基板處理系統(tǒng)、基板處理方法以及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于使基板薄化的基板處理系統(tǒng)、使用該基板處理系統(tǒng)的基板處理方法以及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，在該基板的表面形成有器件，并進(jìn)一步相對(duì)于該表面接合有支承基板的表面。
[0002]本申請(qǐng)基于在2013年6月13日在日本國(guó)提出申請(qǐng)的特愿2013 — 124406號(hào)和在2014年5月27日在日本國(guó)提出申請(qǐng)的特愿2014 — 109233號(hào)要求優(yōu)先權(quán)，并在此引用其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來(lái)，為了應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器件的小型化、輕量化的要求，對(duì)于在表面形成有多個(gè)電子電路等器件的半導(dǎo)體晶圓(以下稱作“晶圓”。)，對(duì)該晶圓的背面進(jìn)行磨削和研磨而使晶圓薄化。
[0004]另外，半導(dǎo)體器件的高集成化不斷發(fā)展，提出一種將該高集成化后的多個(gè)半導(dǎo)體器件三維層疊的技術(shù)、即三維集成技術(shù)。在該三維集成技術(shù)中，將多張晶圓層疊，借助形成于各晶圓的貫通電極(TSV:Through Silicon Via(娃通孔))將在上下方向上層疊的晶圓之間電連接。在該情況下，當(dāng)僅將晶圓層疊時(shí)，該晶圓的厚度導(dǎo)致所制造的半導(dǎo)體器件也變厚，因此要使晶圓薄化。
[0005]這樣的晶圓的薄化是利用例如專利文獻(xiàn)1所記載的平坦化加工裝置來(lái)進(jìn)行的。在平坦化加工裝置中，借助分隔壁劃分出裝載/卸載載物室、磨削加工載物室、以及研磨加工載物室這3個(gè)室。在磨削加工載物室中設(shè)有具有3組卡盤臺(tái)的1臺(tái)分度型轉(zhuǎn)臺(tái)。這3組卡盤臺(tái)是用于對(duì)晶圓進(jìn)行裝載/卸載的卡盤臺(tái)、用于對(duì)晶圓進(jìn)行粗磨削加工的卡盤臺(tái)、用于對(duì)晶圓進(jìn)行精磨削加工的卡盤臺(tái)這3組卡盤臺(tái)。在研磨加工載物室中設(shè)有能夠載置兩張或4張晶圓的暫置臺(tái)平臺(tái)、同時(shí)對(duì)兩張晶圓進(jìn)行研磨加工的3組研磨平臺(tái)、以及配置于這些暫置臺(tái)平臺(tái)和研磨平臺(tái)的上方的1臺(tái)分度型頭。并且，在平坦化加工裝置中，依次進(jìn)行粗磨削加工、精磨削加工、研磨加工而使晶圓薄化。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本國(guó)特開(kāi)2011 - 165994號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

_7] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0008]然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的平坦化加工裝置中，用于進(jìn)行粗磨削加工的卡盤臺(tái)、用于進(jìn)行精磨削加工的卡盤臺(tái)、以及用于進(jìn)行研磨加工的研磨平臺(tái)均固定于裝置內(nèi)，不能使它們的數(shù)量增加或減少。即，這些卡盤臺(tái)和研磨平臺(tái)的數(shù)量是根據(jù)現(xiàn)行使用的粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件和各加工所需的時(shí)間來(lái)設(shè)定的。因此，即使通過(guò)例如技術(shù)革新提高了加工部件、例如研磨部件的性能，也不能增加研磨平臺(tái)的數(shù)量，其結(jié)果，不能提尚晶圓處理整體的生廣率。
[0009]另外，在粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件中的、一加工部件產(chǎn)生了異?；蛘咭獙?duì)該加工部件進(jìn)行維護(hù)的情況下，即使其他兩個(gè)加工部件均正常，也需要使整個(gè)裝置停止。因此，產(chǎn)品的制造效率較差。
[0010]如上所述，在專利文獻(xiàn)1所記載的平坦化加工裝置中，裝置結(jié)構(gòu)的自由度較低，在處理效率方面存在改善的余地。
[0011]本發(fā)明是鑒于該點(diǎn)而做出的，其目的在于，能夠在基板處理系統(tǒng)中高效地進(jìn)行使基板薄化的處理。
_2] 用于解決問(wèn)題的方案
[0013]為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明提供一種基板處理系統(tǒng)，其用于使基板薄化，在該基板的表面形成有器件，并進(jìn)一步相對(duì)于該表面接合有支承基板的表面，其中，該基板處理系統(tǒng)包括:處理站，其用于對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理；以及輸入輸出站，其能夠保有多張基板，且用于相對(duì)于所述處理站輸入輸出基板，所述處理站具有:磨削裝置，其用于對(duì)基板的背面進(jìn)行磨削；損傷層去除裝置，其用于將由于所述磨削裝置進(jìn)行磨削而形成于基板的背面的損傷層去除；清洗裝置，其用于利用所述損傷層去除裝置將所述損傷層去除之后對(duì)支承基板的背面進(jìn)行清洗；以及基板輸送區(qū)域，其用于相對(duì)于所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置輸送基板，所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置分別能夠在鉛垂方向或水平方向上配置有多個(gè)，并且，所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置分別具有用于在內(nèi)部容納基板的殼體，所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置用于分別獨(dú)立地在所述殼體內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理。
[0014]采用本發(fā)明，在一基板處理系統(tǒng)中，能夠針對(duì)多張基板連續(xù)地進(jìn)行磨削裝置中的基板背面的磨削處理、損傷層去除裝置中的損傷層的去除處理、以及清洗裝置中的支承基板背面的清洗處理。
[0015]另外，在基板處理系統(tǒng)中，由于磨削裝置、損傷層去除裝置以及清洗裝置分別構(gòu)成為能夠在鉛垂方向或水平方向上配置有多個(gè)，因此，能夠任意地設(shè)定這些裝置的數(shù)量。因而，能夠根據(jù)例如所要求的產(chǎn)品的規(guī)格等來(lái)改變磨削裝置、損傷層去除裝置、清洗裝置的數(shù)量，另外，也可以僅改變?nèi)我谎b置的裝置結(jié)構(gòu)。
[0016]并且，由于磨削裝置、損傷層去除裝置以及清洗裝置能夠分別獨(dú)立地進(jìn)行規(guī)定的處理，即使在例如一裝置內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的期間，也能夠?qū)⑵渌b置拆卸到基板處理系統(tǒng)的外部，另外，能夠?qū)e的裝置設(shè)置在基板處理系統(tǒng)的內(nèi)部。因此，即使在例如一裝置產(chǎn)生異?；?qū)υ撗b置進(jìn)行維護(hù)的情況下，也不必使其他裝置停止，從而不必使整個(gè)基板處理系統(tǒng)停止。
[0017]如上所述，采用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)1，能夠提高裝置結(jié)構(gòu)的自由度，從而能夠高效地進(jìn)行基板處理。
[0018]本發(fā)明的另一技術(shù)方案提供一種基板處理方法，其用于使基板薄化，在該基板的表面形成有器件，并進(jìn)一步相對(duì)于該表面接合有支承基板的表面，其中，該基板處理方法包括以下工序:磨削工序，在該磨削工序中，將基板經(jīng)由基板輸送區(qū)域輸送到磨削裝置中，在該磨削裝置的殼體內(nèi)對(duì)基板的背面進(jìn)行磨削；之后的損傷層去除工序，在該損傷層去除工序中，將基板經(jīng)由所述基板輸送區(qū)域輸送到損傷層去除裝置中，在該損傷層去除裝置的殼體內(nèi)，將在所述磨削工序中形成于基板的背面的損傷層去除；以及之后的清洗工序，在該清洗工序中，將基板經(jīng)由所述基板輸送區(qū)域輸送到清洗裝置中，在該清洗裝置的殼體內(nèi)對(duì)支承基板的背面進(jìn)行清洗，針對(duì)多張基板連續(xù)地進(jìn)行所述磨削工序、所述損傷層去除工序以及所述清洗工序，并且，所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置分別構(gòu)成為能夠在鉛垂方向或水平方向上配置有多個(gè)，所述磨削工序、所述損傷層去除工序以及所述清洗工序分別選擇任意的所述磨削裝置、所述損傷層去除裝置以及所述清洗裝置來(lái)進(jìn)行。
[0019]另外，本發(fā)明的又一技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有在控制基板處理系統(tǒng)的控制裝置的計(jì)算機(jī)上動(dòng)作的程序，并可讀取，以利用該基板處理系統(tǒng)執(zhí)行所述基板處理方法。
[0020]發(fā)明的效果
[0021]采用本發(fā)明，能夠提高基板處理系統(tǒng)的裝置結(jié)構(gòu)的自由度，從而能夠高效地在該基板處理系統(tǒng)中進(jìn)行使基板薄化的處理。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是表示本實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0023]圖2是表示本實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0024]圖3是表示本實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0025]圖4是晶圓和支承基板的側(cè)視圖。
[0026]圖5是在晶圓處理系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生的氣流的說(shuō)明圖。
[0027]圖6是表示其他實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0028]圖7是表示其他實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0029]圖8是表示在其他實(shí)施方式中的由插塞暴露裝置進(jìn)行的處理的說(shuō)明圖。
[0030]圖9是表示在其他實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生的氣流的說(shuō)明圖。
[0031]圖10是表示其他實(shí)施方式的晶圓處理系統(tǒng)的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示作為本實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的晶圓處理系統(tǒng)1的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2和圖3是表示晶圓處理系統(tǒng)1的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0033]如圖4所示，在晶圓處理系統(tǒng)1中，使作為基板的晶圓W薄化。晶圓W借助粘接劑G與支承基板S相接合。該支承基板S是為了在晶圓處理系統(tǒng)1中使晶圓W薄化之后加強(qiáng)該晶圓W而設(shè)置的。作為支承基板S，能夠使用例如晶圓、玻璃基板等各種基板。此外，在支承基板S中，將與后述的晶圓W的表面WA相接合的接合面稱作表面SA，將與該表面SA相反的一側(cè)的面稱作背面sB。
[0034]在晶圓W的表面WA1形成有例如多個(gè)電子電路等器件。表面W A是借助粘接劑G接合于支承基板S的表面3八的接合面，利用該粘接劑G來(lái)保護(hù)表面WA上的器件。并且，在晶圓處理系統(tǒng)1中，對(duì)晶圓W的背面WB進(jìn)行磨削等規(guī)定的處理而使該晶圓W薄化。在本實(shí)施方式中，例如300 μπι?700 μπι的厚度的晶圓W在晶圓處理系統(tǒng)1中被薄化到ΙΟΟμπι以下的厚度。
[0035]此外，如上所述，晶圓W支承于支承基板S，但在以下的說(shuō)明中，有時(shí)將由支承基板s支承著的晶圓w僅稱作“晶圓r’。
[0036]如圖1所示，晶圓處理系統(tǒng)1例如具有將輸入輸出站2與處理站3連接成一體而成的結(jié)構(gòu)，該輸入輸出站2供在其與外部之間輸入輸出盒C，該盒C能夠容納多張晶圓W，該處理站3包括用于對(duì)晶圓W實(shí)施規(guī)定的處理的各種處理裝置。
[0037]在輸入輸出站2中設(shè)有盒載置臺(tái)10。在盒載置臺(tái)10上設(shè)有多個(gè)、例如4個(gè)盒載置板11。盒載置板11以在X方向(圖1中的上下方向)上排列成一列的方式配置。在相對(duì)于晶圓處理系統(tǒng)1的外部輸入輸出盒C時(shí)，能夠?qū)⒑蠧載置在這些盒載置板11上。如此，輸入輸出站2構(gòu)成為能夠保有多張晶圓W。另外，盒載置板11的個(gè)數(shù)不限定于本實(shí)施方式，而是能夠任意地決定。