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一種板間射頻同軸連接器的制造方法

文檔序號:8489270閱讀:202來源:國知局
一種板間射頻同軸連接器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設及一種連接器領(lǐng)域,具體說的是一種板間射頻同軸連接器。
【背景技術(shù)】
[0002] 板間射頻同軸連接器,即板對板射頻同軸連接器,用于電路板之間、電路板對射頻 模塊或射頻模塊之間的互連。通常由轉(zhuǎn)接器和分別連接至轉(zhuǎn)接器兩端的插頭構(gòu)成,插頭上 的內(nèi)外導體分別與轉(zhuǎn)接器上的內(nèi)外導體互相對接,實現(xiàn)兩者之間的同軸電氣連接,連接時, 連接器其中一段的內(nèi)部軸向上會產(chǎn)生一定的空氣間隙,空氣間隙會使板間射頻同軸連接器 內(nèi)部阻抗變大,導致阻抗不匹配,影響電壓駐波比,即直接影響電氣性能;而隨著連接器越 來越廣泛的使用,連接器與客戶器件的適配能力也必須相應提升。因此,如何提升板對板同 軸連接器的電氣性能,W及連接器所允許的軸向和徑向偏移量,一直是業(yè)內(nèi)不斷追求和改 進的方向。
[0003] 專利申請?zhí)枮?00810040848. 1的申請文件公開了一種射頻同軸連接器,如圖1所 示,包括插座和轉(zhuǎn)接器,轉(zhuǎn)接器的插頭內(nèi)設有一啞鈴型第一絕緣體,第一絕緣體填充在轉(zhuǎn)接 器的外導體和中屯、導體之間,啞鈴型第一絕緣體的中間部位比兩端部要細,從而第一絕緣 體的中間部位與轉(zhuǎn)接器的外導體之間形成一環(huán)型的空隙。
[0004] 上述的射頻同軸連接器所允許的最大軸向偏移量為2. 4mm,所具備的電氣性能有 限。在實際應用場景中,還是會對客戶器件的使用條件產(chǎn)生限制,導致無法適配,不利于推 廣使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種板間射頻同軸連接器,實現(xiàn)提高所允許 的軸向偏移量,同時具備更穩(wěn)定的電氣性能。
[0006] 為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0007] 一種板間射頻同軸連接器,包括插座和轉(zhuǎn)接器,所述插座與所述轉(zhuǎn)接器嵌套配 合;
[000引所述插座包括第一外導體、第一中屯、導體和第一絕緣體;所述第一中屯、導體同軸 設置在所述第一外導體內(nèi)部,所述第一絕緣體填充設置在所述第一外導體與第一中屯、導體 之間;
[0009] 所述轉(zhuǎn)接器包括第二外導體、第二中屯、導體和第二絕緣體,所述第二絕緣體為剖 面為T型的絕緣軸;所述第二外導體、絕緣軸和第二中屯、導體由外到內(nèi)依次同軸設置;所述 絕緣軸的頂端面與所述第一絕緣體相對;
[0010] 所述第二外導體的內(nèi)側(cè)壁和所述T型的絕緣軸的外側(cè)壁之間形成環(huán)型間隙;
[0011] 所述絕緣軸的頂端面到軸肩處的距離A在4~4. 5mm之間;
[0012] 所述絕緣軸的頂端面到軸肩處的外徑C在1. 85~1. 9mm之間。
[0013] 本發(fā)明的有益效果在于;本發(fā)明通過將轉(zhuǎn)接器內(nèi)填充設置在第二外導體與第二中 屯、導體之間的第二絕緣體設計為T型絕緣軸,從而在T型的絕緣軸與第二外導體之間形成 一低阻抗區(qū)域,互補被連接器件產(chǎn)生的高阻抗區(qū)域;當被連接的器件間距具有較大的軸向 公差時,將在與轉(zhuǎn)接器的接觸面產(chǎn)生較大的空氣間隙,從而在接觸面形成一高阻抗區(qū)域;而 在轉(zhuǎn)接器內(nèi)部,T型絕緣軸的外側(cè)壁將與第二外導體內(nèi)側(cè)壁之間形成一環(huán)型間隙,絕緣軸距 離A和外徑C的范圍大小決定了所形成的環(huán)型間隙,W及絕緣軸的底端將共同形成一低阻 抗區(qū)域,該一低阻抗區(qū)域比啞鈴型的第二絕緣體構(gòu)成的低阻抗區(qū)域更大;通過低阻抗區(qū)域 與高阻抗區(qū)域之間的阻抗互補,從而降低連接處的高阻抗區(qū)域?qū)Ρ贿B接器件造成的性能影 響。本發(fā)明相較啞鈴型的第二絕緣體,能夠被連接器件存在更大的軸向偏移量;在克服了被 連接器件存在的較大軸向公差的同時,又能實現(xiàn)被連接器件產(chǎn)品電氣性能和射頻性能的提 升。
【附圖說明】
[0014] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的板間射頻同軸連接器中啞鈴型轉(zhuǎn)接器絕緣體的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0015] 圖2為本發(fā)明一【具體實施方式】一種板間射頻同軸連接器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016] 圖3為本發(fā)明一【具體實施方式】T型的絕緣軸的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017] 標號說明:
[001引 1、插座;2、轉(zhuǎn)接器;
[0019] 11、第一外導體;12、第一中屯、導體;13、第一絕緣體;
[0020] 21、第二外導體;22、第二中屯、導體;23、第二絕緣體;24、絕緣軸;
[0021] 25、環(huán)型間隙。
【具體實施方式】
[0022] 為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果,W下結(jié)合實施方式并配合附 圖予W說明。
[0023] 本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于;通過轉(zhuǎn)接器內(nèi),在T型的絕緣軸與第二外導體之間形 成一低阻抗區(qū)域,互補被連接器件產(chǎn)生的高阻抗區(qū)域,實現(xiàn)兼容存在更大軸向偏移量的被 連接器件,同時提高連接器件的電氣性能。
[0024] 請參照圖1至圖3;
[0025] 如圖2和3所示,本發(fā)明提供一種板間射頻同軸連接器,包括插座1和轉(zhuǎn)接器2,所 述插座1與所述轉(zhuǎn)接器2嵌套配合;
[0026] 所述插座1包括第一外導體11、第一中屯、導體12和第一絕緣體13 ;所述第一中屯、 導體12同軸設置在所述第一外導體11內(nèi)部,所述第一絕緣體13填充設置在所述第一外導 體11與第一中屯、導體12之間;
[0027] 所述轉(zhuǎn)接器2包括第二外導體21、第二中屯、導體22和第二絕緣體23,所述第二絕 緣體23為剖面為T型的絕緣軸24 ;所述第二外導體21、絕緣軸24和第二中屯、導體22由外 到內(nèi)依次同軸設置;所述絕緣軸24的頂端面與所述第一絕緣體13相對;
[002引所述第二外導體21的內(nèi)側(cè)壁和所述T型的絕緣軸24的外側(cè)壁之間形成環(huán)型間隙 25 ;
[0029] 所述絕緣軸24的頂端面到軸肩處的距離A在4~4. 5mm之間;
[0030] 所述絕緣軸24的頂端面到軸肩處的外徑C在1. 85~1. 9mm之間。
[0031] 由上述描述可知,距離A的取值決定了所述T型絕緣軸24的長度大小;而外徑C 的取值范圍決定了所述T型絕緣軸24的外側(cè)壁與第二外導體21的內(nèi)側(cè)壁所形成的環(huán)型間 隙25的寬度大小,由距離A和外徑C共同決定了所述T型絕緣軸24與所述第二外導體21 之間形成的環(huán)型間隙25的空間大小;確定了所述環(huán)型間隙25所形成的低阻抗區(qū)域所產(chǎn)生 的阻抗值;距離A在4~4. 5mm之間和外徑C的取值范圍在1. 85~1. 9mm之間,能夠使所 述環(huán)型間隙25產(chǎn)生最佳的低阻抗范圍值,在該一范圍內(nèi),能夠靈活的適配不同軸向偏移量 的被連連接器件,使阻抗互補狀態(tài)達到最佳,最大限度的減少連接界面處由偏移量導致的 空氣間隙所引起的阻抗不匹配因素。
[0032] 從上述描述可知,本發(fā)明的有益效果在于;本發(fā)明T型的第二絕緣體23相較于啞 鈴型的第二絕緣體23,能夠在轉(zhuǎn)接器2內(nèi)形成更大區(qū)域的低阻抗區(qū)域,從而最大限度的降 低轉(zhuǎn)接器2與被連接器件的互連界面所形成的高阻抗區(qū)域。因此,本發(fā)明的板間射頻同軸 連接器相比現(xiàn)有技術(shù),能夠允許被連接器件存在更大的軸向偏移量;最大允許存在2. 6mm 的軸向偏移量,而啞鈴型第二絕緣體23的板件射頻同軸連接器最大只允許存在2. 4mm的軸 向偏移量,雖然二者只有0. 2mm的差距,但是對于被連接器件而言,該0. 2mm的軸向偏移量 便足夠顯著提升其電氣性能,使器件的頻率范圍從0~6GHz具備更好、更穩(wěn)定的電氣性能。
[0033] 具體的,本發(fā)明的板間射頻同軸連接器中轉(zhuǎn)接器2內(nèi)第二絕緣體23為T型的絕緣 軸24的設置,相較于現(xiàn)有技術(shù)啞鈴型絕緣體的設置,二者的電氣性能對比如下表1所示:
[0034]
【主權(quán)項】
1. 一種板間射頻同軸連接器,其特征在于:包括插座和轉(zhuǎn)接器,所述插座與所述轉(zhuǎn)接 器嵌套配合; 所述插座包括第一外導體、第一中心導體和第一絕緣體;所述第一中心導體同軸設置 在所述第一外導體內(nèi)部,所述第一絕緣體填充設置在所述第一外導體與第一中心導體之 間; 所述轉(zhuǎn)接器包括第二外導體、第二中心導體和第二絕緣體,所述第二絕緣體為剖面為 T型的絕緣軸;所述第二外導體、絕緣軸和第二中心導體由外到內(nèi)依次同軸設置;所述絕緣 軸的頂端面與所述第一絕緣體相對; 所述第二外導體的內(nèi)側(cè)壁和所述T型的絕緣軸的外側(cè)壁之間形成環(huán)型間隙; 所述絕緣軸的頂端面到軸肩處的距離A在4~4. 5_之間; 所述絕緣軸的頂端面到軸肩處的外徑C在1. 85~I. 9mm之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種板間射頻同軸連接器,其特征在于: 所述絕緣軸的底端面到軸肩處的距離B在0. 8~I. 3_之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種板間射頻同軸連接器,其特征在于: 所述絕緣軸的底端面到軸肩處的外徑D在3~3. Imm之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種板間射頻同軸連接器,其特征在于: 所述絕緣軸與所述第二外導體過盈配合; 所述第一絕緣體與所述第一外導體過盈配合。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種板間射頻同軸連接器,包括插座和轉(zhuǎn)接器,插座與轉(zhuǎn)接器嵌套配合;轉(zhuǎn)接器包括第二外導體、第二中心導體和第二絕緣體,第二絕緣體為剖面為T型的絕緣軸;第二外導體、絕緣軸和第二中心導體由外到內(nèi)依次同軸設置;絕緣軸的頂端面與第一絕緣體相對;第二外導體的內(nèi)側(cè)壁和T型的絕緣軸的外側(cè)壁之間形成環(huán)型間隙;絕緣軸的頂端面到軸肩處的距離A在4~4.5mm之間;絕緣軸的頂端面到軸肩處的外徑C在1.85~1.9mm之間。本發(fā)明能夠允許被連接器件存在更大的軸向偏移量,還能保證被連接器具備更好、更穩(wěn)定的射頻電氣性能,實現(xiàn)二者的兼容。
【IPC分類】H01R24-38, H01R24-50
【公開號】CN104810698
【申請?zhí)枴緾N201510185134
【發(fā)明人】常少國, 郭小剛
【申請人】深圳金信諾高新技術(shù)股份有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年4月17日
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