縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種喇叭天線，尤其是一種縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線。
【背景技術(shù)】
[0002]采用疊層三維多芯片(3D-MCM)技術(shù)，可以把一個射頻系統(tǒng)集成在一個三維疊層封裝內(nèi)，為此也需要把天線集成在封裝上。通常是在封裝的表面集成天線，例如把貼片天線集成在封裝的最上面。但是有時會需要把天線集成在封裝中間的一個夾層以滿足系統(tǒng)的需要。如果在封裝內(nèi)部夾層中集成喇叭天線就可以實現(xiàn)上述要求。但是，通常喇叭天線是非平面的，與平面電路工藝的不兼容、具有的較大的幾何尺寸，從而限制了其在封裝結(jié)構(gòu)上的應(yīng)用。近年來，基于基片集成波導(dǎo)技術(shù)發(fā)展的基片集成波導(dǎo)喇叭天線具有尺寸小、重量輕、易于平面集成的特點，但傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)喇叭天線的增益相對比較低，其原因在于由于喇叭口不斷的張開，導(dǎo)致電磁波傳播到喇叭口徑面時出現(xiàn)相位不同步，口徑電場強度的相位分布不均勻，輻射方向性和增益降低。目前已有采用介質(zhì)加載、介質(zhì)棱鏡等方法，矯正喇叭口徑面相位的不同步，但是這些相位校準結(jié)構(gòu)增加了天線的整體結(jié)構(gòu)尺寸，不適合集成到封裝內(nèi)部夾層。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]技術(shù)問題:本發(fā)明的目的是提出一種縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線，在該喇叭天線上下兩個平行的金屬面上，有多條縫隙以矯正天線口徑面上電磁波的相位不一致，同時避免口徑面縫隙引起的場強不均勻、增加有效輻射面積，提高三維封裝夾層天線的口徑效率和增益。
[0004]技術(shù)方案:本發(fā)明的一種縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線包括設(shè)置在介質(zhì)基板上的微帶饋線、基片集成波導(dǎo)喇叭天線和縫隙，介質(zhì)基板在三維封裝的內(nèi)層；所述微帶饋線通過共面波導(dǎo)與三維封裝的內(nèi)部電路相連；基片集成波導(dǎo)喇叭天線由位于介質(zhì)基板一面的底面金屬平面、位于介質(zhì)基板另一面的頂面金屬平面和穿過介質(zhì)基板連接底面金屬平面頂面金屬平面的金屬化過孔喇叭側(cè)壁組成；基片集成波導(dǎo)喇叭天線由窄截面波導(dǎo)和喇叭形波導(dǎo)串接構(gòu)成；窄截面波導(dǎo)的一端是微帶饋線，底面金屬平面與微帶饋線的接地面連接，窄截面波導(dǎo)的另一端與喇叭形波導(dǎo)相連，喇叭形波導(dǎo)的一端是天線口徑面；基片集成波導(dǎo)喇叭天線中的底面金屬平面和頂面金屬平面均有數(shù)條縫隙，縫隙的長度大于一個波長，這些縫隙在基片集成波導(dǎo)喇叭天線的內(nèi)部形成多個子喇叭；縫隙的一端朝著微帶饋線的方向，縫隙的另一端靠近但不到天線口徑面；
[0005]所述的縫隙的形狀是曲線，不同縫隙的寬度可以是不同的，每條縫隙的寬度可以是不均勻的；
[0006]所述的一條或數(shù)條縫隙中，調(diào)整相鄰兩條縫隙之間的距離、或者調(diào)整一條縫隙與基片集成波導(dǎo)喇叭天線O側(cè)壁金屬化過孔之間的距離、或者改變一條或者多條縫隙的長度，能夠使得到達天線的口徑面上電磁波相位分布更均勻，或者使得到達天線的口徑面上電磁波相位按照需要分布；調(diào)節(jié)某條縫隙的寬度，可以改變該條縫隙兩邊的子喇叭中電磁波的相速，能夠使得到達天線的口徑面上電磁波相位分布更均勻，或者使得到達天線的口徑面上電磁波相位按照需要分布。
[0007]所述的微帶饋線的一端與喇叭天線相連，微帶饋線的另一端靠近封裝側(cè)面，是天線的輸入輸出端口；微帶饋線通過天線輸入輸出端口與封裝側(cè)面的共面波導(dǎo)的一端相連，共面波導(dǎo)的另一端與封裝內(nèi)部電路相連。
[0008]所述的相鄰兩條縫隙之間的距離要保證電磁波可以傳輸而不被截止。
[0009]所述的金屬化過孔喇叭側(cè)壁中，相鄰的兩個金屬化過孔的間距要小于或等于工作波長的十分之一，使得構(gòu)成的金屬化過孔喇叭側(cè)壁能夠等效為電壁。
[0010]所述的縫隙離天線口徑面的距離約為半個波長。
[0011]在基片集成波導(dǎo)喇叭天線的底面金屬平面上的縫隙與頂面金屬平面上的縫隙一一對應(yīng)，在基片集成波導(dǎo)喇叭天線底面金屬平面上的縫隙與頂面金屬平面上的縫隙的形狀一樣、數(shù)量相等，底面金屬平面上的縫隙在底面金屬平面上的位置與頂面金屬平面上的縫隙在頂面金屬平面上的位置一樣。
[0012]在基片集成波導(dǎo)喇叭的底面金屬平面和頂面金屬平面上的縫隙，把基片集成波導(dǎo)喇叭分成數(shù)個子喇叭。在子喇叭中電磁波的傳播相速都與子喇叭的寬度有關(guān)，子喇叭的寬度越寬，其中電磁波的傳播相速就越低；反之，子喇叭的寬度越窄，電磁波的傳播相速就越高。來自封裝內(nèi)部電路的電磁波信號經(jīng)過三維封裝側(cè)面的共面波導(dǎo)進入天線輸入輸出端口，再通過微帶饋線進入到基片集成波導(dǎo)喇叭天線，在向天線的口徑面方向傳播一段距離后，遇到一條或者數(shù)條縫隙，就分成兩路或者多路，進入子喇叭傳播，再通過子喇叭，然后再到達天線的口徑面；在天線口徑面上的電磁波，是通過不同子喇叭到達的，而且各路經(jīng)過的路徑長度有差異，到達天線口徑面的邊緣的電磁波所經(jīng)過的路程較遠，但經(jīng)過的子喇叭的寬度較窄，電磁波的相速較快；而到達天線口徑面中心附近的電磁波所經(jīng)過路程較近，但經(jīng)過的子喇叭的寬度較寬，電磁波的相速較慢。這樣通過不同子喇叭到達天線口徑面電磁波的相位保持一致，就達到提高天線增益的目的。同理也可以按照需要在天線的口徑面實現(xiàn)特定的相位分布。
[0013]另外如果縫隙到口徑面上，由于縫隙內(nèi)部的場強相對縫隙兩邊的場強要小一些，特別是縫隙比較寬時更是如此，這樣導(dǎo)致天線口徑面上縫隙所在的區(qū)域場強比較小，使得場強發(fā)布不均勻；但縫隙離口徑面有一定距離，就可以避免上述問題，這樣口徑面的場強分布也相對更均勻以及天線的有效輻射面積也變大。
[0014]有益效果:本發(fā)明縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線的有益效果是，可以按照需要在天線的口徑面實現(xiàn)特定的相位分布，也可提高天線口徑面上電磁波的相位的一致性，避免了縫隙引起的幅度不均勻，從而提高了三維封裝夾層天線的口徑效率和增益。
【附圖說明】
[0015]圖1為縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線的三維封裝整體結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖2為縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線反面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖中有:微帶饋線1、基片集成波導(dǎo)喇叭天線2、縫隙3、介質(zhì)基板4、三維封裝5，天線輸入輸出端口 6、共面波導(dǎo)7、內(nèi)部電路8、底面金屬平面9、頂面金屬平面10、金屬化過孔喇叭側(cè)壁11、天線的口徑面12、天線的窄截面波導(dǎo)13、天線的喇叭形波導(dǎo)14、接地面15和子喇叭16。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0020]本發(fā)明所采用的實施方案是:縫隙內(nèi)嵌相位校準的封裝夾層天線包括設(shè)置在介質(zhì)基板4上的微帶饋線1、基片集成波導(dǎo)喇叭天線2和縫隙3，介質(zhì)基板4在三維封裝5的內(nèi)層；所述微帶饋線I通過共面波導(dǎo)7與三維封裝5的內(nèi)部電路8相連；基片集成波導(dǎo)喇叭天線2由位于介質(zhì)基板4 一面的底面金屬平面9、位于介質(zhì)基板4另一面的頂面金屬平面10和穿過介質(zhì)基板4連接底面金屬平面9頂面金屬平面10的金屬化過孔喇叭側(cè)壁11組成；基片集成波導(dǎo)喇叭天線2由窄截面波導(dǎo)13和喇叭形波導(dǎo)14串接構(gòu)成；窄截面波導(dǎo)13的一端是微帶饋線1，底面金屬平面9與微帶饋線I的接地面15連接，窄截面波導(dǎo)13的另一端與喇叭形波導(dǎo)14相連，喇叭形波導(dǎo)14的一端是天線口徑面12 ;基片集成波導(dǎo)喇叭天線2中的底面金屬平面9和頂面金屬平面10均有數(shù)條縫隙3，縫隙3的長度大于一個波長，這些縫隙3在基片集成波導(dǎo)喇叭天線2的內(nèi)部形成多個子喇叭16 ;縫隙3的一端朝著微帶饋線I的方向，縫隙3的另一端靠近但不到天線口徑面12 ;
[0021]所述的縫隙3的形狀是曲線，不同縫隙3的寬度可以是不同的，每條縫隙3的寬度可以是不均勻的；
[0022]所述的一條或數(shù)條縫隙3中，調(diào)整相鄰兩條縫隙3之間的距離、或者調(diào)整一條縫隙3與基片集成