1] 如圖1和圖2所示，本實(shí)施例的天線單元包括地板和微帶饋線1，所述地板設(shè)置在 介質(zhì)基板2頂層，且刻蝕有T形縫隙3,所述微帶饋線1設(shè)置在介質(zhì)基板2底層；
[0032] 所述微帶饋線1呈凹形結(jié)構(gòu)，該凹形結(jié)構(gòu)的兩端分別為第一饋電端口Portl和第 二饋電端口P〇rt2,所述第一饋電端口Portl和第二饋電端口Port2位于介質(zhì)基板底層的 同一邊緣處，從圖2中可以看出，與傳統(tǒng)的差分饋電不同的是，本實(shí)施例差分饋電的第一饋 電端口Portl和第二饋電端口Port2是直接相連的，第一饋電端口Portl和第二饋電端口 Port2分別饋入幅度相同、相位相反的差分信號(hào)；
[0033] 所述T形縫隙3可以產(chǎn)生兩個(gè)諧振頻率，微帶饋線1將T形縫隙3分為開(kāi)路縫隙 和短路縫隙，其中開(kāi)路縫隙用于產(chǎn)生2. 4GHz的低頻諧振頻率，其電流路徑為L(zhǎng)l，L1的長(zhǎng)度 大概為2. 4GHz的l/4Agag =c//^)，其中Ag是指2. 4GHz時(shí)的工作波長(zhǎng)；短路縫隙用于 產(chǎn)生5. 5GHz的高頻諧振頻率，其電流路徑為L(zhǎng)2+S2,L2+S2的長(zhǎng)度大概為5. 5GHz的1/2入g， 其中Xg是指5. 5GHz時(shí)的工作波長(zhǎng)；兩個(gè)頻段的中心頻率可以通過(guò)改變L1和L2+S2的長(zhǎng) 度而進(jìn)行獨(dú)立的調(diào)整，阻抗帶寬也可以通過(guò)改變T形縫隙3的寬度W1和W2獨(dú)立的調(diào)整； 中心頻率為2. 4GHz的阻抗帶寬為180M(2. 35-2. 56GHz)，中心頻率為5. 5GHz阻抗帶寬為 800M(5. 1-5. 9GHz)。采用這種差分饋電結(jié)構(gòu)可以達(dá)到很高的共模抑制，對(duì)于差模信號(hào)，第一 饋電端口Portl和第二饋電端口Port2的信號(hào)相位相反，會(huì)在T形縫隙3的邊沿cl、c2產(chǎn) 生電勢(shì)差，地板上的T形縫隙3就會(huì)被電勢(shì)差激勵(lì)，信號(hào)就會(huì)通過(guò)強(qiáng)烈的電磁耦合傳輸?shù)?地板上，所以差模信號(hào)可以輻射出去；對(duì)于共模信號(hào)，第一饋電端口Portl和第二饋電端口 P〇rt2的信號(hào)相位相同、幅度相同，不會(huì)在T形縫隙3的邊沿c1、c2產(chǎn)生電勢(shì)差，這樣T形縫 隙3就不會(huì)被激勵(lì)，共模信號(hào)不能耦合到地板上，所以共模信號(hào)完全被反射回來(lái)，達(dá)到共模 信號(hào)抑制的效果；本實(shí)施例的天線單元通過(guò)電磁仿真的S參數(shù)曲線如圖3所示，其中Slldd 表示天線單元的差模回波損耗，SIP表示天線單元的共?；夭〒p耗。
[0034] 實(shí)施例2 :
[0035] 如圖4和圖5所示，本實(shí)施例的MMO天線包括四個(gè)天線單元（上述實(shí)施例1的 天線單元）和介質(zhì)基板2,其中介質(zhì)基板2采用FR4介質(zhì)基板，其介電常數(shù)為4. 4,厚度為 0. 8mm;四個(gè)天線單元分別為第一天線單元4、第二天線單元5、第三天線單元6和第四天線 單元7,共有八個(gè)饋電端口，四個(gè)天線單元的地板相連，并印制在FR4介質(zhì)基板頂層；四個(gè)天 線單元的微帶饋線1采用50Q微帶饋線，并印制在FR4介質(zhì)基板底層，利用饋電端口對(duì)地 板上的T形縫隙3進(jìn)行差分饋電；四個(gè)天線單元的T形縫隙3相互正交排列在相連的地板 上，相連的地板上還刻蝕有四個(gè)矩形縫隙，分別為第一矩形縫隙8、第二矩形縫隙9、第三矩 形縫隙10和第四矩形縫隙11，所述四個(gè)天線單元之間通過(guò)四個(gè)矩形縫隙隔開(kāi)，在不影響天 線單元S參數(shù)的情況下，還增加了天線單元之間的隔離度（所有頻帶內(nèi)均高于15dB)。由此 可見(jiàn)，本實(shí)施例中用正交排列和矩形縫隙隔斷來(lái)增加隔離度，幾乎不會(huì)影響工作帶寬，實(shí)現(xiàn) 了高隔離度，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，小型化，易加工的設(shè)計(jì)要求。
[0036] 如上述實(shí)施例1所述，本實(shí)施例的每個(gè)天線單元采用微帶饋線1對(duì)地板上的T形 縫隙3差分饋電，可產(chǎn)生兩個(gè)諧振頻率，改變L1和L2+S2的長(zhǎng)度可調(diào)整諧振頻率，改變T形 縫隙3的寬度W1和W2可調(diào)整阻抗帶寬，此種結(jié)構(gòu)差分饋電與垂直的縫隙結(jié)合可達(dá)到共模 抑制效果，而且MM0天線的四個(gè)天線單元的T形縫隙3相互正交方式排列，并用四個(gè)矩形 縫隙隔開(kāi)，可達(dá)到高隔離度，同樣可抑制共模信號(hào)，本實(shí)施例的MIM0天線通過(guò)電磁仿真的 差模S參數(shù)曲線如圖6所示，其中S11表示第一天線單元4的差?；夭〒p耗，S21、S31、S41 分別表示第一天線單元4與第二天線單元5、第三天線單元6和第四天線單元7的差模隔離 度；本實(shí)施例的MM0天線通過(guò)電磁仿真的共模S參數(shù)曲線如圖7所示，其中S11表示第一 天線單元4的共模回波損耗，S21、S31、S41分別表示第一天線單元4與第二天線單元5、第 三天線單元6和第四天線單元7的共模隔離度。
[0037] 綜上所述，本發(fā)明采用特殊的差分饋電結(jié)構(gòu)和縫隙組合可達(dá)到很高的共模抑制效 果，具有小型化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，高共模抑制比，雙頻段和高隔離度等優(yōu)點(diǎn)，可以廣泛地應(yīng)用于 WLAN系統(tǒng)。
[0038] 以上所述，僅為本發(fā)明專利較佳的實(shí)施例，但本發(fā)明專利的保護(hù)范圍并不局限于 此，例如MM0天線的天線單元數(shù)量還可以為兩個(gè)，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā) 明專利所公開(kāi)的范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明專利的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變， 都屬于本發(fā)明專利的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 具有高共模抑制比的差分縫隙MHTO天線，包括介質(zhì)基板和多個(gè)天線單元，其特征在 于：所述每個(gè)天線單元包括地板和微帶饋線，所述地板設(shè)置在介質(zhì)基板頂層，且刻蝕有T形 縫隙，所述微帶饋線設(shè)置在介質(zhì)基板底層，并將T形縫隙分為開(kāi)路縫隙和短路縫隙；所述多 個(gè)天線單元的地板相連，將介質(zhì)基板頂層覆蓋。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征在于：所述 微帶饋線呈凹形結(jié)構(gòu)，該凹形結(jié)構(gòu)的兩端分別為第一饋電端口和第二饋電端口，所述第一 饋電端口和第二饋電端口位于介質(zhì)基板底層的同一邊緣處。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征在于：所述 相連的地板上刻蝕有矩形縫隙，所述多個(gè)天線單元之間通過(guò)矩形縫隙隔開(kāi)。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征在于：所述 天線單元有四個(gè)，四個(gè)天線單元的T形縫隙相互正交排列在相連的地板上；所述相連的地 板上刻蝕有四個(gè)矩形縫隙，所述四個(gè)天線單元之間通過(guò)四個(gè)矩形縫隙隔開(kāi)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征 在于：所述開(kāi)路縫隙用于產(chǎn)生2. 4GHz的低頻諧振頻率，其電流路徑長(zhǎng)度為2. 4GHz時(shí)工作波 長(zhǎng)的四分之一；所述短路縫隙用于產(chǎn)生5. 5GHz的高頻諧振頻率，其電流路徑長(zhǎng)度為5. 5GHz 時(shí)工作波長(zhǎng)的二分之一。6. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征在 于：所述介質(zhì)基板采用FR4介質(zhì)基板，其介電常數(shù)為4. 4,厚度為0. 8mm。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的具有高共模抑制比的差分縫隙MMO天線，其特征在 于：所述微帶饋線采用50 Q微帶饋線。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高共模抑制比的差分縫隙MIMO天線，包括介質(zhì)基板和多個(gè)天線單元，所述每個(gè)天線單元包括地板和微帶饋線，所述地板設(shè)置在介質(zhì)基板頂層，且刻蝕有T形縫隙，所述微帶饋線設(shè)置在介質(zhì)基板底層，并將T形縫隙分為開(kāi)路縫隙和短路縫隙；所述多個(gè)天線單元的地板相連，將介質(zhì)基板頂層覆蓋。本發(fā)明采用特殊的差分饋電結(jié)構(gòu)和縫隙組合可達(dá)到很高的共模抑制效果，具有小型化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，高共模抑制比，雙頻段和高隔離度等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足小型化，低成本，易與加工，易于與差分電路集成的要求，可以廣泛地應(yīng)用于WLAN系統(tǒng)。
【IPC分類】H01Q5/20, H01Q1/38, H01Q5/364
【公開(kāi)號(hào)】CN104882677
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510270992
【發(fā)明人】柳炎炎, 涂治紅, 褚慶昕
【申請(qǐng)人】華南理工大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年5月25日