導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶娃(low temperature poly-silicon,簡稱為LTPS)薄膜晶體管顯示器件有別于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管顯示器件，其電子迀移率可以達(dá)到50?200cm2/V-sec，可以有效減小溝道面積從而減少薄膜晶體管器件的面積，達(dá)到提高開口率和集成度的目的，由此在提高顯示器亮度的同時(shí)，也可以降低功率消耗。
[0003]在LTPS工藝中，為了降低線電阻，一般采用成本較低、導(dǎo)電性較高、金屬離子擴(kuò)散性非常小的金屬鋁(Al)制作各信號線，然而，在進(jìn)行后繼的Hydro (氫化)工藝時(shí)，由于純鋁本身的熱膨脹性質(zhì)，厚度較高的純Al在晶粒方向比較一致的情況下非常容易發(fā)生表面上的小突起(hillock)現(xiàn)象，從而極大的影響信號線的接觸情況以及后繼的光學(xué)檢查工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何抑制陣列基板上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在受熱時(shí)產(chǎn)生的小突起現(xiàn)象。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括多層由鋁制作的第一金屬層，且在每相鄰的兩層第一金屬層之間還設(shè)置有第二金屬層，所述第二金屬層由鋁之外的金屬制成。
[0008]進(jìn)一步地，相鄰兩層的第一金屬層的密度不同。
[0009]進(jìn)一步地，每一層所述第二金屬層的厚度為Inm?8nm。
[0010]進(jìn)一步地，每一層所述第一金屬層的厚度為200埃米?2800埃米。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括2?4層的所述第一金屬層。
[0012]進(jìn)一步地，還包括由Ti或Mo制作的第三金屬層以及由Ti或Mo制作的第四金屬層，且每一層第一金屬層和每一層第二金屬層均位于所述第三金屬層與所述第四金屬層之間。
[0013]進(jìn)一步地，所述第二金屬層的材料為以下的任意一種或多種:Ag、Cu、MoTa> MoNb>Ti。
[0014]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、柵極，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極、所述柵極中至少一者為上述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:在基板上采用鋁制作多層第一金屬層，并在每相鄰的兩層第一金屬層之間采用鋁之外的金屬制作第二金屬層。
[0017]進(jìn)一步地，在基板上采用鋁制作多層第一金屬層，并在每相鄰的兩層第一金屬層之間采用鋁之外的金屬制作第二金屬層之前包括:在所述基板上采用Ti或Mo制作第三金屬層;
[0018]在基板上采用鋁制作多層第一金屬層，并在每相鄰的兩層第一金屬層之間采用鋁之外的金屬制作第二金屬層之后包括:采用Ti或Mo制作第四金屬層。
[0019](三)有益效果
[0020]本發(fā)明提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置多層由鋁制作的第一金屬層，并在每相鄰的兩層第一金屬層之間設(shè)置第二金屬層進(jìn)行阻隔，從而可以減少單層第一金屬層中的晶粒的連續(xù)長度，進(jìn)而可以在不減小導(dǎo)電結(jié)構(gòu)整體厚度的情況下減少導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在受熱時(shí)產(chǎn)生的小突起現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0022]圖2是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的局部示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0025]本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括多層由鋁制作的第一金屬層，且在每相鄰的兩層第一金屬層之間還設(shè)置有第二金屬層，所述第二金屬層由鋁之外的金屬制成。
[0026]本發(fā)明實(shí)施方式提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置多層由鋁制作的第一金屬層，并在每相鄰的兩層第一金屬層之間設(shè)置第二金屬層進(jìn)行阻隔，從而可以減少單層第一金屬層中的晶粒的連續(xù)長度，進(jìn)而可以在不減小導(dǎo)電結(jié)構(gòu)整體厚度的情況下減少導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在受熱時(shí)產(chǎn)生的小突起現(xiàn)象。
[0027]在本發(fā)明提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，第一金屬層為采用純鋁制作的鋁膜，第二金屬層的材料可以為Ag (銀)、Cu (銅)、MoTa (鉬鉭合金)、MoNb (鉬鈮合金)、Ti (鈦)中的一種或多種，例如，若為增強(qiáng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性，第二金屬層可以采用Ag，亦可以選擇Cu、MoTa>MoNb, Ti等其他和Al接觸較好的膜層，若為工藝便利性考量，第二金屬層采用Ti為較優(yōu)；
[0028]此外，其中的第一金屬層以及第二金屬層的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，例如，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括2?4層的第一金屬層(或者I?3層的第二金屬層)，每一層第一金屬層的厚度可以為200埃米?2800埃米，具體地，若導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括兩層第一金屬層，則每層第一金屬層的厚度可以為2000埃米?2800埃米，例如，可以為2300埃米、2600埃米等；若導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括四層第一金屬層，則每層第一金屬層的厚度可以為200埃米?800埃米，例如可以為300埃米、600埃米等。
[0029]優(yōu)選地，每層第二金屬層的厚度可以為Inm?8nm，從而不但可以避免對導(dǎo)電結(jié)構(gòu)整體導(dǎo)電性造成不良影響，還能在對其的刻蝕以形成圖案的過程中有良好的刻蝕效果，例如，第二金屬層的厚度可以為3nm、5nm、7nm等。
[0030]優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施方式提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，可使相鄰兩層的第一金屬層的密度不同，從而可以使同一第二金屬層兩側(cè)的第一金屬層中的晶粒不一致，從而可以進(jìn)一步地抑制導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在受熱時(shí)產(chǎn)生的小突起現(xiàn)象。
[0031]優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施方式提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還包括由Ti或Mo制作的第三金屬層以及由Ti或Mo制作的第四金屬層，且每一層第一金屬層和每一層第二金屬層均位于所述第三金屬層與所述第四金屬層之間，其中，該第三金屬層形成在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的最下方作為阻擋層，阻擋第一金屬層中的鋁原子向外擴(kuò)散，例如在低溫薄膜晶體管中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(如柵極或者源漏極)形成在半導(dǎo)體有源層上方，使得第三金屬層設(shè)置在第一金屬層與半導(dǎo)體非晶硅層之間，從而可以阻擋第一金屬層中的鋁原子擴(kuò)散至半導(dǎo)體有源層；對于第四金屬層，其設(shè)置在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的最上層，由于Mo和Ti在高溫條件下表面不容易產(chǎn)生小突起現(xiàn)象，且兩者的硬度高于Al，從而可以抑制第一金屬層應(yīng)力的釋放，從而可以進(jìn)一步地抑制最上層的第一金屬層的表面小突起的產(chǎn)生。
[0032]參見圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的示意圖，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由Ti或Mo制作的第三金屬層30、由Ti或Mo制作的第四金屬層40，在第三金屬層30與第四金屬層40之間設(shè)置有兩層由鋁制作的第一金屬層10以及位于兩層第一金屬層10之間的第二金屬層20;其中，兩層第一金屬層均為采用純鋁制作的鋁膜，并且兩層第一金屬層的沉積密度不同，第二金屬層為采用Ag、Cu、MoTa、MoNb或者Ti制作的金屬薄膜，兩層第一金屬層、第二金屬層之間相互重疊設(shè)置，第