亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

發(fā)光二極管封裝體的制造方法

文檔序號:8414216閱讀:223來源:國知局
發(fā)光二極管封裝體的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體元件,特別涉及一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法。
【背景技術】
[0002] 傳統(tǒng)的發(fā)光二級管封裝體的制造方法包括如下步驟:提供多個發(fā)光二極管晶粒及 一表面平整的基板;將這些發(fā)光二極管晶粒并排且間隔的設置的基板的一側表面;向基板 噴涂混合有熒光粉的膠體,并使這些膠體形成包括發(fā)光晶粒表面的熒光層;通過切割的方 式,切割相鄰發(fā)光二極管晶粒之間的熒光層,從而形成多個發(fā)光二極管封裝體。然而,切割 工藝成本較高并且浪費工時,因此,如何有效降低制造成本、縮短工時成為業(yè)界函待解決的 一個技術問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此,有必要提供一種制程簡單的發(fā)光二極管封裝體的制造方法。
[0004] -種發(fā)光二極管封裝體的制造方法,包括以下步驟: 提供載板,所述載板包括主體部及自主體部一側表面間隔凸伸的多個承載部,相鄰的 承載部之間形成有容置槽; 提供發(fā)光二極管晶粒,并將發(fā)光二極管晶粒分別設置在承載部遠離主體部的頂面; 提供裝有熒光膠的點膠機,使所述點膠機朝向承載部噴涂熒光膠,直至熒光膠完全包 裹發(fā)光二極管的外表面而形成熒光層,然后快速烘干所述熒光層,多余的熒光膠自發(fā)光二 極管晶粒的外表面流入容置槽中; 剝離位于承載部上的發(fā)光二極管封裝體。
[0005] 本發(fā)明中,因發(fā)光二極管晶粒位于自主體部凸伸的承載部頂面并且承載部之間設 置有容置槽,所以在噴涂熒光膠的過程中,當發(fā)光二極管晶粒的外表面被熒光膠完全包裹 后,多余的熒光膠可自發(fā)光二極管晶粒的外表面流入容置槽中而使位于各個承載部上的熒 光層是斷開設置,因此,同時制成的多個發(fā)光二極管封裝體之間無需晶粒切割熒光層的過 程,簡化了制造過程,縮短了制造工時。
【附圖說明】
[0006] 圖1是本發(fā)明中發(fā)光二極管封裝體的制造方法的流程圖。
[0007] 圖2為發(fā)光二極管封裝體制造過程中載板的正視圖。
[0008] 圖3是圖2中載板的俯視圖。
[0009] 圖4是將發(fā)光二極管晶粒放置于載板上的示意圖。
[0010] 圖5是發(fā)光二極管封裝體制造過程中噴涂熒光膠的示意圖。
[0011] 圖6是剝離發(fā)光二極管封裝體的示意圖。
[0012] 圖7是發(fā)光二極管封裝體的示意圖。
[0013] 主要元件符號說明
【主權項】
1. 一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法,包括以下步驟: 提供載板,所述載板包括主體部及自主體部一側表面間隔凸伸的多個承載部,相鄰的 承載部之間形成有容置槽; 提供發(fā)光二極管晶粒,并將發(fā)光二極管晶粒分別設置在承載部遠離主體部的頂面; 提供裝有熒光膠的點膠機,使所述點膠機朝向承載部噴涂熒光膠,直至熒光膠完全包 裹發(fā)光二極管的外表面而形成熒光層,然后快速烘干所述熒光層,多余的熒光膠自發(fā)光二 極管晶粒的外表面流入容置槽中; 剝離位于承載部上的發(fā)光二極管封裝體。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:發(fā)光二極管的尺 寸小于承載部的頂面的尺寸而位于承載部頂面的中部。
3. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:發(fā)光二極管晶粒 的高度遠小于容置槽的深度。
4. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:在將發(fā)光二極管 晶粒放置于承載部之前,在每一承載部的頂面設置薄膜,所述發(fā)光二極管晶粒設置于所述 薄膜上,剝離時,直接撕扯薄膜的一側。
5. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:在噴涂熒光膠的 過程中,在重力的作用下,熒光層分別形成位于發(fā)光二極管晶粒發(fā)光角中部的第一熒光區(qū) 及位于發(fā)光二極管晶粒發(fā)光角邊緣的第二熒光區(qū),其中第一熒光區(qū)的厚度小于第二熒光區(qū) 的厚度。
6. 如權利要求5所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:所述第一熒光區(qū) 的各處厚度相等,位于發(fā)光二極管晶粒的頂面及與頂面相連的側面的上端,第二熒光區(qū)的 各處厚度相等,位于發(fā)光二極管晶粒側面的下端。
7. 如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:所述第一熒光區(qū) 的縱截面呈U形,第二熒光區(qū)的縱截面呈方形。
8. 如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法,其特征在于:第二熒光區(qū)自第 一突光區(qū)的底端向外延伸形成。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法,包括以下步驟:提供載板,所述載板包括主體部及自主體部一側表面間隔凸伸的多個承載部,相鄰的承載部之間形成有容置槽;提供發(fā)光二極管晶粒,并將發(fā)光二極管晶粒分別設置在承載部遠離主體部的頂面;提供裝有熒光膠的點膠機,使所述點膠機朝向承載部噴涂熒光膠,直至熒光膠完全包裹發(fā)光二極管的外表面而形成熒光層,然后快速烘干所述熒光層,多余的熒光膠自發(fā)光二極管晶粒的外表面流入容置槽中;剝離位于承載部上的發(fā)光二極管封裝體。
【IPC分類】H01L33-50, H01L33-48
【公開號】CN104733585
【申請?zhí)枴緾N201310718473
【發(fā)明人】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年12月24日
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1