一種射頻測試結(jié)構(gòu)及射頻測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種射頻測試結(jié)構(gòu)及射頻測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓加工過程中，為了確保器件的質(zhì)量，需要對晶圓進(jìn)行在線射頻測試。因此待測器件(Device Under Test,簡稱DUT)的測試結(jié)構(gòu)必須謹(jǐn)慎設(shè)計并搭配精準(zhǔn)的探針機(jī)臺。由于測試得到的數(shù)據(jù)不可避免的包含寄生(parasitic)參數(shù)，為了得到器件的本質(zhì)特性，需要采用合適的方法去除這些寄生元件的影響。去除寄生元件的步驟就是去嵌化(de-embedding)。針對不同的測試結(jié)構(gòu)，有不同的去嵌化方法，常用的是開路短路(open-short)法，此方法分別以一開路與短路測試結(jié)構(gòu)來扣除接觸針墊與金屬連線的并聯(lián)導(dǎo)納以及串聯(lián)阻抗效應(yīng)。
[0003]如圖1所示，其中示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的射頻測試的兩端口測試結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)測試結(jié)構(gòu)包括第一接口板1la和第二接口板101b，其中第一接口板和第二接口板分別具有兩個接地測試焊盤G和一個信號測試焊盤S，兩個接口板的接地測試焊盤G均接地，從而可知實際上這些接地測試焊盤是連接在一起的，信號測試焊盤S用于輸入測試信號。待測器件(Device Under Test，簡稱DUT)102設(shè)置于第一接口板1la和第二接口板1lb之間。通過第一金屬連線將DUT與第一接口板1la上信號測試焊盤S相連，通過第二金屬連線將DUT與第二接口板1lb上信號測試焊盤S相連，通過第三金屬連線、第四金屬連線將DUT與接地測試焊盤G相連。
[0004]利用上述測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行射頻測試，則總的射頻參數(shù)(Ytotall)等于待測器件的射頻參數(shù)(Ydut)與可去除寄生的射頻參數(shù)(Ytjpen)和去嵌化誤差(Yctm)三者之和，即:
[0005]Ytotall=Ydut+Yopen+Yerror ( 1 )
[0006]而去嵌結(jié)構(gòu)的射頻參數(shù)(Ydranbedl)等于總的射頻參數(shù)與可去除寄生的射頻參數(shù)之差，即:
[0007]Ydeembedl-Ytotall-Yopen (2)
[0008]由公式(I)和(2)可推出
Ydeembed Ydeembedl =YdUt+Yerror
[0009]然而傳統(tǒng)的開路短路去嵌化技術(shù)仍然不能將寄生參數(shù)完全的移除，因此測試結(jié)構(gòu)的設(shè)計對于獲得更精確的射頻參數(shù)變的越來越重要。
[0010]因此，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，有必要提出一種新的測試結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0012]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的一方面提出了一種射頻測試結(jié)構(gòu)，包括:
[0013]第一信號測試焊盤，第一接地測試焊盤和第二接地測試焊盤，其中所述第一信號測試焊盤設(shè)置于所述第一接地焊盤和第二接地焊盤之間；
[0014]第一待測器件和第二待測器件，所述第一待測器件和所述第二待測器件結(jié)構(gòu)設(shè)計完全相同，對稱設(shè)置于所述第一接地測試焊盤、所述第一信號測試焊盤和所述第二接地測試焊盤之間，其中所述第一待測器件通過第一互連電連接至所述第一接地測試焊盤，通過第二互連電連接至所述第一信號測試焊盤；所述第二待測器件通過第四互連電連接至所述第二接地測試焊盤，通過第三互連電連接至所述第一信號測試焊盤。
[0015]進(jìn)一步，還包括第二信號測試焊盤、第三接地測試焊盤和第四接地測試焊盤，其中所述第二信號測試焊盤設(shè)置于所述第三接地測試焊盤和所述第四接地測試焊盤之間。
[0016]進(jìn)一步，所述第一待測器件和第二待測器件設(shè)置于所述第三接地測試焊盤、所述第二信號測試焊盤和所述第四接地測試焊盤之間，關(guān)于所述第一信號測試焊盤和所述第二信號測試焊盤的中心點連線軸對稱，其中所述第一待測器件通過第五互連電連接至所述第三接地測試焊盤，通過第六互連電連接至所述第二信號測試焊盤；所述第二待測器件通過第八互連電連接至所述第四接地測試焊盤，通過第七互連電連接至所述第二信號測試焊盤。
[0017]本發(fā)明的另一個方面提出了一種射頻測試方法，采用了上述的測試結(jié)構(gòu)來執(zhí)行射頻測試。
[0018]進(jìn)一步，單個待測器件的Y參數(shù)=采用上述的測試結(jié)構(gòu)的Y參數(shù)*0.5。
[0019]綜上所示，根據(jù)本發(fā)明的射頻測試結(jié)構(gòu)及射頻測試的方法，可降低去嵌化誤差，進(jìn)一步提高射頻測試結(jié)果的精度。
【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0021]附圖中:
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)用于射頻測試的測試結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例一的測試結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例二的測試結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實施例一焊盤寄生效應(yīng)電磁仿真對比圖。
【具體實施方式】
[0026]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0027]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，以便闡釋本發(fā)明提出的射頻測試結(jié)構(gòu)及射頻測試方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0028]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0029]實施例一
[0030]下面將結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中標(biāo)示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。
[0031]圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的兩端口測試結(jié)構(gòu)，包括第一信號測試焊盤221，第一接地測試焊盤211和第二接地測試焊盤212，其中所述第一信號測試焊盤221設(shè)置于所述第一接地測試焊盤211和第二接地測試焊盤212之間；還包括第二信號測試焊盤222、第三接地測試焊盤213和第四接地測試焊盤214，其中所述第二信號測試焊盤222設(shè)置于所述第三接地測試焊盤213和所述第四接地測試焊盤214之間；接地測試焊盤均接地，從而可知實際上這些接地測試焊盤是連接在一起的，信號測試焊盤用于輸入