一種反應(yīng)腔室和反應(yīng)設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種反應(yīng)腔室和反應(yīng)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 在集成電路和顯示器的制造中，將諸如半導(dǎo)體晶片盒顯示面板的襯底放置在反應(yīng) 腔室中，設(shè)定反應(yīng)腔室中的工藝條件W在該襯底上沉積材料或刻蝕該襯底。典型的反應(yīng)腔 室包括圍繞等離子體區(qū)域的外圍壁、用于支撐襯底的襯底支架、用于在腔室內(nèi)提供處理氣 體的氣源、對(duì)氣體施加能量W處理襯底的氣體激發(fā)器，W及用于保持壓力的排氣裝置。該反 應(yīng)腔室可W包括瓣射（PVD)，化學(xué)氣相沉積（CVD)和刻蝕腔室。
[0003] 在瓣射工藝中，將包括惰性氣體和/或反應(yīng)氣體的處理氣體供應(yīng)到反應(yīng)腔室內(nèi)， 并對(duì)祀材施加電偏壓，W形成高能粒子轟擊祀材促進(jìn)瓣射材料從祀材擊出并在襯底成膜。 但是，祀材材料也沉積到腔室壁等室內(nèi)的元件上，并成為污染源。故腔室內(nèi)需要設(shè)置可W防 止瓣射材料直接沉積到腔室壁W及其他室內(nèi)元件上的工藝組件。
[0004] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，反應(yīng)腔室100包括腔室 壁102、工藝組件200和基座106。工藝組件200與基座106包圍形成處理區(qū)域101。腔室 壁102包括腔室主體103和側(cè)壁104。圖2為圖1所示反應(yīng)腔室的A部分結(jié)構(gòu)放大圖。如 圖2所示，工藝組件200包括遮蔽件201、遮蔽環(huán)202和沉積環(huán)203。圖3為現(xiàn)有技術(shù)中遮 蔽件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，遮蔽件201包括上遮蔽件211和下遮蔽件221。下遮蔽件 221的中部開(kāi)有氣孔204。反應(yīng)氣體從氣源進(jìn)口 105進(jìn)入反應(yīng)腔室100,通過(guò)下遮蔽件221 中部的氣孔204后，再下行至上遮蔽件211的底端，由上遮蔽件211的底端縫隙進(jìn)入處理區(qū) 域101。通過(guò)上述進(jìn)氣方式，反應(yīng)氣體不能充分均勻的擴(kuò)散至反應(yīng)腔室100,W至于影響到 沉積薄膜在晶片邊緣的性質(zhì)，從而獲得均勻性較差的薄膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室和反應(yīng)設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的進(jìn)氣方式使得反應(yīng) 氣體不能充分均勻的擴(kuò)散至反應(yīng)腔室，W至于影響到沉積薄膜在晶片邊緣的性質(zhì)，獲得的 薄膜均勻性較差的問(wèn)題。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室，包括用于承載被加工工件的基座和 工藝組件，所述工藝組件包括遮蔽件，所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件，所述下遮蔽件 環(huán)繞在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁內(nèi)側(cè)，所述上遮蔽件環(huán)繞在所述下遮蔽件內(nèi)側(cè)，所述下遮蔽件 的底部為U型槽結(jié)構(gòu)，所述U形槽包圍所述上遮蔽件的底部，所述U形槽靠近所述反應(yīng)腔 室側(cè)壁的一側(cè)的下部開(kāi)有至少一個(gè)第一氣孔。
[0007] 優(yōu)選的，所述上遮蔽件的底部為倒"Z"型結(jié)構(gòu)，所述下遮蔽件的U形槽遠(yuǎn)離所述反 應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)環(huán)繞在所述上遮蔽件的倒"Z"型結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)。
[0008] 優(yōu)選的，所述上遮蔽件底部倒"Z"型結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述反應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)的下部開(kāi) 有至少一個(gè)第二氣孔。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一氣孔與第二氣孔在所述反應(yīng)腔室側(cè)壁方向上的投影不重合。
[0010] 優(yōu)選的，所述工藝組件還包括遮蔽環(huán)，所述遮蔽環(huán)朝向基座的一端位于所述基座 上表面的邊緣的上方，所述遮蔽環(huán)為型。
[0011] 優(yōu)選的，所述遮蔽環(huán)包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)界定向下的開(kāi)口端，所述下 遮蔽件的U形槽遠(yuǎn)離所述反應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)位于所述開(kāi)口端內(nèi)。
[0012] 優(yōu)選的，所述遮蔽環(huán)遠(yuǎn)離基座的一端位于所述上遮蔽件底部倒"Z"型結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所 述反應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)的上方。
[0013] 優(yōu)選的，多個(gè)所述第一氣孔均勻設(shè)置在所述下遮蔽件底部U型槽靠近所述反應(yīng)腔 室側(cè)壁的一側(cè)的下部。
[0014] 優(yōu)選的，多個(gè)所述第二氣孔均勻設(shè)置在所述上遮蔽件底部倒"Z"型結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述 反應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)。
[0015] 本發(fā)明還提供一種反應(yīng)設(shè)備，包括上述任一反應(yīng)腔室。
[0016] 本發(fā)明具有W下有益效果：
[0017] 本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室的技術(shù)方案中，第一氣孔開(kāi)設(shè)在下遮蔽件的底部臨近氣源 進(jìn)口，反應(yīng)氣體可W直接進(jìn)入處理區(qū)域。通過(guò)上述進(jìn)氣方式，反應(yīng)氣體能夠充分均勻的擴(kuò)散 至反應(yīng)腔室，W至于影響反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室中的比例成分W及提高反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)腔 室的擴(kuò)散效果和均勻性，從而獲得更好的薄膜。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖2為圖1所示反應(yīng)腔室的A部分結(jié)構(gòu)放大圖；
[0020] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中遮蔽件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖5為圖4所示反應(yīng)腔室的B部分結(jié)構(gòu)放大圖；
[0023] 圖6為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種遮蔽件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖7為圖6所示遮蔽件的上遮蔽件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[00巧]圖8為圖6所示遮蔽件的下遮蔽件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提 供的反應(yīng)腔室和反應(yīng)設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027] 圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，反應(yīng) 腔室100包括工藝組件200。優(yōu)選的，反應(yīng)腔室100還包括腔室壁102和基座106。工藝組 件200與基座106包圍形成處理區(qū)域101。腔室壁102包括腔室主體103和側(cè)壁104。圖5 為圖4所示反應(yīng)腔室的B部分結(jié)構(gòu)放大圖。如圖5所示，工藝組件200包括遮蔽件201。所 述遮蔽件201包括上遮蔽件211和下遮蔽件221。所述下遮蔽件環(huán)221繞在所述反應(yīng)腔室 100的側(cè)壁內(nèi)側(cè)，所述上遮蔽件211環(huán)繞在所述下遮蔽件內(nèi)側(cè)，所述下遮蔽件221的底部為 U型槽結(jié)構(gòu)，所述U形槽包圍所述上遮蔽件211的底部，所述U形槽靠近所述反應(yīng)腔室側(cè) 壁的一側(cè)的下部開(kāi)有至少一個(gè)第一氣孔205。優(yōu)選的，所述上遮蔽件211的底部為倒"Z"型 結(jié)構(gòu)，所述下遮蔽件221的U形槽遠(yuǎn)離所述反應(yīng)腔室側(cè)壁的一側(cè)環(huán)繞在所述上遮蔽件211 的倒"Z"型結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)。所述上遮蔽件211的底部的最低端與下遮蔽件221形成間隙。
[0028] 在一個(gè)實(shí)施例中，工藝組件200還包括沉積環(huán)203,所述沉積環(huán)203位于基座106 上并且環(huán)繞基座106。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝組件200還包括遮蔽環(huán)202,所述遮蔽 環(huán)202朝向基座106的一端位于所述基座上表面的邊緣的上方，所述遮蔽環(huán)202為型。 基座106由升降機(jī)構(gòu)連接至反應(yīng)腔室100的底部，所述升降機(jī)構(gòu)可在上方及下方位置之間 移動(dòng)基座106。在上方位置時(shí)，沉積環(huán)203可與遮蔽環(huán)202喃合