專利名稱：半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品，尤其涉及一種封裝簡易、降低產(chǎn)品不合格率且封裝成本低的半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品。
如

圖1～4所示，是一種現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶片的封裝方法。如圖1所示，一在其頂表面上具有粘接墊100的晶片(die)10是以雙面貼帶12貼附在一導(dǎo)線架13的系桿(tiebar)130上，由此將該晶片10固定在該導(dǎo)線架上13上。該系桿130形成有一槽溝1300(參見圖4所示)，從而可暴露該晶片10的粘接墊100。
如圖2所示，該晶片10的每個(gè)粘接墊100與該導(dǎo)線架13的對應(yīng)的接腳131是經(jīng)由一般的打線方法來以粘接導(dǎo)線14，以形成電氣連接。
如圖3所示，作為外殼的一膠質(zhì)材料15是通過一般的包封方法來包封該晶片10及該導(dǎo)線架13的一部份，以形成一集成電路。
而上述現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶片的封裝方法存在以下的缺點(diǎn)1．打線成本高由于該粘接墊100及接腳131的材質(zhì)并不相同，但該導(dǎo)線14又必須由粘接墊100拉線至接腳131，所以該導(dǎo)線14必需使用導(dǎo)電性極佳的材質(zhì)(如金)，從而造成所需成本無法下降，并且打線方式必須使用價(jià)格較高的打線機(jī)來達(dá)成，以及，該打線機(jī)的打線頭必需非常準(zhǔn)確地對準(zhǔn)粘接墊100，然而，在使用一定的次數(shù)后，該打線頭就會(huì)出現(xiàn)偏斜而無法對準(zhǔn)的情形，所以必須經(jīng)常更換打線頭，由此造成封裝成本上升。
2．拉線的品質(zhì)不易控制由于該粘接墊100及接腳131之間具有一高度落差，使該導(dǎo)線14只能通過由導(dǎo)線14兩端點(diǎn)分別與該粘接墊100及接腳131粘接來定位，造成該導(dǎo)線14的不穩(wěn)定及拉線不易的缺點(diǎn)，因此使得合格率無法達(dá)到100％。
3．不易解除該外殼15的包封由于當(dāng)集成電路出現(xiàn)問題時(shí)，需將該外殼15除去，以檢查何處出問題時(shí)，因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)是以膠質(zhì)材料來包封該晶片10，而利用人工操作化學(xué)藥劑來除去該外殼15，不但耗時(shí)且成本高，并且在這種原因下，使回收的晶片10成本高，而使該晶片10無法取出再利用，造成資源的浪費(fèi)。
本發(fā)明的目的在于提供一種封裝簡易、降低產(chǎn)品不良品率及封裝成本低的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法及其產(chǎn)品。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特點(diǎn)是包含如下的步驟(a)提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多個(gè)接腳；(b)提供至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層，各該絕緣膠帶層的第一粘接表面是與該導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)于該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間；(c)在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間內(nèi)容置一導(dǎo)電觸點(diǎn)；(d)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面；(e)以加熱處理方式將該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，在該導(dǎo)電觸點(diǎn)熔接粘接墊之前，該粘膠已熔接該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面，從而密封導(dǎo)電觸點(diǎn)在觸點(diǎn)容置空間內(nèi)。
一種采用上述的方法制成的半導(dǎo)體集成電路，其特點(diǎn)是包括一導(dǎo)線架、至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層以及一半導(dǎo)體晶片，所述的導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，所述的各絕緣膠帶層的第一粘接表面是導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)該導(dǎo)線架的接腳處形成一觸點(diǎn)容置空間，各該觸點(diǎn)容置空間容置有一導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述的半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面，該粘接墊安裝表面是以加熱方式與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)。
一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特點(diǎn)是包含如下的步驟(a)提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多數(shù)個(gè)接腳；(b)利用膠質(zhì)材料作一包封體來放置該導(dǎo)線架，該包封體具有一底板及由該底板周緣向上延伸的側(cè)壁，形成一容置空間，使該導(dǎo)線架的該等接腳的一端部位在該容置空間內(nèi)，并且另一端部穿過該側(cè)壁延伸出去；(c)提供至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層，各該絕緣膠帶層的第一粘接表面是與該導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)于該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間；
(d)在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間內(nèi)容置一導(dǎo)電觸點(diǎn)；(e)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多數(shù)個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面；(f)以加熱處理方式將該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，在該導(dǎo)電觸點(diǎn)熔接該等粘接墊之前，該粘膠已熔接該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面，由此密封該導(dǎo)電觸點(diǎn)于觸點(diǎn)容置空間內(nèi)；(g)提供一密封該包封體的容置空間的膠質(zhì)材料的覆蓋物，以將半導(dǎo)體晶片包封起來，且該包封體的膠質(zhì)材料具有一比該覆蓋物的膠質(zhì)材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)。
一種采用上述的方法制成的半導(dǎo)體集成電路，其特點(diǎn)是包含一導(dǎo)線架、一膠質(zhì)材料的包封體、至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層、一半導(dǎo)體晶片以及一膠質(zhì)材料的覆蓋物，所述的導(dǎo)線架具有數(shù)個(gè)接腳，所述的包封體具有一底板及由該底板周緣向上延伸的側(cè)壁，并形成一容置空間，該導(dǎo)線架的接腳的一端部位在該容置空間內(nèi)，并且另一端部穿過該側(cè)壁延伸出去，各絕緣膠帶層的第一粘接表面與該導(dǎo)線架的接腳粘接，并且在對應(yīng)該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間，各觸點(diǎn)容置空間容置有一導(dǎo)電觸點(diǎn)，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面，該粘接墊安裝表面是以加熱方式來與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，并且該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，該覆蓋物是密封該包封體的容置空間，該包封體的膠質(zhì)材料具有一比該覆蓋物的膠質(zhì)材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)。
本發(fā)明半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品由于半導(dǎo)體晶片的粘接墊與導(dǎo)線架的接腳是通過導(dǎo)電觸點(diǎn)來電性連接，免除打線機(jī)的需求，使之成本下降；同時(shí)，由于各導(dǎo)電觸點(diǎn)在半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與絕緣膠帶墊粘接后都被密封，因此可避免氧化現(xiàn)象發(fā)生及因濕度造成兩粘接墊之間的短路，延長了產(chǎn)品壽命；另外，由于本發(fā)明特殊包封方式，可利用加熱方式將該覆蓋物除去，就可檢查該半導(dǎo)體晶片及接腳，而且可容易將該半導(dǎo)體晶片5取出再回收利用，避免資源的浪費(fèi)。
通過以下對本發(fā)明半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品的若干實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解本發(fā)明的目的、基本結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為圖1～3是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶片的封裝方法的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶片的封裝方法中所使用的導(dǎo)線架的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5～8是本發(fā)明半導(dǎo)體晶片的封裝方法第一實(shí)施例中橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9是本發(fā)明第一實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10是本發(fā)明第二實(shí)施例的其中一個(gè)制作步驟的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖11～12是本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的部分制作步驟的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖13是本發(fā)明第四較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖14是本發(fā)明第五較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖15是本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖16～17是本發(fā)明第七較佳實(shí)施例的部分制作步驟的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖18是本發(fā)明第八較佳實(shí)施例的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
為了方便說明，在以下的實(shí)施例中，相同或類似的元件以相同的標(biāo)號表示。
如圖5～9所示，這是本發(fā)明半導(dǎo)體晶片的封裝方法第一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，標(biāo)號2(參見圖8)是半導(dǎo)體集成電路，其包含一導(dǎo)線架3、二絕緣膠帶層4及一半導(dǎo)體晶片5。
所述的導(dǎo)線架3具有多數(shù)個(gè)接腳30，在本實(shí)施例中，接腳30的設(shè)置是以兩排縱向排列，且位在同一排的兩相鄰接腳30間隔一定距離(如圖9)。
所述的各絕緣膠帶層4具有呈相對的第一和第二粘接表面40、42。該第一粘接表面40是以加熱處理方式粘附在該導(dǎo)線架的對應(yīng)的接腳30，各絕緣膠帶層4是根據(jù)該導(dǎo)線架3的接腳30處以激光方式設(shè)置有多數(shù)個(gè)貫孔44，且使每個(gè)貫孔44暴露一對應(yīng)的接腳30。
在各接腳30與形成暴露對應(yīng)的接腳30的貫孔44的孔壁46之間形成一觸點(diǎn)容置空間。該觸點(diǎn)容置空間是用以容置一由導(dǎo)電金屬材料形成的導(dǎo)電觸點(diǎn)48，在本實(shí)施例中，一錫球被植入至該觸點(diǎn)容置空間內(nèi)作為導(dǎo)電觸點(diǎn)48。
所述的半導(dǎo)體晶片5具有一粘接墊安裝表面52，該粘接墊安裝表面52設(shè)置有多個(gè)對應(yīng)在絕緣膠帶層4的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊50。
該半導(dǎo)體晶片5的粘接墊安裝表面52是在加熱處理下貼附至絕緣膠帶層4的第二粘接表面42及導(dǎo)電觸點(diǎn)48。在本實(shí)施例中，因?yàn)樵摰诙辰颖砻?2的粘膠43具有比導(dǎo)電觸點(diǎn)48更低的熔點(diǎn)，因此，在加熱處理時(shí)，在該導(dǎo)電觸點(diǎn)48熔化之前，該第二粘接表面42的粘膠43已熔接至該半導(dǎo)體晶片5的粘接墊安裝表面50上，使在各觸點(diǎn)容置空間內(nèi)的導(dǎo)電觸點(diǎn)48在熔化時(shí)都會(huì)被密封在該觸點(diǎn)容置空間內(nèi)，不會(huì)意外地溢出而與相鄰的導(dǎo)電觸點(diǎn)54接觸。最后再利用膠質(zhì)材料作為外殼6以與一般相同的封裝方式將部分的導(dǎo)線架3與半導(dǎo)體晶片5包封起來。
如圖10所示，這是本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，是以如導(dǎo)電銀膠般的導(dǎo)電膠容置在觸點(diǎn)容置空間內(nèi)作為導(dǎo)電觸點(diǎn)48。
如圖11～12所示，這是本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，是將一導(dǎo)電金屬材料49(例如金或鋁球)先容置在觸點(diǎn)容置空間內(nèi)，然后，再以化學(xué)電鍍方式形成該導(dǎo)電觸點(diǎn)48。
如圖13所示，這是本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體晶片5的數(shù)個(gè)粘接墊50是以等距離間隔縱向排列，并且該導(dǎo)線架3的接腳30也對應(yīng)調(diào)整。
如圖14所示，這是本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體晶片5的數(shù)個(gè)粘接墊50是沿該晶片5的周緣設(shè)置，并且該導(dǎo)線架3的接腳30也對應(yīng)調(diào)整。
如圖15所示，這是本發(fā)明的第六較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體晶片5的數(shù)個(gè)粘接墊50是分布在該晶片5兩端部，并且在各端部的這些粘接墊50依兩排橫向排列，該導(dǎo)線架3的接腳30也對應(yīng)調(diào)整。
如圖16～17所示，這是本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，與前述實(shí)施例不同處在于包封方式不同，該半導(dǎo)體集成電路2還包括一膠質(zhì)材料的包封體60及一膠質(zhì)材料的覆蓋物61來取代外殼6，首先(參見圖16)對該導(dǎo)線架3進(jìn)行局部包封，使該導(dǎo)線架3設(shè)置在包封體60內(nèi)，該包封體60具有一底板601及由該底板601周緣向上延伸的側(cè)壁602，形成一容置空間603，使該導(dǎo)線架3的接腳30的一端部31(參見圖17)位于該容置空間603內(nèi)，并且另一端部32穿過側(cè)壁602延伸出去，在本實(shí)施例中，該包封體60是可利用一般的膠質(zhì)材料來制作，然后將該等絕緣膠帶層4及半導(dǎo)體晶片5以前述實(shí)施例所提及的結(jié)構(gòu)設(shè)置在該導(dǎo)線架3的該等接腳30上，最后，在本實(shí)施例中，該覆蓋物61是覆蓋在與該半導(dǎo)體晶片5粘接墊安裝表面52相對的另一表面54，以將該半導(dǎo)體晶片5包封起來，并且該包封體60的膠質(zhì)材料具有一比該覆蓋物61的膠質(zhì)材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)，在本實(shí)施例中，為了加強(qiáng)該覆蓋物61與包封體60之間的固定關(guān)系，在該包封體60的側(cè)壁602內(nèi)環(huán)設(shè)一卡溝6022(見圖16)，且在該覆蓋物61的底緣向外延伸一對應(yīng)該卡溝6022的凸緣612(見圖17)，使該覆蓋物61的凸緣612卡置在該包封體60的卡溝6022內(nèi)固定，該覆蓋物61的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂(epoxy)，如需檢查半導(dǎo)體晶片5及接腳3或回收半導(dǎo)體晶片5時(shí)，只需對該半導(dǎo)體集成電路2進(jìn)行加熱，在加熱至一預(yù)定程度后，該覆蓋物61會(huì)融化，此時(shí)，將該覆蓋物61除去后，就可檢查該半導(dǎo)體晶片5及接腳31，或?qū)⒃摪雽?dǎo)體晶片5取出再利用。
如圖18所示，這是本發(fā)明的第八較佳實(shí)施例，在本實(shí)施例中，與上述第七實(shí)施例不同處在于所述的覆蓋物61’是充填該包封體60’的容置空間603’，而來包封該半導(dǎo)體晶片5。
綜上所述，本發(fā)明半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品具有如后所述的優(yōu)點(diǎn)1．降低成本由于半導(dǎo)體晶片5的粘接墊50與該導(dǎo)線架3的接腳30是通過導(dǎo)電觸點(diǎn)48來電性連接，免除打線機(jī)的需求，因此制造成本下降。
2．延長產(chǎn)品壽命由于每個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)48在半導(dǎo)體晶片5的粘接墊安裝表面50與絕緣膠帶墊4粘接后都被密封，因此可避免氧化現(xiàn)象發(fā)生及因濕度造成兩粘接墊30之間的短路。
3．降低產(chǎn)品不合格率由于本發(fā)明是通過由導(dǎo)電觸點(diǎn)48的設(shè)計(jì)，因此不會(huì)因現(xiàn)有技術(shù)打線的合格率問題而影響半導(dǎo)體集成電路2的生產(chǎn)品質(zhì)。
4．可易于解除外殼6包封狀態(tài)由于通過本發(fā)明的特殊包封方式，當(dāng)該半導(dǎo)體集成電路2如因某些因素需檢查時(shí)，可利用加熱方式將該覆蓋物61除去，就可檢查該半導(dǎo)體晶片5及接腳3，而且可容易將該半導(dǎo)體晶片5取出再回收利用，避免資源的浪費(fèi)。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟(a)提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多個(gè)接腳；(b)提供至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層，各該絕緣膠帶層的第一粘接表面是與該導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)于該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間；(c)在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間內(nèi)容置一導(dǎo)電觸點(diǎn)；(d)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面；(e)以加熱處理方式將該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，在該導(dǎo)電觸點(diǎn)熔接粘接墊之前，該粘膠已熔接該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面，從而密封導(dǎo)電觸點(diǎn)在觸點(diǎn)容置空間內(nèi)。
2．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于所述的封裝方法還包含以下的步驟(f)利用膠質(zhì)材料作為外殼來將該半導(dǎo)體晶片包封起來。
3．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的步驟(b)中，各絕緣膠帶層的第一粘接表面是以加熱處理方式來將該第一粘接表面的粘膠熔接至該導(dǎo)線架對應(yīng)的接腳。
4．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的步驟(c)中，是在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間植入一錫球作為導(dǎo)電觸點(diǎn)。
5．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(c)中，是在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電膠作為導(dǎo)電觸點(diǎn)。
6．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(c)中，是先在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電金屬材料，再以化學(xué)電鍍方式形成導(dǎo)電觸點(diǎn)。
7．一種采用權(quán)利要求1所述的方法制成的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包括一導(dǎo)線架、至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層以及一半導(dǎo)體晶片，所述的導(dǎo)線架具有數(shù)個(gè)接腳，所述的各絕緣膠帶層的第一粘接表面是導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)該導(dǎo)線架的接腳處形成一觸點(diǎn)容置空間，各該觸點(diǎn)容置空間容置有一導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述的半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面，該粘接墊安裝表面是以加熱方式與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)。
8．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的半導(dǎo)體集成電路還包括一膠質(zhì)材料所形成的外殼，該外殼是包封該半導(dǎo)體晶片及該導(dǎo)線架的一部份。
9．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一絕緣膠帶層的第一粘接表面具有熔接至該導(dǎo)線架的接腳的粘膠。
10．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)是通過由植入一錫球形成。
11．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)是由導(dǎo)電膠形成。
12．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)是通過由先在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電金屬材料，再以化學(xué)電鍍方式形成。
13．一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟(a)提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多個(gè)接腳；(b)利用膠質(zhì)材料作一包封體來放置該導(dǎo)線架，該包封體具有一底板及由該底板周緣向上延伸的側(cè)壁，形成一容置空間，使該導(dǎo)線架的該等接腳的一端部位在該容置空間內(nèi)，并且另一端部穿過該側(cè)壁延伸出去；(c)提供至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層，各該絕緣膠帶層的第一粘接表面是與該導(dǎo)線架的接腳粘接并且在對應(yīng)于該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間；(d)在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間內(nèi)容置一導(dǎo)電觸點(diǎn)；(e)提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)在該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面；(f)以加熱處理方式將該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，在該導(dǎo)電觸點(diǎn)熔接該等粘接墊之前，該粘膠已熔接該半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面，由此密封該導(dǎo)電觸點(diǎn)于觸點(diǎn)容置空間內(nèi)；(g)提供一密封該包封體的容置空間的膠質(zhì)材料的覆蓋物，以將半導(dǎo)體晶片包封起來，且該包封體的膠質(zhì)材料具有一比該覆蓋物的膠質(zhì)材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)。
14．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(c)中，所述的各絕緣膠帶層的第一粘接表面是以加熱處理方式來將該第一粘接表面的粘膠熔接至該導(dǎo)線架對應(yīng)的接腳。
15．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(d)中，是在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間植入一錫球作為導(dǎo)電觸點(diǎn)。
16．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(d)中，是在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電膠作為導(dǎo)電觸點(diǎn)。
17．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的該步驟(c)中，是先在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電金屬材料，再以化學(xué)電鍍方式形成導(dǎo)電觸點(diǎn)。
18．如權(quán)利要求13所述的半體體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的步驟(g)中，該覆蓋物是覆蓋在與半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面相對的另一表面。
19．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的步驟(g)中，該覆蓋物是填充該包封體的容置空間。
20．如權(quán)利要求13或18或19所述的半導(dǎo)體晶片的封裝方法，其特征在于在所述的步驟(g)中，該覆蓋物的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂。
21．一種采用權(quán)利要求13所述的方法制成的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于包含一導(dǎo)線架、一膠質(zhì)材料的包封體、至少一個(gè)具有第一與第二粘接表面的絕緣膠帶層、一半導(dǎo)體晶片以及一膠質(zhì)材料的覆蓋物，所述的導(dǎo)線架具有數(shù)個(gè)接腳，所述的包封體具有一底板及由該底板周緣向上延伸的側(cè)壁，并形成一容置空間，該導(dǎo)線架的接腳的一端部位在該容置空間內(nèi)，并且另一端部穿過該側(cè)壁延伸出去，各絕緣膠帶層的第一粘接表面與該導(dǎo)線架的接腳粘接，并且在對應(yīng)該導(dǎo)線架的接腳處形成有一觸點(diǎn)容置空間，各觸點(diǎn)容置空間容置有一導(dǎo)電觸點(diǎn)，該半導(dǎo)體晶片具有一形成有多個(gè)對應(yīng)該絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面，該粘接墊安裝表面是以加熱方式來與該絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接，并且該第二粘接表面的粘膠具有一比該導(dǎo)電觸點(diǎn)的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)，該覆蓋物是密封該包封體的容置空間，該包封體的膠質(zhì)材料具有一比該覆蓋物的膠質(zhì)材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)。
22．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一絕緣膠帶層的第一粘附表面具有熔接至該導(dǎo)線架的接腳的粘膠。
23．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)是通過由植入一錫球形成。
24．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)是由導(dǎo)電膠形成。
25．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的每一導(dǎo)電觸點(diǎn)先在每個(gè)觸點(diǎn)容置空間容置導(dǎo)電金屬材料，再以化學(xué)電鍍方式形成。
26．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的覆蓋物是覆蓋在該半導(dǎo)體晶片與該粘接墊安裝表面相對的另一表面。
27．如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的覆蓋物是充填該包封體的容置空間內(nèi)。
28．如權(quán)利要求21或26或27所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于所述的覆蓋物的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂。
全文摘要
一種半導(dǎo)體晶片的封裝方法及其所制成的產(chǎn)品,包含提供一具有數(shù)個(gè)接腳的導(dǎo)線架、提供至少一具有第一、二粘接表面的絕緣膠帶層,第一粘接表面與導(dǎo)線架的接腳粘接并在對應(yīng)在接腳處形成一觸點(diǎn)容置空間,在每觸點(diǎn)容置空間內(nèi)容置一導(dǎo)電觸點(diǎn),提供一半導(dǎo)體晶片,半導(dǎo)體晶片具有一形成有數(shù)個(gè)對應(yīng)絕緣膠帶層的觸點(diǎn)容置空間的粘接墊的粘接墊安裝表面,及以加熱處理方式將半導(dǎo)體晶片的粘接墊安裝表面與絕緣膠帶層的第二粘接表面及導(dǎo)電觸點(diǎn)粘接。
文檔編號H01L21/50GK1290031SQ9912073
公開日2001年4月4日 申請日期1999年9月24日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月24日
發(fā)明者沈明東 申請人:沈明東