式封裝裝置,包括: 一導線架,形成有一沉孔; 一第一半導體元件,設置于該導線架上; 一第二半導體元件,設置于該導線架上,并透過該導線架電性連接該第一半導體元件,且該第二半導體元件與該第一半導體元件具有不同厚度,其中該第一半導體元件或該第二半導體元件設置于該導線架的該沉孔內(nèi),使得該第二半導體元件及該第一半導體元件的上表面具有相同高度; 一無源元件,設置于該導線架上;以及 一第一介電層,形成于該導線架上,且覆蓋該第一半導體元件、該第二半導體元件及該無源元件。14.一種嵌入式封裝裝置,包括: 一導線架,具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分; 一高電壓開關,設置于該導線架上,且具有與該導線架的該第一部分電性連接的一第一漏極接墊、與該導線架的該第二部分電性連接的一第一柵極接墊及與該導線架的該第三部分電性連接的一第一源極接墊; 一低電壓開關,設置于該導線架上,且具有與該導線架的該第三部分電性連接的一第二漏極接墊、與該導線架的該第四部分電性連接的一第二柵極接墊及與該導線架的該第二部分電性連接的一第二源極接墊; 一無源元件,設置于該導線架上,且具有與該導線架的該第三部分電性連接的一第一端子及與該導線架的該第二部分電性連接的一第二端子; 一第一介面層,形成于該導線架上,且覆蓋該高電壓開關、該低電壓開關及該無源元件; 多個第一導電柱,形成于該第一介電層中;以及 一第一導電膜,形成于該第一介電層上,且透過該些第一導電柱電性連接該低電壓開關及該導線架。15.如權利要求14所述的嵌入式封裝裝置,其中該高電壓開關具有多個并聯(lián)的耗盡型晶體管,且每一個耗盡型晶體管為一橫向型含氮的晶體管。16.如權利要求14所述的嵌入式封裝裝置,其中該低電壓開關具有多個并聯(lián)的增強型晶體管,且每一個增強型晶體管為一縱向型含硅的晶體管。17.如權利要求14所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一導電膜具有一第一部分及一第二部分,該第一導電膜的該第一部分電性連接該第二柵極接墊,且該第一導電膜的該第二部分電性連接該第二源極接墊及該第一柵極接墊。18.如權利要求17所述的嵌入式封裝裝置,其中該些第一導電柱的至少其中之一電性連接于該第一導電膜的該第一部分及該第二柵極接墊之間,該些第一導電柱的至少其中另之一電性連接于該第一導電膜的該第二部分及該第二源極接墊之間,且該些第一導電柱的至少其中又之一電性連接于該第一導電膜的該第二部分及該第一柵極接墊之間。19.如權利要求17所述的嵌入式封裝裝置,其中該第一導電膜還具有一第三部分,且該第一導電膜的該第三部分電性連接該第二源極接墊。20.如權利要求19所述的嵌入式封裝裝置,其中該導線架還具有一第五部分,且該導線架的該第五部分電性連接該第一導電膜的該第三部分。
【專利摘要】一種嵌入式封裝裝置,包括導線架、第一半導體元件、第二半導體元件、無源元件以及第一介電層。導線架形成有沉孔。第一半導體元件及第二半導體元件設置于導線架上,并透過導線架相互電性連接。第二半導體元件與第一半導體元件具有不同厚度,且第一半導體元件或第二半導體元件設置于導線架的沉孔內(nèi),使得第二半導體元件及第一半導體元件的上表面具有相同高度。無源元件設置于導線架上。第一介電層形成于導線架上,且覆蓋第一半導體元件、第二半導體元件及無源元件。
【IPC分類】H01L23/367, H01L23/495, H01L25/00, H01L23/498
【公開號】CN105529317
【申請?zhí)枴緾N201510341381
【發(fā)明人】李芃昕, 蔡欣昌, 李嘉炎
【申請人】臺達電子工業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年6月18日
【公告號】US9177957