線裝置的結(jié)構(gòu)。圖16是示出第5實(shí)施例的天線裝置5的表面的結(jié)構(gòu)的圖。
[0087]第5實(shí)施例的天線裝置5被設(shè)成能夠與MIMO對應(yīng)的天線裝置，具備2個(gè)元件。如圖16所示，第5實(shí)施例的天線裝置5具備2個(gè)元件，但與第I實(shí)施例的天線裝置I的2個(gè)元件不同，2個(gè)元件被設(shè)成不交叉的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)被設(shè)成與第I實(shí)施例的天線裝置I共同的結(jié)構(gòu)。在這里，主要進(jìn)行第5實(shí)施例的天線裝置5的2個(gè)元件的說明，共同的結(jié)構(gòu)的說明大致省略。在第5實(shí)施例的天線裝置5中，在基板50的表面形成有第I元件51的圖案，在基板50的背面形成有第2元件52的圖案。第I元件51與第2元件52被設(shè)成相同的形狀，被形成為大致中央部反“ < ”字形地彎曲但相互不重疊。第I元件51的下端與第I供電匹配部51b連接，在上端連接第I縮短線圈51a。另外，第2元件52的下端與第2供電匹配部52b連接，在上端連接第2縮短線圈52a。第I供電匹配部51b的圖案與第2供電匹配部52b的圖案相對于基板50向右旋轉(zhuǎn)約45°地形成，第2供電匹配部52b的圖案相對地相對于第I供電匹配部51b的圖案旋轉(zhuǎn)角度Θ 5而形成。此外，在第I供電匹配部51b以及第2供電匹配部52b中，例如采用型的LC電路，但省略線圈、電容器的圖示，僅示出了匹配電路的圖案。另外，在基板50的下端分別形成有相互傾斜了的缺口部50c。
[0088]長度L8是包括第I縮短線圈51a的第I元件51或者包括第2縮短線圈52a的第2元件52的從前端到下端的物理長度，長度L8被設(shè)成約0.333 λ (約119mm)，此時(shí)的包括第I縮短線圈51a的第I元件51、與包括第2縮短線圈52a的第2元件52的電氣長度為約λ/2。另外，長度L9是第I元件51或者第2元件52的從下端到彎曲成反“〈”字形的位置的物理長度，被設(shè)成約0.162 λ (約58mm)。進(jìn)一步地，第I元件51與第2元件52的彎曲成反“ < ”字形的位置之間的距離被設(shè)成約0.022 λ (約8_)。進(jìn)而，相對于第I供電匹配部51b的圖案的第2供電匹配部52b的圖案的角度Θ 5被設(shè)成約90°。
[0089]此處，第I元件51與第2元件52成為約λ/2的電氣長度的端部供電(電壓供電)的偶極天線。在端部供電的偶極天線中，供電點(diǎn)的阻抗變高，所以通過第I供電匹配部51b取得匹配而從未圖示的供電線對第I元件51供電，并且通過第2供電匹配部52b取得匹配而從未圖示的供電線對第2元件52供電。
[0090]圖17(a)示出被設(shè)成了上述尺寸的第5實(shí)施例的天線裝置5的第I元件51與第2元件52之間的絕緣的頻率特性，圖17 (b)示出第I元件51的VSWR的頻率特性，圖17 (c)示出第2元件52的VSWR的頻率特性。參照這些圖，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，絕緣能夠得到約-1Odb以上的良好絕緣特性。另外，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，第I元件51的VSWR特性為約2.3以內(nèi)且被設(shè)成在約830MHz共振的特性，第2元件52的VSWR特性為約2.2以內(nèi)且被設(shè)成在約830MHz共振的VSWR特性。這樣，第5實(shí)施例的天線裝置5在寬度窄的基板50的表面與背面，分別以不交叉且相互不重疊的方式形成第I元件51與第2元件52，由于第I元件51與第2元件52在大致中央部彎曲成反“ < ”字形地形成、以及、第I供電匹配部51b的圖案與第2供電匹配部52b的圖案的角度被設(shè)成約90°，所以在上述設(shè)計(jì)頻帶中能夠得到進(jìn)行動(dòng)作所需的足夠的絕緣特性以及VSWR特性。
[0091]接著，為了更好地理解本發(fā)明所涉及的天線裝置，說明關(guān)于本發(fā)明的第I參考例至第4參考例的天線裝置。圖18示出第I參考例的天線裝置6的結(jié)構(gòu)。
[0092]圖18所示的第I參考例的天線裝置6具備2個(gè)相同的形狀的元件，但與第I實(shí)施例的天線裝置I的2個(gè)元件不同，2個(gè)元件中的彎曲成反“ < ”字形的位置不同。但是，其他結(jié)構(gòu)被設(shè)成與第I實(shí)施例的天線裝置I共同的結(jié)構(gòu)。在這里，主要進(jìn)行第I參考例的天線裝置6的2個(gè)元件的說明，省略關(guān)于共同的結(jié)構(gòu)的說明。在第I參考例的天線裝置6中，在基板60的表面形成有第I元件61的圖案，在基板60的背面形成有第2元件62的圖案。第I元件61與第2元件62被設(shè)成相同形狀并且彎曲成反“ < ”字形，彎曲了的位置被設(shè)成下部，第I元件61與第2元件62在上部隔著基板60相交叉，但除相交叉的部分之外，兩個(gè)元件不重疊地形成。第I元件61的下端與第I供電匹配部61b連接，在上端連接第I縮短線圈61a。另外，第2元件62的下端與第2供電匹配部62b連接，在上端連接第2縮短線圈62a。第I供電匹配部61b的圖案與第2供電匹配部62b的圖案相對于基板60向右旋轉(zhuǎn)約45°地形成，第2供電匹配部62b的圖案相對地相對于第I供電匹配部61b的圖案旋轉(zhuǎn)角度Θ 6而形成。此外，在第I供電匹配部61b以及第2供電匹配部62b中，僅示出了匹配電路的圖案。
[0093]長度LlO是包括第I縮短線圈61a的第I元件61或者包括第2縮短線圈62a的第2元件62的從前端到下端的物理長度，長度LlO被設(shè)成約0.333 λ (約119mm)，此時(shí)的包括第I縮短線圈61a的第I元件61、以及包括第2縮短線圈62a的第2元件62的電氣長度為約λ/2。另外，長度Lll是第I元件61或者第2元件62的從下端到彎曲成反“〈”字形的位置的物理長度，被設(shè)成約0.094 λ (約33.5mm)。進(jìn)一步地，第I元件61與第2元件62的彎曲成反“ < ”字形的位置之間的距離被設(shè)成約0.022 λ (約8_)。進(jìn)而，相對于第I供電匹配部61b的圖案的第2供電匹配部62b的圖案的角度Θ 6被設(shè)成約90°。
[0094]圖19(a)示出被設(shè)成了上述尺寸的第I參考例的天線裝置6的第I元件61與第2元件62之間的絕緣的頻率特性，圖19 (b)示出第I元件61的VSWR的頻率特性，圖19 (c)示出第2元件62的VSWR的頻率特性。參照這些圖，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，絕緣能夠得到約_7db以上。另外，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，第I元件61的VSWR特性為約3.6以內(nèi)且被設(shè)成在約900MHz共振的特性，第2元件62的VSWR特性為約2.8以內(nèi)且被設(shè)成在約880MHz共振的VSWR特性。這樣，第I參考例的天線裝置6在寬度窄的基板60的表面與背面分別形成有彎曲成反“ < ”字形的相同形狀的第I元件61與第2元件62，第I元件61與第2元件62在下部彎曲成反“ < ”字形，所以可知在上述設(shè)計(jì)頻帶中能夠得到進(jìn)行動(dòng)作所需的足夠的絕緣特性。
[0095]另外，圖20示出第2參考例的天線裝置6’的結(jié)構(gòu)。
[0096]圖20所示的第2參考例的天線裝置6’具備2個(gè)相同的形狀的元件，但與第I參考例的天線裝置6的2個(gè)元件不同，僅有將2個(gè)元件中的彎曲成反“ < ”字形的位置被設(shè)成上部的結(jié)構(gòu)這一點(diǎn)不同。即，在第2參考例的天線裝置6’中，在基板60的表面形成有第I元件61’的圖案，在基板60的背面形成有第2元件62’的圖案。關(guān)于第I元件61’與第2元件62’，大致中央部彎曲成反“ < ”字形，將彎曲了的位置被設(shè)成上部，第I元件61’與第2元件62’在上部隔著基板60相交叉。其他結(jié)構(gòu)被設(shè)成與第I參考例的天線裝置6相同，所以省略其說明。
[0097]長度L12是包括第I縮短線圈61a的第I元件61’或者包括第2縮短線圈62a的第2元件62’的從前端到下端的物理長度，長度L12被設(shè)成約0.333 λ (約119mm)，此時(shí)的包括第I縮短線圈61a的第I元件61’、以及包括第2縮短線圈62a的第2元件62’的電氣長度為約λ/2。另外，長度L13是第I元件61’或者第2元件62’的從下端到彎曲成反“ < ”字形的位置的物理長度，被設(shè)成約0.262 λ (約93.5mm)。進(jìn)一步地，第I元件61’與第2元件62’的彎曲成反“ < ”字形的位置之間的距離被設(shè)成約0.022 λ (約8mm)。
[0098]圖21 (a)示出被設(shè)成了上述尺寸的第2參考例的天線裝置6’的第I元件61’與第2元件62’之間的絕緣的頻率特性，圖21 (b)示出第I元件61’的VSWR的頻率特性，圖21 (c)示出第2元件62’的VSWR的頻率特性。參照這些圖，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，絕緣能夠得到約_8db以上。另外，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，第I元件61’的VSWR特性為約3.0以內(nèi)且被設(shè)成在約755MHz共振的特性，第2元件62’的VSWR特性為約2.7以內(nèi)且被設(shè)成在約850MHz至900MHz共振的VSWR特性。這樣，在第2參考例的天線裝置6’在寬度窄的基板60的表面與背面分別形成有彎曲成反“ < ”字形的相同形狀的第I元件61’與第2元件62’，第I元件61’與第2元件62’在上部彎曲成反“ < ”字形，所以可知在上述設(shè)計(jì)頻帶中能夠得到進(jìn)行動(dòng)作所需的足夠的絕緣特性。
[0099]這樣可知，當(dāng)在寬度窄 < 細(xì)長的矩形形狀的基板的表面與背面分別形成彎曲成反“ < ”字形的相同形狀的第I元件與第2元件的情況下，如果使大致中央部彎曲成反“ < ”字形，則能夠得到良好的絕緣特性。
[0100]進(jìn)一步地，圖22示出第3參考例的天線裝置7的結(jié)構(gòu)。
[0101]圖22所示的第3參考例的天線裝置7具備2個(gè)相同的形狀的元件，但與第I實(shí)施例的天線裝置I的基板不同，采用擴(kuò)寬了橫寬度的基板而在基板的表面與背面分別形成有彎曲成反“ < ”字形的元件。其他結(jié)構(gòu)被設(shè)成與第I實(shí)施例的天線裝置I共同的結(jié)構(gòu)。在這里，省略關(guān)于共同的結(jié)構(gòu)的說明。在第3參考例的天線裝置7中，在擴(kuò)寬了橫寬度的基板70的表面形成有第I元件71的圖案，在基板70的背面案形成有第2元件72的圖。第I元件71與第2元件72被設(shè)成相同形狀并且其大致中央部被彎曲成反“ < ”字形，第I元件71與第2元件72在上部隔著基板70相交叉，除相交叉的部分之外，兩個(gè)元件不重疊地形成。第I元件71的下端與第I供電匹配部71b連接，在上端連接第I縮短線圈71a。另外，第2元件72的下端與第2供電匹配部72b連接，在上端連接第2縮短線圈72a。第I供電匹配部71b的圖案與第2供電匹配部72b的圖案相對于基板70向右旋轉(zhuǎn)約45°地形成，第2供電匹配部72b的圖案相對地相對于第I供電匹配部71b的圖案旋轉(zhuǎn)角度Θ 7而形成。此外，在第I供電匹配部71b以及第2供電匹配部72b中，僅示出了匹配電路的圖案。
[0102]長度L14是包括第I縮短線圈71a的第I元件71或者包括第2縮短線圈72a的第2元件72的從前端到下端的物理長度，長度L14被設(shè)成約0.333 λ (約119mm)，此時(shí)的包括第I縮短線圈71a的第I元件71、以及包括第2縮短線圈72a的第2元件72的電氣長度為約λ/2。另外，長度L15是第I元件71或者第2元件72的從下端到彎曲成反“〈”字形的位置的物理長度，被設(shè)成約0.162 λ (約58mm)。進(jìn)一步地，長度L16是第I元件71與第2元件72的彎曲成反“ < ”字形的位置之間的距離，被設(shè)成約0.112 λ (約40mm)。進(jìn)而，相對于第I供電匹配部71b的第2供電匹配部72b的角度Θ 7被設(shè)成約90°。
[0103]圖23(a)示出被設(shè)成了上述尺寸的第3參考例的天線裝置7的第I元件71與第2元件72之間的絕緣的頻率特性，圖23 (b)示出第I元件71的VSWR的頻率特性，圖23 (c)示出第2元件72的VSWR的頻率特性。參照這些圖，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，絕緣能夠得到約_12db以上的良好的絕緣特性。另外，在814MHz?894MHz的設(shè)計(jì)頻帶中，第I元件71的VSWR特性為約2.0以內(nèi)且被設(shè)成在約825MHz共振的特性，第2元件72的VSWR特性為約2.1以內(nèi)且被設(shè)成在約830MHz共振的VSWR特性。這樣可知，在第3參考例的天線裝置7中，在寬度寬的基板70的表面與背面彎曲成反“ < ”字形的相同形狀的第I元件71與第2元件72中，分別以擴(kuò)寬的方式形成有彎曲成反“ < ”字形的位置間隔，所以在上述設(shè)計(jì)頻帶中能夠得到進(jìn)行動(dòng)作所需的足夠的絕緣特性。然而，基板70的面積變大，小型化變得困難。
[0104]進(jìn)而，圖24示出第4參考例的天線裝置8的結(jié)構(gòu)。
[0105]圖24所示的第4參考例的天線裝置8具備2個(gè)相同的形狀的元件，采用將第3參考例的天線裝置7的基板的橫寬度進(jìn)一步地?cái)U(kuò)寬了的基板，在基板的表面與背面分別形成有彎曲成反“〈”字形的元件。其他結(jié)構(gòu)采用了與第3參考例的天線裝