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圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法_2

文檔序號(hào):9378146閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先加熱再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先進(jìn)行激光輻照再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開。
[0044]優(yōu)選的,蓋板可以在圖像傳感器最終進(jìn)行模組組裝過(guò)程中,與支撐圍堰分離開,以避免運(yùn)輸或轉(zhuǎn)移等過(guò)程中再引入雜質(zhì)污染。
[0045]優(yōu)選的,所述支撐圍堰的材料包括光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂。這些材料便于光刻或刻蝕形成支撐圍堰結(jié)構(gòu),且具有較好的切割特性,便于實(shí)施切割,將晶圓切割分離成單顆圖像傳感器。
[0046]在步驟B或步驟C切割過(guò)程中,在非切割面貼一膠帶9,用于支撐、緩沖和倒模。即在采用第一切割刀7沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由第一表面切進(jìn)支撐圍堰時(shí),在第二表面粘帖一膠帶9,在采用第二切割刀8沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由第二表面切進(jìn)支撐圍堰時(shí),在第一表面粘帖一膠帶9。
[0047]上述切割過(guò)程中,第一、第二切割刀可以為直刀,斜刀等,相應(yīng)形成直槽或斜槽,這里不做限制。
[0048]實(shí)施例2
[0049]一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,按以下步驟實(shí)施:
[0050]A、如圖1A所示,提供一晶圓封裝結(jié)構(gòu),該晶圓封裝結(jié)構(gòu)包括具有若干圖像傳感器的晶圓和一封裝蓋板1,所述封裝蓋板上粘合有對(duì)應(yīng)每個(gè)圖像傳感器的感光區(qū)的支撐圍堰2,所述晶圓通過(guò)所述支撐圍堰與所述封裝蓋板鍵合在一起;相鄰兩圖像傳感器之間具有切割道13,定義所述封裝蓋板所在的一面為所述晶圓封裝結(jié)構(gòu)的第一表面101,與所述第一表面相對(duì)的一面為所述晶圓封裝結(jié)構(gòu)的第二表面102 ;作為一種優(yōu)選實(shí)施例,該圖像傳感器包括圖像傳感器芯片3,圖像傳感器芯片的功能面具有感光區(qū)301及位于感光區(qū)周邊的焊墊302,該焊墊的電性通過(guò)金屬布線層4引導(dǎo)至圖像傳感器芯片的非功能面,金屬布線層外設(shè)有用于防止金屬布線層氧化或腐蝕的保護(hù)層5,保護(hù)層5上制作有若干用于電連接金屬布線層及外部器件的焊點(diǎn)6。
[0051]B、如圖2A和圖2B所示,采用一第二切割刀8沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由所述第二表面切進(jìn)所述支撐圍堰2,形成第二切割槽12 ;
[0052]C、如圖2C和2D所示,采用一第一切割刀7沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由所述第一表面切進(jìn)所述支撐圍堰2,形成第一切割槽11,使所述封裝蓋板與所述支撐圍堰部分粘結(jié),且所述第二切割槽的槽底與所述第一切割槽的槽底貫通,形成單顆圖像傳感器;這樣,通過(guò)第二切割槽貫通第一切割槽可以將晶圓分離成單顆圖像傳感器。優(yōu)選的,使封裝蓋板與支撐圍堰少部分粘結(jié),即封裝蓋板與支撐圍堰之間的粘結(jié)區(qū)面積小于正常切割后封裝蓋板與支撐圍堰之間的粘結(jié)區(qū)面積的的一半以上。
[0053]D、如圖2E所示,借助外部條件將步驟C單顆圖像傳感器中部分粘結(jié)的所述封裝蓋板與所述支撐圍堰分離開。
[0054]優(yōu)選的,該外部條件分離封裝蓋板與支撐圍堰的方法可以是:通過(guò)施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先加熱再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先進(jìn)行激光輻照再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開。
[0055]優(yōu)選的,蓋板可以在圖像傳感器最終進(jìn)行模組組裝過(guò)程中,與支撐圍堰分離開,以避免運(yùn)輸或轉(zhuǎn)移等過(guò)程中再引入雜質(zhì)污染。
[0056]優(yōu)選的,所述支撐圍堰的材料包括光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂。這些材料便于光刻或刻蝕形成支撐圍堰結(jié)構(gòu),且具有較好的切割特性,便于實(shí)施切割,將晶圓切割分離成單顆圖像傳感器。
[0057]在步驟B或步驟C切割過(guò)程中,在非切割面貼一膠帶9,用于支撐、緩沖和倒模。即在采用第一切割刀7沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由第一表面切進(jìn)支撐圍堰時(shí),在第二表面粘帖一膠帶9,在采用第二切割刀8沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道13,由第二表面切進(jìn)支撐圍堰時(shí),在第一表面粘帖一膠帶9。
[0058]上述切割過(guò)程中,第一、第二切割刀可以為直刀,斜刀等,相應(yīng)形成直槽或斜槽,這里不做限制。
[0059]綜上,本發(fā)明提供一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,在晶圓尺寸對(duì)圖像傳感器芯片進(jìn)行封裝的過(guò)程中,首先,通過(guò)對(duì)封裝完畢的晶圓封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行雙面切割,借助貫通的切割槽,分離形成單顆圖像傳感器,并使單顆圖像傳感器的封裝蓋板與支撐圍堰保留少部分粘結(jié);然后,使用施加外力、加熱或者激光輻照的方式分離蓋板。這樣,由于單顆圖像傳感器的封裝蓋板與支撐圍堰保留了少部分粘結(jié),有效減小了封裝蓋板與支撐圍堰的結(jié)合面積,因此,可以削弱兩者之間的粘合力,從而可以很方便地將封裝蓋板與圖像傳感器分離開,且不對(duì)圖像傳感器造成損傷。且本發(fā)明圖像傳感器與封裝蓋板分離開是在切割成單顆芯片之后,可避免先將封裝蓋板與晶圓分離開再切割時(shí)碎肩落入感光區(qū)。
[0060]以上實(shí)施例是參照附圖,對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更,但不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)的情況下,都落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于:按以下步驟實(shí)施: A、提供一晶圓封裝結(jié)構(gòu),該晶圓封裝結(jié)構(gòu)包括具有若干圖像傳感器的晶圓和一封裝蓋板(I),所述封裝蓋板上粘合有對(duì)應(yīng)每個(gè)圖像傳感器的感光區(qū)的支撐圍堰(2),所述晶圓通過(guò)所述支撐圍堰與所述封裝蓋板鍵合在一起;相鄰兩圖像傳感器之間具有切割道(13),定義所述封裝蓋板所在的一面為所述晶圓封裝結(jié)構(gòu)的第一表面(101),與所述第一表面相對(duì)的另一面為所述晶圓封裝結(jié)構(gòu)的第二表面(102); B、采用一第一切割刀(7)沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道,由所述第一表面切進(jìn)所述支撐圍堰,形成第一切割槽(11),使所述封裝蓋板與所述支撐圍堰部分粘結(jié); C、采用一第二切割刀(8)沿相鄰兩圖像傳感器之間的切割道,由所述第二表面切進(jìn)所述支撐圍堰,形成第二切割槽(12),所述第二切割槽的槽底與所述第一切割槽的槽底貫通,形成單顆圖像傳感器; D、借助外部條件將步驟C單顆圖像傳感器中部分粘結(jié)的所述封裝蓋板與所述支撐圍堰分咼開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于:先采用第二切割刀由所述第二表面切進(jìn)所述支撐圍堰,再采用第一切割刀由所述第一表面切進(jìn)所述支撐圍堰。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于:通過(guò)施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先加熱再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開,或者通過(guò)先進(jìn)行激光輻照再施加外力的方式將步驟D中封裝蓋板與支撐圍堰分離開。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,步驟D中,所述蓋板在圖像傳感器的模組組裝過(guò)程中,與所述支撐圍堰分離開。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于:所述支撐圍堰的材料包括光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于:在步驟B或步驟C切割過(guò)程中,在非切割面貼一膠帶(9)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法,在晶圓尺寸對(duì)圖像傳感器芯片進(jìn)行封裝的過(guò)程中,首先,通過(guò)對(duì)封裝完畢的晶圓封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行雙面切割,借助貫通的切割槽,分離形成單顆圖像傳感器,并使單顆圖像傳感器的封裝蓋板與支撐圍堰保留少部分粘結(jié);然后,使用施加外力、加熱或者激光輻照的方式分離蓋板。這樣,由于單顆圖像傳感器的封裝蓋板與支撐圍堰保留了少部分粘結(jié),有效減小了封裝蓋板與支撐圍堰的結(jié)合面積,因此,可以削弱兩者之間的粘合力,從而可以很方便地將封裝蓋板與圖像傳感器分離開,且不對(duì)圖像傳感器造成損傷。
【IPC分類】H01L27/146
【公開號(hào)】CN105097861
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510486673
【發(fā)明人】肖智軼, 黃小花, 萬(wàn)里兮, 王曄曄, 項(xiàng)敏, 翟玲玲
【申請(qǐng)人】華天科技(昆山)電子有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年8月11日
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