專利名稱：場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下指FET)的放大器，而更具體地涉及一種FET放大器，其被作為衛(wèi)星通訊或諸如此類的低噪聲放大器使用，從而通過(guò)使用壓縮電路來(lái)實(shí)現(xiàn)寬頻帶內(nèi)的減噪。
在用于衛(wèi)星通訊的低噪聲放大器中，從衛(wèi)星到達(dá)地面的無(wú)線電波由于在衛(wèi)星與地面之間的無(wú)線電波傳播路徑內(nèi)的衰減或受衛(wèi)星本身的發(fā)射能力的限制而變得很弱。由于這個(gè)原因，放大器自身產(chǎn)生的噪聲需要被減至最小。在目前的衛(wèi)星通訊中，所使用的頻帶隨著通訊業(yè)務(wù)量的增加而加寬，從而放大器也必須適應(yīng)一個(gè)寬頻帶。因此，F(xiàn)ET放大器必須具有一個(gè)能夠同時(shí)滿足這兩個(gè)要求的電路結(jié)構(gòu)。為滿足這些要求，已通過(guò)改進(jìn)FET放大器的輸入端電路做了些研究。
通常，如

圖1所示，當(dāng)一個(gè)無(wú)耗匹配電路M1與FET1的輸入端相聯(lián)時(shí)，F(xiàn)ET1的噪聲系數(shù)是由輸入電路的源導(dǎo)納(Ys＝Gs+jBs)確定的，如下面公式所示F＝F0+Rn/Gs(Gs-G0)2+(Bs-B0)2F由輸入電路確定的噪聲系數(shù)F0最佳的噪聲系數(shù)Rn等效輸入噪聲電阻G0給出最佳噪聲系數(shù)的電導(dǎo)B0給出最佳噪聲系數(shù)的電納Gs輸入電路的電導(dǎo)(源電導(dǎo))Bs輸入電路的電納(源電納)為了在此公式的基礎(chǔ)上形成一個(gè)噪聲最優(yōu)FET放大器，最好使源導(dǎo)納(Ys＝Gs+jBs)與由FET限定的噪音最佳導(dǎo)納(Y0＝G0+jB0)相匹配。圖1中的參考符號(hào)M2表示一個(gè)輸出匹配電路。
在傳統(tǒng)的FET放大器中，如圖2所示，包含具有一個(gè)輸入端21和變壓器24到26的阻抗改進(jìn)隔離器2的輸出端23，一個(gè)等效端22，且終端電阻為50Ω的輸出端23通過(guò)λ/4微帶線路11和一個(gè)FET引線電感12與FET1的輸入端相連，從而獲得實(shí)現(xiàn)最優(yōu)噪聲的匹配。參考符號(hào)13表示一個(gè)輸出匹配電路。然而，在此電路結(jié)構(gòu)中，由隔離器輸出部分的變壓器26和λ/4微帶線路11之間的匹配電路中產(chǎn)生的損耗降低了FET放大器的噪聲系數(shù)。當(dāng)實(shí)現(xiàn)噪聲匹配時(shí)，此放大器的源阻抗在圖3的史密斯圖中表現(xiàn)為一個(gè)軌跡C。然而，為實(shí)現(xiàn)最優(yōu)噪聲的源阻抗通常用圖3中的軌跡D表示。此兩軌跡具有相反的頻率方向因此其彼此相交。這不可避免地在帶端造成噪聲增加，從而無(wú)法獲得寬頻帶噪聲匹配。
為了解決噪聲匹配后頻率軌跡的交叉問(wèn)題，日本未審查的專利公開(kāi)號(hào)為No.63-62405的申請(qǐng)中公開(kāi)了一種具有用于實(shí)現(xiàn)寬頻帶內(nèi)降低噪聲的電路結(jié)構(gòu)的微波放大器。該微波放大器如圖4A所示，在介質(zhì)襯底的表面上設(shè)置一個(gè)FET1，該介質(zhì)襯底的表面上形成有一個(gè)接地導(dǎo)線，且在FET1的輸入部分IN和柵極之間設(shè)置一個(gè)輸入匹配電路30。輸入匹配電路30包含一個(gè)設(shè)置在輸入部分的開(kāi)路線31，微帶線32和33用于將輸入部分與FET的柵極相連，和設(shè)置在微帶線上一點(diǎn)的短路線34。即使當(dāng)電容器C被接入地與另一微帶線35的末端之間而不是設(shè)置一個(gè)短路線34，如圖4B所示，仍可獲得一個(gè)短路端電路。
下面將描述現(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)的放大器的輸入阻抗軌跡的變化。用Гs′表示從FET的柵極到輸入匹配電路30的輸入端的反射系數(shù)。而相應(yīng)地用Γ1、Γ2、Γ3來(lái)表示從輸入匹配電路30的相應(yīng)元件到輸入端的反射系數(shù)。開(kāi)路線31，微帶線32和33以及短路線34的電學(xué)長(zhǎng)度被最優(yōu)化，從而使得反射系數(shù)Г1到Г3和Г5在圖5的史密斯圖上相應(yīng)地沿著軌跡41到44的變化而變化。已沿著開(kāi)路線31和微帶線32中的軌跡變化的反射系數(shù)Γ2沿著短路線34的軌跡43變?yōu)榉瓷湎禂?shù)Γ3。軌跡Γ3通過(guò)沿著微帶線32和33的相位旋轉(zhuǎn)被轉(zhuǎn)換為Γs(44)并重疊上FET的最優(yōu)輸入負(fù)載反射系數(shù)Γopt(45)。通常地，當(dāng)頻率變高時(shí)，微帶線的相位旋轉(zhuǎn)變得更大。由于這個(gè)原因當(dāng)軌跡Γ3到達(dá)軌跡Γs的位置時(shí)，軌跡的長(zhǎng)度變小。然而，與圖2中的結(jié)構(gòu)相比，由于從Γopt(45)到Γs(44)的位移可被減小，從而圖4A或4B中的結(jié)構(gòu)可在寬頻帶實(shí)現(xiàn)噪聲匹配。
在用于衛(wèi)星通訊的低噪聲放大器中，即使當(dāng)包含放大器輸入饋電部分和天線的裝置結(jié)構(gòu)中的輸入阻抗條件變化時(shí)，為了向接收系統(tǒng)中提供該放大器而不降低該放大器的性能，通常接入隔離器以保證輸入阻抗。當(dāng)衛(wèi)星通訊使用了如圖4A或4B所示的電路時(shí)，在輸入端連上一個(gè)50-Ω相匹配的三端子隔離器。因此，噪聲系數(shù)通過(guò)隔離器的損耗而降低。
在圖4A或4B中所示改進(jìn)了的放大器中，可在某種程度上獲得被展寬的以頻率為單位的噪聲系數(shù)，雖然該噪聲系數(shù)作為絕對(duì)值仍然很弱。當(dāng)在現(xiàn)有技術(shù)中加入一個(gè)50-Ω匹配的隔離器時(shí)，則噪聲系數(shù)由于隔離器的損耗而降低。對(duì)于此種情況的原因如下。由于與輸入寬頻帶匹配和微帶線相聯(lián)系的多個(gè)器件(開(kāi)路線和短路線)形成于介質(zhì)襯底之上，從而由于介入損耗的升高而引起噪聲的降低。包括輸入匹配電路的電路尺寸變大，從而妨礙了器件尺寸的減小。這是因?yàn)檩斎肫ヅ潆娐肥怯勺鳛閰?shù)分布電路的微帶線組成并實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)頻率變低時(shí)，電學(xué)長(zhǎng)度變大，從而襯底上的電路尺寸也趨于變大。
本發(fā)明已考慮到上面的情況，且將提供一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器作為本發(fā)明的目的，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器實(shí)現(xiàn)了一種寬頻帶低噪聲的放大器，其通過(guò)使用一種具有小巧無(wú)耗輸入電路結(jié)構(gòu)的FET來(lái)提高FET放大器的性能并也降低了器件的尺寸。
為了實(shí)現(xiàn)以上的目的，根據(jù)本發(fā)明的基本原則，提供一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器，其包含一個(gè)接在放大器的輸入端與FET的輸入端之間的一個(gè)同軸介電諧振裝置，該諧振裝置具有λ/2的電學(xué)長(zhǎng)度和比從放大器的輸入端到FET的輸入端的輸入端阻抗低的特性阻抗。具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的同軸介質(zhì)諧振裝置包括一個(gè)TEM模介質(zhì)諧振器，該TEM模介質(zhì)諧振器包括一具有預(yù)先設(shè)定軸向長(zhǎng)度的筒狀物內(nèi)的高介質(zhì)，一個(gè)通過(guò)將介質(zhì)的外表面用導(dǎo)電材料使其金屬化而形成的外部導(dǎo)體，以及一個(gè)通過(guò)將介質(zhì)的內(nèi)壁用導(dǎo)電材料使其金屬化而形成的一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體。具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的同軸介質(zhì)諧振器裝置具有一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體，該內(nèi)部導(dǎo)體被露出的一端與放大器的輸入端相連，同時(shí)將其露出的另一端與FET的輸入端相連。
在本發(fā)明中，隔離器最好被設(shè)置于放大器的輸入端，該隔離器由一個(gè)三端環(huán)形器組成，該環(huán)形器具有一個(gè)終極端。隔離器的中心導(dǎo)體的鐵氧體端面與具有λ/2長(zhǎng)度的同軸介質(zhì)諧振器裝置相連作為一個(gè)輸出端。另外，放大裝置的輸入端最好連接一個(gè)輸入端引線電感。
如上所述，當(dāng)一個(gè)由低耗及小型同軸介質(zhì)諧振裝置組成的λ/2線路與FET的輸入端相連時(shí)，此λ/2線路的特定阻抗被制成比從放大器的輸入端到放大裝置的輸入端的阻抗要低，該λ/2線路產(chǎn)生串聯(lián)諧振。輸入端阻抗的高頻阻抗沿著以導(dǎo)納為單位的電容的方向延伸，而低頻阻抗沿著以導(dǎo)納為單位的介電常數(shù)的方向延伸。假設(shè)此延伸的阻抗軌跡被史密斯圖中FET在介電常數(shù)方向上的FET輸入端引線電感所旋轉(zhuǎn)。即使在阻抗由FET輸入端引線電感的轉(zhuǎn)換中隨頻率變高由介電常數(shù)產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)變大，由于λ/2線路的串聯(lián)諧振阻抗在史密斯圖上(阻抗圖)最初具有一個(gè)軌跡，在該軌跡中高頻阻抗向下邊延伸，而低頻阻抗向上邊延伸。因此，實(shí)現(xiàn)了輸入噪聲匹配，從而最優(yōu)噪聲軌跡和頻率方向不變，在阻抗通過(guò)FET引線電感的變換后，在保持軌跡的延伸形式的同時(shí)(高頻阻抗和低頻阻抗的相對(duì)位置關(guān)系)獲得了軌跡的類似延伸形式。
下面將考慮輸入部分的損耗。在隔離器的阻抗變換中的損耗可通過(guò)省略50-Ω匹配的輸入隔離器輸出部分來(lái)消除。輸入匹配部分的損耗可通過(guò)形成一個(gè)λ/2線路來(lái)減低，該λ/2線路由一個(gè)小的和高一Q值同軸介質(zhì)諧振裝置組成。根據(jù)以上的結(jié)構(gòu)，可形成一個(gè)無(wú)耗輸入匹配電路。因此，可通過(guò)將輸入電路的損耗減至最小來(lái)達(dá)到全帶內(nèi)的噪聲降低，同時(shí)實(shí)現(xiàn)寬頻帶的噪聲匹配。
在此發(fā)明中，與輸入寬頻帶匹配相關(guān)的所需主要器件的數(shù)目被減少了，且主要器件(λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置)被制成很小。此結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了裝置的尺寸的降低而且也便于組裝。其原因如下。當(dāng)使用具有高Q值和高介電常數(shù)的材料生產(chǎn)同軸線路，該同軸線路是通過(guò)去除作為λ/2同軸傳輸線路的TEM模式同軸介質(zhì)諧振裝置兩端的導(dǎo)體來(lái)形成的，從而可降低有效同軸長(zhǎng)度和直徑。
另外，根據(jù)本發(fā)明，可提高輸入匹配電路的屏蔽特性。因此，可防止外部干擾波或反饋振蕩的不利影響，且電路可被穩(wěn)定地工作。這是因?yàn)樽鳛橐粋€(gè)輸入匹配電路的λ/2線路由同軸介質(zhì)襯底裝置構(gòu)成，傳輸線路中的導(dǎo)體被金屬化的外表面屏蔽。
通過(guò)參考如下的詳細(xì)描述，并結(jié)合附圖將會(huì)對(duì)本發(fā)明的以上及其它的優(yōu)點(diǎn)、特征及其它目的有更清楚的了解，其中結(jié)合本發(fā)明的原則的最佳實(shí)施例是通過(guò)解釋實(shí)例的方式來(lái)闡述的圖1為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的方框圖；圖2示出另一現(xiàn)有技術(shù)的詳細(xì)結(jié)構(gòu)方框圖；圖3為用于解釋圖2中所示現(xiàn)有技術(shù)工作的史密斯圖；圖4A和4B分別示出現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)的輸入匹配電路結(jié)構(gòu)圖及在其基礎(chǔ)上的另一種變換形式的結(jié)構(gòu)方框圖；圖5為用于解釋圖4A或4B中的現(xiàn)有技術(shù)的工作的史密斯圖；圖6示出本發(fā)明的實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方框圖；圖7A到7C為分別示出本發(fā)明的λ/2線路的透視圖和截面圖；圖8為用于解釋圖6中實(shí)施例工作的史密斯圖；圖9為用于解釋圖6中實(shí)施例λ/2線路的阻抗特性的軌跡變化的史密斯圖；圖10為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)方框圖及圖11為本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)比較的效果圖。
下面將參照相應(yīng)的附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行描述。圖6示出本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)方框圖。參考圖6，參考號(hào)數(shù)1表示作為放大裝置的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。隔離器2和一個(gè)λ/2同軸線3與FET1的輸入端相連，輸出匹配電路4與FET1的輸出端相連。隔離器2由公知的三端帶狀線環(huán)形器組成。參考號(hào)數(shù)2a表示一個(gè)由一帶狀線構(gòu)成的輸入端；2b為一虛設(shè)連接端，其與輸入端2a具有相同的結(jié)構(gòu)并與虛設(shè)端5相連；輸出端2c通過(guò)鐵氧體端面上的帶狀線直接與負(fù)載端相連。鐵氧體6放置在隔離器2的中間并同時(shí)放入一個(gè)導(dǎo)體。
具有如上結(jié)構(gòu)的隔離器的輸出端2c被直接焊接到同軸介質(zhì)諧振裝置3的一端面上的中間導(dǎo)體上，該同軸介質(zhì)諧振裝置3具有λ/2的電學(xué)長(zhǎng)度和比鐵氧體端的輸出阻抗(被作為一個(gè)輸入端)低的特性阻抗。由此形成一個(gè)微波電路。在圖7A和7B的透視圖中和圖7C的載面圖中可以看出，具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的同軸介質(zhì)諧振裝置3通過(guò)如下所述制成。在具有預(yù)定軸向長(zhǎng)度的平行六面體或圓柱體3a內(nèi)制成具有高Q值和高介電常數(shù)的介質(zhì)材料。其外表面用導(dǎo)電材料被金屬化從而形成一個(gè)外部導(dǎo)體3b。在介質(zhì)裝置端面的中心部分形成一個(gè)軸向空腔，其內(nèi)壁用導(dǎo)電材料進(jìn)行金屬化從而形成一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體3c由此形成一個(gè)TEM模式介質(zhì)諧振器。兩端的導(dǎo)電表面被去除來(lái)形成開(kāi)口端，從而形成一個(gè)同軸傳輸線路。FET引線電感7被焊接到λ/2同軸介質(zhì)諧振器裝置3的另一端面上的中心導(dǎo)體上并與FET1相連。
根據(jù)具有如上結(jié)構(gòu)的FET放大器，提供給隔離器2的輸入端2a的輸入信號(hào)從輸出端2c通過(guò)λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3和FET引線電感7被饋送到FET1。在FET1的輸入端產(chǎn)生的反射波重新進(jìn)入隔離器2并通過(guò)虛設(shè)連接端2b被虛設(shè)端5所消耗。被FET1放大了的信號(hào)通過(guò)輸出匹配電路4輸送給負(fù)載。通過(guò)調(diào)節(jié)λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的特性阻抗值，F(xiàn)ET1的輸入電路可被調(diào)整到為獲得最優(yōu)噪聲的源阻抗。λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的特性阻抗值的變化范圍被設(shè)定為比隔離器的鐵氧體端2c的輸出阻抗范圍要窄。
下面將參照?qǐng)D8中的史密斯圖對(duì)FET放大器的工作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。參照?qǐng)D8，軌跡A代表隔離器2的輸出端點(diǎn)A的阻抗，它是圖6中所示的實(shí)施例在一寬頻帶內(nèi)獲得的。軌跡B代表λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的輸出端點(diǎn)B的阻抗。軌跡B是利用史密斯圖中的代表λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的特性阻抗的各相將軌跡A旋轉(zhuǎn)λ/2(一個(gè)周期)而獲得的。當(dāng)軌跡返回到原始位置時(shí)，高頻向較下邊延伸，低頻向較上邊延伸，此與軌跡A不同。這與由λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3產(chǎn)生的串聯(lián)諧振效果相同。
軌跡C代表FET1的輸入端的點(diǎn)C的源阻抗。軌跡是通過(guò)FET引線電感7將軌跡B沿圖中的介質(zhì)方向旋轉(zhuǎn)而獲得的。在通過(guò)FET引線電感7的阻抗轉(zhuǎn)換中，隨頻率變高，電感旋轉(zhuǎn)隨介電常數(shù)變大。然而，由于λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的串聯(lián)諧振作用，軌跡B已向高頻及低頻方向進(jìn)行了充分的延伸，從而軌跡C的頻率方向最終變得與最優(yōu)噪聲軌跡D的位置相同，雖然由于FET引線電感7產(chǎn)生的從軌跡B向軌跡C的延伸被降低，但仍可獲得一個(gè)相似的軌跡延伸形式。
作為一個(gè)用于源阻抗軌跡C的調(diào)節(jié)裝置，其是通過(guò)改變?chǔ)?2同軸介質(zhì)諧振裝置3的特性阻抗來(lái)實(shí)現(xiàn)的，例如，通過(guò)改變同軸裝置的外徑與內(nèi)徑的比率來(lái)實(shí)現(xiàn)。軌跡C如圖9所示進(jìn)行變化，通過(guò)使用此結(jié)果，軌跡可與最優(yōu)噪聲軌跡相匹配。在圖9中，參考符號(hào)2代表λ/2線路的特性阻抗。
在此實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)中，隔離器的在阻抗轉(zhuǎn)換中的損耗通過(guò)省略50-Ω匹配輸入隔離器輸出部分來(lái)加以消除，輸入匹配部分的損耗通過(guò)由小型及高Q值介質(zhì)諧振裝置組成的λ/2同軸線路而被降低。應(yīng)用此結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在將與輸入寬頻帶匹配相關(guān)的必需的主要器件數(shù)目降至最少的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)降低每一器件的損耗。因此，作為絕對(duì)值的噪聲系數(shù)可被降至最小，從而實(shí)現(xiàn)了寬頻帶噪聲匹配。
下面將參考圖10對(duì)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例進(jìn)行描述。參考圖10，輸入端與輸入端負(fù)載相連，其已具有一個(gè)作為任意輸入端阻抗的實(shí)際電阻成分(如50Ω)。參考號(hào)碼1表示一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)；8為一個(gè)輸入端；7為一個(gè)FET引線電感；3為一個(gè)用于介質(zhì)諧振裝置的λ/2同軸線路；4為一個(gè)輸出匹配電路。輸入端8被焊接到同軸介質(zhì)諧振裝置3的一端面上的中心導(dǎo)體上，該同軸介質(zhì)諧振裝置3具有λ/2的電學(xué)長(zhǎng)度和比輸入端阻抗低的特性阻抗。另外FET引線電感7被焊接到λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置3的另一端的中心導(dǎo)體上，F(xiàn)ET1與FET引線電感7相連。具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的同軸介質(zhì)諧振裝置3與第一個(gè)實(shí)施例中的相同。輸入信號(hào)的流通與第一實(shí)施例中隔離器鐵氧體端之后的相同。
第二實(shí)施例的輸入端直接由諸如波導(dǎo)傳感器等所組成。通過(guò)利用波導(dǎo)中的場(chǎng)強(qiáng)分布的差別，其根據(jù)作為波導(dǎo)輸入端的50-Ω線路的接入位置而變化，可以實(shí)現(xiàn)為任意輸入端阻抗的實(shí)際電阻值。
如上所述，在按照第一和第二實(shí)施例的放大器中，實(shí)現(xiàn)寬頻帶噪聲匹配時(shí)輸入電路損耗被減至最小。采用此結(jié)構(gòu)，在整個(gè)頻帶中可降低作為絕對(duì)值的噪聲。圖11示出噪聲與頻率的特征關(guān)系圖。曲線a代表本發(fā)明的特征；曲線b為圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)的特征；曲線C為圖4A或4B中所示的改進(jìn)的現(xiàn)有技術(shù)的特征。在根據(jù)第一或第二個(gè)實(shí)施例的放大器中，與輸入寬頻帶匹配相關(guān)的所需器件數(shù)目被減少了，從而λ/2同軸介質(zhì)諧振裝置被制成較小。因此，可以實(shí)現(xiàn)裝置尺寸的降低，同時(shí)也便于裝配。另外，輸入匹配電路部分的屏蔽特性也提高了。由于防止了外面干擾波或反饋振蕩的負(fù)面影響，從而電路可被穩(wěn)定地工作。
權(quán)利要求
1.一種用場(chǎng)應(yīng)效晶體管作為放大器件的場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器，其特征在于其包含一個(gè)同軸介質(zhì)諧振裝置，并接在所述放大器的輸入端和所述放大器件的輸入端之間，還具有λ/2的電學(xué)長(zhǎng)度及比從所述放大器的所述輸入端到所述放大器件的輸入端的輸入端阻抗低的特性阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的所述同軸介質(zhì)諧振裝置包含一個(gè)TEM模式介質(zhì)諧振器，該介質(zhì)諧振器由在一具有預(yù)定軸向長(zhǎng)度的柱形內(nèi)制成的高介質(zhì)，通過(guò)將所述介質(zhì)的外表面用導(dǎo)電材料金屬化制成的外部導(dǎo)體，通過(guò)將所述介質(zhì)內(nèi)壁用導(dǎo)電材料進(jìn)行金屬化而制成的內(nèi)部導(dǎo)體構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于所述具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度同軸介質(zhì)諧振裝置有一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體，其被露出的一端與所述放大器的所述輸入端相連，且其被露出的另一端與所述放大器件的所述輸入端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大器，其特征在于還包含一個(gè)隔離器，該隔離器由一個(gè)具有一個(gè)終極端的三端環(huán)形器組成，其中所述隔離器的中心導(dǎo)體的一鐵氧體端面與所述具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度的所述同軸介質(zhì)諧振裝置相連作為輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放大器，其特征在于一輸入端引線電感與所述放大器件的所述輸入端相連。
全文摘要
本發(fā)明為一使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為放大器件的一場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器，其包括一同軸介質(zhì)諧振裝置，該同軸介質(zhì)諧振裝置被接在放大器的輸入端與放大器件的輸入端之間，并具有λ/2電學(xué)長(zhǎng)度及比從放大器的輸入端到放大器件的輸入端的輸入端阻抗低的一特性阻抗。
文檔編號(hào)H01P5/02GK1162865SQ9710063
公開(kāi)日1997年10月22日 申請(qǐng)日期1997年3月12日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月19日
發(fā)明者望月拓志 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社