金屬化晶圓級封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體技術領域，尤其涉及一種金屬化晶圓級封裝方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路技術的不斷發(fā)展，電子產品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對集成電路封裝結束提出了越來越高的要求。
[0003]隨著集成度以及封裝密度的不斷提高，芯片之間的距離逐步縮小，一些芯片可能因為周邊電磁干擾工作異常。常規(guī)的抗電磁干擾方式是做一個金屬的蓋子，扣在需要保護的芯片上，形成一個五面的防護。但是這樣的金屬蓋，無形中增加了封裝的高度和面積，對于高集成度、高密度的封裝形式產生限制。

【發(fā)明內容】

[0004]鑒于現(xiàn)有技術中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種金屬化晶圓級封裝方法。
[0005]本發(fā)明提供了一種金屬化晶圓級封裝方法，包括:
[0006]在包括多個芯片的晶圓的上表面形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層上具有露出所述晶圓上的芯片的功能面的開口部；
[0007]在所述開口部內形成金屬層，去除所述第一光刻膠層；
[0008]在所述晶圓上表面形成切割道，且在所述晶圓上表面形成塑封層，所述塑封層的頂面高于所述金屬層的頂面；
[0009]對所述塑封層的上表面進行打磨，露出所述金屬層；
[0010]對所述晶圓的下表面進行打磨，露出所述切割道；
[0011]在所述金屬層上植焊球，沿所述切割道切割，形成多個封裝體；
[0012]對所述多個封裝體的下表面和側面進行金屬鍍，形成具有金屬鍍層的封裝體。
[0013]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的封裝方法，將晶圓級封裝芯片的五面都用金屬包覆，這樣芯片本身的面積和體積不會有大的變化，解決設置金屬蓋進行抗磁干擾時導致的封裝高度和體積增大的問題，并且進一步提高散熱性能，適用于多個不同的芯片進行封裝，具有較高的集成度和整合度。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明提供的金屬化晶圓級封裝方法的流程圖；
[0016]圖2-圖14為本發(fā)明提供的金屬化晶圓級封裝結構的工藝示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關的部分。
[0018]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。
[0019]參照圖1，本發(fā)明公開了一種金屬化晶圓級封裝方法，包括:
[0020]S10:在包括多個芯片的晶圓的上表面形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層上具有露出所述晶圓上的芯片的功能面的開口部；
[0021]S20:在所述開口部內形成金屬層，去除所述第一光刻膠層；
[0022]S30:在所述晶圓上表面形成切割道，且在所述晶圓上表面形成塑封層，所述塑封層的頂面高于所述金屬層的頂面；
[0023]S40:對所述塑封層的上表面進行打磨，露出所述金屬層；
[0024]S50:對所述晶圓的下表面進行打磨，露出所述切割道；
[0025]S60:在所述金屬層上植焊球，沿所述切割道切割，形成多個封裝體；
[0026]S70:對所述多個封裝體的下表面和側面進行金屬鍍，形成具有金屬鍍層的封裝體。
[0027]首先執(zhí)行步驟S10，參照圖2和圖3，在包括多個芯片的晶圓101的上表面形成第一光刻膠層102，所述第一光刻膠層102上具有露出所述晶圓上的芯片的功能面的開口部103。
[0028]然后執(zhí)行步驟S20，參照圖4，在所述開口部103內形成金屬層104，去除第一光刻膠層，如圖5所示。
[0029]在一種可選的實施方式中，在所述晶圓101上表面形成第一光刻膠層102之前，先在所述晶圓上表面形成保護層(圖中未示出)，之后在保護層的上表面形成所述第一光刻膠層102 ;所述開口部103露出所述功能面上的保護層；所述金屬層104形成于從所述開口部103露出的保護層的表面；去除所述第一光刻膠層之后，再去除所述保護層中其上未形成所述金屬層的部分。
[0030]在一種可選的實施方式，上述晶圓的上表面的保護層可經物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposit1n)的方式形成。在晶圓上表面形成第一光刻膠之前可以不形成保護層，當然在去除第一光刻膠之后就不需要進行去除保護層的操作。
[0031]作為一種可選的實施方式，第一光刻膠102經曝光顯影形成開口部103。
[0032]執(zhí)行步驟S30，如圖6所示，在所述晶圓上表面形成切割道105 ;參照圖7，在所述晶圓上表面形成塑封層106，所述塑封層106的頂面高于所述金屬層104的頂面。
[0033]具體的，如圖6所示，在晶圓的上表面進行半厚度切割形成切割道105，切割道位于所述多個芯片之間；如圖7所示，在所述晶圓上表面形成塑封層106，所述塑封層106填充所述切割道105、所述金屬層104中的空隙并且包覆所述金屬層104。
[0034]可選的，所述塑封層106的材料為環(huán)氧樹脂，這種材料的密封性能較好、塑封容易，是形成塑封層106的較佳材料。
[0035]接著執(zhí)行步驟S40，對所述塑封層106的上表面進行打磨，露出所述金屬層。進一步地，對塑封層的上表面打磨露出金屬層之后，繼續(xù)打磨減薄金屬層，露出打磨后