專利名稱：使用柔性環(huán)氧樹脂將散熱器直接固定到芯片載體的制作方法
本申請是1995年4月27日申請的發(fā)明名稱為“使用柔性環(huán)氧樹脂將散熱器直接固定到芯片載體”、申請?zhí)枮?5105028.1的發(fā)明專利申請的分案申請。
本發(fā)明涉及的領域是電子元件的排熱器和散熱器以及將這種排熱器和散熱器固定到電子元件上的方法。
下面的段落旨在加進參考引用的內容，不是為了尋求對所述現(xiàn)有技術的承認。
倒裝芯片利用熱油實現(xiàn)和散熱器的熱連接，如Jarvela的美國專利No.4,000,509所述。一般來說，要將散熱器(如蓋帽、散熱器板、帶葉片的散熱器、或者液冷的冷卻板)機械地連接到芯片載體組件或電路板上，以使固定到組件或電路板上的倒裝芯片和散熱器的一個表面之間留有一個很小的間隙。這個間隙中充有熱油，如硅油，熱油中可填充高熱傳導材料(如銀)或陶瓷材料(如氧化鋁)，從而在芯片和散熱器之間提供一個高質量的熱傳導通路。
環(huán)氧樹脂已用于將半導體芯片固定某些基片上。在Dessai的美國專利5,159,535中，使用環(huán)氧樹脂將半導體計算機芯片的背面連接到一種銅包覆殷鋼(銅-殷鋼-銅)插件(interposer)中，該插件的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于半導體的熱膨脹系數(shù)和玻璃纖維環(huán)氧樹脂電路板的熱膨脹系數(shù)之間，該插件是通過焊接固定到該電路板上的。另外，在Desai的美國專利中，如果制造電路板的材料(如殷鋼)的熱膨脹系數(shù)非常接近半導體芯片的熱膨脹系數(shù)，則可使用導熱環(huán)氧樹脂把芯片直接固定到電路板上。類似地，Anschel的美國專利No.4,914,551公開了使用環(huán)氧樹脂將半導體芯片固定到一種由碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlC)、或銅-殷鋼-銅制成的散熱器上的方法，其中的環(huán)氧樹脂中填充金剛石顆粒，以使得諸熱膨脹系數(shù)差不大于每攝氏度百萬分之二(ppm/℃)。下述材料的熱膨脹系數(shù)(以ppm/℃為單位)分別是Si為2.6、SiC為2.6、AlN為4.6、殷鋼為2、銅-殷鋼-銅為3-6、環(huán)氧樹脂為50-80、玻璃纖維-環(huán)氧樹脂為11-18、填充熔融石英的環(huán)氧樹脂為5-7。在“IBM技術公開快訊(IBM Technical Disclosure Bulletin)”第32卷第4A期(1989年9月)中G.Schrottke和D.J.Willson的文章“直接芯片固定電路的散熱(Removal of Heat Form Direct Chip AttachCircuitry)”公開了一種方法，它使用粘結劑將硅芯片固定到銅-殷鋼-銅散熱器上。在授與Nitsch的美國專利No.5,168,430的圖2中表示了一個粘結到一個散熱器上的混合電路結構3，Bennett的歐洲專利申請93104433.3公開了一種使用導電的環(huán)氧樹脂將半導體芯片固定到引線框架上的方案。
環(huán)氧樹脂已用于包覆倒裝芯片的連接，如Beckham的美國專利No.4,604,644、Christie的美國專利No.4,999,699和No.5,089,440所述，以減小在C4(可控塌陷芯片連接)組件中的應力。C4組件如美國專利No.3,458,925所示。用于這些目的的環(huán)氧樹脂是公知的，如Itoh的美國專利4,701,482所述。一般來說，這樣一些環(huán)氧樹脂的玻璃轉換(glass transition)溫度(Tg)約為140-150℃，楊氏模量約為1,000,000psi(磅/英寸2)或更大。已經采用環(huán)氧樹脂來轉移模制過程或注模過程的熱量以形成電子元件，如QFP(四芯線平直組件)、DIP(雙線組件)、和其它塑料封裝組件。諸如陶瓷四芯線平直組件之類的陶瓷芯片載件組件一般具有由環(huán)氧樹脂連在一起的兩個陶瓷部分。可以使用環(huán)氧樹脂、或者最好使用熱熔塑膠來包覆ECA(導電粘結劑)芯片附件。
可使用環(huán)氧樹脂將諸如鋁(Al)或銅(Cu)之類的散熱器粘結到塑料封裝的組件上，其中的鋁可通過鉻酸鹽轉化作用涂敷或氧化，其中的銅可用鎳(Ni)涂敷。鋁的熱膨脹系數(shù)CTE是23ppm/℃，銅的熱膨脹系數(shù)CTE是17ppm/℃。對于較高溫度下的應用，使用陶瓷芯片組件，并且使用硅粘結劑將散熱器粘結到組件的頂部，或者通過螺絲或通過夾具機械地固定散熱器?！癆blebond P1-897(9/93)”的一個技術數(shù)據表(A technical data sheet for Ablebond P1-897 of 9/93)建議使用這種材料將大型的芯片固定到一個銀涂敷的銅引線框架上?！癙rima-Bond TM EG7655”’的一個產品數(shù)據表(A product data sheet for Prima-Bond TMEG 7655)建議使用這種材料“粘結具有相差極大的熱膨脹系數(shù)的那些材料”(即，氧化鋁和鋁、硅和銅、等等)。
這些發(fā)明可應用到陶瓷頂部組件中，如CQFP(陶瓷的四芯線平直組件)，也可應用到倒裝芯片載體組件中，例如無蓋的CQFP；TBGA(TAB球格陣列)、TAB(帶自動粘結)組件，如上述的Desai的專利、以及Clementi的美國專利No.4,681,654、和Flynn的美國專利No.5,203,075所述；Behum描述過的以及Hoebner的美國專利申請序列號08/144,981中描述的CBGA(陶瓷球格陣列)組件；White在美國專利申請序列號08/178,944中描述的DCAM(直接固定的芯片組件)；以及公知的CPGA(陶瓷針格陣列)組件。
上述所引用的文件在此引作為本發(fā)明的參考文件，以便能對本發(fā)明提供足以實現(xiàn)的公開并支持本申請人依據法律所能夠享有的權利要求。
本發(fā)明的一個目的是改善倒裝芯片散熱的熱效率以提高可靠性，并且有可能增加熱能耗散以得到更高的器件密度。
本發(fā)明的另一個目的是為公知的環(huán)氧樹脂提供一種新的用途。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種改進的電子組件，它從高熱密度計算機芯片上耗散的熱量比從前可能作到的更大。
本發(fā)明的最后一個目的是提供一種計算機系統(tǒng)，和先前的實際情況相比，它使用的芯片較少，但器件密度更高且操作更迅速。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的這些目的，將鋁或銅的散熱器或散熱器板直接粘結到半導體倒裝芯片或陶瓷QFP的背側。本申請人已經發(fā)現(xiàn)，可從使用玻璃轉換溫度低于室溫的一種薄層高柔性環(huán)氧樹脂直接把散熱器粘結到倒裝芯片或陶瓷蓋帽的背側，這種粘結即使經下述熱循環(huán)試驗后依舊是很牢固的1500次從0℃到100℃的循環(huán)、400次從-25℃到125℃的循環(huán)、以及300次從-40℃到140℃的循環(huán)；或者在130℃連續(xù)加熱1000小時之后。


圖1表示用柔性環(huán)氧樹脂粘結到CQFP的一個鋁散熱器，以說明本發(fā)明的一個實施例；圖2表示用柔性環(huán)氧樹脂粘結到在一個無蓋帽的CQFP中的半導體倒裝芯片上的一個鋁散熱器，以說明本發(fā)明的另一個實施例；圖3表示用柔性環(huán)氧樹脂連接到CPGA中的一個半導體倒裝芯片上的鋁散熱器，以說明本發(fā)明的另一個實施例；圖4表示和圖3類似的另一個實施例，其中的鋁散熱器是通過柔性環(huán)氧樹脂粘結到CBGA或PBGA的半導體倒裝芯片上的；圖5表示用柔性環(huán)氧樹脂粘結到帶球格陣列組件的半導體芯片上的一個銅散熱器板，以說明本發(fā)明的另一個實施例；圖6表示用柔性環(huán)氧樹脂粘結到一個直接芯片固定有機載體的半導體芯片上的鋁散熱器，以說明本發(fā)明的另一個實施例；圖7表示一個熱性能得以提高的信息處理系統(tǒng)，其熱性能是通過使用柔性環(huán)氧樹脂將散熱器粘結到高能量密度電子元件的A/N陶瓷的和/或硅的表面上而得到的。
典型的環(huán)氧樹脂的玻璃轉換溫度Tg約為140-150℃，但本發(fā)明中使用的柔性環(huán)氧樹脂的Tg低于約25℃，優(yōu)選的Tg低于10℃，并且最好的是Tg低于0℃。另外，普通環(huán)氧樹脂的楊氏模量在1,000,000psi(磅/英寸2)左右，但在本發(fā)明中使用的柔性環(huán)氧樹脂的楊氏模量低于100,000psi(磅/英寸2)，優(yōu)選的低于50,000psi(磅/英寸2)，甚至低于20,000psi(磅/英寸2)則更好。從AI Technologies公司(地址是9#，Princess Road、Lawrencevill，N.J.08648)可得到一種名稱為EG7655的兩部分型的柔性環(huán)氧樹脂，其Tg約為-25℃，楊氏模量小于約20,000psi(磅/英寸2)左右。單一部分的名稱為ABLEBON DRP1-8971的柔性環(huán)氧樹脂由Ablestick Lab-oratories銷售(其地址為20021#，Susana Road，RanchoDominguez，CA90221)，其Tg約為5℃，其楊氏模量小于50,000psi(磅/英寸2)左右。
在圖1中，CQFP組件由上、下兩個預制的燒結陶瓷片100、102(最好是鋁-氮陶瓷)制成。使用例如一種普通的模片固定環(huán)氧樹脂108將半導體芯片106(最好是硅芯片)粘結到該平直組件的上半片100上，并且該芯片被線(112)粘結到引線框架104上。使用例如普通的環(huán)氧樹脂110、114將上半片100粘結到下半片102上?？涨?16一般來說是空的，但也可包含一種不導電但傳熱的物質(例如硅油)。然后，使用柔性環(huán)氧樹脂薄層120將一個鋁散熱器118(較佳地通過陽極氧化作用或者更好地通過鉻酸鹽轉化作用來涂敷)粘結到該陶瓷組件的頂部。
Al-N的熱膨脹系數(shù)CTE約為4.6ppm/℃，鋁散熱器的熱膨脹系數(shù)CTE約為23.6ppm/℃，這導致熱膨脹系數(shù)差為19ppm/℃。陶瓷頂部是相對平滑的表面，若在組件和散熱器之間的環(huán)氧樹脂發(fā)生脫層或斷裂，則使從芯片向外的熱傳輸大大降低。當對這樣的結構實施熱循環(huán)試驗時，普通的環(huán)氧樹脂將迅速失效(脫層)。硅基粘結劑的玻璃轉換溫度Tg小于25℃，其楊氏模量小于20,000psi(磅/英寸2)。但在結構上，這種粘結劑粘結的強度大約是柔性環(huán)氧樹脂的粘結強度的1/3-1/2。還有，硅粘結劑的組分有從摻雜薄涂敷材料的表面遷移出來的趨勢。本申請人發(fā)現(xiàn)，柔性環(huán)氧樹脂(如ABLE-BOND Pi-8971和EG7655)可滿足這個試驗的熱循環(huán)要求。
另外，可以用環(huán)氧樹脂密封劑(粘塊頂部)代替上片蓋帽102來保護線粘結芯片。環(huán)氧樹脂可剛好蓋住芯片和線粘結點，或者環(huán)氧樹脂可延伸到安裝該組件的電路板。還有，可以用有機材料(如玻璃纖維-環(huán)氧樹脂，或銅和聚酰亞胺箔的疊層)來代替上半片陶瓷100。
圖2表示沒有上半片陶瓷的另一種CQFP148。半導體倒裝芯片塊150按周邊排行的或柵格陣列的C4接點154固定到長方形的單層陶瓷芯片載體152上，C4接點154從芯片上的電觸點延伸至載體152上的電觸點。另外，可通過易熔焊料凸塊把芯片隆起部分固定到載體上的觸點上，這些易熔焊料凸塊是通過電鍍、焊料注入、或從移畫印花過程(decal)的轉移而沉積的。將例如鷗翼形引線156的引線沿著和基片159進行表面安裝連接的各邊緣(一般是QFP的所有四個邊緣)焊接到(158)銅焊盤上。另外，可將引線的底端在組件下方彎成“J”形，或者甚至點成直接向下的。用環(huán)氧樹脂160包覆接點154，并且最好用環(huán)氧樹脂162包覆引線。最好涂敷一個環(huán)氧樹脂涂層164來保護上層陶瓷線路(一種敷形涂敷層)。使用柔性環(huán)氧樹脂166將散熱器164固定到芯片150的背面。對于底面尺寸比芯片大得多的散熱器，通過用柔性環(huán)氧樹脂或一般的環(huán)氧樹脂把散熱器粘結到168處的敷形涂敷層，可以得到改進的結構強度。
硅Si的熱膨脹系數(shù)CTE為2.6ppm/℃左右，散熱器的鋁Al的熱膨脹系數(shù)CTE為23.6ppm/℃左右，這導致得到熱膨脹系數(shù)差為21ppm/℃。芯片的背部極其光滑，所以導致機械粘結的效果很差，而且在芯片和散熱器之間的環(huán)氧樹脂的任何脫層或斷裂都將使芯片的熱轉移量大大降低。當讓該結構經受熱循環(huán)試驗時，普通的環(huán)氧樹脂迅速失效(脫層)。硅基粘結劑的玻璃轉換溫度Tg小于25℃，楊氏模量小于20,000psi(磅/英寸2)。但在結構上，這種粘結的強度約為柔性環(huán)氧樹脂的強度的1/3-1/2。另外，硅粘結劑的組分有從摻雜了薄涂敷材料的摻雜表面遷移出來的趨勢。本申請人發(fā)現(xiàn)，柔性環(huán)氧樹脂(例如，ABLEBOND Pi-8971和EG7655)滿足這種試驗的熱循環(huán)要求。
組件148的引線156固定到基片159(一種玻璃纖維-環(huán)氧樹脂電路板或銅和聚酰亞胺膜疊層的柔性電路板)的導電焊盤(最好為銅)170上。
圖3表示一個CPGA(陶瓷針格陣列組件)200。半導體倒裝芯片塊202的前側(底部)通過周邊排行的或柵格陣列的接點206(最好是C4接點或ECA接點)固定到一個長方形的陶瓷芯片載體204(單層或多層載體，如圖中所示)上。一個引針陣列208在穿過基片214(如玻璃纖維-環(huán)氧樹脂或銅與聚酰亞胺膜的柔性疊層)延伸的一些徑涂覆的通孔(PTH)的兩端都波焊到(210)銅焊盤212上。用環(huán)氧樹脂220包覆接點206，并可把環(huán)氧樹脂的敷形涂敷層222沉積在芯片上。使用柔性環(huán)氧樹脂226將散熱器224固定到芯片202的背側。
圖4表示和圖3的CPGA類似的BGA(球格陣列)組件240?；?40可以是陶瓷的CBGA或塑料的PBGA，并且可以是單層的或多層的。同樣，利用柔性環(huán)氧樹脂244將散熱器246固定到倒裝芯片248上。
圖5表示TBGA組件250。通過一些接點258或通過SATT(焊料固定帶工藝)技術，將倒裝芯片252的底部固定到一個柔性芯片載體基片256(一般是一個或多個帶有一定圖案的銅層和聚酰亞胺層的疊層)的銅焊盤254上；其中這些接點258是通過C4、熱壓粘結、或激光焊接形成的。通過激光焊接、熱壓粘結、或者通過在銅焊盤上沉積易熔焊料并且進行回流使焊料球就位，將焊料球258(最好90％的鉛Pb，10％的錫Sn)固定到柔性帶256的銅焊盤260上。長方形的金屬框架262(如鋁Al，或者最好是鍍鎳Ni的銅)通過粘結劑(最好是環(huán)氧樹脂)264固定到柔性基片上。散熱器270通過粘結劑(最好是環(huán)氧樹脂)272固定到該框架262上，并通過柔性環(huán)氧樹脂274固定到芯片252上?？梢酝ㄟ^陽極氧化處理或鉻酸鹽轉化作用對散熱器進行鋁處理，或者最好對散熱器作鍍鎳Ni的銅處理。
通過在銅焊盤282上沉積焊膏(最好37％的鉛Pb和63％的錫Sn)、把組件放置在基片280上，同時讓焊料球位于焊膏上、然后加熱該結構直到焊膏變?yōu)槿廴跔顟B(tài)形成焊料接點284為止，從而將組件250固定到基片280(如玻璃纖維-環(huán)氧樹脂或上述的柔性疊層)上。另外，可用熱熔塑膠或熱固膠包覆的ECA286來取代球258和焊料284，并通過加熱和加壓將這種ECA固定到焊盤282上。
硅Si的熱膨脹系數(shù)CTE約為2.6ppm/℃，銅散熱器的熱膨脹系數(shù)CTE約為17ppm/℃，其導致熱膨脹系數(shù)差為14.4ppm/℃。同樣，芯片的背部仍舊是極其光滑的，這因而導至一種脆弱的機械粘結，芯片和散熱器間的環(huán)氧樹脂的任何脫層或斷裂，都造成從芯片轉移出的熱量大大減少。當這種結構經受熱循環(huán)試驗時，普通的環(huán)氧樹脂會迅速失效(脫層)。在提供這些材料之間接合的可靠性所要求的熱循環(huán)試驗期間，即1500次從0到100℃的循環(huán)；400次從-25℃到125℃的循環(huán)；然后300次，從-40℃到140℃的循環(huán)，硅基粘結劑也產生脫層。本申請人發(fā)現(xiàn)，柔性環(huán)氧樹脂(如ABLE-BOND8971和EG7655)能可靠地滿足這個試驗的熱循環(huán)要求。
圖6表示一個DCAM組件300。倒裝芯片302固定到一個多層的玻璃纖維環(huán)氧樹脂基片304上。沉積易熔焊料306(通過HASL、在芯片上的焊料、焊料注入，通過從不銹鋼移畫印花過程(stainlesssteel decal)的轉移)以便在位于芯片底部的高溫焊料凸塊308和位于基片上表面的銅焊盤310之間進行連接。確定銅焊盤312的位置，使其能連接到位于互連的結構(圖2和5中的有機材料電路板)上的銅焊盤上?？梢栽诤副P312提供焊料314以使進行回流焊接固定。使用柔性環(huán)氧樹脂322將散熱器320固定到芯片302的背側。對于延伸長度明顯超過芯片尺寸極限的散熱器，通過使用柔性環(huán)氧樹脂或其它公知的環(huán)氧樹脂包覆在位于324處的散熱器和基片304之間，就可以改善結構強度。
圖7表示本發(fā)明的信息處理系統(tǒng)350的一個計算機網絡實施例。計算機系統(tǒng)352和354通過光纜或電信號電纜356聯(lián)網在一起。系統(tǒng)352和354分別具有CPU(中央處理單元)組件358、360和存貯器組件362、364。這些組件使用柔性環(huán)氧樹脂366-372把散熱器固定到組件上以便可在較高功率下操作，從而提高整個信息處理系統(tǒng)的性能。每個系統(tǒng)中的組件都固定到一個或多個電連接結構374、376上。這些連接結構又連接到如電池、變壓器、或電源軟線的電源378、380上，這些連接結構還可以連到，如磁盤驅動器、其它一些連接結構的其它的計算機設備382上。一個或多個光或電的電纜384或電纜連接器固定到這些連接結構上，以便借助于諸如鍵盤、CRT、調制解調器、傳感器、電機等等的計算機外圍設備386提供數(shù)據的輸入和輸出。
雖然圖中沒有表示出來，但本發(fā)明還包括多芯片的組件，多芯片組件在一個或多個芯片上具有各自的散熱器，和/或在這樣的組件中的多個芯片上具有公用的散熱器，或者甚至對于多個組件具有一些公用的散熱器。
盡管參照本發(fā)明的設備和方法的優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但本領域的技術人員都應認識到，在不脫離由權利要求書限定的本發(fā)明的構思和范圍的條件下，還可進行很多變化。
權利要求
1.一種芯片載體組件的制造方法，包括步驟在一個第一基片的第一側上的一個固定位置安裝一個半導體芯片；在散熱器和所述第一基片的第二側上的一個表面之間沉積未完全固化的柔性環(huán)氧樹脂；將該散熱器和芯片壓緊在一起；以及加熱該組件以固化柔性環(huán)氧樹脂。
2.如權利要求1的方法，其特征在于所述第一基片是陶瓷的。
3.如權利要求1的方法，其特征在于沉積柔性環(huán)氧樹脂的步驟包括沉積玻璃轉換溫度小于25℃的柔性環(huán)氧樹脂，其25℃的楊氏模量小于100,000psi。
4.如權利要求1的方法，其特征在于還包括如下步驟將半導體芯片粘結到位于基片所述第一側的一個基片表面。
5.如權利要求1的方法，其特征在于還包括如下步驟將半導體芯片粘結到一個第二基片上；將所述第一和所述第二基片粘結到一起以便將所述芯片封于兩個基片之間。
6.一種制作互連結構的方法，包括步驟將一半導體芯片的一個第一表面電連接到一個第一基片；在所述半導體芯片的一個第二表面和一散熱器之間沉積未完全固化的柔性環(huán)氧樹脂；將散熱器和芯片壓緊在一起；升高組件的溫度以固化柔性環(huán)氧樹脂；定位所述第一基片的一個第二表面，使其與一個較大的第二基片的一個表面平行接觸；以及在用于所述第一基片的電及機械連接的裝置和用于所述第二基片的電及機械連接的相對裝置之間進行連接，以形成一個互連結構。
7.如權利要求6的方法，其特征在于沉積柔性環(huán)氧樹脂的步驟包括沉積玻璃轉換溫度小于25℃、并且25℃時的楊氏模式小于100,00psi的柔性環(huán)氧樹脂。
8.一種制作互連結構的方法，包括步驟在一個第一基片的一個第一側上的一個固定位置安裝一個半導體芯片；在一散熱器和所述第一基片的一個第二側上的一個表面之間沉積未完全固化的柔性環(huán)氧樹脂；將散熱器和芯片壓緊在一起；加熱該組件以固化柔性環(huán)氧樹脂；在芯片的金屬觸點和一個第二基片的金屬觸點之間進行電連接。
9.如權利要求8的方法，其特征在于進一步還包括為所述第一基片選擇陶瓷材料的步驟。
10.如權利要求8的方法，其特征在于沉積柔性環(huán)氧樹脂的步驟還包括沉積玻璃轉換溫度小于25℃、且在25℃時的楊氏模量小于100,000psi的柔性環(huán)氧樹脂。
11.一種產生信息處理系統(tǒng)的方法，包括將中央處理單元的一個半導體芯片的一個第一表面電連接到一個第一基片；在該半導體芯片的一個第二表面和一散熱器之間沉積未完全固化的柔性環(huán)氧樹脂；將散熱器和芯片壓緊在一起；升高組件的溫度以固化柔性環(huán)氧樹脂；定位所述第一基片的一個第二表面，使其與一個較大的第二基片的一個平面平行接觸；在用于所述第一基片的電及機械連接的裝置和用于所述第二基片的電及機械連接的相對裝置之間進行連接，以形成互連結構；將該互連結構同電源裝置以及輸入/輸出裝置連接起來，從而形成一個信息處理系統(tǒng)。
12.如權利要求11的方法，其特征在于沉積柔性環(huán)氧樹脂的步驟包括沉積玻璃轉換溫度小于25℃、并且25℃的楊氏模量小于100,000psi的柔性環(huán)氧樹脂。
13.一種芯片載體組件，包括一個第一基片；一個定位在所述第一基片的一個第一側上的半導體芯片；在所述第一基片的一個第二側上的所述第一基片的一個表面上的一層柔性環(huán)氧樹脂；一個散熱器，其一個表面粘結到所述第一基片所述第二側的表面上；用于在結構上保持所述散熱器、所述芯片、和所述第一基片處在固定的對應位置的裝置；以及用于將芯片電連接到另一個基片的裝置。
14.如權利要求13的組件，其特征在于所述第一基片包括陶瓷材料。
15.如權利要求13的組件，其特征在于所述用于在結構上保持散熱器和芯片相對于所述第一基片處于固定位置的裝置將芯片粘結到所述第一基片的第一側。
16.如權利要求13的組件，其特征在于所述用于在結構上保持散熱器和芯片相對于第一基片處于固定位置的裝置包括將芯片粘結到一個第二基片的一個第一側；將所述第二基片的一個第一側粘結到所述第一基片的所述第一側以將芯片封裝在所述基片之間。
17.如權利要求13的組件，其特征在于所述柔性環(huán)氧樹脂的玻璃轉換溫度小于25℃，并且在25℃時的楊氏模量小于100,000psi。
全文摘要
使用柔性環(huán)氧樹脂將散熱器固定到半導體芯片上以改進散熱性能的方法以及使用該方法制成的芯片載體組件、互連結構。這種結構特別適用于CQFP、CBGA、CCGA、CPGA、TBGA、PBGA、DCAM、MCM－L、單層陶瓷、以及其它芯片組件,并且適用于將倒裝芯片固定到柔性的或剛性的有機材料電路板。柔性環(huán)氧樹脂的楊氏模量小于100,000psi,其玻璃轉換溫度小于25℃,比普通的硅粘結劑的強度大得多,并且不會使組件或電路板沾染上硅。
文檔編號H01L21/56GK1259764SQ9912099
公開日2000年7月12日 申請日期1999年12月3日 優(yōu)先權日1994年7月11日
發(fā)明者托馬斯·莫蘭·卡納尼, 邁克·安東尼·蓋尼思, 平·匡·塞托, 候塞因·肖卡土拉哈 申請人:國際商業(yè)機器公司