專利名稱：高頻電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信系統(tǒng)等高頻信號(hào)處理裝置中使用的以共振器、濾波器等為主的高頻電路元件。
在高頻通信系統(tǒng)中，以共振器、濾波器等為主的高頻電路元件是不可缺少的主要元件。作為目前使用的共振器、濾波器等高頻電路元件，主要是使用介質(zhì)共振器的元件、使用傳輸線路結(jié)構(gòu)(微波傳輸帶結(jié)構(gòu)或帶式線路結(jié)構(gòu))的元件、使用表面彈性波元件的元件等。其中，使用傳輸線路結(jié)構(gòu)的元件能適用于小型、微波、直至納米波區(qū)域的高頻，另外，由于是在基板上形成的二維結(jié)構(gòu)，容易與其它電路或元件組合，所以被廣泛利用。迄今，作為這種類型的共振器，最一般的是利用由傳輸線路構(gòu)成的1/2波長(zhǎng)共振器，另外，通過將多個(gè)該1/2波長(zhǎng)共振器結(jié)合起來，構(gòu)成濾波器等高頻電路元件(參見東京電機(jī)大學(xué)出版局出版的《詳解 例題·練習(xí) 微波電路》)。
另外，作為傳輸線路結(jié)構(gòu)的其它現(xiàn)有例，有采用平面電路結(jié)構(gòu)的傳輸線路。作為其代表例，有通過使用圓板型共振器構(gòu)成各種高頻電路(《電子通信學(xué)會(huì)論文集》72/8 Vol.55-B No.8《微波平面電路的分析處理(Analysis of Microwave Planar Ciecuit)》三好旦六、大越孝敬)。
可是，在1/2波長(zhǎng)共振器等傳輸線路結(jié)構(gòu)的共振器中，由于導(dǎo)體中的高頻電流集中在局部，所以，由導(dǎo)體的電阻產(chǎn)生的損失較大，導(dǎo)致共振器的Q值劣化，在構(gòu)成濾波器時(shí)導(dǎo)致?lián)p失的增加。另外，在使用通常廣泛利用的微波傳輸帶結(jié)構(gòu)的1/2波長(zhǎng)共振器的情況下，還存在從電路向空間輻射所產(chǎn)生的損失的影響問題。
另外，作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，在采用圓形的共振器等的情況下，在輸入輸出線路和共振器的結(jié)合部分難以獲得能滿足濾波器設(shè)計(jì)參數(shù)程度的大的結(jié)合度。作為獲得大的輸入輸出結(jié)合度用的方法，提出了以下的技術(shù)(

圖12、圖13)。即，如圖12所示，在共振器30的一個(gè)部位形成切口30a，輸入輸出線路31的前端部分被插入該切口30a中。因此，耦合電容增大，能增加輸入輸出耦合度(T.Hayashi等著《電子學(xué)快報(bào)》(Electronics Letters)、Vol.30、No.17、pp.1424)。另外，如圖13所示，輸入輸出線路31的前端部分31a的線路寬度被擴(kuò)大，線路寬度被擴(kuò)大了的前端部分31a被配置成與共振器30的外周部分相對(duì)的狀態(tài)。因此，耦合電容增大，能增加輸入輸出耦合度。
可是，即使在這些方法中，輸入輸出耦合度的增加也有限度。另外，在前一種方法(圖12)的情況下，由于在共振器30的一個(gè)部位形成切口30a，所以，在該部分產(chǎn)生電流集中，成為損失增大的原因。另外，在后一種方法(圖13)的情況下，由于輸入輸出線路31的前端部分31a的線路寬度增加，所以，引起阻抗不均勻，如果前端部分的線路寬度過寬，輸入輸出耦合度反而減小。
本發(fā)明就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述課題而完成的，目的在于提供一種不會(huì)導(dǎo)致?lián)p失增加或阻抗不均勻的、能實(shí)現(xiàn)輸入輸出耦合度大的高頻電路元件。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)是一種至少包括一個(gè)平面電路結(jié)構(gòu)的共振器以及至少一個(gè)輸入輸出線路的高頻電路元件，上述輸入輸出線路具有側(cè)端，上述輸入輸出線路的上述側(cè)端的一部分通過上述共振器的外周上的耦合部分和間隙部分、沿著上述共振器的外周部分配置。如果采用該高頻電路元件的結(jié)構(gòu)，則由于將輸入輸出電路的側(cè)端的一部分通過共振器的外周上的耦合部分和間隙部分，沿著共振器的外周部分配置，所以能進(jìn)行分布耦合。結(jié)果，不會(huì)象現(xiàn)有的高頻電路元件那樣在耦合部分改變共振器的外周形狀或輸入輸出線路寬度，即能實(shí)現(xiàn)不會(huì)導(dǎo)致?lián)p失增加或阻抗不均勻的大的輸入輸出耦合度。
在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，輸入輸出線路最好實(shí)際上具有相同的寬度。
在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，可以采用圓形的共振器、多邊形的共振器等任意形狀的共振器。
另外，在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，由從共振器的中心看到的角度規(guī)定耦合部分的長(zhǎng)度，上述角度最好設(shè)定在5～30°的范圍。
另外，在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，間隙部分的間隙最好設(shè)定在10～50μm的范圍。
上述本發(fā)明的高頻電路元件最好具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)或帶狀線路結(jié)構(gòu)。微波傳輸帶結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且與其它電路的耦合性好。帶狀線路結(jié)構(gòu)由于輻射損失極小，所以能實(shí)現(xiàn)損失小的高頻電路元件。
另外，在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，可以采用圓形的共振器，而且對(duì)上述共振器耦合兩個(gè)輸入輸出線路，其耦合部分是上述共振器的外周和長(zhǎng)軸及短軸的交點(diǎn)附近，從上述共振器的中心看最好設(shè)在大致相差90°的不同的位置。如果采用該優(yōu)選例，則能作為帶通濾波器工作。這可以認(rèn)為是，通過利用橢圓形狀的共振器的兩個(gè)共振方式之間的耦合，能作為兩級(jí)共振器耦合型濾波器工作。
另外，在上述本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，作為共振器的材料最好采用超導(dǎo)體。如果采用該優(yōu)選例，則能實(shí)現(xiàn)損失小且耐電力特性好的高頻電路元件。
圖1是本發(fā)明的高頻電路元件的第一實(shí)施例的平面圖。
圖2是圖1中的II-II剖面圖。
圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的高頻電路元件的反射特性圖。
圖4是本發(fā)明的高頻電路元件的第一實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是本發(fā)明的第一實(shí)施例的高頻電路元件的另一結(jié)構(gòu)的反射特性圖。
圖6是本發(fā)明的第一實(shí)施例的高頻電路元件的另一結(jié)構(gòu)的耦合部分的長(zhǎng)度和輸入輸出耦合度的關(guān)系圖。
圖7是本發(fā)明的第一實(shí)施例的高頻電路元件的另一結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖8是本發(fā)明的高頻電路元件的第二實(shí)施例的平面圖。
圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施例的高頻電路元件的輸入輸出特性圖。
圖10是本發(fā)明的第二實(shí)施例的高頻電路元件的插入損失與輸入功率的依賴特性圖。
圖11是具有本發(fā)明的帶狀線路結(jié)構(gòu)的高頻電路元件的剖面圖。
圖12是現(xiàn)有技術(shù)中的高頻電路元件的一例的平面圖。
圖13是現(xiàn)有技術(shù)中的高頻電路元件的另一例的平面圖。
圖14是高頻電路元件的耦合部分長(zhǎng)度和輸入輸出耦合度的關(guān)系的比較例圖。
以下，利用實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明。
<第一實(shí)施例>
圖1是本發(fā)明的高頻電路元件的第一實(shí)施例的平面圖。圖2是圖1中的II-II剖面圖。如圖1、圖2所示，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在由介質(zhì)單晶等構(gòu)成的基板1的中央形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的圓形共振器2。另外，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在與構(gòu)成共振器2的面相同的面上形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的輸入輸出線路3。這里，輸入輸出線路3具有側(cè)端，其線路寬度是一樣的。并且，輸入輸出線路3的側(cè)端的一部分通過共振器2的外周上的耦合部分4和間隙部5沿共振器2的外周部分配置。另外，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在基板1的背面的全部表面上形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的接地平面6。因此，能實(shí)現(xiàn)具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)的高頻電路元件。
作為導(dǎo)體膜的材料，可以采用以YBa2Cu3Ox等釔(Y)系列、Bi2Sr2Ca2Cu3Ox等鉍(Bi)系列、Tl2Ba2CaCu2Ox等鉈(Tl)系列等為代表的高溫氧化物超導(dǎo)體、Nb等金屬超導(dǎo)體、以及金、銅等金屬。
如果從具有以上結(jié)構(gòu)的高頻電路元件的輸入輸出線路3的端子部分7輸入高頻信號(hào)，則該高頻信號(hào)在耦合部分4與共振器2耦合，引起共振。這時(shí)，如圖3所示，能獲得共振器2的共振頻率吸收大的共振電路特有的特性。
在圖12、圖13所示的現(xiàn)有的高頻電路元件中，只利用了由耦合部分32的電容產(chǎn)生的電容性耦合的效果，但在本實(shí)施例的高頻電路元件中，還增加了由磁場(chǎng)產(chǎn)生的分布耦合的效果，與現(xiàn)有的高頻電路元件相比，能獲得較大的耦合度。即，如本實(shí)施例所示，由于通過共振器2的外周上的耦合部分4和間隙部5，將輸入輸出線路3的側(cè)端的一部分沿共振器2的外周部分配置，所以能進(jìn)行分布耦合。結(jié)果，不象圖12、圖13所示的現(xiàn)有的高頻電路元件那樣在耦合部分4改變共振器2的外周形狀和輸入輸出線路3的寬度，即不會(huì)導(dǎo)致?lián)p失增加或阻抗不均勻，而能實(shí)現(xiàn)大的輸入輸出耦合度。
以下，舉出本實(shí)施形態(tài)的具體例，進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖4是本發(fā)明的高頻電路元件的第一實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖4所示，在厚度為0.5mm的由氧化鑭鋁(LaAlO3)單晶構(gòu)成的基板1的中央形成厚度為0.7μm的、由鉈系列高溫氧化物超導(dǎo)體構(gòu)成的圓形共振器2。這里，共振器2的半徑為9.35mm。另外，與在基板1上形成共振器2的面為相同的面上形成厚度為0.7μm、線路寬度為0.175mm的、由相同的鉈系列高溫氧化物超導(dǎo)體構(gòu)成的輸入輸出線路3。輸入輸出線路3的側(cè)端的一部分通過共振器2的外周上的耦合部分4和間隙部5沿共振器2的外周部分配置。這里，間隙部5的間隔為20μm。另外，耦合部分4的長(zhǎng)度用從共振器2的中心所看到的角度θ表示。另外，在基板1的背面的全部表面上形成厚度為0.7μm的、由相同的鉈系列高溫氧化物超導(dǎo)體構(gòu)成的接地平面(圖中未示出)。
圖5表示θ=10°時(shí)的反射特性。如圖5所示可知，能獲得共振器2的共振頻率吸收大的共振電路特有的特性。
圖6表示使θ變化時(shí)的輸入輸出耦合度的變化。由于共振電路的外部Q越小，輸入輸出耦合度變得越大，所以，這里用共振電路的外部Q表示輸入輸出耦合度。如圖6所示，θ=20°時(shí)，能獲得約120的外部Q，即使再增加到θ=30°左右，可知輸入輸出耦合度也增加。為了比較，在圖14中示出了圖13所示的現(xiàn)有高頻電路元件中的輸入輸出耦合度的變化。這里，輸入輸出線路31的前端部的開口角度用從圓板共振器30的中心所看到的角度φ表示。另外，輸入輸出線路31的前端部和圓板共振器30之間的間隙部的間隙與圖4相同，被設(shè)定為20μm。另外，輸入輸出耦合部以外的結(jié)構(gòu)與圖4相同。如圖14所示，在圖13所示的現(xiàn)有的高頻電路元件中，如果增大角度φ，則在20°附近能獲得最大的輸入輸出耦合度(外部Q約為450)。而且，如果將φ增大到該界限以上，外部Q反而變大。即，如果使角度φ大于20°則輸入輸出耦合度變小。這樣由于將角度φ增大時(shí)，輸入輸出耦合度變小，所以，如果輸入輸出線路31的前端部的線路寬度變大，則輸入輸出線路31的特性阻抗急劇變化，因此，可以認(rèn)為是由輸入輸出信號(hào)反射造成的。因此，如果在相同的條件下進(jìn)行比較，則在本實(shí)施例的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，可以使外部Q下降到100左右，但在圖13所示的現(xiàn)有的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)中，不可能獲得外部Q在450以下的大的輸入輸出耦合度。
如上所述，如果采用本實(shí)施例中的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)，則能獲得用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)不可能實(shí)現(xiàn)的大的輸入輸出耦合度。一般說來，共振器耦合型的高頻濾波器要求較大的輸入輸出耦合度，所以本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)非常有效。
另外，在本實(shí)施例中，作為平面結(jié)構(gòu)的共振器，舉例說明了使用圓形的共振器2的情況，但本發(fā)明不一定限于這種結(jié)構(gòu)。作為平面結(jié)構(gòu)的共振器，除了圓形的共振器以外，還可以采用例如以圖7(a)所示的橢圓形的共振器、或圖7(b)所示的多邊形的共振器為主的任意形狀的共振器。由于與上述的理由同樣的理由，使用這樣的形狀的共振器的高頻電路元件也同樣有效。
另外，在本實(shí)施例中，舉例說明了由一個(gè)共振器2和一個(gè)輸入輸出線路3構(gòu)成的高頻電路元件，但本發(fā)明不一定限于這種結(jié)構(gòu)。例如，即使在使用了多個(gè)共振器和多條輸入輸出線路的多級(jí)濾波器等高頻電路元件、或在其一部分中包括共振器和輸入輸出線路的高頻電路元件的情況下，也能應(yīng)用本發(fā)明，同樣能發(fā)揮其有效性。
<第二實(shí)施例>
圖8是本發(fā)明的高頻電路元件的第二實(shí)施例的平面圖。如圖8所示，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在由介質(zhì)單晶等構(gòu)成的基板8的中央形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的橢圓形共振器9。橢圓形共振器9的長(zhǎng)軸12及短軸13的長(zhǎng)度分別被設(shè)定為19.07mm、18.93mm。另外，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在基板8上與形成的共振器9的面為同一面上形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的輸入輸出線路10a、10b。這里，輸入輸出線路10a、10b具有側(cè)端，其線路寬度是一樣的。并且，輸入輸出線路10a、10b的側(cè)端的一部分分別通過共振器9的外周上的耦合部分11a、11b和間隙部14a、14b，沿共振器9的外周部分配置。這時(shí)，耦合部分11a、11b被設(shè)在共振器9的輪廓和長(zhǎng)軸12及短軸13的交點(diǎn)附近、從共振器9的中心看位于相差90°不同的位置。另外，耦合部分11a、11b的長(zhǎng)度都被設(shè)定為從共振器9的中心看相當(dāng)于角度18°的長(zhǎng)度。另外，采用例如真空蒸鍍法和刻蝕等方法，在基板8的背面的全部表面上形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的接地平面(圖中未示出)。因此，能實(shí)現(xiàn)具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)的高頻電路元件。
圖9表示具有以上結(jié)構(gòu)的高頻電路元件的輸入輸出特性。如圖9所示，該元件在1.9GHz附近能獲得平坦的透射特性，可知能作為帶通濾波器工作。它表示通過利用橢圓形的共振器的兩個(gè)共振方式之間的耦合，能作為兩級(jí)共振器耦合型濾波器進(jìn)行工作。該型式的濾波器由于橢圓形的共振器的外周部分非常滑，共振器內(nèi)的電流集中的影響小，所以，作為共振器的材料，在采用通常的金屬的情況下，也比現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)的損失小。
圖10表示具有上述結(jié)構(gòu)的高頻電路元件的通帶的插入損失與輸入功率的依賴關(guān)系。測(cè)定時(shí)使用了ヒュ-レツトパツ力-ド公司制的HP85108A脈沖式RF網(wǎng)絡(luò)分析系統(tǒng)。這時(shí)，使用脈寬為2微秒的脈沖狀的功率信號(hào)進(jìn)行了測(cè)定，以便使元件部分不受信號(hào)輸入輸出用電纜等的發(fā)熱的影響。測(cè)定溫度為20開爾文(ケルビン)。由圖10可知，對(duì)直至+50dBm(100W)的輸入功率，沒有確認(rèn)插入損失的明顯變化。在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體濾波器中，對(duì)于頂多達(dá)數(shù)十mW(約+15dBm)左右值的輸入信號(hào)，超導(dǎo)性就會(huì)被破壞，從而不可能工作，可知本高頻電路元件的耐電力性能極好。這是因?yàn)?，本高頻電路元件能將輸入輸出線路部分及共振器部分的電流集中抑制得非常小，以及元件總體損失非常小，因此，與損失相伴隨的發(fā)熱的影響極小等等，明確地表示本高頻電路元件的有效性。
另一方面，在將圖13所示的現(xiàn)有的輸入輸出耦合結(jié)構(gòu)用于本實(shí)施例的高頻電路元件的耦合部分的情況下，不能獲得必要的輸入輸出耦合度(外部Q=約130)，所以，不能獲得圖9所示的輸入輸出特性。這一點(diǎn)通過圖6和圖4的比較就能容易理解。另外，在采用圖12所示的現(xiàn)有的輸入輸出耦合結(jié)構(gòu)的情況下，由于共振器的外周部分急劇變化，所以，在共振器內(nèi)產(chǎn)生電流的局部集中，成為損失增大的原因。
從以上結(jié)果可知，圖8所示的本實(shí)施例的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)非常有效。
另外，在上述實(shí)施例中，雖然舉例說明了具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)的高頻電路元件，但本發(fā)明并非只能適用于具有這種結(jié)構(gòu)的高頻電路元件。例如，即使對(duì)于具有圖11所示的帶式線路結(jié)構(gòu)的高頻電路元件，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)也是有效的。在圖11中，15a、15b表示基板，16表示共振器，17a、17b表示接地平面。帶式線路結(jié)構(gòu)與微波傳輸帶結(jié)構(gòu)相比較，雖然結(jié)構(gòu)復(fù)雜，但由于輻射損失變小，所以能提高元件特性。
另外，在上述實(shí)施例中，作為共振器的材料，舉例說明了采用通常的金屬的情況，但作為共振器的材料也可以使用通常的金屬以外的超導(dǎo)體。如果采用超導(dǎo)體作為共振器的材料，則能實(shí)現(xiàn)損失小、且耐電力特性好的高頻電路元件。另外，在采用超導(dǎo)體作為共振器的材料且采用圖12所示的現(xiàn)有的輸入輸出耦合結(jié)構(gòu)的情況下，會(huì)造成耐電力特的劣化。
作為超導(dǎo)體，也可以用金屬系列材料(例如Pb、Pbln等Pb系列材料，Nb、NbN、Nb3Ge等Nb系列材料)，但在實(shí)用上，最好采用溫度條件比較平緩的高溫氧化物超導(dǎo)體(例如Ba2YCu3O7)。
可是，在采用超導(dǎo)體作為共振器的材料的情況下，超過臨界電流密度的值就不能有超導(dǎo)電流。這成為使用大功率的高頻信號(hào)時(shí)的問題。在本發(fā)明的高頻電路元件中，采用了平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，它能有效地緩和在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中電流集中最厲害的共振器的外周部分的高頻電流的集中，另外，不使該外周部分的形狀變化，就能獲得大的輸入輸出耦合度，所以，使用相同功率的高頻信號(hào)時(shí)的最大電流密度比以往的小。因此，在利用具有相同的臨界電流密度的超導(dǎo)體構(gòu)成本發(fā)明的高頻電路元件的情況下，更能使用大功率的高頻信號(hào)，本發(fā)明的有效性非常大。
如上所述，如果采用本發(fā)明的高頻電路元件的結(jié)構(gòu)，對(duì)于具有平面結(jié)構(gòu)的共振器，能獲得比現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)大的輸入輸出耦合度，能增大高頻電路設(shè)計(jì)的自由度，所以能實(shí)現(xiàn)高性能的高頻電路元件。
權(quán)利要求
1.一種高頻電路元件，至少包括一個(gè)平面電路結(jié)構(gòu)的共振器以及至少一個(gè)輸入輸出線路，其特征在于上述輸入輸出線路具有側(cè)端，上述輸入輸出線路的上述側(cè)端的一部分通過上述共振器的外周上的耦合部分和間隙部分，沿著上述共振器的外周部分配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于輸入輸出線路實(shí)際上具有相同的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，采用圓形的共振器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，采用橢圓形的共振器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，采用多邊形的共振器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于由從共振器的中心看到的角度規(guī)定耦合部分的長(zhǎng)度，上述角度被設(shè)定在5～30°的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于間隙部分的間隔設(shè)定在10～500μm的范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于具有帶狀線路結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于作為平面電路結(jié)構(gòu)的共振器，采用圓形的共振器，而且，對(duì)上述共振器耦合兩個(gè)輸入輸出線路，其耦合部分是上述共振器的外周和長(zhǎng)軸及短軸的交點(diǎn)附近，從上述共振器的中心看設(shè)在大致相差90°不同的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電路元件，其特征在于作為共振器的材料采用超導(dǎo)體。
全文摘要
提供一種不會(huì)導(dǎo)致?lián)p失增加或阻抗不均勻而能實(shí)現(xiàn)大的輸入輸出耦合度的高頻電路元件。在由介質(zhì)單晶等構(gòu)成的基板1上形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的圓形共振器2。在基板1的與形成共振器2的面為相同的面上,形成由導(dǎo)體膜構(gòu)成的線路寬度一樣的輸入輸出線路3。輸入輸出線路3的側(cè)端的一部分通過共振器2的外周上的耦合部分4和間隙部5,沿共振器2的外周部分配置。
文檔編號(hào)H01P5/08GK1202021SQ98107950
公開日1998年12月16日 申請(qǐng)日期1998年5月7日 優(yōu)先權(quán)日1997年5月8日
發(fā)明者榎原晃, 瀨恒謙太郎 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社