像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶顯示面板及像素結(jié)構(gòu)制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶顯示面板及像素結(jié)構(gòu)制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]主動矩陣型平面顯示面板，例如液晶顯示面板使用薄膜晶體管(thin filmtransistor，TFT)元件作為驅(qū)動元件。一般而言，由于無機半導體材料具有較高的載流子迀移率，因此被廣泛地使用作為薄膜晶體管的半導體層的材料。相較于無機半導體材料，有機半導體材料雖然具有較低的載流子迀移率，但其具有輕薄、柔性、可低溫工藝制備等特性，因此，近年來業(yè)界也在開始嘗試使用有機半導體材料來制作薄膜晶體管器件。
[0003]目前，大部分有機半導體材料為P型材料，而為了使金屬與有機半導體材料有較好的歐姆接觸，通常會選用功函數(shù)較大的材料，如金(Au)、銀(Ag)、鋁(A1)、氧化銦錫(ΙΤ0)等來作為源漏電極材料，來降低金屬與半導體界面的肖特基勢皇高度，更有利于載流子的注入，從而有效地降低其接觸電阻。Au在使用成本上會較高，所以在實際應(yīng)用上較少。Ag、A1等金屬容易受到后續(xù)工藝，如等離子(plasma)刻蝕的影響而受到氧化或者腐蝕，而導致與像素電極連接受到影響。而ΙΤ0目前通常作為透明的像素電極材料，具有良好的電學性能，功函數(shù)較高，且不易被氧化，目前還被廣泛地應(yīng)用于有機發(fā)光二極管(0LED)的陽極材料，但是其電阻率較大，因此也使得它在有機半導體薄膜晶體管元件及其陣列面板上的發(fā)展應(yīng)用受到了限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶顯示面板及像素結(jié)構(gòu)制造方法，以減少有機薄膜晶體管的源極、漏極與有機半導體層的接觸電阻。
[0005]本發(fā)明的實施方式提供的像素結(jié)構(gòu)包括像素電極層及薄膜晶體管。所述薄膜晶體管包括柵極、與所述柵極絕緣的源極和漏極以及有機半導體層。所述像素結(jié)構(gòu)還包括氧化銦錫層及金屬層，所述金屬層設(shè)置于所述氧化銦錫層的一部分之上。所述氧化銦錫層上形成有所述源極、漏極。所述有機半導體層所形成的圖案電連接于所述氧化銦錫層及金屬層，所述像素電極層電連接于所述金屬層及氧化銦錫層。
[0006]其中，所述像素電極層通過過孔電連接于所述金屬層及氧化銦錫層。
[0007]其中，所述金屬層包括第一金屬子層及設(shè)置于所述第一金屬子層之上的第二金屬子層。
[0008]本發(fā)明的實施方式還提供一種陣列基板，包括以上所述的若干像素結(jié)構(gòu)。
[0009]本發(fā)明的實施方式還提供一種液晶顯示面板，包括如上所述的陣列基板。
[0010]本發(fā)明的實施方式還提供一種像素結(jié)構(gòu)制造方法，包括:
[0011]提供一基板；
[0012]在所述基板的一表面上依次形成一氧化銦錫層和一金屬層；
[0013]在所述金屬層上涂布一層光刻膠，通過掩膜版進行曝光、顯影，以去除所述基板與所述掩膜版的全透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的全部的光刻膠，保留所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的光刻膠，去除所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的部分光刻膠；
[0014]通過濕刻方法刻蝕掉所述基板與所述掩膜版的全透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的所述金屬層和氧化銦錫層；
[0015]采用等離子表面處理處理所述基板，以去除所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上殘留的光刻膠，以及去除所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的部分光刻膠；
[0016]濕刻掉所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的金屬層，保留所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域、半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的氧化銦錫層，以在所述氧化銦錫層上形成薄膜晶體管的源極、漏極；
[0017]去除所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上殘留的光刻膠；
[0018]在所述基板上形成有機半導體層，并制作有機半導體圖案，其中，所述有機半導體圖案電連接于所述氧化銦錫層及金屬層；以及
[0019]依次制作柵絕緣層、柵電極層、鈍化層和像素電極層。
[0020]其中，所述金屬層包括第一金屬子層及設(shè)置于所述第一金屬子層之上的第二金屬子層。
[0021]其中，在制作所述像素電極層之前，還包括:通過蝕刻工藝形成連通所述鈍化層及所述柵絕緣層并與所述金屬層連接的過孔；制作所述像素電極層包括:在所述鈍化層之上制作所述像素電極層，并且所述像素電極層通過所述過孔電連接于所述金屬層及氧化銦錫層。
[0022]本發(fā)明的實施方式還提供另一種像素結(jié)構(gòu)制造方法，包括:
[0023]提供一基板；
[0024]在所述基板上形成柵電極層及柵絕緣層；
[0025]在所述柵絕緣層上依次形成一氧化銦錫層和一金屬層；
[0026]在所述金屬層上涂布一層光刻膠，通過掩膜版進行曝光、顯影，以去除所述基板與所述掩膜版的全透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的全部的光刻膠，保留所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的光刻膠，去除所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的部分光刻膠；
[0027]通過濕刻方法刻蝕掉所述基板與所述掩膜版全透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的所述金屬層和氧化銦錫層；
[0028]采用等離子表面處理處理所述基板，以去除所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上殘留的光刻膠，以及去除所述基板與所述掩膜版的全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的部分光刻膠；
[0029]濕刻掉所述基板與所述掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的金屬層，保留所述基板與所述掩膜版全遮光區(qū)域、半透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的氧化銦錫層，以在所述氧化銦錫層上形成薄膜晶體管的源極、漏極；
[0030]去除所述基板與所述掩膜版全遮光區(qū)域?qū)?yīng)的位置上殘留的光刻膠；
[0031]在所述基板上形成有機半導體層，并制作有機半導體圖案，其中，所述有機半導體圖案電連接于所述氧化銦錫層及金屬層；以及
[0032]依次制作鈍化層和像素電極層。
[0033]其中，所述金屬層包括第一金屬子層及設(shè)置于所述第一金屬子層之上的第二金屬子層。
[0034]本發(fā)明的實施方式中，在ΙΤ0層上形成有機薄膜晶體管的源極、漏極，并且由于ΙΤ0層的一部分之上設(shè)置有金屬層，因此，可極大減少有機薄膜晶體管的源極、漏極與有機半導體層的接觸電阻，再者，將ΙΤ0層搭配金屬層設(shè)置為有機薄膜晶體管的數(shù)據(jù)電極層，可使得具有該像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)導通線的電阻不會過大。
[0035]進一步，本發(fā)明的實施方式中，僅采用一張掩膜版制作像素結(jié)構(gòu)，降低了制作成本。
【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明實施方式中頂柵底接觸型像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實施方式中底柵底接觸型像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實施方式中頂柵底接觸型像素結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實施方式中底柵底接觸型像素結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖；
[0040]圖5為本發(fā)明實施方式中掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明實施方式中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0042]圖7為本發(fā)明實施方式中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0043]參考圖1，圖1為本發(fā)明實施方式中頂柵底接觸型像素結(jié)構(gòu)100的示意圖。像素結(jié)構(gòu)100包括基板11、氧化銦錫(ΙΤ0)層12、金屬層13、有機半導體層14、柵絕緣層15、柵電極層16、鈍化層17及像素電極層18。基板11的材料可為玻璃、聚苯二甲酸乙二醇酯(PEN)或其他。
[0044]ΙΤ0層12及金屬層13依次設(shè)置于基板11的一表面上，金屬層13設(shè)置于ΙΤ0層12的一部分之上。ΙΤ0層12上形成有有機薄膜晶體管的源極、漏極。ΙΤ0層12搭配金屬層13作為有機薄膜晶體管的數(shù)據(jù)電極層。在本實施方式中，金屬層13包括第一金屬子層及設(shè)置于第一金屬