柔性基板及柔性顯示器件制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體器件制備技術領域，特別是涉及一種柔性基板及柔性顯示器件制備方法。
【背景技術】
[0002]柔性顯不器件，如AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting D1de，有源矩陣有機發(fā)光二極管)是新一代顯示面板，相比于一般的液晶面板，具有反應速度快、對比尚、視角廣的優(yōu)點。
[0003]柔性器件在制備過程中，有柔性基板、柔性TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)器件層、柔性OLED (Organic Light-Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)器件層等相關技術難點。其中，柔性基板要求良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性以及透光性。
[0004]傳統(tǒng)技術中，柔性基板多采用聚合物基板，如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)基板、PI (聚酰亞胺薄膜)基板等，這些基板需要增加多層復合保護膜來增加水氧阻擋效果，同時其耐溫特性不高對基板上的TFT器件層制備有一定挑戰(zhàn)性，需要改進TFT器件制備工藝。因此，需要一種柔性基板及柔性器件，能與傳統(tǒng)的TFT器件制備工藝相適應，并且保證基板的良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
【發(fā)明內容】
[0005]基于此，有必要提供一種柔性基板及柔性顯示器件制備方法，應用本發(fā)明技術方案，能在與傳統(tǒng)的TFT器件制備工藝相適應的同時，保證基板的良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
[0006]一種柔性基板制備方法，包括:
[0007]制備碳化硅薄膜；
[0008]在所述碳化娃薄膜上制備金屬薄膜；
[0009]對所述金屬薄膜進行刻蝕，形成金屬網(wǎng)格。
[0010]在一個實施例中，所述制備碳化硅薄膜的步驟，包括:
[0011]在襯底上旋涂1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C條件下進行熱烘
/VN O
[0012]在一個實施例中，所述在碳化硅薄膜上制備金屬薄膜的步驟，包括:
[0013]在所述碳化娃薄膜上采用蒸鍍或磁控派射的方式制備400?2000nm的金屬薄膜。
[0014]在一個實施例中，所述金屬薄膜的材質為銅、鎳、鋁、鏌、鈦中的一種。
[0015]在一個實施例中，所述金屬網(wǎng)格的鏤空圖形為方形、菱形或六邊形；所述金屬網(wǎng)格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
[0016]一種柔性顯示器件制備方法，包括:
[0017]制備柔性基板，所述制備柔性基板的步驟如前所述；
[0018]在所述柔性基板上制備TFT器件層；
[0019]在所述TFT器件層上制備OLED器件層、封裝層。
[0020]在一個實施例中，將所述柔性基板中的金屬網(wǎng)格與所述TFT器件層的柵極一體制備。
[0021]在一個實施例中，采用HTM或GTM曝光方式將金屬網(wǎng)格與柵極一體制備。
[0022]上述柔性基板及柔性顯示器件制備方法中，所制備的柔性基板中含有碳化硅薄膜，具有良好的化學穩(wěn)定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率，金屬網(wǎng)格具有良好的耐高溫優(yōu)點，并且具有透光性，相比于傳統(tǒng)技術中的基板制備技術，能夠與傳統(tǒng)的TFT器件制備工藝相適應的同時，保證基板的良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
【附圖說明】
[0023]圖1為一個實施例中的柔性基板制備方法的流程示意圖；
[0024]圖2為一個實施例中的柔性基板的結構示意圖；
[0025]圖3為一個實施例中的柔性顯示器件制備方法的流程示意圖；
[0026]圖4為一個實施例中的柔性顯示器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0028]參見圖1及圖2，在一個實施例中提供了一種柔性基板制備方法。該方法可以應用到半導體顯示器件，尤其是柔性顯示器件中的基板制備過程中。該方法包括:
[0029]步驟101，制備碳化硅薄膜。
[0030]具體的，本實施例中，如圖2，在襯底(如玻璃)上旋涂(Spin Coating) 1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C條件下進行熱烘。碳化硅薄膜具有良好的化學穩(wěn)定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率。
[0031]步驟102，在碳化硅薄膜上制備金屬薄膜。
[0032]具體的，在碳化硅薄膜上采用蒸鍍或磁控濺射的方式制備400?2000nm的金屬薄膜。金屬薄膜的材質可以為銅、鎳、鋁、鏌、鈦中的一種，優(yōu)選為鏌，成本較低，并且利于與后續(xù)TFT器件的柵極金屬一體制備。在本步驟中制備金屬薄膜，具有良好的耐高溫特性。
[0033]步驟103，對金屬薄膜進行刻蝕，形成金屬網(wǎng)格。
[0034]具體的，金屬薄膜具有良好的耐高溫特性，但不具備良好的透光率。如圖2，本步驟中對金屬薄膜進行刻蝕，形成金屬網(wǎng)格。金屬網(wǎng)格的鏤空圖形為方形、菱形或六邊形。調整金屬線條的寬度及鏤空圖形的大小，使金屬網(wǎng)格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
[0035]經(jīng)過上述步驟101?103，完成柔性基板的制備，后續(xù)可將柔性基板從襯底上剝離。
[0036]參見圖3及圖4，在一個實施例中提供了一種柔性顯示器件制備方法。該方法包括下列流程:
[0037]步驟301，制備柔性基板。
[0038]具體的，制備柔性基板的步驟可以參照步驟101?103。其具體過程不再贅述，所制備的柔性基板具有良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
[0039]步驟302，在柔性基板上制備TFT器件層。
[0040]具體的，采用步驟301中的柔性基板的制備步驟，可以與現(xiàn)有的TFT器件制備技術相適應，不必對TFT器件的制備工藝進行改進。并且進一步可以減少工藝流程，例如采用HTM(Half-Tone Mask)或GTM(Gray-Tone Mask)曝光方式，將柔性基板中的金屬網(wǎng)格與TFT器件層的柵極一體制備。TFT器件的其它部分可以參照傳統(tǒng)技術進行制備，例如依次制備柵極絕緣層、非晶硅層、源極漏極層、鈍化層、ITO等。
[0041]步驟303，在TFT器件層上制備OLED器件層、封裝層。
[0042]具體的，制備OLED器件層和封裝層，可以參照傳統(tǒng)技術。例如OLED器件層中包括電極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等。封裝層采用聚合物薄膜及多層保護膜等等。
[0043]上述實施例中的柔性基板及柔性顯示器件制備方法，所制備的柔性基板中含有碳化硅薄膜，具有良好的化學穩(wěn)定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率，金屬網(wǎng)格具有良好的耐高溫優(yōu)點，并且具有透光性，相比于傳統(tǒng)技術中的基板制備技術，能夠與傳統(tǒng)的TFT器件制備工藝相適應的同時，保證基板的良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
[0044]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種柔性基板制備方法，其特征在于，包括: 制備碳化硅薄膜； 在所述碳化娃薄膜上制備金屬薄膜； 對所述金屬薄膜進行刻蝕，形成金屬網(wǎng)格。
2.根據(jù)權利要求1所述的柔性基板制備方法，其特征在于，所述制備碳化硅薄膜的步驟，包括: 在襯底上旋涂1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C條件下進行熱烘。
3.根據(jù)權利要求1所述的柔性基板制備方法，其特征在于，所述在碳化硅薄膜上制備金屬薄膜的步驟，包括: 在所述碳化娃薄膜上采用蒸鍍或磁控派射的方式制備400?2000nm的金屬薄膜。
4.根據(jù)權利要求3所述的柔性基板制備方法，其特征在于，所述金屬薄膜的材質為銅、鎳、鋁、鏌、鈦中的一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的柔性基板制備方法，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格的鏤空圖形為方形、菱形或六邊形；所述金屬網(wǎng)格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
6.一種柔性顯示器件制備方法，其特征在于，包括: 制備柔性基板，所述制備柔性基板的步驟為權利要求1至5任一項所述； 在所述柔性基板上制備TFT器件層； 在所述TFT器件層上制備OLED器件層、封裝層。
7.根據(jù)權利要求6所述的柔性顯示器件制備方法，其特征在于，將所述柔性基板中的金屬網(wǎng)格與所述TFT器件層的柵極一體制備。
8.根據(jù)權利要求7所述的柔性顯示器件制備方法，其特征在于，采用HTM或GTM曝光方式將金屬網(wǎng)格與柵極一體制備。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柔性基板制備方法，包括：制備碳化硅薄膜；在所述碳化硅薄膜上制備金屬薄膜；對所述金屬薄膜進行刻蝕，形成金屬網(wǎng)格。本發(fā)明還公開了一種柔性顯示器件制備方法。應用本發(fā)明技術方案，能在與傳統(tǒng)的TFT器件制備工藝相適應的同時，保證基板的良好的熱穩(wěn)定性、水汽阻擋特性和透光性。
【IPC分類】H01L51-56, H01L27-32, H01L21-77
【公開號】CN104752487
【申請?zhí)枴緾N201510108575
【發(fā)明人】劉海燕, 任思雨, 蘇君海, 李建華
【申請人】信利（惠州）智能顯示有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2015年3月12日