用于有機(jī)電子器件的基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及用于有機(jī)電子器件的基板、有機(jī)電子裝置、所述基板或裝置的制造方 法、光源、及照明裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電子器件（OED;OrganicElectronicDevice)，例如是一種如專利文獻(xiàn)1 (日 本公開(kāi)專利公報(bào)第1996-176293號(hào)）所述的包括至少一個(gè)能夠傳導(dǎo)電流的有機(jī)材料層的器 件。有機(jī)電子器件的種類包括有機(jī)發(fā)光器件（0LED)、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光導(dǎo)體（0PC)、 或有機(jī)晶體管等。
[0003] 有機(jī)發(fā)光器件，作為具代表性的有機(jī)電子器件，通常依次包括基板、第一電極層、 有機(jī)層、及第二電極層。在一種已知的底部發(fā)光型器件化ottomemittingdevice)的結(jié)構(gòu) 中，所述第一電極層可形成為透明電極層，且第二電極層可形成為反射電極層。此外，在一 種已知的頂部發(fā)光型器件（topemittingdevice)的結(jié)構(gòu)中，所述第一電極層可形成為反 射電極層，且第二電極層可形成為透明電極層。由電極層注入的電子（electron)和空穴 化ole)在位于有機(jī)層的發(fā)光層中重新結(jié)合（recombination)W產(chǎn)生光。該光在底部發(fā)光型 器件中可向基板側(cè)發(fā)射，而在頂部發(fā)光型器件中可向第二電極層側(cè)發(fā)射。
[0004] 在有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中，通常用作透明電極層的銅錫氧化物（ITO;IndiumTin Oxide)、有機(jī)層、W及通常為玻璃的基板的折射率分別為約2. 0、1.8和1. 5。由于該些折射 率之間的關(guān)系，例如，底部發(fā)光型器件的發(fā)光層中產(chǎn)生的光在有機(jī)層與第一電極層之間的 界面處或者在基板中的全內(nèi)反射（totalinternalreflection)現(xiàn)象而被捕集（trap),因 此，僅發(fā)射出非常少量的光。
[0005] 另外，近來(lái)，隨著對(duì)柔性（flexible)有機(jī)電子器件的關(guān)注逐漸提高，在上述有機(jī) 發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中使用聚合物類基板來(lái)代替玻璃基板的技術(shù)需要也逐漸增多。但是，當(dāng)使 用該種聚合物類基板時(shí)，由于其在高溫及濕潤(rùn)的環(huán)境下比玻璃類基板更加脆弱，因此，具有 難W適用于有機(jī)電子器件的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明要解決的課題
[0007] 本發(fā)明提供用于有機(jī)電子器件的基板、有機(jī)電子裝置、所述基板或裝置的制造方 法、光源及照明裝置。
[000引解決課題的方法
[0009] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供一種用于有機(jī)電子器件的基板，其包括第一聚合物基 底層、光學(xué)功能層、高折射層、及阻擋層。用于有機(jī)電子器件的基板可具有例如所述第一聚 合物基底層、光學(xué)功能層、及高折射層依次層疊的結(jié)構(gòu)，所述阻擋層可形成在所述第一聚合 物基底層或高折射層的一面或兩面。如圖1所示，例示性的用于有機(jī)電子器件的基板1具 有如下結(jié)構(gòu)，在第一聚合物基底層101上依次形成有光學(xué)功能層102和高折射層103,第一 阻擋層104形成在所述第一聚合物基底層101和光學(xué)功能層102之間，第二阻擋層105形 成在高折射層103的未形成有光學(xué)功能層的一面。在另一實(shí)施方案中，用于有機(jī)電子器件 的基板1可具有如下結(jié)構(gòu)，阻擋層形成在高折射層103與光學(xué)功能層102之間，或形成在第 一聚合物基底層101的下部。
[0010] 第一聚合物基底層可使用合適的聚合物基底層而無(wú)特別限制。例如，基板適用于 底部發(fā)光型器件時(shí)，可使用透明聚合物基底層，例如使用對(duì)可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的光的透過(guò)率為 50%W上的聚合物基底層。根據(jù)需要，所述聚合物基底層可為具有驅(qū)動(dòng)用薄膜電晶體（TFT) 的薄膜電晶體基板。當(dāng)基板用于頂部發(fā)光（topemission)型器件時(shí)，聚合物基底層并不是 必須為透明基底層。根據(jù)需要，可在聚合物基底層的表面等形成有由侶等形成的反射層。 [OCm] 作為第一聚合物基底層，例如可使用相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的光的折射率為約1. 5 W上、約1.6W上、約1. 65W上或約1. 7W上的聚合物基底層。在一個(gè)實(shí)施方案中，對(duì)第一 聚合物基底層的厚度沒(méi)有特別的限定，例如，可使用厚度為10ym至100ym的聚合物基底 層。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一聚合物基底層可使用滿足下述公式1的聚合物基底層。
[001引[公式U
[0013] 15ym《nXd《200ym
[0014] 在公式1中，n為第一聚合物基底層相對(duì)于波長(zhǎng)為633皿的光的折射率，d為第一 聚合物基底層的厚度。對(duì)于滿足上述公式1的聚合物基底層而言，相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的 光的折射率與第一聚合物基底層的厚度的乘積可W是15ym至200ym、30ym至100ym、或 45ym至60ym。在第一聚合物基底層滿足上述數(shù)值范圍的情況下，可緩解當(dāng)?shù)谝痪酆衔锘?底層作為基板適用于有機(jī)電子裝置時(shí)由應(yīng)力導(dǎo)致的后述第一電極層如IT0電極層發(fā)生破 裂的現(xiàn)象等，因此，可實(shí)現(xiàn)耐久性及光提取性能更加優(yōu)異的有機(jī)電子裝置。
[0015] 作為第一聚合物基底層，例如可W是包含聚酷胺酸、聚酷亞胺，聚蒙二甲酸己二醇 醋，聚離離酬、聚碳酸脂、聚對(duì)苯二甲酸己二醇醋、聚離硫化物、聚諷或丙締酸樹(shù)脂等的基底 層，但并不限定于此。在一個(gè)合適的實(shí)施方案中，從工藝溫度或光提取性能的方面考慮，第 一聚合物基底層可使用包含聚酷亞胺的基底層。
[0016] 在一個(gè)實(shí)施方案中，對(duì)于包含所述聚酷亞胺的基底層，例如可包含相對(duì)于波長(zhǎng)為 633皿的光的折射率為約1. 5W上、約1.6W上、約1. 65W上或約1. 7W上的聚酷亞胺。該 種高折射的聚酷亞胺例如可通過(guò)使用引入了除氣W外的面素原子、硫原子或磯原子等的單 體來(lái)制備。
[0017] 在一個(gè)實(shí)施方案中，作為包含在所述基底層中的聚酷亞胺，可使用相對(duì)于633皿 波長(zhǎng)的光的折射率為約1. 5W上、約1.6W上、約1. 65W上或約1. 7W上的聚酷胺酸經(jīng)過(guò) 酷亞胺化后的物質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施方案中，作為所述聚酷胺酸，可使用具有能夠與顆粒鍵合的 位點(diǎn)（如駿基）W能夠提高顆粒的分散穩(wěn)定性的聚酷胺酸。作為聚酷胺酸，例如，可使用包 含如下化學(xué)式1所示的重復(fù)單元的化合物。
[001引[化學(xué)式^
[0019]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于有機(jī)電子器件的基板，其包括： 第一聚合物基底層；光學(xué)功能層，其形成在所述第一聚合物基底層上；高折射層，其形 成在所述光學(xué)功能層上；及阻擋層，其形成在所述第一聚合物基底層、或高折射層的一面或 兩面，并且其相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的光的折射率為1. 45以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述第一聚合物基底層滿足下述公式1， [公式1] 15tim^nXd^ 200ym, 在公式1中，n為所述第一聚合物基底層相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的光的折射率，d為所述 第一聚合物基底層的厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述第一聚合物基底層包含聚酰胺酸、聚酰亞胺，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚醚醚酮、聚 碳酸脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜、丙烯酸樹(shù)脂、聚苯乙烯、或環(huán)氧樹(shù)脂。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述阻擋層包含選自TiO、Ti02、Ti303、A1203、MgO、SiO、Si02、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe203、 丫203、21〇2、恥203、及〇6〇 2中的一種以上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述光學(xué)功能層的霧度為10 %至50%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述光學(xué)功能層為光散射層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述光散射層包含基體材料、及與所述基體材料的折射率不同的散射顆粒。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述光散射層是具有凹凸結(jié)構(gòu)的層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述高折射層相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的光的折射率為1. 6至2. 0。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述高折射層為平整層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 所述平整層包含聚酰胺酸、聚酰亞胺、聚硅氧烷、或環(huán)氧樹(shù)脂。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 平整層還包含相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的光的折射率為1. 8以上、且平均粒徑為50nm以下 的顆粒。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，其中： 高折射層是第二聚合物基底層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板，所述用于有機(jī)電子器件的基板 還包括載體基板，所述第一聚合物基底層的光學(xué)功能層的相反側(cè)的一面與所述載體基板接 觸。
15. -種用于有機(jī)電子器件的基板的制造方法，所述用于有機(jī)電子器件的基板的制造 方法包括： 在載體基板形成第一聚合物基底層，并在所述基底層上形成光學(xué)功能層，在所述光學(xué) 功能層上形成高折射層的步驟，還包括： 在所述第一聚合物基底層、或所述高折射層的一面或兩面形成相對(duì)于波長(zhǎng)為633nm的 光的折射率為1. 45以上的阻擋層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于有機(jī)電子器件的基板的制造方法，其中： 所述第一聚合物基底層通過(guò)在所述載體基板上堆疊聚合物薄膜、或涂布包含聚合物的 涂布溶液來(lái)形成。
17. -種有機(jī)電子裝置，其包括： 權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電子器件的基板；在所述基板上形成的第一電極；在所述 第一電極上形成的功能性有機(jī)層；及在所述功能性有機(jī)層上形成的第二電極。
18. -種有機(jī)電子裝置的制造方法，其包括：在根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法來(lái)制造的 用于有機(jī)電子器件的基板上，依次形成第一電極、功能性有機(jī)層、及第二電極的步驟。
19. 一種顯示器用光源，其包括權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子裝置。
20. -種照明裝置，其包括權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子裝置。
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于有機(jī)電子器件的基板、有機(jī)電子裝置、所述基板或裝置的制造方法、顯示器用光源、及照明裝置。本發(fā)明的用于有機(jī)電子器件的基板可例如通過(guò)阻斷如水分或氧氣等外來(lái)物質(zhì)的滲入，由此形成具有耐久性提高且光提取效率等性能優(yōu)異的有機(jī)電子裝置。
【IPC分類】H01L51-52
【公開(kāi)號(hào)】CN104823298
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380061341
【發(fā)明人】金持凞, 李政炯, 崔俊禮
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Lg化學(xué)
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2013年12月2日
【公告號(hào)】EP2927984A1