向引線可以是預(yù)鍍Sn引線，可以通過激光焊接將該預(yù)鍍Sn引線接合至裸片墊。這樣所生成的軸向部件將不需要另一引線鍍層。作為結(jié)果，可以降低電鍍成本。此外，在電鍍工藝期間沒有引線變形的風(fēng)險(xiǎn)。作為結(jié)果，能夠維持高的組件產(chǎn)量，這導(dǎo)致了較低制造成本。
[0025]圖3是示出了用于生產(chǎn)可軸向安裝裝置的工藝的一個示例的流程圖。該方法在步驟310開始，在步驟310時，將第一軸向延伸引線電連接且機(jī)械連接到下裸片墊。此外，在步驟320中，將第二軸向延伸引線電連接且機(jī)械連接到上裸片墊。在步驟330中，將半導(dǎo)體芯片焊料結(jié)合至下裸片墊。在步驟340中將焊料施加至芯片的上表面，并且在步驟350中將上裸片墊焊料結(jié)合至下裸片墊。最后，在步驟360利用封裝材料包封芯片和裸片墊。
[0026]圖4是示出了用于生產(chǎn)可軸向安裝裝置的工藝的另一示例的流程圖。該方法在步驟410開始，在步驟410時，將半導(dǎo)體芯片焊料結(jié)合至下裸片墊。在步驟420中將焊料施加至芯片的上表面，并且在步驟430中將上裸片墊焊料結(jié)合至下裸片墊。在步驟440中，將第一軸向延伸引線電連接且機(jī)械連接到下裸片墊。此外，在步驟450中，將第二軸向延伸引線電連接且機(jī)械連接到上裸片墊。最后，在步驟460中，用封裝材料包封芯片和裸片墊。
[0027]當(dāng)然，如前所述在其它實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片115與裸片墊120之間的結(jié)合以及半導(dǎo)體芯片115與裸片墊130之間的結(jié)合能夠同時形成。該方法的一個優(yōu)點(diǎn)是:用于將芯片115結(jié)合至裸片墊120的焊料可以具有與用于將芯片結(jié)合至裸片墊130的焊料相同的熔入、)曰_
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[0028]以上示例和公開內(nèi)容意圖是說明性的而非窮舉性的。這些示例和說明將為本領(lǐng)域技術(shù)人員建議許多變體和替代物。所有這些替代物和變體意圖被包含在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。熟知本技術(shù)的人員可以認(rèn)識到在此所描述的具體實(shí)施例的其它等同物，這些其它等同物也意圖被在此所附的權(quán)利要求所包含。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可軸向安裝裝置，包括: (a)半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括下電觸點(diǎn)和上電觸點(diǎn)； (b)下裸片墊，所述下裸片墊被電連接且機(jī)械連接到所述芯片的所述下電觸點(diǎn)； (C)上裸片墊，所述上裸片墊被電連接且機(jī)械連接到所述芯片的所述上電觸點(diǎn)； (d)第一軸向延伸電引線，所述第一軸向延伸電引線被電連接且機(jī)械連接到所述上裸片墊，并且所述第一軸向延伸電引線在第一軸向方向上延伸； (d)第二軸向延伸電引線，所述第二軸向延伸電引線被電連接且機(jī)械連接到所述下裸片墊，并且所述第二軸向延伸電引線在與所述第一軸向方向相反的第二軸向方向上延伸； (e)封裝材料，所述封裝材料包封所述半導(dǎo)體芯片、所述上裸片墊和所述下裸片墊以及所述第一軸向延伸引線和所述第二軸向延伸引線的一部分；并且 其中所述第一引線和所述第二引線從所述封裝材料延伸，并且所述第一引線和所述第二引線適于允許所述裝置與另一電部件軸向安裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述第一引線和所述第二引線沿著公共縱向軸線延伸，并且所述下裸片墊和所述上裸片墊在包括所述縱向軸線的平面中延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中通過焊料接頭將所述上裸片墊和所述下裸片墊分別連接到所述第一引線和所述第二引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中通過激光焊接將所述上裸片墊和所述下裸片墊分別連接到所述第一引線和所述第二引線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述上裸片墊在上平面中延伸，并且所述下裸片墊在下平面中延伸，其中所述上平面和所述下平面彼此平行且彼此偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可軸向安裝裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片位于所述上平面和所述下平面之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述封裝材料是具有圓柱形構(gòu)造的外殼。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可軸向安裝裝置，其中所述外殼具有與所述公共縱向軸線平行的圓柱軸線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述封裝材料是具有長方構(gòu)造的外殼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片是功率二極管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片是瞬態(tài)電壓抑制器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片是LED。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可軸向安裝裝置，其中將所述半導(dǎo)體芯片焊料結(jié)合至所述上裸片墊和所述下裸片墊。
14.一種形成可軸向安裝裝置的方法，包括: (a)將下裸片墊電連接且機(jī)械連接到半導(dǎo)體芯片的下電觸點(diǎn)； (b)將上裸片墊電連接且機(jī)械連接到所述半導(dǎo)體芯片的上電觸點(diǎn)； (C)將第一軸向延伸電引線電連接且機(jī)械連接到所述上裸片墊，所述第一引線在第一軸向方向上延伸； (d)將第二軸向延伸電引線電連接且機(jī)械連接到所述下裸片墊，所述第二引線在與所述第一軸向方向相反的第二軸向方向上延伸； (e)將所述半導(dǎo)體芯片、所述上裸片墊和所述下裸片墊以及所述第一軸向延伸引線和所述第二軸向延伸引線的一部分包封在封裝材料中；并且 其中所述第一引線和所述第二引線從所述封裝材料延伸，并且所述第一引線和所述第二引線適于允許所述裝置與另一電部件軸向安裝。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括:布置所述下裸片墊和所述上裸片墊，使得所述下裸片墊和所述上裸片墊在包括縱向軸線的平面中延伸，所述第一引線和所述第二引線在所述縱向軸線上延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括通過焊料接頭將所述上裸片墊和所述下裸片墊分別連接到所述第一引線和所述第二引線。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括通過激光焊接將所述上裸片墊和所述下裸片墊分別連接到所述第一引線和所述第二引線。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括:布置所述上裸片墊使得所述上裸片墊在上平面中延伸，并且布置所述下裸片墊使得所述下裸片墊在下平面中延伸，其中所述上平面和所述下平面彼此平行且彼此偏移。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括將所述半導(dǎo)體芯片定位在所述上平面和所述下平面之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述封裝材料是具有圓柱形構(gòu)造的外殼。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，進(jìn)一步包括:布置所述外殼的圓柱軸線，使得所述外殼的所述圓柱軸線平行于公共縱向軸線。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述封裝材料是具有長方構(gòu)造的外殼。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括:同時形成將所述上裸片墊和所述下裸片墊分別連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述上電觸點(diǎn)和所述下電觸點(diǎn)的所述焊料接頭。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括:在形成將所述上裸片墊連接至所述半導(dǎo)體芯片的上電觸點(diǎn)的所述焊料接頭之前，形成將所述下裸片墊連接至所述半導(dǎo)體芯片的所述下電觸點(diǎn)的所述焊料接頭。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中由具有比用于形成將所述上裸片墊連接至所述半導(dǎo)體芯片的所述上電觸點(diǎn)的所述焊料接頭的焊料高的熔合溫度的焊料形成將所述下裸片墊連接至所述下電觸點(diǎn)引線的所述焊料接頭。
【專利摘要】可軸向安裝裝置包括包含下和上電觸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片。將下裸片墊電連接且機(jī)械連接到芯片的下電觸點(diǎn)。將上裸片墊電連接且機(jī)械連接到芯片的上電觸點(diǎn)。第一軸向延伸電引線電連接且機(jī)械連接到上裸片墊并在第一軸向方向上延伸。第二軸向延伸電引線電連接且機(jī)械連接到下裸片墊并在與第一軸向方向相反的第二軸向方向上延伸。封裝材料包封半導(dǎo)體芯片、上和下裸片墊以及第一和第二軸向延伸引線的一部分。第一和第二引線從封裝材料延伸并適于允許該裝置與另一電部件軸向安裝。
【IPC分類】H01L23-48, H01L23-498
【公開號】CN104813467
【申請?zhí)枴緾N201280076976
【發(fā)明人】江挽瀾, 彭智平, 丁慧英
【申請人】威世通用半導(dǎo)體公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2012年12月18日
【公告號】EP2917936A1, US9041188, US20140131842, WO2014074120A1