一種反射電極及其制備方法和應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種反射電極及其制備方法W及在有機(jī) 發(fā)光二極管和有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管(英文全稱為化ganic Li曲t-Emitting Diode,簡稱為0L邸)是主 動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)有平板顯示技術(shù)中薄膜晶體管液晶顯示器(英文全稱Liquid化ystal Display,簡稱LCD)、等離子體顯示面板(英文全稱Plasma Display Panel,簡稱PDP)，使用 有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有高對比度、廣視角、低功耗、體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有 望成為下一代主流平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003] 有機(jī)發(fā)光顯示裝置按照出光方式分為底發(fā)射裝置和頂發(fā)射裝置。底發(fā)射裝置的陽 極一般選用功函數(shù)高(大于4. 5eV)且透明的導(dǎo)電材料制備，如透明的鋼錫氧化物（IT0)或 鋼鋒氧化物（IZ0)等，由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光相繼經(jīng)過透明陽極和透明基板射出。該 裝置中，由于像素電路和顯示區(qū)域要同時(shí)制作在透明基板上，導(dǎo)致顯示區(qū)域面積相對減小， 顯示屏的開口率降低。與底發(fā)射裝置相比，頂發(fā)射裝置的陰極選用功函數(shù)低且透明的材料 制備，使得有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光可W從陰極射出，像素電路等可W制作在顯示區(qū)域的 下方，從而避免了驅(qū)動(dòng)電路與顯示區(qū)域互相競爭的問題，使得顯示裝置的開口率大大提高， 具有更高的分辨率。
[0004] 在頂發(fā)射裝置中，為了得到更高的發(fā)光效率，要求陽極為不僅具有較高的功函數(shù) 而且還具有高反射率的反射電極。功函數(shù)高的導(dǎo)電材料主要包括&、Mo、Ni、Pt等金屬W 及ITO、ZnO等金屬氧化物，但該些導(dǎo)電材料的反射率同側(cè)很低，用做陽極時(shí)發(fā)射光的損耗 較大，嚴(yán)重影響顯示裝置的發(fā)光效率。而反射率高達(dá)90% W上的導(dǎo)電材料，如A1、Ag W及他 們的合金等，由于功函數(shù)值較低，不易與發(fā)光層的最高分子占有軌道（HOMO)的能級相匹配， 空穴注入能障過高，嚴(yán)重影響有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效率。另外，功函數(shù)較低的金屬材料 在大氣中的穩(wěn)定性差，極易被氧化或腐蝕剝離。
[0005] 為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中常采用具有高功函數(shù)值的透明導(dǎo)電材料層夾合具有 高反射率的導(dǎo)電材料層構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)作為陽極(參見中國專利CN101540377A)。但是，采用 濕法刻蝕對上述陽極進(jìn)行圖案化時(shí)，由于功函數(shù)高的導(dǎo)電材料與高反射率的導(dǎo)電材料刻蝕 速率相差極大，高反射率的導(dǎo)電材料極易出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象。如圖1所示，使得表層的功函數(shù) 較高的透明導(dǎo)電材料層發(fā)生向上卷曲現(xiàn)象（圖中方框所示部分），由于有機(jī)發(fā)光二極管中 的發(fā)光層很薄，向上卷曲的導(dǎo)電層極易使得陽極與陰極發(fā)生短路的；而且，表層的功函數(shù)較 高的透明導(dǎo)電材料層發(fā)生向上卷曲后，高反射率的導(dǎo)電材料層的邊緣就會暴露在空氣中， 極易受化和&0的侵蝕。
[0006] 針對上述問題，中國專利CN100472839C公開一種層疊結(jié)構(gòu)及其制造方法及顯示 元件和顯示單元，其中，使用干法刻蝕工藝可W有效避免刻蝕邊緣形貌惡化的問題。但是， 現(xiàn)代化的干法刻蝕設(shè)備包括復(fù)雜的機(jī)械、電氣和真空裝置，同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢 測和控制裝置，設(shè)備成本高昂；而且正如該專利文獻(xiàn)所述，刻蝕時(shí)產(chǎn)生的金屬氯化物等高阻 反應(yīng)物若不能完全清除，極易影響電極的導(dǎo)電性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中作為反射電極的陽極在圖案化的過程中刻 蝕邊緣易劣化或制備成本高、導(dǎo)電性能不穩(wěn)定的問題，提供一種性能穩(wěn)定、制備成本低的反 射電極及其制備方法。
[000引為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：
[0009] 本發(fā)明所述的一種反射電極，包括依次堆疊設(shè)置在襯底上的第一導(dǎo)電層、導(dǎo)電反 射層和第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層完全包覆所述導(dǎo)電反射層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的表面 W及所述導(dǎo)電反射層的側(cè)邊；所述第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層的透光度大于85%。
[0010] 所述第二導(dǎo)電層完全包覆所述第一導(dǎo)電層的側(cè)邊，并與所述襯底相接觸。
[0011] 所述襯底是平面襯底或曲面襯底，所述襯底表面設(shè)置有凸起或凹槽，所述第一導(dǎo) 電層直接形成在所述襯底上，并與所述凸起或所述凹槽表面形狀相適配。
[0012] 所述第一導(dǎo)電層的功函數(shù)為4. 5~5. 5eV，所述第二導(dǎo)電層的功函數(shù)為4. 5~ 5. 5eV;所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層分別獨(dú)立選自鋼、錫、鋒、鉛中至少一種形成的導(dǎo) 電氧化物層或者媒、金、笛及其合金中的一種或多種所形成的導(dǎo)電層。
[0013] 所述導(dǎo)電反射層的反射率大于90%，所述導(dǎo)電反射層為銀、鉛及其合金中的一種或 多種形成的一層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0014] 所述第一導(dǎo)電層的厚度為70~200A，所述第二導(dǎo)電層的厚度為70~200A，所述 導(dǎo)電反射層的厚度為800~2000A。
[0015] 本發(fā)明所述的一種反射電極的制備方法，包括如下步驟：
[0016] S1、在襯底的垂直方向上依次形成由第一導(dǎo)電層材料制得的膜層和由導(dǎo)電反射層 材料制得的膜層；
[0017] S2、采用濕法刻蝕工藝對步驟S1中所制得的兩層膜層進(jìn)行圖案化，得到第一導(dǎo)電 層和導(dǎo)電反射層；
[0018] S3、在步驟S2中所制得的導(dǎo)電反射層上直接形成由第二導(dǎo)電層材料制得的膜層， 所述膜層在長度方向和寬度方向上的尺寸均大于步驟S2中所制得的導(dǎo)電反射層的尺寸；
[0019] S4、采用濕法刻蝕工藝對步驟S3中制得的膜層進(jìn)行圖案化，形成完全包覆所述導(dǎo) 電反射層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的表面W及導(dǎo)電反射層的側(cè)邊的第二導(dǎo)電層。
[0020] 根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種反射電極的制備方法，其特征在于，步驟S1中形成所 述由第一導(dǎo)電層材料制得的膜層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布、化學(xué)氣相沉積、噴霧熱分解或姍射。
[0021] 步驟S1中形成由導(dǎo)電反射層材料制得的膜層的方法包括蒸鍛或姍射。
[0022] 步驟S3中形成由第二導(dǎo)電層材料制得的膜層的方法包括溶膠凝膠、化學(xué)氣相沉 積、噴霧熱分解或姍射。
[0023] 本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括所述的一種反射電極。
[0024] 本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括所述的一種反射電極。
[0025] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有W下優(yōu)點(diǎn)：
[0026] 1、本發(fā)明所述的一種反射電極，在垂直方向上包括依次堆疊的第一導(dǎo)電層、導(dǎo)電 反射層和第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層完全包覆所述導(dǎo)電反射層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的表 面W及所述導(dǎo)電反射層的側(cè)邊，可有效防止所述導(dǎo)電反射層被侵蝕，導(dǎo)電性能穩(wěn)定；而且， 所述第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層具有良好的透光性能，使得所述反射電極具有良好的光 線反射能力。
[0027] 2、本發(fā)明所述的一種反射電極，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的功函數(shù)均大 于4. 5eV，可有效降低空穴注入能障，提高應(yīng)用其的發(fā)光元件的發(fā)光效率。
[002引 3、本發(fā)明所述的一種反射電極的制備方法，通過濕法刻蝕工藝先進(jìn)行第一導(dǎo)電層 和導(dǎo)電反射層的制備，然后制備完全包覆所述導(dǎo)電反射層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的表面W及導(dǎo)電 反射層的側(cè)邊的第二導(dǎo)電層；不但可W避免由于刻蝕速率差引起的刻蝕邊緣劣化，從而影 響導(dǎo)電性能不穩(wěn)定和易短路的問題，而且，采用濕法刻蝕工藝，制備成本低，工藝簡單，適合 大規(guī)模生產(chǎn)。
[0029] 4、本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管，采用所述的反射電極，電極邊緣不會出現(xiàn) 導(dǎo)電反射層受侵蝕W導(dǎo)致的導(dǎo)電性能不穩(wěn)定和反光性能不穩(wěn)定的問題，也不會出現(xiàn)第一導(dǎo) 電層或第二導(dǎo)電層卷曲等易導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管短路的問題發(fā)生，所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā) 光效率高，性能穩(wěn)定。
[0030] 5、本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，采用所述的反射電極，電極邊緣不會出 現(xiàn)導(dǎo)電反射層受侵蝕W導(dǎo)致的導(dǎo)電性能不穩(wěn)定和反光性能不穩(wěn)定的問題，也不會出現(xiàn)第一 導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層卷曲等易導(dǎo)致裝置短路的問題發(fā)生，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置發(fā)光效率 高，性能穩(wěn)定。而且，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可制成頂發(fā)光裝置，開口率高，可有效提升顯示 畫面的品質(zhì)。
【附圖說明】
[0031] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合 附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0032] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中通過濕法刻蝕工藝制備的反射電極刻蝕邊緣的截面掃描電鏡 照片；
[0033] 圖2a-圖2d是實(shí)施例1所述一種反