專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及裝有半導(dǎo)體激光器片的半導(dǎo)體激光裝置。
半導(dǎo)體激光裝置，通過正向偏置使半導(dǎo)體激光器片動作，得到光輸出，當(dāng)對該半導(dǎo)體激光器片施加脈沖電壓時，在半導(dǎo)體激光器片的正向流過過剩脈沖電流，由此產(chǎn)生的過剩的光輸出惡化半導(dǎo)體激光器片本身。
首先，用圖8(a)及圖8(b)說明以往的具有脈沖耐壓功能的半導(dǎo)體激光裝置。
圖8(a)是以往的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。如圖8(a)所示，在陶瓷電容器21上，通過激光座22，形成以砷鋁化鎵為構(gòu)成要素的半導(dǎo)體激光器片23。陶瓷電容器21通過導(dǎo)線24與半導(dǎo)體激光器片23并聯(lián)。
圖8(b)是以往的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。如圖8(b)所示，半導(dǎo)體激光器片23與陶瓷電容器21相互并聯(lián)。當(dāng)對該半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓時，由于陶瓷電容21吸收是瞬態(tài)電流的脈沖電流，可防止過剩電流流入半導(dǎo)體激光器片23。另外，加大陶瓷電容器21的容量，如果與半導(dǎo)體激光器片23的阻抗相比，充分減小陶瓷電容器21的阻抗，吸收脈沖電流的效果更為顯著。
在以往的半導(dǎo)體激光裝置中，當(dāng)想要得到足夠的脈沖電流吸收效果時，由于需要將陶瓷電容器21的阻抗減小到比半導(dǎo)體激光器片23還小，陶瓷電容器21的容量需要設(shè)定比半導(dǎo)體激光器片23的結(jié)電容大。
但是，當(dāng)陶瓷電容器21的容量比半導(dǎo)體激光器片23的結(jié)電容還大時，或驅(qū)動半導(dǎo)體激光器片23的激光驅(qū)動電路的基準(zhǔn)電壓是波動的，或?qū)Π雽?dǎo)體激光器片23疊加高頻電壓，或是在對半導(dǎo)體激光器片23施加脈沖電壓時，由于泄放了與半導(dǎo)體激光器片23并聯(lián)的陶瓷電容器21的高頻成分，存在半導(dǎo)體激光器片23的響應(yīng)特性變壞的問題。
鑒于上述的情況，本發(fā)明的目的在于提供一種具有脈沖耐壓功能，同時對于高頻電壓的疊加及脈沖調(diào)制的響應(yīng)性都靈敏的半導(dǎo)體激光裝置。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第1半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及場效應(yīng)晶體管，陽極連接場效應(yīng)晶體管的漏極，場效應(yīng)晶體管的柵極連接場效應(yīng)晶體管的漏極，陰極連接場效應(yīng)晶體管的源極。
按照第1半導(dǎo)體裝置，當(dāng)對半導(dǎo)體激光器片施加超過場效應(yīng)晶體管的閾值的電壓時，由于在場效應(yīng)晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在向半導(dǎo)體激光器片施加超過場效應(yīng)晶體管的閾值電壓時，場效應(yīng)晶體管工作，在向半導(dǎo)體激光器片疊加高頻或是脈沖調(diào)制時，無損于半導(dǎo)體激光器片的響應(yīng)特性。
本發(fā)明的第2半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及雙極晶體管，陽極連接所述雙極晶體管的集電極，陰極連接雙極晶體管的發(fā)射極。
按照第2半導(dǎo)體激光裝置，在對半導(dǎo)體激光器片施加超過雙極晶體管的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓時，由于在雙極晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在對半導(dǎo)體激光器片施加超過雙極晶體管的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓時，雙極晶體管工作，在向半導(dǎo)體激光器片疊加高頻或者脈沖調(diào)制時，無損于半導(dǎo)體激光器片的響應(yīng)特性。
本發(fā)明的第3半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片、場效應(yīng)晶體管和雙極晶體管，陽極連接雙極晶體管的集電極，陰極連接雙極晶體管的發(fā)射極，場效應(yīng)晶體管的漏極連接雙極晶體管的集電極，場效應(yīng)晶體管的源極連接雙極晶體管的基極，場效應(yīng)晶體管的柵極連接場效應(yīng)晶體管的漏極。
按照第3半導(dǎo)體激光裝置，僅在對半導(dǎo)體激光器片施加超過場效應(yīng)晶體管的閾值電壓時，場效應(yīng)晶體管工作，在雙極晶體管上注入基極電流，由于在雙極晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在對半導(dǎo)體激光器片施加超過場效應(yīng)晶體管的閾值電壓時，場效應(yīng)晶體管工作，在向半導(dǎo)體激光器片疊加高頻或是脈沖調(diào)制時，無損于半導(dǎo)體激光器片的響應(yīng)特性。
本發(fā)明的第4半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及具有串聯(lián)的二極管和電容器的脈沖吸收電路，陽極連接脈沖電路的一端部，陰極連接脈沖電路的另一端部，二極管與半導(dǎo)體激光器片同極性相連接。
按照第4半導(dǎo)體激光裝置，包括具有串聯(lián)的二極管和電容器的脈沖吸收電路，在半導(dǎo)體激光裝置正常工作時，由于二極管的偏置電壓低，二極管的阻抗比半導(dǎo)體激光器片的阻抗大。因此，由于能夠防止引起高頻疊加等時的激光調(diào)制成分向脈沖吸收電路的泄入，能夠防止半導(dǎo)體激光器片的響應(yīng)特性的變壞。
本發(fā)明的第5半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片、具有正極和負(fù)極的第1二極管及具有正極和負(fù)極的第2二極管，第1二極管的正極連接第2二極的正極，半導(dǎo)體激光器片的陽極連接第1二極管的負(fù)極，半導(dǎo)體激光器片的陰極連接第2二極管的負(fù)極。
按照第5半導(dǎo)體激光裝置，當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓時，與半導(dǎo)體激光器片反極性連接的第1二極管開啟的同時，由于與半導(dǎo)體激光器片同極性連接的第2二極管正向偏置，能夠吸收脈沖電流。并且，即使由于高頻疊加的偏置電壓的變動或是產(chǎn)生激光驅(qū)動電路的基準(zhǔn)電壓的波動，由于第2二極管的偏置電壓也大體上不變動，能夠防止引起高頻疊加等時的激光調(diào)制成分向脈沖吸收電路的泄入，因此，能夠防止半導(dǎo)體激光器片的響應(yīng)特性的變壞。
下面說明附圖。


圖1(a)是實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。
圖1(b)是實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖2(a)是為試驗(yàn)實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置使用的施加脈沖電壓電路圖。
圖2(b)是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置中，脈沖電壓和流入半導(dǎo)體激光器片的脈沖電流的關(guān)系圖。
圖3(a)是實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。
圖3(b)是實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖4(a)是實(shí)施例3的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖。
圖4(b)是實(shí)施例3的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖5(a)是實(shí)施例4的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖。
圖5(b)是實(shí)施例4的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖6(a)是實(shí)施例5的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖。
圖6(b)是實(shí)施例5的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖7(a)是實(shí)施例6的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖。
圖7(b)是實(shí)施例6的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
圖8(a)是以往的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。
圖8(b)是以往的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
實(shí)施例1圖1(a)是實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖，圖1(b)是實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖1(a)所示，由砷鋁化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器片1是通過導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。用增強(qiáng)型n溝道的場效應(yīng)晶體管4形成的半導(dǎo)體基片5也搭載在外殼3上。半導(dǎo)體激光器片1和場效應(yīng)晶體管4通過導(dǎo)線6被連接。
如圖1(b)所示，半導(dǎo)體激光器片1的陽極與場效應(yīng)晶體管4的柵極及漏極相連接，半導(dǎo)體激光器片1的陰極與場效應(yīng)晶體管4的源極相連接。
這里，半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓通常是1.5～2.5V的范圍。如將場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓設(shè)定比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓還高，則半導(dǎo)體激光器片1只限于用偏置電壓工作，場效應(yīng)晶體管4不工作。也就是說，由于對半導(dǎo)體激光裝置只要不施加超過場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓，場應(yīng)晶體管4就不工作，因此，在向半導(dǎo)體激光器片1高頻疊加或是脈沖調(diào)制時，無損于半導(dǎo)體激光器片1的響應(yīng)特性。
下面，就在向?qū)嵤├?半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓，并測定了流入半導(dǎo)體器片1的脈沖電流的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。
圖2(a)表示對半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓的脈沖電壓施加電路，該脈沖電壓施加電路具有容量為200pF的1個電容器和1個開關(guān)，當(dāng)開關(guān)閉合時，電容器儲存的電荷流入半導(dǎo)體激光裝置。
圖2(b)表示對半導(dǎo)體激光裝置施加的脈沖電壓和流入半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流(峰值)的關(guān)系。在圖2(b)中，A表示半導(dǎo)體激光裝置僅由半導(dǎo)體激光器片1組成時，流入半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流，B表示當(dāng)場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為10V時，流入半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流，C表示當(dāng)場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為3V時，流入半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流。
如設(shè)定場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為10V，則當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加10V以上的脈沖電壓時，由于對場效應(yīng)晶體管4施加的電壓超過閾值電壓，脈沖電流流入場效應(yīng)晶體管4。因此，半導(dǎo)體激光裝置與僅由半導(dǎo)體激光器片1組成時相比，流入半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流減少。
當(dāng)場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓降低到3V時，即使向半導(dǎo)體激光裝置施加超過3V的脈沖電壓，由于場效應(yīng)晶體管4渡過脈沖電流，更提高脈沖吸收效果。
場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為0.2V～5V的范圍，并且最好設(shè)定比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓還高，其理由如下。如果設(shè)定場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓比5V還低，則更可提高脈沖吸收效果。這是由于閾值電壓越低，對脈沖電壓的上升沿，場效應(yīng)晶體管4的響應(yīng)速度越快。但是，當(dāng)使場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓接近半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓時，由于高頻疊加脈沖電壓的波動或是由于激光驅(qū)動電路的基準(zhǔn)電壓的波動等，場效應(yīng)晶體管4工作。因此，場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓設(shè)定比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓高0.2V以上是理想的。
按照實(shí)施例1，只要對半導(dǎo)體激光裝置施加比場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓還低的電壓，由于場效應(yīng)晶體管4不工作，不產(chǎn)生向場效應(yīng)晶體管4泄放高頻成分。實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo)體激光裝置的脈沖調(diào)制時，電流波形及輸出光的強(qiáng)度波形示出了上升沿時間及下降沿時間兩部分良好的電流響應(yīng)波形。
還有，當(dāng)將場效應(yīng)晶體管4的漏極——源極間的電阻設(shè)定在半導(dǎo)體激光器片1的系列電阻以下，則由于流入半導(dǎo)體激光裝置的脈沖電流的大部分流入場效應(yīng)晶體管4，能特別地提高脈沖吸收效果，因此場效應(yīng)晶體管4的漏極——源極間的電阻希望在5Ω以下。
實(shí)施例2圖3(a)是實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖，圖3(b)是實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖3(a)所示，由砷鋁化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器片1通過導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。nPn型的雙極晶體管7形成的半導(dǎo)體基片5設(shè)置在外殼3上。半導(dǎo)體激光器片1通過導(dǎo)線6連接雙極晶體管7。
如圖3(b)所示，半導(dǎo)體激光器片1的陽極和雙極晶體管7的集電極相連接，半導(dǎo)體激光器片1的陰極與雙極晶體管7的發(fā)射極相連接。
如設(shè)定雙極晶體管7的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓還高，則只要半導(dǎo)體激光器片1用偏置電壓工作，雙極晶體管7就不工作。也就是說，只要對半導(dǎo)體激光裝置不施加超過雙極晶體管7的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓，雙極晶體管7就不工作，因此，在向半導(dǎo)體激光器片1高頻疊加或是脈沖調(diào)制時，無損于半導(dǎo)體激光器片1的響應(yīng)特性。
雙極晶體管7的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓，與實(shí)施例1中說明過的理由同樣，設(shè)定在比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓0.2V～5V的范圍還高是理想的。
按照實(shí)施例2，只要對半導(dǎo)體激光裝置施加比雙極晶體管7的集電極——發(fā)射極間的擊穿電壓的絕對值還低的電壓，雙極晶體管7就不工作，因此，不產(chǎn)生向雙極晶體管7泄放高頻成分。在實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo)體激光裝置的脈沖調(diào)制時，電流波形及輸出光的強(qiáng)度波形示出了上升沿時間及下降沿時間的兩部分良好的電流響應(yīng)波形。
實(shí)施例3圖4(a)是實(shí)施例3的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖，圖4(b)是實(shí)施例3的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖4(a)所示，由砷鋁化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器片1，通過具有導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。在外殼3上，設(shè)置增強(qiáng)型的n溝道的場效應(yīng)晶體管4與nPn型的雙極晶體管7形成的半導(dǎo)體基片5。半導(dǎo)體激光器片1和場效應(yīng)晶體管4及雙極晶體管7，用導(dǎo)線6分別通過半導(dǎo)體基片5上的絕緣膜9的開口部形成的電極10被連接。
如圖4(b)所示，場效應(yīng)晶體管4的漏極及柵極、雙極晶體管7的集電極連接半導(dǎo)體激光器片1的陽極。半導(dǎo)體激光器片1的陰極連接雙極晶體管7的發(fā)射極，場效應(yīng)晶體管4的源極連接雙極晶體管7的基極。這里，半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓是2V，場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為3V。
當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加超過3V的脈沖電壓時，場效應(yīng)晶體管4工作，由于對雙極晶體管7注入基極電流，雙極晶體管7也工作。這樣的脈沖電流流入雙極晶體管7，用實(shí)驗(yàn)確認(rèn)可吸收以半導(dǎo)體激光裝置施加的脈沖電流。
按照實(shí)施例3，只要對半導(dǎo)體激光裝置施加比場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓還低的電壓，場效應(yīng)晶體管4就不工作，因此，不產(chǎn)生向場效應(yīng)晶體管4泄放高頻成分。在實(shí)際進(jìn)行的半導(dǎo)體激光裝置的脈沖調(diào)制，電流波形及輸出光的強(qiáng)度波形示出了上升沿時間及下降沿時間兩部分良好地電流響應(yīng)波形。
還有，場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓，與實(shí)施例1中說明過的理由同樣，設(shè)定在比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓0.2V～5V的范圍還高是理想的。
實(shí)施例4圖5(a)是實(shí)施例4的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖，圖5(b)是實(shí)施例4的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖5(a)所示，由砷鋁化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器片1通過導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。在外殼3上，設(shè)置形成二極管8以及電容器11的半導(dǎo)體基片5。二極管8和電容器11通過絕緣膜9被電隔離。
如圖5(b)所示，串聯(lián)連接的二極管8及電容器11構(gòu)成脈沖吸收電路。半導(dǎo)體激光器片1的陽極連接是脈沖吸收電路的一端部的電容器11，半導(dǎo)體激光器片1的陰極連接是脈沖吸收電路的另一端部的二極管8的負(fù)極。
當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓時，脈沖電流通過電容器11流進(jìn)二極管8。因此，脈沖吸收電路可吸收對半導(dǎo)體激光裝置施加的脈沖電流。
還有，當(dāng)加大電容器11的容量，減小脈沖吸收電路的阻抗時，能夠加大脈沖電流的吸收效果。并且，由于高頻疊加的偏置電壓的變動或是激光驅(qū)動電路的基準(zhǔn)電壓的波動等，二極管8的偏置電壓通常是0.2V以下非常小。由于二極管8的偏置電壓低，在半導(dǎo)體激光裝置的正常工作時，二極管8的阻抗比半導(dǎo)體激光器片1的阻抗大，能夠防止引起高頻疊加等時的放光調(diào)制成分的泄入。因此，進(jìn)行半導(dǎo)體激光裝置的脈沖調(diào)制時的電流波形及光輸出波形，上升沿時間及下降沿時間的兩部分均好。
實(shí)施例5圖6(a)是實(shí)施例5的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖，圖6(b)是實(shí)施例5的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖6(a)所示，半導(dǎo)體激光片1通過具有導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。在外殼3上設(shè)置有第1二極管8a及第2二極管8b形成的半導(dǎo)體基片5。
如圖6(b)所示，第1二極管8a的正極和第2二極管8b的正極連接，第1二極管8a的負(fù)極與半導(dǎo)體激光器片1的陽極連接，第2二極管8b的負(fù)極連接半導(dǎo)體激光器片1的陰極。
按照實(shí)施例5，當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加脈沖電壓時，與半導(dǎo)體激光器片1反極性連接的第1二極管8a導(dǎo)通，同時，由于與半導(dǎo)體激光器片1同極性連接的第2二極管8b被正向偏置，能夠吸收脈沖電流。這里，由于加大第1二極管8a的結(jié)電容(減小阻抗)，增強(qiáng)脈沖電流的吸收效果。
并且，當(dāng)?shù)?二極管8a的擊穿電壓比半導(dǎo)體激光器片1的偏置電壓大時，在施加了比偏置電壓高的脈沖電壓時，能夠加大脈沖電流的吸收效果。并且，即使產(chǎn)生由高頻疊加偏置電壓的變化或是激光驅(qū)動電路的基準(zhǔn)電壓的波動等，由于僅第1二極管8a的偏置電壓變化，第2二極管8b的偏置電壓大致不變化。因此，能夠防止引起高頻疊加等時的激光調(diào)制成分的泄入。因此，進(jìn)行半導(dǎo)體激光裝置的脈沖調(diào)制時的電流波形及光輸出波形，其上升沿時間及下降沿時間的兩部分為良好。
實(shí)施例6圖7(a)是實(shí)施例6的半導(dǎo)體激光裝置的剖視圖，圖7(b)是實(shí)施例6的半導(dǎo)體激光裝置的電路圖。
如圖7(a)所示，由砷鋁化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器片1通過導(dǎo)電性的激光座2設(shè)置在外殼3上。在外殼3上，設(shè)置用增強(qiáng)型n溝道的場效應(yīng)晶體管4和電阻12形成的半導(dǎo)體基片5。半導(dǎo)體激光器片1和場效應(yīng)晶體管4用導(dǎo)線6通過電極10相互連接，半導(dǎo)體激光器片1和電阻12用導(dǎo)線6通過電極10相互連接。
如圖7(b)所示，半導(dǎo)體激光器片1的陽極與場效應(yīng)晶體管4的柵極及漏極相連接，半導(dǎo)體激光器片1的陰極和場效應(yīng)晶體管4的源極通過電阻12連接。
還有，半導(dǎo)體激光器片1的系列電阻設(shè)定為3Ω，電阻12的電阻值設(shè)定為3Ω，場效應(yīng)晶體管4的漏極——源極間的電阻設(shè)定為2Ω。
另外，半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓為2V，場效應(yīng)晶體管4的閾值電壓為4V。這時，當(dāng)對半導(dǎo)體激光裝置施加超過4V的脈沖電壓時，由于對場效應(yīng)晶體管4施加的電壓超過閾值電壓，場效應(yīng)晶體管4工作，脈沖電流流入場效應(yīng)晶體管4。這時，在半導(dǎo)體激光器片1和電阻12串聯(lián)連接的串聯(lián)電路中，該串聯(lián)電路的阻抗和場效應(yīng)晶體管4的阻抗的比決定脈沖電流的流動。因此，由于加大電阻12的電阻值，能夠減少流進(jìn)半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流。由于這樣的構(gòu)成，即使固定半導(dǎo)體激光器片1的系列電阻，僅調(diào)整電阻12或是場效應(yīng)晶體管4的阻抗，也能夠控制流進(jìn)半導(dǎo)體激光器片1的脈沖電流。
實(shí)施例6是實(shí)施例1中對半導(dǎo)體激光器片1連接電阻12的方式，這種方式也與實(shí)施例2～實(shí)施例5的半導(dǎo)體激光裝置同樣可實(shí)施，收到同樣的效果。
在以上說明的本發(fā)明各實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置中，由于在激光座2或是半導(dǎo)體基片5上設(shè)置為吸收場效應(yīng)晶體管4或是雙極晶體管7等的脈沖電流的電子元件，不增加元器件個數(shù)，也能夠?qū)Π雽?dǎo)體激光裝置增加脈沖電流吸收功能。
還有，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，作為場效應(yīng)晶體管4也可使用代替n溝道的P溝道的場效應(yīng)晶體管，同時，作為雙極晶體管7，也可以使用代替nPn型的PnP型的雙極晶體管。
另外，用于本發(fā)明的各實(shí)施例的封裝、考慮組合型或是引線骨架型的封裝，但是，不特別限制封裝的形狀及構(gòu)成封裝的材料。
作為用于半導(dǎo)體激光器片的材料系列，可舉出Ga Al As系、In Ga AlP系、Ga N系、In Ga N系、Al Ga N系、Zn Se系、Zn Mg SSe系、ZnCdSSe系、InP系、In Ga As系或者是In Ga AsP系。
象In Ga Al P系、Ga N系或是Al Ga N系等，在使用激光振蕩波長短的材料系時，由于光量子能量高，伴隨施加的脈沖電壓發(fā)光，非常容易產(chǎn)生對半導(dǎo)體激光器片1的端面光學(xué)的破壞。本發(fā)明可防止由于脈沖電流而使半導(dǎo)體心片老化，所以在使用激光振蕩波長短的材料時，特別有效。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述場效應(yīng)晶體管的漏極，所述場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述場效應(yīng)晶體管的漏極，所述陰極連接所述場效應(yīng)晶體管的源極。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。
3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管的漏極-源極間的電阻為5Ω以下。
5．一種半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及雙極晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述雙極晶體管的集電極，所述陰極連接所述雙極晶體管的發(fā)射極。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述雙極晶體管的集電極-發(fā)射極間的擊穿電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述雙極晶體管的集電極-發(fā)射極間的擊穿電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。
8．一種半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及場效應(yīng)晶體管和雙極晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述雙極晶體管的集電極，所述陰極連接所述雙極晶體管的發(fā)射極，所述場效應(yīng)晶體管的漏極連接所述雙極晶體管的集電極，所述場效應(yīng)晶體管的源極連接所述雙極晶體管的基極，所述場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述場效應(yīng)晶體管的漏極。
9．根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。
11．一種半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片以及具有串聯(lián)的二極管和電容器的脈沖吸收電路，其特征在于，所述陽極連接所述脈沖電路的一端部，所述陰極連接所述脈沖電路的另一端部，所述二極管與所述半導(dǎo)體激光器片同極性相連接。
12．根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述二極管的阻抗比所述半導(dǎo)體激光器片的阻抗還大。
13．一種半導(dǎo)體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片，具有正極和負(fù)極的第1二極管及具有正極和負(fù)極的第2二極管，其特征在于，所述第1二極管的正極連接所述第2二極管的正極，所述半導(dǎo)體激光器片的陽極連接所述第1二極管的負(fù)極，所述半導(dǎo)體激光器片的陰極連接所述第2二極管的負(fù)極。
14．根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第1二極管的阻抗比所述半導(dǎo)體激光器片的阻抗大。
15．根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，所述第1二極管的反向擊穿電壓的絕對值和所述半導(dǎo)體激光器片的偏置電壓的絕對值的差比0V大，并且為5V以下。
16．根據(jù)權(quán)利要求1、5、8、11或13所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體激光片的陰極連接的電阻。
全文摘要
一種半導(dǎo)體激光裝置,包括具有陽極和陰極的半導(dǎo)體激光器片及場效應(yīng)晶體管。半導(dǎo)體激光器片的陽極連接場效應(yīng)晶體管的漏極。場效應(yīng)晶體管的柵極連接場效應(yīng)晶體管的漏極。半導(dǎo)體激光器片的陰極連接場效應(yīng)晶體管的源極。
文檔編號H01S5/022GK1234639SQ9910584
公開日1999年11月10日 申請日期1999年4月21日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月23日
發(fā)明者河內(nèi)泰之, 中西秀行, 油利正昭, 吉川昭男, 石黑永孝 申請人:松下電子工業(yè)株式會社