一種高效發(fā)光二極管芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的技術(shù)領(lǐng)域，特別提供一種高效發(fā)光二極管芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，作為主要的光源得到較快發(fā)展，近年來(lái)發(fā)光二極管的利用領(lǐng)域迅速擴(kuò)展。隨著LED行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈，提高發(fā)光二極管的亮度及降低成本成為其重要方向。
[0003]為了使得芯片的亮度及可靠性更好，目前傳統(tǒng)的芯片包括在P型電極下面的電流阻擋層(Current Blocking Layer)，N、P電極，以及制作芯片保護(hù)層(PV)。然而，傳統(tǒng)的芯片不僅所需的工藝流程時(shí)間較長(zhǎng)，而且芯片的成本和不良率均較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明為解決上述問(wèn)題，提供了一種高效發(fā)光二極管芯片。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0006]—種高效發(fā)光二極管芯片，其特征在于:包括
[0007]—襯底；
[0008]—緩沖層，設(shè)置于所述襯底上表面；
[0009]—非故意摻雜層，設(shè)置于所述緩沖層上表面；
[0010]一 N型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述非故意摻雜層上表面；
[0011]—有源區(qū)，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的左側(cè)部分上表面；
[0012]—電子阻擋層，設(shè)置于所述有源區(qū)上表面；
[0013]— P型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述電子阻擋層上表面；
[0014]—P型接觸層，設(shè)置于所述P型導(dǎo)電層上表面；
[0015]—電流阻擋層，設(shè)置于所述P型接觸層的左側(cè)部分上表面；
[0016]— ITO導(dǎo)電層，設(shè)置于所述P型接觸層的右側(cè)部分上表面，且與所述電流阻擋層完全覆蓋所述P型接觸層；
[0017]— P電極，設(shè)置于所述電流阻擋層上表面；
[0018]— N電極，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的右側(cè)部分，且深入到所述N型導(dǎo)電層的高摻部分；以及
[0019]—電極隔離層，設(shè)置于所述N電極與所述有源區(qū)、電子阻擋層、P型導(dǎo)電層、P型接觸層和ITO導(dǎo)電層的右側(cè)表面之間。
[0020]優(yōu)選的，還包括一芯片保護(hù)層，設(shè)置于所述高效發(fā)光二極管芯片除P電極和N電極之外的上表面和側(cè)面。
[0021]優(yōu)選的，所述的電流阻擋層為非導(dǎo)電性材料層。
[0022]優(yōu)選的，所述非導(dǎo)電性材料層包括SiN、Ti203和Α?2θ3。
[0023]采用上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明無(wú)需復(fù)雜的工藝流程，能夠降低高效發(fā)光二極管芯片的制造成本和不良率，提高了發(fā)光二極管芯片的性價(jià)比，優(yōu)化了發(fā)光二極管芯片的質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0024]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0025]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0027]如圖1所示，本發(fā)明提供一種高效發(fā)光二極管芯片，包括
[0028]—襯底；
[0029]一緩沖層，設(shè)置于所述襯底上表面；
[0030]—非故意摻雜層，設(shè)置于所述緩沖層上表面；
[0031]— N型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述非故意摻雜層上表面；
[0032]—有源區(qū)，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的左側(cè)部分上表面；
[0033]—電子阻擋層，設(shè)置于所述有源區(qū)上表面；
[0034]— P型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述電子阻擋層上表面；
[0035]— P型接觸層，設(shè)置于所述P型導(dǎo)電層上表面；
[0036]—電流阻擋層，設(shè)置于所述P型接觸層的左側(cè)部分上表面；
[0037]— ITO導(dǎo)電層，設(shè)置于所述P型接觸層的右側(cè)部分上表面，且與所述電流阻擋層完全覆蓋所述P型接觸層；
[0038]— P電極，設(shè)置于所述電流阻擋層上表面；
[0039]— N電極，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的右側(cè)部分，且深入到所述N型導(dǎo)電層的高摻部分；以及
[0040]—電極隔離層，設(shè)置于所述N電極與所述有源區(qū)、電子阻擋層、P型導(dǎo)電層、P型接觸層和ITO導(dǎo)電層的右側(cè)表面之間。
[0041]優(yōu)選的，該高效發(fā)光二極管芯片還包括一芯片保護(hù)層，設(shè)置于所述高效發(fā)光二極管芯片除P電極和N電極之外的上表面和側(cè)面，以對(duì)芯片起到保護(hù)作用。
[0042]在本實(shí)施例中，電流阻擋層材料為非導(dǎo)電性材料層，非導(dǎo)電性材料層優(yōu)選包括SiN、Ti203和Al2O3等非導(dǎo)電性材料，采用非導(dǎo)電性材料隔阻P電極的電流方向，有效提高電流擴(kuò)展效果。
[0043]本發(fā)明無(wú)需復(fù)雜的工藝流程，能夠降低高效發(fā)光二極管芯片的制造成本和不良率，提高了發(fā)光二極管芯片的性價(jià)比，優(yōu)化了發(fā)光二極管芯片的質(zhì)量。
[0044]上述說(shuō)明示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過(guò)上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高效發(fā)光二極管芯片，其特征在于:包括 一襯底； 一緩沖層，設(shè)置于所述襯底上表面； 一非故意摻雜層，設(shè)置于所述緩沖層上表面； 一N型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述非故意摻雜層上表面； 一有源區(qū)，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的左側(cè)部分上表面； 一電子阻擋層，設(shè)置于所述有源區(qū)上表面； 一P型導(dǎo)電層，設(shè)置于所述電子阻擋層上表面； 一 P型接觸層，設(shè)置于所述P型導(dǎo)電層上表面； 一電流阻擋層，設(shè)置于所述P型接觸層的左側(cè)部分上表面； 一 ITO導(dǎo)電層，設(shè)置于所述P型接觸層的右側(cè)部分上表面，且與所述電流阻擋層完全覆蓋所述P型接觸層； 一P電極，設(shè)置于所述電流阻擋層上表面； 一N電極，設(shè)置于所述N型導(dǎo)電層的右側(cè)部分，且深入到所述N型導(dǎo)電層的高摻部分；以及 一電極隔離層，設(shè)置于所述N電極與所述有源區(qū)、電子阻擋層、P型導(dǎo)電層、P型接觸層和ITO導(dǎo)電層的右側(cè)表面之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效發(fā)光二極管芯片，其特征在于:還包括一芯片保護(hù)層，設(shè)置于所述高效發(fā)光二極管芯片除P電極和N電極之外的上表面和側(cè)面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述的電流阻擋層材料為非導(dǎo)電性材料層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高效發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述非導(dǎo)電性材料層包括 SiNJi2O3 和 AI2O3。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種高效發(fā)光二極管芯片，包括一襯底，一緩沖層，一非故意摻雜層，一N型導(dǎo)電層，一有源區(qū)，一電子阻擋層，一P型導(dǎo)電層，一P型接觸層，一電流阻擋層，一ITO導(dǎo)電層，一P電極，一N電極以及一電極隔離層。本發(fā)明無(wú)需復(fù)雜的工藝流程，能夠降低高效發(fā)光二極管芯片的制造成本和不良率，提高了發(fā)光二極管芯片的性價(jià)比，優(yōu)化了發(fā)光二極管芯片的質(zhì)量。
【IPC分類(lèi)】H01L33/14, H01L33/36
【公開(kāi)號(hào)】CN105514240
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510918552
【發(fā)明人】林志偉, 陳凱軒, 張永, 卓祥景, 姜偉, 方天足, 陳亮
【申請(qǐng)人】廈門(mén)乾照光電股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月10日