專利名稱：用于半導體器件的清洗/干燥臺和生產線的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種清洗/干燥臺及一種具有該種清洗/干燥臺的半導體器件生產線。更具體地說，本發(fā)明涉及一種用在半導體器件生產線中的清洗/干燥系統(tǒng)，其中可以以高度的靈活性來選擇兩種不同的清洗處理(即，清洗操作)和兩種不同的干燥處理(即，干燥操作)，以及一種其中具有這樣一種清洗/干燥系統(tǒng)并對清洗裝置和干燥裝置的布局或排列進行了優(yōu)化的半導體器件生產線。
在制造半導體器件的過程中，在對晶片所進行的多種加工處理的每一項之前和之后均要進行用于濕洗晶片的清洗處理以及緊接者清洗處理之后用于對該晶片進行干燥的干燥處理。
例如，當對一個晶片進行干法腐蝕時，首先要進行一次清洗處理以將要干腐蝕的晶片表面上的雜質清除，而后要進行一次干燥處理以將清洗后的晶片干燥。在每次加工處理之前和之后，比如，在一個晶片上形成一層氧化硅膜之前，在離子注入之后，以及在外延生長之前，幾乎均要不可避免地進行這樣的清洗處理。即在許多情況中，在兩個連續(xù)的加工處理之間均要進行清洗處理。另外，在清洗處理之后通常還要進行干燥處理。一般來說，清洗處理包括利用化學溶液來清洗晶片的化學清洗步驟，及利用清水將殘留在晶片上的化學溶液清除掉的清水漂洗步驟。
一起使用化學清洗步驟和清水漂洗步驟的一個典型示例是RCA清洗處理。該RCA處理包括在其中先用一種含有預定比例的銨，過氧化氫和水的混合清洗液來清洗一個晶片，而后利用純凈水來進行漂洗的第一步驟；在其中先將該晶片浸入到稀釋HF水溶液中，而后利用純凈水來進行漂洗的第二步驟；以及在其中先用一種含有預定比例的鹽酸，過氧化氫及水的混合清洗液來清洗一個晶片，而后利用純凈水對其進行漂洗的第三步驟。
另外還有一種利用鹽酸或含有0.5％的鹽酸和1-10％的過氧化氫的鹽酸-過氧化氫的清洗液的將天然氧化膜和金屬雜質從一個晶片上清除掉，而后用純凈水進行漂洗的專用清洗方法。
本文中，將使用這樣一種基于鹽酸的化學溶液的處理稱為“利用HF(清洗)溶液進行清洗”，而將使用基于非鹽酸的化學溶液的處理，如堿洗，酸洗或RCA清洗稱為“利用非HF(清洗)溶液進行清洗”。
通常在清洗之后是利用一種旋轉甩干裝置來進行干燥處理的。在漂洗步驟之后，將所清洗的晶片在該種旋轉甩干裝置中快速旋轉以通過離心力和氣流的作用將存留在該晶片上的水清除掉。該旋轉甩干裝置可以以較高的吞吐量來甩干晶片，但其并不能將水徹底地清除掉，從而會在晶片上形成水印及諸如此類的東西。該種旋轉甩干裝置是高吞吐量/低性能干燥裝置的一個典型例子，其主要用于利用非HF清洗液所進行的清洗處理之后通常不需要很高的干燥性能的干燥處理中。
常規(guī)的旋轉甩干裝置分為3類；即多片匣甩干器，單片匣甩干器，和單晶片甩干器。單片匣旋轉甩干器的一個例子為旋轉類型，其中如
圖1所示，一個運送晶片“W”的單片匣“C”被放在一個繞偏心軸“E”旋轉的滾筒“D”中。多片匣旋轉甩干器的一個例子為回轉類型，其中如圖2所示，兩個分別運送晶片“W”的片匣“K”被面對面地放在一個繞垂直旋轉軸“F”旋轉的滾筒“D”中的徑向位置上。
隨著用于半導體器件的晶片直徑不斷增大，元件尺寸的減小和多層布線的采用，包括晶片表面上的凸出和下凹的晶片表面形貌變得更加精細，而形貌中的水平差也將增大。因此，通孔的縱橫比也隨之增大。因此，利用旋轉甩干方法已很難將晶片甩干到所需的干燥程度，由此將會導致出現諸如在晶片表面上產生水印，及由于通孔底部未被完全干燥而使得該通孔的接觸電阻升高等多種問題。
為解決上述問題，最近又出現了一種利用IPA(異丙醇)的IPA蒸發(fā)干燥技術。如圖3所示，在一種使用IPA蒸發(fā)干燥技術的IPA蒸發(fā)干燥裝置中，殘留在一個晶片上的小水滴或水膜被代替為隨后被允許滴落并在最后被蒸發(fā)掉的濃縮IPA。因而使晶片得到了干燥。
由于該IPA蒸發(fā)干燥裝置(以下簡稱為“IPA干燥裝置”)幾乎能夠完全地用IPA來代替晶片上的水，而在替換之后該IPA又可以被蒸發(fā)掉，所以將不太會產生水印。該IPA干燥裝置是高性能/低吞吐量干燥器的一個典型例子，其主要是用于使用HF清洗液進行完清洗處理之后通常需要高干燥性能的干燥處理中。
另外，還研制了一種利用包括一個清洗裝置和一個干燥裝置在內的一個集成設備所進行的直接IPA干燥方法。此方法中，在一個封閉空間內進行清洗、漂洗和干燥以盡量減少晶片暴露在氧化氣體中的機會，不然的話，當晶片從漂洗臺運送到干燥臺的過程中將會暴露在空氣中。
在一種常規(guī)的半導體器件生產線中，為了確保干燥處理的高吞吐量，在使用非HF清洗液所進行的清洗處理如堿洗，酸洗或RCA清洗之后另外提供了一種不需要將晶片干燥到很高程度的高吞吐量/低性能的干燥裝置。另一方面，為了確保干燥處理的高質量，在清洗處理如使用HF清洗液所進行的化學清洗處理之后另外提供了一種低吞吐量/高性能的干燥裝置。
接下來將參照圖4對一種常規(guī)的半導體器件生產線進行說明。該種常規(guī)的生產線90包括一系列分別對晶片進行一種預定加工處理的加工臺92A-92E。將一個晶片運送到這些加工臺92A-92E并順序地在這些加工臺92A-92E中對其進行相應的加工處理。在生產線90中，在每個加工臺92處進行加工處理之前和/或之后必須進行清洗/干燥處理。
比如，在形成一層柵氧化物膜的步驟中，要先對一層氧化膜進行濕法蝕刻，隨后還要對一層氮膜進行濕法蝕刻。在對該氧化膜進行濕法蝕刻的過程中，雜質被溶解到清水滴中，從而使晶片表面受到了污染。為了抑制這種污染，通常要利用一種HF清洗液對晶片進行清洗，并隨后對其進行IPA干燥。另外，當在晶片上的一個夾層絕緣膜中形成插頭并使這些插頭穿透該絕緣膜時，將對該絕緣膜進行蝕刻以形成隨后利用非HF清洗液進行對其清洗的連接孔，接下來對該晶片進行旋轉甩干。在此處理中，為了抑制水印的產生，將利用HF清洗液對該晶片進行清洗，而后再對其進行IPA干燥。
在生產線90中，在加工臺92A和92D處進行完加工處理之后，將執(zhí)行一種利用HF清洗液的清洗處理和一種高性能的干燥處理。另外，在加工臺92B和92C處進行完加工處理之后，將執(zhí)行一種利用非HF清洗液的清洗處理和一種低性能的干燥處理。
因此，在常規(guī)的生產線90中，在92A和92D每個之后分別提供有一個使用HF清洗液的清洗裝置94和一個IPA干燥裝置96，在92B和92C每個之后分別提供有一個使用非HF清洗液的清洗裝置98和一個旋轉甩干裝置100。
如上所述的常規(guī)半導體器件生產線涉及如下的多種問題。
首先，每個加工臺均同時配備有一個HF清洗裝置和一個高性能干燥裝置，或一個非HF清洗裝置及一個低性能干燥裝置。因此，在選擇清洗處理和干燥處理方面的靈活性將變得很低。比如，為了應付晶片直徑增大，元件尺寸減小和采用多層布線等情況，不需要HF清洗液的常規(guī)清洗條件將變?yōu)樾枰狧F清洗液的清洗條件。然而，由于常規(guī)半導體器件生產線中的相關加工臺的下端僅提供了非HF清洗裝置和旋轉甩干裝置，所以清洗條件將很難改變。
另外，當提供的是一種低性能干燥裝置時，在HF加工處理或諸如此類需要高程度干燥的加工處理之后將不能進行充分地干燥，從而會在接下來的步驟中產生問題。與此相反，當僅需要低程度的干燥而卻提供了高性能的干燥裝置時，整個半導體器件生產線的吞吐量將降低，從而使產品的成本升高。如果為了解決上述問題而同時采用了兩種干燥裝置，即高性能干燥裝置和低性能干燥裝置，則生產設備的成本又將上升。
其次，存在一個問題在于半導體器件生產線的吞吐量將取決于某一個干燥裝置的吞吐量。比如，當提供的是高性能干燥裝置時，則半導體器件生產線的吞吐量將大部分取決于該高性能干燥裝置的吞吐量。
再其次，當在每個加工臺之前或之后均提供了一個清洗裝置和干燥裝置時，將需要很大數量的清洗裝置和干燥裝置。因此，清洗和干燥裝置的設備成本將變得很高，從而使清洗和干燥晶片的成本也變得很高。此外，由于僅有在極少數的情況下這些清洗和干燥裝置才會一直工作，所以清洗和干燥裝置的空載時間將變得很長。
考慮到常規(guī)半導體器件生產線中所涉及的這些問題以及考慮到生產下一代直徑為300mm的晶片的需要，必須以一種能夠提高對晶片的清洗和干燥處理質量、降低清洗/干燥成本并提高這些處理的靈活性的方式來提供清洗裝置和干燥裝置。
考慮到上文所述的情況，本發(fā)明的一個目的是提供一種以高度靈活的方式提供清洗和干燥處理的清洗/干燥系統(tǒng)。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種為提高清洗和干燥處理的靈活性而被優(yōu)化的半導體器件生產線。
本發(fā)明提供了一種清洗/干燥系統(tǒng)，其特征在于包括使用HF清洗液清洗晶片的第一清洗裝置，使用非HF清洗液清洗晶片的第二清洗裝置，用于干燥晶片的高性能干燥裝置，及一個以較快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥裝置干燥的快速干燥裝置，其中根據所需的清洗條件來選擇第一清洗裝置和第二清洗裝置，而根據所需的干燥條件來選擇高性能干燥裝置和快速干燥裝置。
本發(fā)明還提供了一種生產線，其特征在于包括一系列分別用于在該生產線中根據所需處理來對一個晶片進行處理的加工臺；一個清洗/干燥臺，其包括使用HF清洗液來清洗晶片的第一清洗裝置，使用非HF清洗液來清洗晶片的第二清洗裝置，用于干燥晶片的高性能干燥裝置，一個以較快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥裝置干燥的快速干燥裝置，其中根據所需的清洗條件來選擇第一清洗裝置和第二清洗裝置，而根據所需的干燥條件來選擇高性能干燥裝置和快速干燥裝置；一個用于在每個加工臺和清洗/干燥臺之間運送晶片的晶片運送系統(tǒng)。
根據本發(fā)明的清洗/干燥臺和生產線，可以在不增加成本或生產線空間的情況下增大選擇清洗裝置和干燥裝置的靈活性。
在接下來參照附圖所進行的詳細說明中，本發(fā)明的上述和其它目的、特性和優(yōu)點將變得更加清晰。
圖1所示為一種旋轉類型的旋轉甩干裝置的簡要全視圖；圖2所示為一種回轉類型的旋轉甩干裝置的簡要全視圖；圖3為顯示IPA干燥方法原理的簡要剖面圖；圖4所示為常規(guī)的半導體器件生產線的簡要方框圖；圖5所示為根據本發(fā)明的第一實施例的清洗和干燥系統(tǒng)的簡要方框圖；圖6所示為根據本發(fā)明的第二實施例的半導體器件生產線的示意簡圖；圖7所示為根據本發(fā)明的第三實施例的半導體器件生產線的示意簡圖；圖8所示為根據本發(fā)明的第四實施例的半導體器件生產線的示意簡圖；圖9所示為根據本發(fā)明的第五實施例的半導體器件生產線的示意簡圖；現在，將參照附圖對本發(fā)明進行更具體地說明。第一實施例參照圖5，根據本實施例的清洗/干燥臺1適用于在半導體器件的制造處理中對一個晶片進行清洗/干燥。該清洗/干燥臺1包括使用HF清洗液的清洗裝置2，使用非HF清洗液的清洗裝置3，用作高性能干燥裝置的IPA干燥裝置，及用作快速干燥裝置的旋轉甩干裝置5。另外，清洗/干燥臺1還包括能夠通過遙控進行操作的晶片搬運機器人6。該機器人6在第一和第二清洗裝置2或3處從臺1即一個加工臺的外面接收一個晶片，并將該晶片從干燥裝置4或5運送到為下一工段所配置的另一加工臺。
在本實施例中，根據所需的清洗條件選出一個所需的清洗裝置2或3，并根據所需的干燥條件來選出一個所需的干燥裝置4或5。第二實施例參照圖6，本實施例的目的是發(fā)明一種用于制造半導體器件的生產線10，其包括一系列分別對晶片進行所需加工處理的加工臺12A到12E，及清洗/干燥臺14。將晶片運送到加工臺12A-12E并在加工臺12A到12E對其連續(xù)地進行相應的加工處理。在生產線10中，在每個加工臺12A到12E的加工處理之前和/或之后均要進行清洗/干燥處理。
生產線10中還配置了作為用于在對生產線10的集中控制下進行清洗和干燥處理的集中臺的清洗/干燥臺14。生產線10還包括一個晶片運送系統(tǒng)，其包括一個用于快速地在生產線10中的加工臺12A到12E與單獨的集中式清洗/干燥臺14之間運送晶片的運送裝置16。也可以代之以配置有限數目的集中式清洗/干燥臺(例如，兩個)14。
集中式清洗/干燥臺14包括使用HF清洗液的清洗裝置18，使用非HF清洗液的清洗裝置20，用作高性能干燥裝置的IPA干燥裝置I22，及用作快速干燥裝置的旋轉甩干裝置24。另外，清洗/干燥臺14還包括一個用于搬運晶片的晶片搬運機器人(未示出)。
用于快速地運送晶片的運送裝置16為管狀類型，其包括提供于清洗室天花板上用于利用線性電機來運送晶片的運送管道網絡。該運送管的內部充滿了一種惰性氣體以向晶片提供一種惰性氣體環(huán)境從而防止在運送過程中使晶片受到污染。如下所述的每個實施例均包括這樣一種該管道類型的晶片運送系統(tǒng)。
本實施例中，如實線所示，在各個加工臺12A到12E處所處理的晶片由運送裝置16快速地運送到集中式清洗/干燥臺14。接著，將這些晶片分組，并根據所需的清洗條件選擇清洗裝置18和20中合適的一個，而根據所需的干燥條件從干燥裝置22和24中選出合適的一個。比如，需要HF清洗處理的晶片由清洗裝置18利用HF清洗液進行清洗并隨后由IPA干燥裝置22進行干燥。另一方面，需要非HF清洗處理的晶片由清洗裝置20利用非HF清洗液進行清洗并隨后由旋轉甩干裝置24進行甩干。
如虛線所示，甩干后的晶片由運送裝置16或普通的運送裝置運送到下一工段。
在該第二實施例中，在每個加工臺12處完成處理之后，可以通過選擇性地使用在集中式清洗/干燥臺14中所提供的不同類型的清洗裝置18和20及干燥裝置22和24來對晶片進行清洗和干燥。因此，其將提高旋轉清洗和干燥處理方面的靈活性。
在本實施例中，通過提高IPA干燥裝置22的吞吐量，將可以提高生產線10的總吞吐量。另外，通過將該集中式清洗/干燥臺14配置在一個最優(yōu)位置上，也可以對生產線的布局進行優(yōu)化。第三實施例參照圖7，本實施例的一種生產線30用于制造半導體器件，并包括一系列分別對晶片進行一種預定的加工處理的加工臺32A-32E。生產線30另外包括一個單獨的集中式清洗/干燥臺38，其包括HF清洗裝置34，高性能的IPA干燥制造36，及搬運機器人(未示出)。也可以代之以配置有限數目的清洗/干燥臺38(例如，兩個)。另外，還提供了一個用于快速地將晶片從加工臺32A-32E運送到該集中式清洗/干燥臺38的晶片運送裝置40。另一方面，在加工臺32B和32C每個之后還提供了一個作為分布式清洗/干燥臺并包括非HF清洗裝置42和旋轉甩干裝置44的清洗/干燥臺46。
將一個晶片運送到加工臺32A-32E并由加工臺32A-32E對其連續(xù)地進行相應的加工處理。在生產線30中，在每個加工臺32的處理之前和/或之后均要對晶片進行清洗/干燥處理。
本實施例中，在加工臺32A和32D處進行完加工處理之后將執(zhí)行使用HF清洗液的清洗處理和高性能干燥處理。另一方面，在加工臺32B和32C處進行完加工處理之后將執(zhí)行使用非HF清洗液的清洗處理和快速干燥處理。
本實施例中，如實線所示，在加工臺32A和32D處所處理的晶片由晶片運送裝置40快速地運送到集中式清洗/干燥臺38。接著，這些晶片由搬運機器人傳送到HF清洗裝置34中并利用HF清洗液對其進行清洗。接著，這些晶片被傳送到IPA干燥制造36中并對其進行IPA干燥處理。如虛線所示，干燥后的晶片由晶片運送裝置40或普通的運送裝置運送到下一個加工臺32B或32E。
將在加工臺32B和32C處處理完的晶片運送到相應的分布式清洗/干燥臺46，在此由非HF清洗裝置42對這些晶片進行非HF清洗處理并隨后由旋轉甩干裝置44進行旋轉甩干。
在本第三實施例中，在加工臺32A和32D每個進行完處理之后，提供于集中式清洗/干燥臺38中的HF清洗裝置34和IPA干燥裝置36將在防止生長天然氧化膜的情況下對其進行一次HF清洗處理和一次高性能干燥處理。分布式清洗/干燥臺46能夠在不使用集中式加工臺38的情況下對晶片進行快速地處理。通過將該集中式清洗/干燥臺38配置在一個最優(yōu)位置上以及將該分布式清洗/干燥臺46配置在多個所需位置上可以對生產線30的布局進行優(yōu)化。第四實施例參照圖8，本實施例的一種生產線50也用于制造半導體器件，并包括一系列分別對晶片進行一種預定加工處理的加工臺52A-52D。將一個晶片運送到52A-52D并在加工臺52A-52D對其連續(xù)地進行相應的加工處理。在生產線50中，在每個加工臺52之前和/或之后均要對晶片進行清洗/干燥處理。
本實施例中，在生產線50中配置有一個單獨的集中式清洗/干燥臺58，其包括非HF清洗裝置54，低性能旋轉甩干制造56，及搬運機器人(未示出)。然而，在生產線50中也可以代之以有限數目的清洗/干燥臺58(例如，兩個)。其還提供了一個晶片運送裝置60以用于快速地將晶片從加工臺52B和52C運送到集中式清洗/干燥臺58。
在加工臺52A和52B之間及集中式清洗/干燥臺58和加工臺52D之間提供了多個分別包括一個HF清洗裝置62和一個IPA干燥裝置64的高性能清洗/干燥臺66。
本實施例中，在加工臺52A進行完加工處理之后將執(zhí)行使用HF清洗液的清洗處理和高性能干燥處理。另外，在加工臺52B進行完加工處理之后將執(zhí)行使用非HF清洗液的清洗處理和低性能干燥處理。而且，在加工臺52C進行完加工處理之后將執(zhí)行使用非HF清洗液的清洗處理和一種低性能干燥處理，隨后將執(zhí)行一種使用HF清洗液的清洗處理和一種高性能干燥處理。
如實線所示，在加工臺52B處所處理的晶片由晶片運送裝置60快速運送到集中式清洗/干燥臺58。接著，這些晶片由搬運機器人傳入到非HF清洗裝置54中以利用非HF清洗液對其進行清洗。接著，這些晶片被傳入到旋轉甩干制造56中以對其進行旋轉甩干處理。如虛線所示，甩干后的晶片由晶片運送裝置60或普通的運送裝置運送到下一加工臺52C。
如實線所示，在加工臺52C處所處理的晶片由晶片運送裝置60快速運送到集中式清洗/干燥臺58。接著，這些晶片由搬運機器人傳入到非HF清洗裝置54中以利用非HF清洗液對其進行清洗。接著，這些晶片被傳入到旋轉甩干制造56中以對其進行旋轉甩干處理。甩干后的晶片由晶片運送裝置60運送到分布式清洗/干燥臺66中，在此這些晶片由HF清洗裝置62進行一次HF清洗處理，隨后由IPA干燥裝置64對其進行IPA干燥處理。隨后將干燥后的晶片運送到加工臺52D。
在本第四實施例中，提供于集中式清洗/干燥臺58中的非HF清洗裝置54和旋轉甩干裝置56提供了在每個加工臺52進行完處理之后再進行非HF清洗處理的最佳選擇，從而可以在具有較高吞吐量的情況下進行清洗和干燥。另外，還可以獲得清洗處理的一個選擇組合，其中HF清洗處理是在非HF清洗處理之后進行的。因此，將進一步提高清洗和干燥處理的靈活性。
通過將集中式清洗/干燥臺58配置在一個最優(yōu)位置上可以對生產線50的布局進行優(yōu)化。第五實施例參照圖9，本實施例的一種生產線70也用于制造半導體器件，并包括一系列分別對晶片進行一種預定加工處理的加工臺72A-72F。將一個晶片運送到加工臺72A-72F并在加工臺72A-72F對其連續(xù)地進行相應的加工處理。在生產線70中，在每個加工臺72之前和/或之后將對晶片進行清洗/干燥處理。
本實施例中，在生產線70中配置有一個單獨的集中式清洗/干燥臺78，其包括一個HF清洗裝置74，一個高性能IPA干燥裝置76，及一個搬運機器人(未示出)。然而，在生產線70中也可以代之以有限數目的清洗/干燥臺(例如，兩個)。其還提供了一個第一晶片運送裝置80以用于快速地將晶片從72A和72D運送到第一集中式清洗/干燥臺78。
另外，在生產線70中還配置有一個包括一個非HF清洗裝置82，一個低性能旋轉甩干裝置84和一個搬運機器人(未示出)的單獨的第二集中式清洗/干燥臺86。在生產線70中也可以代之以有限數目的清洗/干燥臺86n(例如，兩個)。其還提供了第二晶片運送裝置88以將晶片快速地從加工臺72B,72C和72E運送到第二集中式清洗/干燥臺86。
另外，其還提供了一個第三晶片運送裝置89以將晶片快速地從第二集中式清洗/干燥臺86通過第一集中式清洗/干燥臺78運送到加工臺72F。
本實施例中，在加工臺72A和72D進行完加工處理之后將執(zhí)行使用HF清洗液的清洗處理和高性能干燥處理。另外，在加工臺72B和72C進行完加工處理之后將執(zhí)行使用非HF清洗液的清洗處理和快速干燥處理。而且，在加工臺72E進行完加工處理之后將進行利用非HF清洗液的清洗處理和快速干燥處理，隨后將進行使用HF清洗液的清洗處理和高性能干燥處理。
如實線所示，在加工臺72A和72B所處理的晶片由晶片運送裝置80快速地運送到集中式清洗/干燥臺78。接著，這些晶片由搬運機器人傳入到HF清洗裝置74中并利用一種HF清洗液對其進行清洗。接著，這些晶片被傳入到IPA干燥裝置76中并對其進行IPA干燥處理。如虛線所示，干燥后的晶片由第一晶片運送裝置80或普通的運送裝置運送到下一加工臺72B或72E。
如實線所示，在加工臺72B和72C處所處理的晶片由晶片運送裝置80快速地運送到第二集中式清洗/干燥臺86。這些晶片由搬運機器人傳入到非HF清洗裝置82中并利用非HF清洗液對其進行清洗。接著，這些晶片被傳入到旋轉甩干裝置84中并對其進行旋轉甩干處理。如虛線所示，甩干后的晶片由晶片運送裝置88或普通的運送裝置運送到下一加工臺72C或72D。
如實線所示，在加工臺72E處所處理的晶片由晶片運送裝置88快速地運送到第二集中式清洗/干燥臺86，在此將利用非HF清洗液對這些晶片進行清洗，而后再對其進行旋轉甩干處理。如實線所示，甩干后的晶片被快速地運送到第一集中式清洗/干燥臺78，在此將利用HF清洗液對這些晶片進行清洗，而后再對其進行IPA干燥處理。如實線所示，干燥后的晶片由晶片運送裝置89快速地運送到下一加工臺72F。
在第五實施例中，其提供了包括HF清洗裝置74和IPA干燥裝置76的第一集中式清洗/干燥臺78，以及包括非HF清洗裝置82和旋轉甩干裝置84的第二集中式清洗/干燥臺86。因此，在加工臺72每個進行完處理之后，可以自由地選擇清洗處理和干燥處理。另外，還有一個其中在非HF清洗處理之后進行HF清洗處理的任選項。因此，將提高旋轉清洗和干燥處理的靈活性。
通過將該第一和第二集中式清洗/干燥臺78和86配置在一個最優(yōu)位置上可以對生產線80的布局進行優(yōu)化。
根據本發(fā)明的清洗/干燥裝置包括兩種提供了不同的清洗操作的清洗裝置和兩種提供了不同干燥操作的干燥裝置。因此，可以根據所需的清洗條件來選擇合適的清洗裝置，以及根據所需的干燥條件來選擇合適的干燥裝置。
另外，在根據本發(fā)明的生產線中，一個包括兩種提供了不同清洗操作的清洗裝置和兩種提供了不同干燥操作的干燥裝置被配置在生產線的合適位置上。因此，可以增大與清洗/干燥處理相關的靈活性，并對生產線的布局進行優(yōu)化。
另外，通過將不同類型的清洗裝置和干燥裝置組合在一起可以形成一種集中式的清洗/干燥裝置和一種分布式清洗/干燥裝置。因此，可以增大與清洗/干燥處理相關的靈活性，并對生產線的布局進行優(yōu)化。
由于上面所說明的上述實施例僅僅出于示例的目的，所以本發(fā)明并不局限于上述實施例，那些技術熟練者可以在不背離本發(fā)明的范圍的情況下對其作出多種修正或變更。
權利要求
1．清洗/干燥系統(tǒng)，其特征在于包括利用HF清洗液對晶片進行清洗的第一清洗裝置，利用非HF清洗液對晶片進行清洗的第二清洗裝置，用于對晶片進行干燥的高性能干燥裝置，及以較快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥裝置干燥的快速干燥裝置，根據所需的清洗條件來選擇所述第一清洗裝置或所述第二清洗裝置，根據所需的干燥條件來選擇所述高性能干燥裝置或所述快速干燥裝置。
2．如權利要求1所述的清洗/干燥系統(tǒng)，其特征在于所述高性能干燥裝置和所述快速干燥裝置是根據該晶片是由所述第一清洗裝置還是由所述第二清洗裝置進行清洗的具體情況來進行選擇的。
3．一種生產線，包括一系列分別用于根據所需的處理對該生產線中的晶片進行處理的加工臺；一個清洗/干燥臺，其包括一個利用HF清洗液對晶片進行清洗的第一清洗裝置，利用非HF清洗液對晶片進行清洗的第二清洗裝置，對晶片進行干燥的高性能干燥裝置，及一個以較快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥裝置干燥的快速干燥裝置，根據所需的清洗條件來選擇所述第一清洗裝置或所述第二清洗裝置，根據所需的干燥條件來選擇所述高性能干燥裝置或所述快速干燥裝置；以及在所述每個加工臺與所述清洗/干燥臺之間運送晶片的晶片運送系統(tǒng)。
4．一種生產線，包括一系列分別用于根據所需的處理對該生產線中的晶片進行處理的加工臺；至少一個第一清洗/干燥臺，其包括利用HF清洗液對晶片進行清洗的第一清洗裝置和對由所述第一清洗裝置所清洗的晶片進行干燥的高性能干燥裝置；至少一個第二清洗/干燥臺，其包括利用非HF清洗液對晶片進行清洗的第二清洗裝置及對由所述第二清洗裝置所清洗的晶片進行干燥的快速干燥裝置；及根據所需的清洗/干燥條件選擇性地在所述加工臺與所述第一清洗/干燥臺或所述第二清洗/干燥臺之間運送晶片的運送裝置。
5．如權利要求4所述的生產線，其特征在于所述第一清洗/干燥臺和所述第二清洗/干燥臺均為用于生產線的集中式加工臺。
6．如權利要求4所述的生產線，其特征在于所述至少一個第一清洗/干燥臺是一個集中式加工臺，而所述至少一個第二清洗臺包括一組分別配置在兩個所述加工臺之間分布式加工臺。
7．如權利要求4所述的生產線，其特征在于所述至少一個第一清洗/干燥臺包括一組分別配置在兩個所述加工臺之間的分布式加工臺，而所述至少一個第二清洗臺為一個集中式加工臺。
8．如權利要求4所述的生產線，其特征在于所述運送裝置通過所述第二清洗/干燥臺在所述加工臺與所述第一清洗/干燥臺之間運送晶片。
全文摘要
一種生產線,其包括一個用于根據所需的清洗/干燥條件利用HF清洗液或非HF清洗液對一個晶片進行清洗并在隨后對其進行干燥的集中式清洗/干燥臺,及一個用于在每個加工臺和該集中式清洗/干燥臺之間運送晶片的運送系統(tǒng)。該生產線在選擇晶片的清洗/干燥條件方面具有很大的靈活性且其系統(tǒng)的尺寸也有很大的減小。
文檔編號H01L21/304GK1230768SQ9910348
公開日1999年10月6日 申請日期1999年3月31日 優(yōu)先權日1998年3月31日
發(fā)明者太田娜厚米 申請人:日本電氣株式會社