具有模塑通孔的半導(dǎo)體器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言，涉及具有模塑通孔的半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]器件制造商不斷地面臨的挑戰(zhàn)是通過例如提供具有高品質(zhì)性能的集成電路給用戶帶來價值和方便。一些集成電路包括通過不同工藝形成的多微機電系統(tǒng)或芯片封裝件。這些類型的集成電路經(jīng)常出現(xiàn)故障，因為芯片封裝件并未在共同的條件下形成的，并且一個芯片封裝件的操作性能與另一個芯片封裝件的操作性能相比是未知的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括:共晶接合覆蓋晶圓和基底晶圓以形成晶圓封裝件，其中，所述基底晶圓包括第一芯片封裝件部分、第二芯片封裝件部分和第三芯片封裝件部分，以及所述覆蓋晶圓包括多個隔離溝槽，所述多個隔離溝槽配置為與所述第一芯片封裝件部分、所述第二芯片封裝件部分和所述第三芯片封裝件部分中的一個的相應(yīng)的溝槽區(qū)基本上對準，所述覆蓋晶圓還包括多個分離溝槽，相對于所述覆蓋晶圓的相同表面，所述多個分離溝槽的深度比所述多個隔離溝槽的隔離溝槽的深度更大；去除所述覆蓋晶圓的一部分以暴露第一芯片封裝件部分接觸件、第二芯片封裝件部分接觸件和第三芯片封裝件部分接觸件，所述第一芯片封裝件部分接觸件、所述第二芯片封裝件部分接觸件和所述第三芯片封裝件部分接觸件與所述多個分離溝槽的相應(yīng)的分離溝槽對準；分離所述晶圓封裝件以將所述晶圓封裝件分離成配置以實施第一操作的第一芯片封裝件、配置以實施第二操作的第二芯片封裝件和配置以實施第三操作的第三芯片封裝件，所述第一芯片封裝件包括所述第一芯片封裝件部分，所述第二芯片封裝件包括所述第二芯片封裝件部分，并且所述第三芯片封裝件包括所述第三芯片封裝件部分；以及將所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件放置在襯底上。
[0004]在上述方法中，還包括:使用模塑料將所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件接合在一起；形成穿過所述模塑料的多個模塑通孔，所述多個模塑通孔暴露所述第一芯片封裝件部分接觸件、所述第二芯片封裝件部分接觸件和所述第三芯片封裝件部分接觸件；在所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件上方、所述模塑料的至少一部分上方和所述多個模塑通孔中形成再分布層；在所述模塑料和所述再分布層上方形成絕緣層；以及在所述絕緣層中形成暴露所述再分布層的至少一部分的多個開口。
[0005]在上述方法中，還包括:在所述多個開口中形成多個凸塊下層；以及在所述凸塊下層上方形成多個焊料凸塊。
[0006]在上述方法中，其中，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件獨立地選自加速度計、陀螺儀和壓力傳感器。
[0007]在上述方法中，還包括:在接合所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件之前，將CMOS芯片封裝件部分放置在所述襯底上，并且使用所述模塑料將CMOS芯片封裝件、所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件接合在一起，其中，所述多個模塑通孔包括暴露所述CMOS芯片封裝件部分的接觸件的模塑通孔，并且所述再分布層也形成在所述CMOS芯片封裝件部分上方和與所述CMOS芯片封裝件部分相關(guān)的所述模塑通孔中。
[0008]在上述方法中，還包括:去除所述襯底。
[0009]在上述方法中，其中，在將所述第一芯片封裝件部分、所述第二芯片封裝件部分和所述第三芯片封裝件部分的一個或多個放置在所述襯底上之前，將粘合層放置在所述襯底上，并且通過從所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件或所述第三芯片封裝件的一個或多個剝離所述粘合層去除所述襯底。
[0010]在上述方法中，其中，所述襯底是CMOS芯片封裝件部分，所述多個模塑通孔包括暴露所述CMOS芯片封裝件部分的接觸件的模塑通孔，所述再分布層也形成在所述CMOS芯片封裝件部分上方和與所述CMOS芯片封裝件部分相關(guān)的所述模塑通孔中，并且使用所述模塑料將CMOS芯片封裝件、所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件接合在一起。
[0011]在上述方法中，還包括在將所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件放置在所述襯底上之前，將環(huán)氧化物應(yīng)用至所述CMOS芯片封裝件部分，所述環(huán)氧化物能夠?qū)⑺龅谝恍酒庋b件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件接合至所述CMOS芯片封裝件部分。
[0012]在上述方法中，其中，通過所述絕緣層密封所述多個模塑通孔。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:第一芯片封裝件，配置以實施第一操作，所述第一芯片封裝件包括第一芯片封裝件部分，所述第一芯片封裝件部分包括:基底晶圓的第一基底晶圓部分；以及覆蓋晶圓的第一覆蓋晶圓部分，所述第一覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第一基底晶圓部分；第二芯片封裝件，配置以實施第二操作，所述第二芯片封裝件包括第二芯片封裝件部分，所述第二芯片封裝件部分包括:所述基底晶圓的第二基底晶圓部分；以及所述覆蓋晶圓的第二覆蓋晶圓部分，所述第二覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第二基底晶圓部分；第三芯片封裝件，配置以實施第三操作，所述第三芯片封裝件包括第三芯片封裝件部分，所述第三芯片封裝件部分包括:所述基底晶圓的第三基底晶圓部分；以及所述覆蓋晶圓的第三覆蓋晶圓部分，所述第三覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第三基底晶圓部分；CM0S芯片封裝件，所述CMOS芯片封裝件與所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件的至少一個基本上相鄰；以及模塑料層，將所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件、所述第三芯片封裝件和所述CMOS芯片封裝件接合在一起，所述模塑料層中具有暴露第一芯片封裝件部分接觸件、第二芯片封裝件部分接觸件、第三芯片封裝件部分接觸件和CMOS芯片封裝件接觸件的多個模塑通孔，其中，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件是衍生自所述覆蓋晶圓和所述基底晶圓的分離的組件。
[0014]在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件獨立地選自加速度計、陀螺儀和壓力傳感器。
[0015]在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件獨立地選自ASIC、高真空壓力器件和低真空壓力器件。
[0016]在上述半導(dǎo)體器件中，還包括:再分布層，位于所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件、所述第三芯片封裝件和所述CMOS芯片封裝件上方以及所述多個模塑通孔中；絕緣層，位于模塑料上方；多個開口，位于所述絕緣層中，暴露所述再分布層；以及多個導(dǎo)電元件，位于所述多個開口中。
[0017]在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述導(dǎo)電元件包括凸塊下層和焊料凸塊。
[0018]在上述半導(dǎo)體器件中，其中，所述導(dǎo)電元件包括導(dǎo)電柱。
[0019]在上述半導(dǎo)體器件中，其中，通過所述絕緣層密封所述多個模塑通孔。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:第一芯片封裝件，配置以實施第一操作，所述第一芯片封裝件包括第一芯片封裝件部分，所述第一芯片封裝件部分包括:基底晶圓的第一基底晶圓部分；及覆蓋晶圓的第一覆蓋晶圓部分，所述第一覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第一基底晶圓部分；第二芯片封裝件，配置以實施第二操作，所述第二芯片封裝件包括第二芯片封裝件部分，所述第二芯片封裝件部分包括:所述基底晶圓的第二基底晶圓部分；以及所述覆蓋晶圓的第二覆蓋晶圓部分，所述第二覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第二基底晶圓部分；第三芯片封裝件，配置以實施第三操作，所述第三芯片封裝件包括第三芯片封裝件部分，所述第三芯片封裝件部分包括:所述基底晶圓的第三基底晶圓部分；以及所述覆蓋晶圓的第三覆蓋晶圓部分，所述第三覆蓋晶圓部分共晶接合至所述第三基底晶圓部分；CM0S芯片封裝件，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件放置在所述CMOS芯片封裝件上；以及模塑料層，將所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件、所述第三芯片封裝件和所述CMOS芯片封裝件接合在一起，所述模塑料層具有在其中的多個模塑通孔，所述多個模塑通孔暴露第一芯片封裝件部分接觸件、第二芯片封裝件部分接觸件、第三芯片封裝件部分接觸件和CMOS芯片封裝件接觸件，其中，所述第一芯片封裝件、所述第二芯片封裝件和所述第三芯片封裝件是衍生自所述覆蓋晶圓和所述基底晶圓的分離的組件。
[0021]在上述半導(dǎo)