中，還可以不對(duì)所述第一介質(zhì)層103進(jìn)行第二硅202摻雜。
[0080]參考圖7，采用化學(xué)機(jī)械研磨法，平坦化所述第二介質(zhì)層104，露出第一偽柵140、第二偽柵130的表面。但是本發(fā)明對(duì)平坦化所述第二介質(zhì)層104的具體方法不做限制。
[0081]參考圖8，去除第一偽柵結(jié)構(gòu)中的第一偽柵140，形成對(duì)應(yīng)第一偽柵140形狀的第一開(kāi)口 142 ;去除第二偽柵結(jié)構(gòu)中的第二偽柵130，形成對(duì)應(yīng)第二偽柵130形狀的第二開(kāi)口132。
[0082]具體地，在本實(shí)施例中，采用依次進(jìn)行的干法刻蝕和濕法刻蝕，去掉第一偽柵140、第二偽柵130，在第一偽柵140、第二偽柵130的原位置形成第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132。但是本發(fā)明對(duì)去掉第一偽柵140、第二偽柵130的具體方法不做限制。
[0083]在本實(shí)施例中，由于暴露于刻蝕劑中的第二介質(zhì)層104的材料為致密的氧化硅，具有較高的硬度和抗刻蝕能力，在對(duì)第一偽柵140、第二偽柵130進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，致密的氧化硅受刻蝕影響較小，在干法刻蝕與濕法刻蝕以后，第二介質(zhì)層104能夠保持較好的形貌，從而有利于減小漏電流，并避免由于第一介質(zhì)層103被過(guò)刻蝕造成的其他缺陷；在干法刻蝕與濕法刻蝕以后，第二介質(zhì)層104的上表面較為平整，在實(shí)際生產(chǎn)中，在晶圓上同時(shí)形成多個(gè)PMOS管、NMOS管，這樣多個(gè)第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132側(cè)壁的高度均一性較高，從而使得多個(gè)PMOS管、NMOS管的第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132中形成的金屬柵極的高度較為統(tǒng)一。
[0084]結(jié)合參考圖9、圖10，在所述第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132中形成第一金屬柵極143、第二金屬柵極133。
[0085]具體地，在所述第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132內(nèi)壁形成擴(kuò)散阻擋層106，在所述第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132中填充金屬層105，然后對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，去除第二介質(zhì)層104上的金屬層105以及擴(kuò)散阻擋層106，保留位于第一開(kāi)口 142、第二開(kāi)口 132中的金屬層105,形成第一金屬柵極143、第二金屬柵極133。
[0086]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，在對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以后，仍然剩余部分厚度的第二介質(zhì)層104，因?yàn)榈诙橘|(zhì)層104的抗刻蝕能力和硬度較高，在對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以后第二介質(zhì)層104的上表面較為平整，形成的第一金屬柵極143、第二金屬柵極133高度較為統(tǒng)一。在實(shí)際制作過(guò)程中，由于對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以后所形成的第一金屬柵極143、第二金屬柵極133高度一般會(huì)低于第一偽柵140、第二偽柵130的高度，本發(fā)明對(duì)第二介質(zhì)層104的厚度也未作限定，因此，對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨可能將恰好第二介質(zhì)層104完全消耗，即第一金屬柵極143、第二金屬柵極133之間只存在第一介質(zhì)層103，因此，本發(fā)明對(duì)形成第一金屬柵極143、第二金屬柵極133以后，第一金屬柵極143、第二金屬柵極133之間是否存在第二介質(zhì)層104不做限定。需要說(shuō)明的是，對(duì)所述金屬層105進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的過(guò)程中，應(yīng)當(dāng)盡量避免研磨到第一介質(zhì)層103。
[0087]經(jīng)過(guò)上述步驟，即形成了本發(fā)明形成方法所形成的NMOS晶體管與PMOS晶體管。
[0088]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明晶體管的形成方法還可以用于形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，與上述實(shí)施例不同之處在于，在提供襯底之后，形成偽柵結(jié)構(gòu)之前，還包括在襯底上形成鰭；在所述襯底上形成多個(gè)偽柵結(jié)構(gòu)的步驟包括:在所述鰭上形成多個(gè)橫跨所述鰭的偽柵結(jié)構(gòu)。后續(xù)步驟與CMOS的形成方法相同，在此不再贅述，本實(shí)施例可以提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管提聞層間介質(zhì)層的填充能力、減少缺陷，提聞?shì)犑綀?chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。
[0089]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括:提供襯底；在所述襯底上形成多個(gè)偽柵結(jié)構(gòu)，所述偽柵結(jié)構(gòu)包括偽柵；在所述偽柵結(jié)構(gòu)露出的襯底中形成源區(qū)、漏區(qū)；采用流體化學(xué)氣相沉積法，在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層，使第一介質(zhì)層低于所述偽柵結(jié)構(gòu)；在所述偽柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，使所述第二介質(zhì)層的表面與偽柵結(jié)構(gòu)中的偽柵表面齊平，所述第二介質(zhì)層的致密性高于所述第一介質(zhì)層的致密性；去除偽柵結(jié)構(gòu)中的偽柵，形成開(kāi)口 ；在所述開(kāi)口中形成金屬柵極。2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層的步驟包括:采用流體化學(xué)氣相沉積法在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層，并使所述第一介質(zhì)層高于偽柵結(jié)構(gòu)；對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行固化處理；平坦化固化處理后的所述第一介質(zhì)層，使第一介質(zhì)層與偽柵結(jié)構(gòu)齊平；對(duì)第一介質(zhì)層進(jìn)行回刻，去除部分厚度的第一介質(zhì)層，使剩余的第一介質(zhì)層低于所述偽柵結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層，并使所述第一介質(zhì)層高于偽柵結(jié)構(gòu)的步驟中，填充的所述第一介質(zhì)層的厚度在500埃到2000埃的范圍內(nèi)。4.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，在去掉部分厚度的第一介質(zhì)層使所述第一介質(zhì)層低于偽柵結(jié)構(gòu)的步驟中，去掉的第一介質(zhì)層的厚度在200埃到300埃的范圍內(nèi)。5.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用流體化學(xué)氣相沉積法在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層的步驟中，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅。6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，在反應(yīng)腔室內(nèi)進(jìn)行所述形成第一介質(zhì)層的步驟，在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充以氧化硅為材料的第一介質(zhì)層的步驟包括:反應(yīng)腔室內(nèi)通入包括三甲硅胺氣體、氨氣、氫氣、氧氣和水的反應(yīng)物。7.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，在反應(yīng)腔室中進(jìn)行所述固化處理，固化處理包括:在反應(yīng)腔室中通入臭氧；使反應(yīng)腔室中的溫度在400攝氏度到600攝氏度的范圍內(nèi)，以進(jìn)行退火。8.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行固化處理的步驟還包括:在退火之后，向反應(yīng)腔室中通入氧氣和水。9.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，在使第一介質(zhì)層與偽柵結(jié)構(gòu)齊平之后，對(duì)第一介質(zhì)層進(jìn)行回刻之前，還包括:對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行硅摻雜。10.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述偽柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，使所述第二介質(zhì)層的表面與偽柵結(jié)構(gòu)中的偽柵表面齊平的步驟包括:采用化學(xué)氣相沉積法，在所述剩余的第一介質(zhì)層表面以及偽柵結(jié)構(gòu)表面形成高于偽柵結(jié)構(gòu)的第二介質(zhì)層；對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行硅摻雜；平坦化所述第二介質(zhì)層，直至露出偽柵的表面。11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述剩余的第一介質(zhì)層表面以及偽柵結(jié)構(gòu)表面形成高于偽柵結(jié)構(gòu)的第二介質(zhì)層的步驟中:所述第二介質(zhì)層的厚度在300埃到500埃的范圍內(nèi)。12.如權(quán)利要求1或10所述的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。13.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供襯底之后，形成多個(gè)偽柵結(jié)構(gòu)之前，還包括在襯底上形成鰭；在所述襯底上形成多個(gè)偽柵結(jié)構(gòu)的步驟包括:在所述鰭上形成多個(gè)橫跨所述鰭的偽柵結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種晶體管的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成多個(gè)偽柵結(jié)構(gòu)采用流體化學(xué)氣相沉積法，在所述偽柵結(jié)構(gòu)之間填充第一介質(zhì)層，使第一介質(zhì)層低于所述偽柵結(jié)構(gòu)；在所述偽柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的致密性高于所述第一介質(zhì)層的致密性；去除偽柵結(jié)構(gòu)中的偽柵，形成開(kāi)口；在所述開(kāi)口中形成金屬柵極。流體化學(xué)氣相沉積法填充的第一介質(zhì)層在初始具有流動(dòng)性，能夠較好地填充于偽柵結(jié)構(gòu)之間，并且不容易產(chǎn)生空隙等缺陷，第二介質(zhì)層的硬度及抗刻蝕能力較強(qiáng)，在之后的金屬柵極的形成過(guò)程中第二介質(zhì)層能夠保持較好的形貌，從而使得后續(xù)能夠形成高度較為統(tǒng)一的金屬柵極，保證晶體管的質(zhì)量。
【IPC分類(lèi)】H01L21/28, H01L21/336
【公開(kāi)號(hào)】CN104979206
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410136263
【發(fā)明人】曾以志, 宋偉基, 趙杰
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2014年4月4日