28]之后在基板上依次形成連續(xù)的電子傳輸層、透明導(dǎo)電層和薄膜封裝層，從而完成0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)的像素布局。
[0029]【具體實(shí)施方式】二
[0030]本【具體實(shí)施方式】與實(shí)施方式一的不同之處在于:本【具體實(shí)施方式】中劃分為4個(gè)有效區(qū)進(jìn)行曝光，同時(shí)曝光時(shí)每?jī)蓚€(gè)有效區(qū)可共用一套掩膜板進(jìn)行曝光，從而節(jié)約制造成本。
[0031]本【具體實(shí)施方式】中提供的一種基于單晶硅CMOS驅(qū)動(dòng)的0LED圖像收發(fā)裝置包括4個(gè)單元。每一個(gè)單元是一個(gè)完整的0LED圖像收發(fā)裝置，一個(gè)0LED圖像收發(fā)裝置的有效區(qū)域最大可以達(dá)到1英寸。該0LED圖像收發(fā)裝置的CMOS基板采用曝光拼接的方法形成。同樣地，改變CMOS基板有效區(qū)域的對(duì)角線尺寸，可以形成對(duì)角線尺寸大于1.2英寸，例如1.2英寸至2英寸范圍的矩形像素矩陣顯示屏。
[0032]如圖4所示，為本【具體實(shí)施方式】的0LED圖像收發(fā)裝置的有效區(qū)示意圖。劃分為四個(gè)CMOS基板有效區(qū)50、51、52、53分別進(jìn)行曝光。每一個(gè)有效區(qū)的區(qū)域設(shè)計(jì)成可以在一個(gè)曝光場(chǎng)中完成曝光，因此每一個(gè)有效區(qū)域最大可以達(dá)到1英寸對(duì)角線。外圍電路分別位于有效區(qū)的相鄰兩側(cè)(圖中未示意出)，在需要拼接的有效區(qū)另外兩側(cè)沒(méi)有電子元器件。
[0033]該0LED圖像收發(fā)裝置的有效區(qū)域的像素矩陣布局示意圖如圖5所示。像素分別構(gòu)成4個(gè)完整的有效區(qū)60、70、80、90，與CMOS基板上劃分的有效區(qū)50、51、52、53分別對(duì)應(yīng)。
[0034]0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)60中，各個(gè)像素子單元由紅色子像素62、綠色子像素61、藍(lán)色子像素63和感光單元64構(gòu)成，所有像素子單元設(shè)計(jì)成正方形。
[0035]像素子單元中對(duì)應(yīng)位置需形成的紅色、藍(lán)色和綠色有機(jī)發(fā)光層由PDMS掩模板形成，同樣地，在感光單元64對(duì)應(yīng)的位置，也即光電二極管所在區(qū)域的上方?jīng)]有有機(jī)發(fā)光層。
[0036]制造過(guò)程中，將像素矩陣所在的區(qū)域定義為有效區(qū)，劃分為至少兩個(gè)以上的有效區(qū)分別進(jìn)行曝光，通過(guò)曝光拼接的方法形成拼接的有效區(qū)。具體曝光時(shí)，依次對(duì)4個(gè)CMOS基板的有效區(qū)50、51、52、53分別進(jìn)行曝光。
[0037]CMOS基板的有效區(qū)50在步進(jìn)式曝光系統(tǒng)的一個(gè)光場(chǎng)范圍內(nèi)，采用一套掩模板實(shí)現(xiàn)CMOS基板的有效區(qū)50的曝光。然后利用該掩模板，硅片被步進(jìn)移動(dòng)至斜對(duì)面下一個(gè)曝光場(chǎng)位置處進(jìn)行第二次曝光，該位置相對(duì)于CMOS基板的有效區(qū)50旋轉(zhuǎn)180°形成CMOS基板的有效區(qū)52。再利用另一套掩模板，另一套掩模板相對(duì)于前一套掩模板呈左右對(duì)稱，硅片被步進(jìn)移動(dòng)至下一個(gè)曝光場(chǎng)位置處進(jìn)行第三次曝光，形成的CMOS基板的有效區(qū)51與CMOS基板的有效區(qū)50呈左右對(duì)稱。最后，繼續(xù)利用該另一套掩模板，硅片被步進(jìn)移動(dòng)至斜對(duì)面下一個(gè)曝光場(chǎng)位置處進(jìn)行第四次曝光，該位置相對(duì)于CMOS基板的有效區(qū)51旋轉(zhuǎn)180°形成CMOS基板的有效區(qū)53。
[0038]曝光后，接著在整個(gè)CMOS基板上形成空穴傳輸層，利用PDMS掩模板在CMOS基板的有效區(qū)50內(nèi)的相應(yīng)位置形成紅色有機(jī)發(fā)光層62、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層63和綠色有機(jī)發(fā)光層61，構(gòu)成0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)60。
[0039]移動(dòng)PDMS掩模板至CMOS基板的有效區(qū)51對(duì)應(yīng)的位置，采用機(jī)械掩膜拼接的辦法在CMOS基板的有效區(qū)51上同樣形成紅色、藍(lán)色和綠色有機(jī)發(fā)光層，構(gòu)成0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)70。以此類推完成其余兩個(gè)有效區(qū)域52、53中紅色、藍(lán)色和綠色有機(jī)發(fā)光層的制作，分別構(gòu)成0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)80、90。
[0040]之后再形成連續(xù)的電子傳輸層、透明導(dǎo)電層和薄膜封裝層，而完成4個(gè)完整的0LED圖像收發(fā)單元有效區(qū)60、70、80、90的像素布局。
[0041]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅基OLED圖像收發(fā)裝置，其特征在于:包括基板、多個(gè)用于感光的光電二極管和多個(gè)用于發(fā)光的OLED ;所述OLED包括金屬互連線陽(yáng)極、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極層，所述金屬互連線陽(yáng)極上按順序依次形成所述空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極層，所述有機(jī)發(fā)光層僅位于所述金屬互連線陽(yáng)極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上，不延伸至所述光電二極管所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上；多個(gè)光電二極管和多個(gè)OLED的有機(jī)發(fā)光層排列形成圖像收發(fā)裝置的像素矩陣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置，其特征在于:多個(gè)OLED包括紅光OLED，綠光OLED和藍(lán)光OLED ;所述OLED還包括薄膜封裝層，所述薄膜封裝層設(shè)置在所述透明陰極層上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置，其特征在于:所述像素矩陣的寬長(zhǎng)比為4:3。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置，其特征在于:所述像素矩陣的對(duì)角線尺寸大于1.2英寸。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置，其特征在于:所述像素矩陣包括多個(gè)像素子單元，各個(gè)像素子單元設(shè)計(jì)成正方形，包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和感光單元；所述紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素均為OLED的發(fā)光層，所述感光單元為所述光電二極管。6.一種硅基OLED圖像收發(fā)裝置的制造方法，包括在基板上形成光電二極管和OLED的步驟，其特征在于:在形成OLED的步驟中，在金屬互連線陽(yáng)極上按順序依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極層，所述有機(jī)發(fā)光層僅位于所述金屬互連線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上，不延伸至所述光電二極管所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上；多個(gè)光電二極管和多個(gè)OLED的有機(jī)發(fā)光層排列形成圖像收發(fā)裝置的像素矩陣。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置的制造方法，其特征在于:形成OLED的有機(jī)發(fā)光層的步驟中，在基板上相應(yīng)位置分別形成紅色有機(jī)發(fā)光層、綠色有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層；形成OLED后，還包括在所述透明陰極層上形成薄膜封裝層的步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置的制造方法，其特征在于:形成OLED的有機(jī)發(fā)光層的具體步驟包括:將基板的像素矩陣所在的區(qū)域定義為有效區(qū)，劃分為至少兩個(gè)以上的有效區(qū)分別進(jìn)行曝光，通過(guò)曝光拼接的方法形成拼接的有效區(qū)；接著在整個(gè)基板的有效區(qū)上形成空穴傳輸層，然后采用機(jī)械掩膜拼接的方法在基板的各個(gè)有效區(qū)上形成紅色有機(jī)發(fā)光層、綠色有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置的制造方法，其特征在于:曝光時(shí)，每個(gè)有效區(qū)在曝光系統(tǒng)的一個(gè)光場(chǎng)范圍內(nèi)，對(duì)各有效區(qū)采用各自對(duì)應(yīng)的掩模板進(jìn)行依次曝光，其中在曝光完一個(gè)有效區(qū)后，再將所述基板移動(dòng)至下一個(gè)有效區(qū)的曝光位置處進(jìn)行曝光，如此對(duì)應(yīng)不同的有效區(qū)采用不同的掩膜版曝光，通過(guò)曝光區(qū)域拼接，最終完成整個(gè)基板的曝光。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅基OLED圖像收發(fā)裝置的制造方法，其特征在于:將基板劃分為按正方形排列的四個(gè)有效區(qū)分別進(jìn)行曝光，四個(gè)有效區(qū)均在曝光系統(tǒng)的一個(gè)光場(chǎng)范圍內(nèi)，采用第一套掩膜板曝光第一有效區(qū)；然后，將基板移動(dòng)至第二曝光場(chǎng)位置處，繼續(xù)利用所述第一套掩模板進(jìn)行第二次曝光；所述第二曝光場(chǎng)位置使得相對(duì)于所述基板的第一有效區(qū)旋轉(zhuǎn)180°形成所述基板的第二有效區(qū)；接著，將基板移動(dòng)至第三曝光場(chǎng)位置處，利用第二套掩模板進(jìn)行第三次曝光；所述第二套掩模板相對(duì)于所述第一套掩模板呈左右對(duì)稱，所述第三曝光場(chǎng)位置使得相對(duì)于所述基板的第一有效區(qū)呈左右對(duì)稱地形成所述基板的第三有效區(qū)；最后，將基板移動(dòng)至第四曝光場(chǎng)位置處，繼續(xù)利用所述第二套掩膜板進(jìn)行第四次曝光；所述第四曝光場(chǎng)位置使得相對(duì)于所述基板的第三有效區(qū)旋轉(zhuǎn)180°形成所述基板的第四有效區(qū)。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基OLED圖像收發(fā)裝置及其制作方法，硅基OLED圖像收發(fā)裝置包括基板、多個(gè)用于感光的光電二極管和多個(gè)用于發(fā)光的OLED；所述OLED包括金屬互連線陽(yáng)極、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極層，所述金屬互連線陽(yáng)極上按順序依次形成所述空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極層，所述有機(jī)發(fā)光層僅位于所述金屬互連線陽(yáng)極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上，不延伸至所述光電二極管所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之上；多個(gè)光電二極管和多個(gè)OLED的有機(jī)發(fā)光層排列形成圖像收發(fā)裝置的像素矩陣。本發(fā)明的硅基OLED圖像收發(fā)裝置，具有較高的光電二極管的靈敏度。
【IPC分類】H01L51/52, H01L27/32
【公開(kāi)號(hào)】CN105304682
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510684007
【發(fā)明人】劉萍
【申請(qǐng)人】深圳典邦科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年10月20日