恒 溫區(qū)，恒溫20min后將模具拉至爐口，冷卻15min ;這樣既保證了芯片與下引線良好連接，又 能保證芯片不經(jīng)過高溫導(dǎo)致產(chǎn)品參數(shù)的蛻變； 3) 、將上引線玻殼裝入燒結(jié)好的半成品，用封口機(jī)進(jìn)行封口，封口過程中使器件處于真 空環(huán)境中，并用加熱絲將玻殼加熱至600° C~700° C，使玻殼封口處與上引線的玻球熔化 而密封，同時金屬帶面在重錘作用下與芯片達(dá)到緊密良好的面接觸，這樣既保證了芯片與 上引線良好連接及玻殼密封，又能保證芯片不經(jīng)過高溫導(dǎo)致產(chǎn)品參數(shù)的蛻變。
[0022] 本實(shí)施例中，所述加熱絲為鉑絲，加熱絲加熱時間為lmin。鉛錫銀焊片的熔點(diǎn)在 280°左右。選擇鉑絲為加熱絲是因?yàn)殂f、鎢延展性不好，不利于生產(chǎn)過程中隨時調(diào)整加熱 絲形狀，金熔點(diǎn)偏低，容易被燒斷。幾種常見的金屬特性見表1 : 表1幾種金屬特性
真空的確定：在封裝機(jī)加熱密封時，產(chǎn)品的焊片鉛錫銀、芯片銀表面極易氧化，因此，須 在密封時加真空。加真空有利于產(chǎn)品內(nèi)氣氛中的水汽含量降低，可保證產(chǎn)品的高溫特性。另 外如果在密封時不加真空，產(chǎn)品的焊片鉛錫銀、芯片銀表面極易氧化變黑，且產(chǎn)品在高溫漏 電測試時極易超標(biāo)。
[0023] 加熱絲所加功率的選?。汗β侍笫共と刍^快，易造成玻殼受熱不均勻，使玻 殼熱應(yīng)力得不到釋放，影響產(chǎn)品的可靠性；功率太小使玻殼熔化過慢，使玻殼可能密封不 好。因此，功率的選取是十分重要的事情，本實(shí)施例中，調(diào)整加熱絲所加的功率，使玻殼在短 時間（1分鐘）內(nèi)加熱至600°c~700°C，玻殼封口處與上引線的玻球熔化而密封。 實(shí)施例2 一種大電流玻封肖特基二極管，包括玻殼、位于玻殼內(nèi)部的芯片以及分別連接于玻殼 上下兩端的上引線和下引線，上引線的底端設(shè)有一個金屬帶面，金屬帶面與芯片上表面壓 力接觸，芯片下表面設(shè)有焊片，芯片通過焊片與下引線高溫合金鍵合。
[0024] 本實(shí)施例中，所述金屬帶面為C形，為了減小芯片與金屬帶面間的接觸電阻，金屬 帶面采用表面鍍金設(shè)計(jì)，增加金屬帶面可以使芯片不容易失效，增加芯片的可靠性。上、下 引線，玻殼，焊片的選材同實(shí)施例1相同。
[0025] 本實(shí)施例中，肖特基二極管采用D2-03B型玻殼封裝，外形尺寸符合GB 7581-1987 中的D2-03B型的規(guī)。
[0026] 本實(shí)施例中，肖特基二極管的最大額定值和主要電特性為： 最大額定值
主要電特性(除另有規(guī)定外，7；=25°C)
本實(shí)施例中，大電流玻封肖特基二極管的制作工藝同實(shí)施例1相同，這里不做累述。
[0027] 最后所應(yīng)說明的是，以上【具體實(shí)施方式】僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對 本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：包括玻殼、位于玻殼內(nèi)部的芯片以及 分別連接于玻殼上下兩端的上引線和下引線，上引線的底端設(shè)有一個金屬帶面，金屬帶面 與芯片上表面壓力接觸，芯片下表面設(shè)有焊片，芯片通過焊片與下引線高溫合金鍵合。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述金屬帶面的形 狀為S形。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述金屬帶面的形 狀為C形。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述肖特基二極管 采用D2-03A型玻殼封裝。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述肖特基二極管 采用D2-03B型玻殼封裝。6. 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4、5任一項(xiàng)所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述 金屬帶面采用表面鍍金設(shè)計(jì)。7. 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4、5任一項(xiàng)所述的大電流玻封肖特基二極管，其特征在于：所述 上引線和下引線采用杜鎂絲，玻殼采用氧化鉛玻璃，焊片采用鉛錫銀焊片。8. -種上述大電流玻封肖特基二極管的制作工藝，其特征在于：包括以下步驟： 1) 、將下引線玻殼裝入模具，將焊片裝入玻殼內(nèi)，然后將芯片輕輕放入玻殼內(nèi)的焊片 上，要求芯片平整，無立片，方向正確，模具裝滿后將模蓋對準(zhǔn)方位輕輕扣上； 2) 、將爐溫升到T爐=360-370°C時，通入氫氣和氮?dú)?，氫氣流量?00ml/min±100ml/ min，氮?dú)饬髁繛?0l/min±500ml/min，然后將模具放至爐口預(yù)熱；預(yù)熱一段時間后將模具 推入恒溫區(qū)，恒溫一段時間后將模具拉至爐口，冷卻； 3) 、將上引線玻殼裝入燒結(jié)好的半成品，用封口機(jī)進(jìn)行封口，封口過程中使器件處于真 空環(huán)境中，并用加熱絲將玻殼加熱至600°C~700°C，使玻殼封口處與上引線的玻球熔化 而密封，同時金屬帶面在重錘作用下與芯片達(dá)到緊密良好的面接觸，肖特基二極管制作完 成。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的大電流玻封肖特基二極管的制作工藝，其特征在于：下引線 的預(yù)熱時間為lOmin，恒溫時間為20min，冷卻時間為15min。10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的大電流玻封肖特基二極管的制作工藝，其特征在于：所 述加熱絲為鉑絲，加熱絲加熱時間為lmin。
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種大電流玻封肖特基二極管以及該肖特基二極管的制作工藝，所述大電流玻封肖特基二極管包括玻殼、位于玻殼內(nèi)部的芯片以及分別連接于玻殼上下兩端的上引線和下引線，上引線的底端設(shè)有一個金屬帶面，金屬帶面與芯片上表面壓力接觸，芯片下表面設(shè)有焊片，芯片通過焊片與下引線高溫合金鍵合。所述制作工藝包括燒結(jié)工藝和封口工藝，本發(fā)明所述肖特基二極管可靠性高，結(jié)溫、存儲溫度、熱沖擊、引出端強(qiáng)度、耐濕、掃頻震動、恒定加速度、鹽霧等主要可靠性要求均滿足軍用領(lǐng)域使用要求。
【IPC分類】H01L23/492, H01L21/52, H01L21/56, H01L23/49, H01L23/08
【公開號】CN105261603
【申請?zhí)枴緾N201510573368
【發(fā)明人】李東華, 張聰, 崔玉琦, 馬捷, 韓希方
【申請人】濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月10日