述“E”型部件包括第一分支、第二分支、第三分支和第四分支，其中所述第一分支和所述第三分支連接在所述第四分支的兩端，所述第二分支位于所述第一分支與所述第三分支之間，所述第二分支與所述第四分支連接，所述第一分支與所述第二分支之間形成有間隙，所述第二分支與所述第三分支之間形成有間隙；
[0078]所述“U”型部件包括兩個分支，所述“U”型部件的兩個分支分別位于所述“E”型部件的兩個間隙中，且所述“E”型部件和所述“U”型部件之間互不接觸。
[0079]如圖9所示，以斜線所示的部分為所述第一輻射體2，以黑色所述的部分為所述第二電容結構4，所述第一電容結構3包括所述“E”型部件和所述“U”型部件，其中，以點所示部分為所述“E”型部件，以雙斜線所示部分為所述“U”型部件。其中，所述“E”型部件包括第一分支31、第二分支32、第三分支33和第四分支34,其中所述第一分支31和所述第三分支33連接在所述第四分支34的兩端，所述第二分支32位于所述第一分支31與所述第三分支33之間，所述第二分支32與所述第四分支34連接，所述第一分支31與所述第二分支32之間形成有間隙，所述第二分支32與所述第三分支33之間形成有間隙；
[0080]所述“U”型部件包括兩個分支，一個分支35和另一個分支36 ;所述“U”型部件一個分支36位于所述“E”型部件的第一分支31與所述第二分支32形成的間隙中，所述“U”型部件另一個分支36位于所述“E”型部件的第二分支32與所述第三分支33形成的間隙中，且所述“E”型部件和所述“U”型部件之間互不接觸。
[0081]可選的，當所述第一電容結構3包括所述“E”型部件和所述“U”型部件時，所述第一輻射體2的第一端21與所述第一電容結構3的第一分支31或第三分支33電性連接。如圖9所示，為所述第一輻射體2的第一端21與所述第一電容結構3的第三分支33電性連接。
[0082]可選的，所述第二電容結構4可以為一般的電容，所述第二電容結構4可以包括至少一個多種形式串聯(lián)或并聯(lián)的電容(可稱為電容積層組件)；所述第二電容結構4也可以包括:“E”型部件和“U”型部件；
[0083]所述“E”型部件包括第一分支、第二分支、第三分支和第四分支，其中所述第一分支和所述第三分支連接在所述第四分支的兩端，所述第二分支位于所述第一分支與所述第三分支之間，所述第二分支與所述第四分支連接，所述第一分支與所述第二分支之間形成有間隙，所述第二分支與所述第三分支之間形成有間隙；
[0084]所述“U”型部件包括兩個分支，所述“U”型部件的兩個分支分別位于所述“E”型部件的兩個間隙中，且所述“E”型部件和所述“U”型部件之間互不接觸。
[0085]如圖10所示，以斜線所示部分為所述第一輻射體2，所述第一電容結構3和所述第二電容結構4均包括所述“E”型部件和所述“U”型部件，以點所示部分為所述“E”型部件，以雙斜線所示部分為所述“U”型部件。其中，所述“E”型部件包括第一分支41、第二分支42、第三分支43和第四分支44，其中所述第一分支41和所述第三分支43連接在所述第四分支44的兩端，所述第二分支42位于所述第一分支41與所述第三分支43之間，所述第二分支42與所述第四分支44連接，所述第一分支41與所述第二分支42之間形成有間隙，所述第二分支42與所述第三分支43之間形成有間隙；
[0086]所述“U”型部件包括兩個分支，一個分支45和另一個分支46 ;所述“U”型部件一個分支45位于所述“E”型部件的第一分支41與所述第二分支42形成的間隙中，所述“U”型部件另一個分支46位于所述“E”型部件的第二分支42與所述第三分支43形成的間隙中，且所述“E”型部件和所述“U”型部件之間互不接觸。
[0087]值得注意的是，“M”型部件也屬于所述“E”型部件，也就是說任何包括所述第一分支、第二分支、第三分支和第四分支，且所述第一分支和所述第三分支連接在所述第四分支的兩端，所述第二分支位于所述第一分支與所述第三分支之間，所述第二分支與所述第四分支連接，所述第一分支與所述第二分支之間形成有間隙，所述第二分支與所述第三分支之間形成有間隙的結構均屬于本發(fā)明實施例所要保護的范圍；“v”型部件也屬于所述“U”型部件，也就是說任何具有兩個分支，且所述兩個分支分別位于所述“E”型部件的兩個間隙中的部件均屬于本發(fā)明實施例所要保護的范圍，且所述“E”型部件與所述“U”型部件之間不接觸；為了繪制和描述方便，對所述第一電容結構3和所述第二電容結構4的附圖中僅以“E”型和“U”型所示。
[0088]由于所述第一電容結構3既可以為一般的電容積層組件，也可以包括所述“E”型部件和所述“U”型部件，所以當所述天線還包括其他輻射體時，其他輻射體的連接因所述第一電容結構3的不同而不同。
[0089]當所述第一電容結構3為一般的電容積層組件時:
[0090]如圖11所示，所述天線還包括:至少一個第二輻射體5，所述第二輻射體5的一端與所述第一輻射體2的第一端21電性連接。
[0091]可選的，如圖12所示，所述天線還包括:一個呈“L”型的第二輻射體51，所述呈“L”型的第二輻射體51的一端與所述第一輻射體2的第一端21電性連接。其中，左斜線所示部分為所述第一輻射體2，雙斜線所示部分為所述第二輻射體51，黑色所示部分為所述第一電容結構3和所述第二電容結構4。所述呈“L”型的第二輻射體51用于產(chǎn)生第三諧振頻率f3，所述第三諧振頻率f3覆蓋LTE B7。
[0092]可選的，如圖13所示，所述天線還可以包括:一個呈“匚”型的第二輻射體52，所述呈“匚”型的第二輻射體52的一端與所述第一輻射體2的第一端21電性連接。其中，左斜線所示部分為所述第一輻射體2，雙斜線所示部分為所述第二輻射體52，黑色所示部分為所述第一電容結構3和所述第二電容結構4。所述呈“匚”型的第二輻射體52用于產(chǎn)生第四諧振頻率f4，所述第四諧振頻率f4覆蓋WCDMA2100。
[0093]可選的，所述天線還包括:兩個呈“匚”型的第二輻射體，所述兩個呈“匚”型的第二輻射體的開口相對，其中各第二輻射體的第一端與所述第一輻射體的第一端電性連接，所述各第二輻射體的第二端相對且不接觸，以形成耦合結構。
[0094]如圖14所示，所述兩個呈“匚”型的第二輻射體5分別為第二輻射體53和第二輻射體54。其中，所述第二輻射體53的第一端53a與所述第一輻射體2的第一端21電性連接，所述第二輻射體54的第一端54a與所述第一輻射體2的第一端21電性連接，所述第二輻射體53的第二端53b與所述第二輻射體54的第二端54b相對且不接觸，以形成耦合結構。其中，所述第二輻射體52用于產(chǎn)生第四諧振頻率f4，所述第四諧振頻率f4覆蓋WCDMA2100，所述第二輻射體54產(chǎn)生的第五諧振頻率f5，所述第五諧振頻率f5覆蓋GSM850(824MHz-894MHz)、GSM900 (880MHz_960MHz)，由于所述第二輻射體52與所述第二輻射體53之間形成耦合結構，這樣可以產(chǎn)生第六諧振頻率f6，所述第六諧振頻率f6可以覆蓋LTEB3。
[0095]當所述第一電容結構3包括所述“E”型部件和所述“U”型部件時:
[0096]可選的，所述天線還包括:至少一個第二輻射體5，所述第二輻射體5的一端與所述第一分支31和所述第三分支33中的其中一個分支電性連接。
[0097]可選的，如圖15所示，所述天線還包括:一個呈“L”型的第二輻射體51，所述呈“L”型的第二輻射體51的一端與所述第一分支31電性連接。
[0098]其中，所述呈“L”型的第二輻射體51用于產(chǎn)生第三諧振頻率f3，所述第三諧振頻率f3覆蓋LTE B7。
[0099]可選的，所述天線還包括:一個呈“匚”型的第二輻射體52，所述呈“匚”型的第二福射體52的一端與所述第一分支31和所述第三分支33中的其中一個分支電性連接。如圖16所示，所述呈“匚”型的第二輻射體52的一端與所述第一分支31電性連接。
[0100]其中，當所述呈“匚”型的第二輻射體52的一端與所述第一分支31電性連接時，用于產(chǎn)生第四諧振頻率f4，所述第四諧振頻率f4覆蓋WCDMA2100 ;當所述呈“匚”型的第二輻射體52的一端與所述第三分支33電性連接時，用于產(chǎn)生第五諧振頻率f5，所述第五諧振頻率 f 5 覆蓋 GSM850 (824MHz-894MHz )、GSM900 (880MHz-960MHz )。
[0101]可選的，所述天線還包括:兩個呈“匚”型的第二輻射體，所述兩個呈“匚”型的第二輻射體的開口相對，其中一個第二輻射體與所述第一分支電性連接，另一個第二輻射體與所述第三分支電性連接，所述各第二輻射體的第二端相對且不接觸，以形成耦合結構。
[0102]如圖17所示，所述兩個呈“匚”型的第二輻射體5分別為第二輻射體53和第二輻射體54，所述第二輻射體53與所述第二輻射體54的