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發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:8248161閱讀:412來源:國知局
發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說,發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)被驅(qū)動而發(fā)光時,由于光線被平板塊狀的基板所反射的角度與程度有限,意即平板塊狀的基板會導(dǎo)致發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的出光角度較小(約為80度),因而會造成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光取出效率無法獲得提升。為了解決上述的問題,現(xiàn)有是通過對基板的側(cè)壁進(jìn)行粗化處理。然而,基板與發(fā)光單元較接近,故在粗化處理的過程中,較易傷害到發(fā)光單元,反而更容易使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的亮度下降。因此,如何在不增加成本與改變材料的情況下,而可通過結(jié)構(gòu)上的設(shè)計(jì),進(jìn)而可有效地提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光取出效率,實(shí)為一項(xiàng)重要的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其具有較大的出光角度及較佳的出光效率。
[0004]本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其包括基板以及發(fā)光單元?;寰哂型怀霾恳约皩?dǎo)光部,其中基板的導(dǎo)光部具有與上表面彼此相對的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面,突出部與導(dǎo)光部之間為無接縫連接,且突出部的水平投影面積小于導(dǎo)光部的水平投影面積。發(fā)光單元配置于基板的突出部上,且包括第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型半導(dǎo)體層。第一型半導(dǎo)體層配置于基板的突出部上,而發(fā)光層覆蓋部分第一型半導(dǎo)體層,且第二型半導(dǎo)體層配置于發(fā)光層上。發(fā)光單兀適于發(fā)出光束,且光束的一部分由突出部進(jìn)入導(dǎo)光部,并自導(dǎo)光部未被突出部所遮蔽的上表面射出。
[0005]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括:第一電極以及第二電極。第一電極配置于未被發(fā)光層所覆蓋的第一型半導(dǎo)體層上。第二電極配置于第二型半導(dǎo)體層上,其中第一電極與第二電極位于基板的同一側(cè)。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的基板的突出部的厚度小于導(dǎo)光部的厚度。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的基板的導(dǎo)光部的厚度為突出部的厚度的100倍至200 倍。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的基板的導(dǎo)光部的水平投影面積為突出部的水平投影面積的1.1倍至10倍。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的導(dǎo)光部的上表面為粗糙表面。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的導(dǎo)光部的側(cè)表面為粗糙表面。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的導(dǎo)光部的上表面與側(cè)表面皆為粗糙表面。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的側(cè)表面與下表面的法線方向之間具有夾角,且夾角介于10度至80度之間。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的側(cè)表面包括倒角面以及垂直面。倒角面連接上表面與垂直面,而垂直面連接倒角面與下表面。
[0014]基于上述,由于本發(fā)明的基板的突出部與導(dǎo)光部之間為無接縫連接,且突出部的水平投影面積小于導(dǎo)光部的水平投影面積,意即本發(fā)明基板可視為凸型基板。因此,發(fā)光單元所發(fā)出的光束的一部分可通過導(dǎo)光部的導(dǎo)光效果,而增大發(fā)光單元的出光角度范圍。如此一來,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可具有較大的出光角度與較佳的出光效率。
[0015]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面不意圖;
[0017]圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
[0018]圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
[0019]圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0020]附圖標(biāo)記說明:
[0021]100a、100b、100c、10d:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu);
[0022]110a、110b、110c、110d:基板;
[0023]llla、lllb、lllc、llld:上表面;
[0024]112a、112b、112c、112d:突出部;
[0025]113b、113c、113d:下表面;
[0026]114a、114b、114c、114d:導(dǎo)光部;
[0027]115b、115c、115d:側(cè)表面;
[0028]117d:倒角面;
[0029]119d:垂直面;
[0030]120:發(fā)光單元;
[0031]122:第一型半導(dǎo)體層;
[0032]124:發(fā)光層;
[0033]126:第二型半導(dǎo)體層;
[0034]132:第一電極;
[0035]134:第二電極;
[0036]L:光束;
[0037]L’:光束的一部分;
[0038]T1、T2:厚度;
[0039]α:夾角。
【具體實(shí)施方式】
[0040]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參考圖1,在本實(shí)施例中,發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10a包括基板IlOa以及發(fā)光單元120。基板IlOa具有突出部112a以及導(dǎo)光部114a,其中突出部112a與導(dǎo)光部114a之間為無接縫連接,且突出部112a的水平投影面積小于導(dǎo)光部114a的水平投影面積。發(fā)光單元120配置于基板IlOa的突出部112a上,其中發(fā)光單元120適于發(fā)出光束L,且光束的一部分L’由突出部112a進(jìn)入導(dǎo)光部114a,并自導(dǎo)光部114a未被突出部112a所遮蔽的上表面Illa射出。
[0041]更具體來說,本實(shí)施例的基板IlOa的突出部112a的厚度Tl小于導(dǎo)光部114a的厚度T2,其中基板IlOa的導(dǎo)光部114a的厚度T2為突出部112a的厚度Tl的I倍以上,較佳地,基板IlOa的導(dǎo)光部114a的厚度T2為突出部112a的厚度Tl的最佳比率為100倍至200倍。較佳地,基板的導(dǎo)光部114a的水平投影面積為突出部112a的水平投影面積的1.1倍至10倍,其中基板IlOa的導(dǎo)光部114a的水平投影面積為突出部112a的水平投影面積的最佳比率為1.5倍至5倍。需說明的是,若水平投影面積的比值小于1.1倍,則導(dǎo)光部114a的光導(dǎo)的效果不佳,無法有效擴(kuò)大發(fā)光單元120的出光角度;或者是,水平投影面積的比值大于10倍,則發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10a中導(dǎo)光部114a的面積過大,不易進(jìn)行后續(xù)的打線固晶處理。此處,基板IlOa的材質(zhì)例如是藍(lán)寶石、氮化鋁或是玻璃。
[0042]再者,本實(shí)施例的發(fā)光單元120包括第一型半導(dǎo)體層122、發(fā)光層124以及第二型半導(dǎo)體層126。第一型半導(dǎo)體層122配置于基板IlOa的突出部112a上,而發(fā)光層124覆蓋部分第一型半導(dǎo)體層122,且第二型半導(dǎo)體層126配置于發(fā)光層124上。此外,本實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10a還包括第一電極132以及第二電極134。第一電極132配置于未被發(fā)光層124所覆蓋的第一型半導(dǎo)體層122上。第二電極134配置于第二型半導(dǎo)體層126上,其中第一電極132與第二電極134位于基板IlOa的同一側(cè)。
[0043]由于本實(shí)施例的基板I 1a的突出部112a與導(dǎo)光部114a之間為無接縫連接,即一體成形,且突出部112a的水平投影面積小于導(dǎo)光部114a的水平投影面積。意即,本實(shí)施例的基板IlOa可視為凸型基板。因此,發(fā)光單兀120所發(fā)出的光束的一部分L’可通過導(dǎo)光部114a的導(dǎo)光效果,而增大發(fā)光
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