亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

信噪比增強(qiáng)器的制作方法

文檔序號:6811265閱讀:173來源:國知局
專利名稱:信噪比增強(qiáng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種信噪比增強(qiáng)器,特別是一種具有用于限制輸入信號中主信號幅度的第一靜磁波濾波器和用于通過該主信號的第二靜磁波濾波器,以改善該輸入信號中主信號與噪聲比(信噪比)的信噪比增強(qiáng)器。該信噪比增強(qiáng)器用于接收例如衛(wèi)星廣播信號。
日本專利公開平No.4-123502公開了一種常規(guī)信噪比增強(qiáng)器的實(shí)例。圖8是這種常規(guī)信噪比增強(qiáng)實(shí)例的電路圖。圖8所示的信噪比增強(qiáng)器1包括一個輸入端子2,該輸入端子2與一個作為分隔器的方向耦合器3的輸入端連接。該方向耦合器3將施加到輸入端子2的輸入信號分成一個幾乎與輸入信號電平相等的高電平信號和一個例如被衰減約30dB的低電平信號。
方向耦合器3的兩個輸出端分別連接到兩個采用靜磁表面波模式的靜磁波濾波器4和5。這些靜磁波濾波器4和5具有相同的選頻非線性幅度限制特性。選頻非線性幅度限制特性是指一種特性,即使頻率為f1的信號超過飽和電平被限幅,當(dāng)與頻率f1不同的頻率為f2的信號具有飽和電平或較低電平時,頻率為f2的信號不被限幅。即,選頻非線性幅度限制特性是指當(dāng)每個頻率中單獨(dú)地發(fā)生超過飽和電平的信號時由所引起的飽和操作限幅的特性。一個靜磁波濾波器4作為限制器,用于對從方向耦合器3輸出的高電平信號中的高電平主信號限幅。此外,另一個靜磁波濾波器5用于使從定向耦合器3輸出的低電平信號通過。
靜磁波濾波器4的一個輸出端連接到衰減器6的一個輸入端。衰減器6衰減靜磁波濾波器4輸出信號的電平。另一個靜磁波濾波器5的一個輸出端連接到延遲線7的一個輸入端。延遲線8延遲從靜磁波濾波器5輸出的信號的相位。此外,衰減器6的輸出端和延遲線7的輸出端分別連接到作為組合器的方向耦合器8的兩個輸入端。方向耦合器8衰減從衰減器6輸出的信號的電平,并將電平已經(jīng)被衰減的信號和從延遲線7輸出的信號組合。定向耦合器8的輸出端連接到輸出端子9。
因此,上述信噪比增強(qiáng)器1中,在輸入端子2和輸出端子9之間,第一信號通路由定向耦合器3、靜磁波濾波器4、衰減器6和定向耦合器8組成,第二信號通路由定向耦合器3、靜磁波濾波器5、延遲線7和方向耦合器8組成。
在該信噪比增強(qiáng)器1中,當(dāng)一個包括一高電平主信號和頻率不同于該主信號的頻率并且電平低的低電平噪聲的輸入信號被施加到輸入端子2時,定向耦合器3將該輸入信號分成一個與輸入信號幾乎具有相同電平的高電平信號,和一個被衰減,例如30dB的低電平信號。此時,該高電平信號包括頻率彼此不同的高電平主信號和低電平噪聲,該低電平信號包括頻率彼此不同的低電平主信號和低電平噪聲。
在靜磁波濾波器4中,雖然高電平信號中的信號由于其電平高而被限幅,由于噪聲頻率與主信號頻率不同并且其電平低,因此高電平信號中的噪聲不被限幅。另一方面,在靜磁波濾波器5中,低電平信號中的主信號和噪聲由于它們的電平低而未被限幅。另外,由于靜磁波濾波器4和5中的插入損耗,高電平信號和低電平信號分別被略微衰減。
另外,衰減器6衰減從靜磁波濾波器4輸出的信號的電平,延遲線7延遲從另一個靜磁波濾波器5輸出的信號的相位。然后,由方向耦合器8衰減從衰減器6輸出的信號的電平,并將電平已經(jīng)被衰減的信號與延遲線7輸出的信號組合。此時,衰減器6衰減從靜磁波濾波器4輸出的信號的電平,延遲線7延遲從另一個靜磁波濾波器5輸出的信號的相位,以使由定方耦合器8組合的兩個信號中的噪聲的電平相等而相位相反。從而使已經(jīng)通過包括靜磁波濾波器4的第一信號通路的噪聲和已經(jīng)通過包括靜磁波濾波器5的第二信號通路的噪聲在方向耦合器8中抵消。雖然通過第一信號通路的主信號被靜磁波濾波器4限幅,而通過第二信號通路的主信號未被靜磁波濾波器5限幅。因此,從方向耦合器8的輸出端或輸出端子9獲得具有與被限幅的電平對應(yīng)電平的主信號。從而通過信噪比增強(qiáng)器1改善輸入信號的信噪比。
在該常規(guī)信噪比增強(qiáng)器1中,用兩個鐵磁性基片,例如YIG薄膜作為靜磁波濾波器4和5。該鐵磁性基片,例如YIG薄膜是通過液相生長一鐵磁性材料,例如YIG形成晶片并通過切割該晶片構(gòu)成的。此時,材料特性,例如兩種鐵磁性基片的回轉(zhuǎn)磁共振線寬度△H和飽和磁化4πMs可根據(jù)被切割的晶片的區(qū)段而明顯不同。因此,兩種鐵磁性基片的材料特性有許多情況下不同。
另外,因?yàn)殡y于在與相對于磁場方向相同的方向排列該鐵磁性基片,例如兩個YIG薄膜,因此難于施加相同的磁場。
如上所述,由于兩種鐵磁性基片的材料特性經(jīng)常不同,并且難于向兩個鐵磁性基片施加相同磁場,很難構(gòu)成兩個具有相同輸入/輸出特性的靜磁波濾波器,并且通過現(xiàn)有技術(shù)的信噪比增強(qiáng)器1很難獲得好的增強(qiáng)特性。除此之外,由于必須將兩個鐵磁性基片形成在現(xiàn)有技術(shù)的信噪比增強(qiáng)器1中,其產(chǎn)量也較低因此,本發(fā)明的一個主要目的是提供一種能夠易于獲得良好增強(qiáng)特性的信噪比增強(qiáng)器。
本發(fā)明的信噪比增強(qiáng)器包括一個第一靜磁波濾波器,用于限制輸入信號內(nèi)主信號的幅度,和一個第二靜磁波濾波器,用于通過該主信號,其特征在于在一個基底中形成一個作為第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和一個作為第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片,以便在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器中以與靜磁波傳播方向相同的方向延伸。
在本發(fā)明的信噪比增強(qiáng)器中,最好在鐵磁性基片一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個第一靜磁波濾波器的變換器,在該鐵磁性基片另一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個第二靜磁波濾波器的變換器,并形成一個靜磁波吸收元件,用于通過下述原因相對于鐵磁性基片縱向吸收該鐵磁性基片中部的靜磁波。
另外,本發(fā)明的信噪比增強(qiáng)器包括一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的前級的分配器,用于將輸入信號分成第一信號和第二信號,將第一信號輸出到第一靜磁波濾波器并將第二信號輸出到第二靜磁波濾波器;一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的后級的組合器,用于將從第一靜磁波濾波器輸出的信號和第二靜磁波濾波器輸出的信號進(jìn)行組合;電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由組合器組合的兩個信號中噪聲的電平,和相位調(diào)節(jié)裝置,用于將兩個信號中噪聲的相位調(diào)節(jié)為相互反相。此時,該電平調(diào)節(jié)裝置包括一個設(shè)置在該分配器和該第二靜磁波濾波器之間的第一衰減器和一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和組合器之間的第二衰減器,該相位調(diào)節(jié)裝置包括一個設(shè)置在第二靜磁波濾波器和組合器之間的移相器。
另外,本發(fā)明的信噪比增強(qiáng)器包括一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的前級的第一混合裝置(hybrid set),用于將輸入信號分成第一信號和在寬帶寬范圍內(nèi)具有第一相差的第二信號,將第一信號輸出到第一靜磁波濾波器并將第二信號輸出到第二靜磁波濾波器;一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的后級的第二混合裝置,用于對從第一靜磁波濾波器輸出的信號和第二靜磁波濾波器輸出的信號在寬帶寬范圍內(nèi)以第二相差進(jìn)行組合;電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由第二裝置組合的兩個信號中噪聲的電平;第一相差和第二相差之和是(2n+1)×180度(n=0,1,2,3,…)。應(yīng)該指出,在此時,該電平調(diào)節(jié)裝置包括,例如,一個設(shè)置在第一混合裝置和該第二靜磁波濾波器之間的第一衰減器,和一個設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二混合裝置之間的第二衰減器。
通過生長鐵磁材料,例如YIG形成晶片和通過切割該晶片形成鐵磁性基片,例如YIG薄膜,用作第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片形成在本發(fā)明的基底中,以使作為第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片在晶片中接近,并且使材料特性,例如鐵磁性基片的回轉(zhuǎn)磁共振線寬度△H和飽和磁化4πMs近似。
另外,在本發(fā)明中由于用作第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片被形成在一個基底中,以便在這些靜磁波濾波器中使其以與靜磁波傳播方向相同的方向延伸,用作第一和第二靜波濾波器的鐵磁性基片被配置在與平行磁場方向相同的方向,并被施加相同的磁場。
如上所述,在本發(fā)明中,用作第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片的材料特性近似,并向用作第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片施加相同的磁場,以便簡單構(gòu)成具有相同輸入/輸出特性的兩個靜磁波濾波器,并易于獲得良好的增強(qiáng)特性。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明可以構(gòu)成易于獲得良好增強(qiáng)特性的信噪比增強(qiáng)器。
另外,由于用作第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片形成在本發(fā)明的信噪比增強(qiáng)器的基底中,一鐵磁性基片即可,從而提供了產(chǎn)量。
在本發(fā)明中,當(dāng)在鐵磁性基片一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個第一靜磁波濾波器的變換器,在該鐵磁性基片另一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個第二靜磁波濾波器的變換器,并相對于其縱向在鐵磁性基片中部形成用于通過下述原因吸收靜磁波的靜磁波吸收元件時,該靜磁波吸收元件吸收在其它情況下可能從第一靜磁波濾波器傳播到第二靜磁波濾波器的靜磁波和在其它情況下可能從第二靜磁波濾波器傳播到第一靜磁波濾波器的靜磁波,以防止第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器之間的靜磁波在其它情況下可能產(chǎn)生的干擾。
另外,當(dāng)本發(fā)明包括設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器前級的分配器,用于將輸入信號分成第一信號和第二信號,將第一信號輸出到第一靜磁波濾波器并將第二信號輸出到第二靜磁波濾波器;設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜波濾波器后級的組合器,用于對從第一靜磁波濾波器輸出的信號和第二靜磁波濾器輸出的信號進(jìn)行組合;電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由組合器組合的兩個信號中噪聲的電平;和相位調(diào)節(jié)裝置,用于將兩個信號中噪聲的相位調(diào)節(jié)為互為反相時,由該組合器組合的兩個信號中的噪聲電平被電平調(diào)節(jié)裝置均衡,并且由該相位調(diào)節(jié)裝置使它們的相位互為反相,從而可使這些噪聲易于被抵消。結(jié)果是,進(jìn)一步改善了信噪比。
另外,當(dāng)本發(fā)明包括設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器前級的第一混合裝置,用于將輸入信號分成第一信號和在寬帶寬范圍內(nèi)具有第一相差的第二信號,將第一信號輸出到第一靜磁波濾波器并將第二信號輸出到第二靜磁波濾波器;設(shè)置在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器后級的第二混合裝置,用于將從第一靜磁波濾波器輸出的信號和第二靜磁波濾波器輸出的信號在寬帶寬范圍內(nèi)以第二相差進(jìn)行組合;和電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由第二混合裝置組合的兩個信號中噪聲的電平;并且第一相差和第二相差之和是(2n+1)×180度(n=0,1,2,3,…)時,因?yàn)榈谝换旌涎b置將輸入信號分成第一信號在寬帶寬范圍中具有第一相差的第二信號,因此由第二混合裝置組合的兩個信號的相位變?yōu)榉聪?,從第一靜磁波濾波器輸出到信號和從第二靜磁波濾波器輸出的信號由第二混合裝置在寬帶寬范圍中以第二相差組合,并且第一相差和第二相差之和是(2n+1)×180度(n=0,1,2,3,…)。此外,由第二混合裝置組合的兩個信號中的噪聲的電平被電平調(diào)節(jié)裝置均衡。結(jié)果是,由第二混合裝置組合的兩個信號中的噪聲易于被抵消。因此,具有寬工作頻帶的信噪比增強(qiáng)器超過對其希望的增強(qiáng)。此外,由于該信噪比增強(qiáng)器的工作頻帶寬,便于調(diào)節(jié)其工作頻帶,以使使用頻率屬于該工作頻帶內(nèi),并且只需很短時間調(diào)節(jié)該工作頻帶,除此之外,當(dāng)溫度變化時,即使出現(xiàn)波動該工作頻帶幾乎不會偏離實(shí)際使用的頻率。
本發(fā)明的上述和其它目的、特性和優(yōu)點(diǎn)通過下面參考附圖對優(yōu)選實(shí)施例所做的詳細(xì)描述將變的更加顯而易見。


圖1示出本發(fā)明一個實(shí)施例的平面示意圖;圖2示出圖1所示實(shí)施例主要部分的截面示意圖;圖3示出本發(fā)明另一個實(shí)施例的平面示意圖;圖4示出圖3所示實(shí)施例的主視圖;圖5示出圖3所示實(shí)施例中使用的第一90度混合裝置(第二90度混合裝置)主要部分的平面圖;圖6示出圖3所示實(shí)施例中使用的第一90度混合裝置(第二90度混合裝置)主要部分的電路圖;圖7示出圖3所示實(shí)施例的電路圖;圖8示出現(xiàn)有技術(shù)信噪比增強(qiáng)器一個實(shí)例的電路圖。
圖1是本發(fā)明一個實(shí)施例的平面示意圖,圖2是該實(shí)施例主要部分的截面示意圖。該信噪比增強(qiáng)器10包括一個由介質(zhì)材料,例如合成樹脂和/或陶瓷制成的矩形襯底12。四個通孔14a、14b、14c和14d交替地對齊形成在襯底12上。
由四個線電極組成的四個變換器16a、16b、16c和16d以預(yù)定間隔平行地形成在襯底12的一個主表面上。此時,形成四個變換器16a至16d,使其從四個通孔14a至14d周圍延伸。另外,兩個拉伸電極18a和18b形成在襯底12的一個主表面上。
另外,一個分配器20,一個由例如一個電阻組成的第一衰減器22,一個由例如一個電阻組成的第二衰減器24,一個例如由一延遲線組成的移相器26和一個組合器28裝配在襯底12的一個主表面上。
分隔器20將施加到輸入端子21的輸入信號分成分別出現(xiàn)在分配器20的第一和第二輸出端的第一和第二信號(每個信號約為輸入信號電平的一半)。分隔器20的輸入端連接到一個輸入端子21。分配器20的第一輸出端連接到變換器16a。分配器20的第二輸出端經(jīng)拉伸電極18a連接到第一衰減器22的輸入端。
第一衰減器22將從分配器20的第二輸出端輸出的第二信號衰減,例如30dB,以使該信號的電平明顯小于未被衰減的第一信號。第一衰減器22的輸出端連接變換器16c的一端。
第二衰減器24將輸入到這里的信號的電平衰減,例如30dB。第二衰減器24的輸入端連接變換器16b的一端。第一衰減器24的輸出端經(jīng)de18b連接組合器28的第一輸入端。
移相器26調(diào)節(jié)輸入到其中的信號的相位。移相器26的輸入端連接變換器16d的一端,其輸出端連接組合器28的第二輸入端。
組合器28將從第二衰減器24輸出的信號與從移相器26輸出的信號組合。組合器28的輸出端連接到輸出端子29。
一個靜磁波元件30被裝配在襯底12一個主表面上的四個變換器15a至16d上。應(yīng)該指出,四個變換器16a至16d的另一端分別經(jīng)通孔14a至14d接地。
如圖2所示,靜磁波元件30包括帶狀GGG襯底32,YIG薄膜34作為鐵磁性基片形成在GGG襯底32的一個主表面上。裝配靜磁波元件30,以使YIG薄膜34的表面朝向襯底12的一個主表面。此時,裝配靜磁波元件30,以使其一個端區(qū)30a朝向兩個變換器16a和16b,另一個端區(qū)30b朝向另兩個變換器16c和16d。應(yīng)該指出,用于吸收YIG薄膜34中產(chǎn)生的多余靜磁波的靜磁波吸收元件36a、36b和36c分別相對于YIG薄膜34縱向裝配在靜磁波元件30的YIG薄膜34表面的一端、中端和另一端區(qū)。
另外,例如由鐵氧體制成的永磁體38a和38b分別裝配在襯底12兩側(cè)上,即裝配在靜磁波元件30的兩側(cè)上。此時,配置永磁體38a和38b,以便在變換器16a至16d延伸方向產(chǎn)生磁場。結(jié)果是,該磁場以變換器16a至16d延伸方向施加到靜磁波元件30。因此,該靜磁波元件30變成一個使用靜磁表面波模式的靜磁波元件30。
包括兩個變換器16a和16b和靜磁波元件30的一個端區(qū)30a的第一靜磁波濾波器31具有頻選非線性幅度限定特性。該第一靜磁波濾波器31限制從分配器20的第一輸出端輸出的第一信號中主信號的幅度。此時,在第一靜磁波濾波器中,變換器16a的一端作為輸入端,變換器16b的一端作為輸出端。
包括剩余的兩個變換器16c和16d和靜磁波元件30另一個端區(qū)30b的第二靜磁波濾波器33也具有頻選非線性幅度限定特性。由于第二靜磁波濾波器33具有與第一靜磁波濾波器31相似的結(jié)構(gòu),因此具有與第一靜磁波濾波器31相同的輸入/輸出特性。第二靜磁波濾波器33使輸入到其中的信號通過。此時,在第二靜磁波濾波器中,變換器16c的一端作為輸入端,變換器16d的一端作為輸出端。
因此,上述信噪比增強(qiáng)器10中,在輸入端子21和輸出端子19之間,第一信號通路由分配器20、第一靜磁波濾波器31、第二衰減器24和組合器28組成,第二信號通路由分配器20、第一衰減器20、第二靜磁波濾波器33、移相器26和組合器28組成。
應(yīng)該指出,最好在永磁體38a和38b外側(cè)裝配一個具有U型截面并由磁性材料制成的軛架40,以蓋住靜磁波元件30和永磁體38a和38b。軛架40降低永磁體38a和38b之間的磁阻,并保護(hù)靜磁波元件30和永磁體38a和38b。
此外,在永磁體38a和38b周圍設(shè)置用于調(diào)節(jié)施加到靜磁波元件30的磁場的程度和分布的螺釘(未示出),該螺釘由磁性材料制成。
下面將描述具有上述結(jié)構(gòu)的信噪比增強(qiáng)器10的工作情況。
在信噪比增強(qiáng)器10中,當(dāng)包含主信號和頻率與該主信號不同并且電平較低的噪聲的輸入信號輸入到輸入端子21時,分配器20將該輸入信號分成第一信號和第二信號。此時,在分配器20的第一輸出端和第二輸出端,輸入信號分別被分成電平為輸入信號電平一半的第一信號以及第二信號。第一信號和第二信號分別具有主信號和電平較低的噪聲。
第一信號中的主信號被第一靜磁波濾波器限幅31。反之,由于第一信號中的噪聲與主信號的頻率不同并且其電平較低,第一靜磁波濾波器不對其限幅。應(yīng)該指出,由于第一靜磁波濾波器31的插入損耗造成第一信號的電平略有衰減。此時,靜磁表面波從靜磁波元件30一個端區(qū)30a中的變換器16a傳播到16b。
在分配器20第二輸出端出現(xiàn)的第二信號的電平被第一衰減器22衰減30dB。由于已經(jīng)被衰減的第二信號的電平較低,該信號通過第二靜磁波濾波器33而不被限幅。應(yīng)該指出,由于第二靜磁波濾波器33的插入損耗造成被衰減的第二信號的電平略有衰減。此時,靜磁表面波從靜磁波元件30另一端區(qū)30b中的變換器16c傳播到16d。
第二衰減器24將第一靜磁波濾波器31輸出信號的電平衰減30dB。此外,移相器26調(diào)節(jié)第二靜磁波濾波器33輸出信號的相位。
然后,組合器28將第二衰減器24的輸出信號與移相器26的輸出信號組合。此時,在由組合器28組合的第一和第二信號通路中兩個信號內(nèi)的噪聲電平被作為電平調(diào)節(jié)裝置的第一衰減器22和第二衰減器24均衡。此外,在由組合器28組合的第一和第二信號通路中兩個信號的相位被作為相位調(diào)節(jié)裝置的移相器26互為反相。應(yīng)該指出,可以通過由磁性材料制成的螺釘調(diào)節(jié)施加到靜磁波元件30的磁場的程度和分布,從而調(diào)節(jié)這兩個信號的相位,該螺釘設(shè)置在永磁體38a和38b周圍。因此,由組合器28組合的第一和第二信號通路中的兩個信號內(nèi)的噪聲易于被抵消。此外,從組合器28的輸出端或從輸出端子29獲得與被第一靜磁波濾波器限幅的電平對應(yīng)的主信號。
在上述信噪比增強(qiáng)器10中,作為鐵磁性基片的YIG薄膜34是通過生長作為鐵磁材料的YIG形成晶片并通過切割該晶片形成的。用作第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片形成在基底中,以使用作第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片在晶片中接近,并且材料特性,例如鐵磁性基片的回轉(zhuǎn)磁共振線寬度ΔH和飽和磁化4πMs近似。
此外,由于用作第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片被形成在一個基底中,以使其在信噪比增強(qiáng)器10中的這些靜磁波濾波器中以與靜磁波傳播方向相同的方向延伸,用作第一和第二靜磁波濾波器31、33的鐵磁性基片被配置在與永磁體38a和38b產(chǎn)生的平行磁場方向相同的方向,并被施加同一磁場。
如上所述,在信噪比增強(qiáng)器10中,用作第一靜磁波濾波器31和第二靜磁波濾波器33的鐵磁性基片的材料特性近似,并向用作第一靜磁波濾波器31和第二靜磁波濾波器33的鐵磁性基片施加同一磁場,以便可以簡單構(gòu)成具有相同輸入/輸出特性的第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器,并易于獲得良好的增強(qiáng)特性。
此外,由于用作第一靜磁波濾波器31的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器33的鐵磁性基片被形成在信噪比增強(qiáng)器10的基底中,一個鐵磁性基片即可實(shí)現(xiàn),并且便于切割和處理該鐵磁性基片,從提供了產(chǎn)量。
再者,由于在YIG薄膜34的中區(qū)相對于其縱向,即在第一靜磁波濾波器31的變換器16a和變換器16b以及第二靜磁波濾波器33的變換器16c和變換器16d之間形成了用于吸收靜磁波的靜磁波吸收元件36b,從第一靜磁波濾波器31傳播到第二靜磁波濾波器33的靜磁波和從第二靜磁波濾波器33傳播到第一靜磁波濾波器31的靜磁波被該靜磁波吸收元件吸收,從而防止在其它情況下可能由第一靜磁波濾波器31和第二靜磁波濾波器33之間的靜磁波引起的干擾。
此外,在信噪比增強(qiáng)器10中,由于用于吸收靜磁波的靜磁波吸收元件36a和36c相對于YIG薄膜34的縱向分別構(gòu)成在YIG薄膜34的一端和另一端區(qū),可以將由YIG薄膜34兩端區(qū)相對于其縱向反射的多余靜磁波被吸收。
應(yīng)該指出,由于信噪比增強(qiáng)器10使用采用靜磁表面波模式的靜磁波元件為第一靜磁波濾波器,即使被第一靜磁波濾波器31限定的主信號幅度的最低電平,即第一靜磁波濾波器31的飽和電平較低并且該主信號的電平較低,也能夠增強(qiáng)輸入信號的信噪比。
圖3是本發(fā)明另一個實(shí)施例的平面圖,圖4是其主視圖。該信噪比增強(qiáng)器110包括一個由介質(zhì)材料,例如合成樹脂和/或陶瓷制成的矩形襯底112。
四個通孔114a、114b、114c和114d形成在襯底112上。此時,相對于襯底112縱向從襯底112中部略向一端偏離的位置形成兩個通孔114a和114c,相對于襯底112縱向從襯底112中部略向另一端偏離的位置形成另兩個通孔114b和114d。通孔114a形成在襯底112一長邊緣附近,通孔114b形成在從襯底112中部略向一長邊緣偏離的位置,通孔114c形成在從襯底112中部略向另一長邊緣偏離的位置,通孔114d形成在襯底112另一長邊緣附近。
相對襯底112縱向,從襯底112一端向中部在襯底112一主表面上形成一個例如作為第一混合裝置的第一90度混合轉(zhuǎn)換裝置120。第一90度混合裝置120包括兩個彎曲線電極122和124。
一個線電極122包括一個相對襯底112縱向,從襯底112一端沿一長邊緣延伸的寬端部分122a,沿襯底112短邊緣延伸的中間部分122b,和沿襯底112另一長邊緣延伸的另一寬端部分122c。如圖5和6所示,線電極122的中間部分122b包括兩根相距一定間隔平行設(shè)置的細(xì)線部分122b1和122b2。形成一細(xì)線部分122b1,以便從一端部122a延伸,形成另一細(xì)線部分122b2,以便從另一端部122c延伸。細(xì)線部分122b1的兩端通過兩根U型導(dǎo)線123a和123b,例如金線和鋁線,例如通過引線接合法與另一根細(xì)線部分122b2連接。
如圖3所示,另一個線電極124包括一個相對襯底112縱向,從襯底112一端沿另一長邊緣延伸的寬端部分124a,沿襯底112短邊緣延伸的中間部分124b,和沿襯底112一長邊緣延伸的另一寬端部分124c。如圖5和6所示,線電極124的中間部分124b包括三根相距一定間隔平行設(shè)置的細(xì)線部分124b1、124b2和124b3。形成一細(xì)線部分124b1,以便從一端部124a向線電極122的兩根細(xì)線部分122b1和122b2之間的另一端部124c延伸,并形成另兩根細(xì)線部分124b2和124b3,以便在細(xì)線部分124b1一半長度的地方,在細(xì)線部分122b1和122b2外側(cè),從一個端部124a和另一端部124c延伸。細(xì)線部分124b和124b3的端部通過兩根U型導(dǎo)線125a和125b,例如金線和鋁線,例如通過引線接合法與細(xì)線部分124b1的中部導(dǎo)電連接。
如圖3所示,一個例如作為終端負(fù)載的50ohm的電阻器126的一端連接到線電極124的端部124a。電阻器126的另一端接地。
第一90度混合裝置120將包括主信號和噪聲的輸入信號分成第一信號和在例如1.4MHz至2.4MHz的寬帶寬范圍中具有90度相差的第二信號。此時,在第一90度混合裝置120中,線電極122的一端部122a作為輸入端,線電極124的另一端部124c作為第一輸出端,線電極122的另一端部122c作為第二輸出端。然后,輸入到輸入端的輸入信號在第一和第二輸出端被分成第一信號和第二信號,第一信號的電平為輸入信號電平的一半。應(yīng)該指出,第二信號的相位比第一信號延遲90度。
此外,從第一90度混合裝置120的線電極122的端部122c附近至通孔114c附近形成一L型拉伸電極130。然后,一個例如作為第一衰減器50ohm電阻器132的兩端分別連接到另一端部122c和拉伸電極130。電阻器132將從第一90度混合裝置120的第二輸出端輸出的第二信號衰減例如30dB。
此外,相對襯底112的縱向,從襯底112的中部到另一端,在襯底112的主表面上形成一個例如作為第二混合裝置的第二90度混合裝置140。該第二90度混合裝置140與第一90度混合裝置120的結(jié)構(gòu)相同。即,第二90度混合裝置140包括兩個彎曲線電極142和144。
一個線電極142包括一個沿襯底112一長邊緣延伸的寬端部分142a,沿襯底112短邊緣延伸的中間部分142b,和沿襯底112另一長邊緣延伸的另一寬端部分142c。如圖5和6所示,線電極142的中間部分142b包括兩根相距一定間隔平行設(shè)置的細(xì)線部分142b1和142b2。形成一細(xì)線部分142b1,以便從一端部142a延伸,形成另一細(xì)線部分142b2,以便從另一端部142c延伸。細(xì)線部分142b1的兩端通過兩根U型導(dǎo)線143a和143b,例如金線和鋁線,例如通過引線接合法與另一根細(xì)線部分142b2連接。
如圖3所示,另一個線電極144包括從通孔114d附近沿襯底112另一長邊緣延伸的寬端部分144a,與襯底112短邊緣平行延伸的中間部分144b,和沿襯底112一長邊緣延伸的另一寬端部分144c。如圖5和6所示,線電極144的中間部分144b包括三根相距一定間隔平行設(shè)置的細(xì)線部分144b1、144b2和144n3。形成一細(xì)線部分144b1,以便從一端部144a向線電極142兩根細(xì)線部分142b1和142b2之間的另一端部144c延伸,形成另兩根細(xì)線部分144b2和144b3,以便在細(xì)線部分144b1一半長度的地方,在細(xì)線部分142b1和142b2外側(cè)從一個端部144a和另一端部144c延伸。細(xì)線部分144b和144b3的端部通過兩根U型導(dǎo)線145a和145b,例如金線和鋁線,例如通過引線接合法與細(xì)線部分144b1的中部導(dǎo)電連接。
如圖3所示,一個例如作為終端負(fù)載的50ohm電阻器146的一端連接到電極142的一另一端部142c。電阻器146的另一端接地。
上述第二90度混合裝置140在例如1.4MHz至2.4MHz寬帶寬范圍內(nèi)以90度相差將兩個輸入信號組合。此時,在第二90度混合裝置140中,線電極142的一端部142a作為第一輸入端,線電極144的一端部144a作為第二輸入端,線電極144的另一端部144c作為輸出端。然后,輸入到第二90度混合裝置140第一和第二輸入端的兩個輸入信號在輸出端被組合。應(yīng)該指出,當(dāng)組合兩個信號,輸入到第一輸入端的信號比輸入到第二輸入端的信號的相位延遲90度。
此外,從第二90度混合裝置140的線電極142的端部142a附近至通孔114b附近形成一L型拉伸電極150。然后,一個例如作為第二衰減器的50ohm電阻器152的兩端分別連接到一端部142a和拉伸電極150。電阻器152將輸入到第二90度混合裝置140第一輸入端的信號電平衰減例如30dB。
由四個線電極組成的四個變換器160a、160b、160c和160d平行于襯底112長邊緣從通孔114a、114b、114c和114d附近形成在襯底112另一主表面縱向的中部。此時,四個變換器160a至160d的一端經(jīng)通孔114a、114b、114c和114d分別連接線電極124的另一端部124c、拉伸電極150、拉伸電極130和線電極133的一端部144a。此外,這些變換器160a至160d的另一端分別接地。
一個靜磁波元件162裝配在襯底112另一個主表面上的四個變換器160a至160d上。
靜磁波元件162包括帶狀GGG襯底,YIG薄膜作為鐵磁性基片形成在GGG襯底的一個主表面上。裝配靜波元件162,以使YIG薄膜的表面朝向襯底112的另一個主表面。此時,裝配靜磁波元件162,以便其一端部162a朝向兩個變換器160a和160b,其另一端部162b朝向另兩個變換器160c和160d。應(yīng)該指出,用于吸收YIG薄膜中產(chǎn)生的多余靜磁波的靜磁波吸收元件164a、164b和164c分別相對于縱向形成在靜磁波元件162的YIG薄膜表面的一端、中端和另一端區(qū)。
另外,例如由鐵氧體制成的永磁體166a和166b分別裝配在襯底112兩側(cè)上,即裝配在靜磁波元件162的兩側(cè)上。此時,配置永磁體166a和166b,以便在變換器160a至160d延伸的方向產(chǎn)生磁場。結(jié)果是,該磁場以變換器160a至160d延伸方向施加到靜磁波元件162。因此,該靜磁波元件162變成一個使用靜磁表面波模式的靜磁波元件。
包括兩個變換器160a和160b、靜磁波元件162一端區(qū)和類似部分162a的第一靜磁波濾波器161作為第一靜磁波濾波器。該第一靜磁波濾波器具有頻選非線性幅度限定特性。該第一靜磁波濾波器161限制從第一90度混合裝置120第一輸出端輸出的第一信號中的主信號的幅度。此時,在第一靜磁波濾波器161中,變換器160a的一端作為輸入端,變換器160孤一端作為輸出端。
包括另兩個變換器160c和160d、靜磁波元件162另一個端區(qū)和類似部分162b的第二靜磁波濾波器163作為第二靜磁波濾波器。由于該第二靜磁波濾波具有與上述第一靜磁波濾波器161相似的結(jié)構(gòu),因此具有與第一靜磁波濾波器相同的輸入/輸出特性。該第二靜磁波濾波器163使輸入到其中的信號通過。此時,在第二靜磁波濾波器163中,變換器160c的一端作為輸入端,變換器160d的一端作為輸出端。
應(yīng)該指出,最好裝配一個具有U型截面并由磁性材料制成軛架168,以蓋住襯底112另一主表面上的靜磁波地波162和永磁體166a和166b。軛架168降低永磁體166a和166b之間的磁阻,并保護(hù)靜磁波元件162和永磁體166a和166b。
因此,信噪比增強(qiáng)器110具有如圖7所示的電路。即,在信噪比增強(qiáng)器110中,第一90度混合裝置120的第一輸出端連接使用靜磁波元件162一端區(qū)162a的第一靜磁波濾波器161的輸入端。此外,第一90度混合裝置120的第二輸出端經(jīng)作為第一衰減器的電阻器132連接使用靜磁波元件162另一端區(qū)162b的第二靜磁波濾波器163的輸入端。此外,第一靜磁波濾波器161的輸出端經(jīng)作為第二衰減器的電阻器152連接第二90度混合裝置140的第一輸入端。第二靜磁波濾波器163的輸出端連接第二90度混合裝置140的第二輸入端。
因此,上述信噪比增強(qiáng)器110中,第一信號通路由第一90度混合裝置120、包括靜磁波元件162一個端區(qū)和類似部分162a的第一靜磁波濾波器161、由電阻器152組成的第二衰減器和第二90度混合裝置140組成,第二信號通路由第一90度混合裝置120,由電阻器132組成的第一衰減器,包括靜磁波元件162的另一個端區(qū)和類似部分162b的第地靜磁波濾波器163、和第二90度混合裝置140組成。
下面將描述具有上述結(jié)構(gòu)的信噪比增強(qiáng)器10的工作。
在信噪比增強(qiáng)器110中,當(dāng)包含主信號和頻率與該主信號不同并且電平較低的噪聲的輸入信號輸入到第一90度混合裝置120的輸入端,即線電極122的一端部122a時,第一90度裝置120將該輸入信號分成第一信號和在1.4至2.4MHz的寬帶寬范圍內(nèi)與第一信號有90度相差的第二信號。此時,在第一90度混合裝置120的第一輸出端和第二輸出端,輸入信號被分成第一信號和第二信號,第一信號的電平為輸入信號電平一半。該第一信號和第二信號分別具有主信號和電平較低的噪聲。此外,第一信號的相位比第二信號的相位延遲90度。
第一信號中的主信號被包括靜磁波元件162一個端區(qū)和類似部分162a的第一靜磁波濾波器限幅。反之,由于第一信號中的噪聲與主信號的頻率不同并且其電平較低,第一靜磁波濾波器不對其限幅。應(yīng)該指出,由于第一靜磁波濾波器161的插入損耗造成第一信號的電平略有衰減。此時,靜磁表面波從靜磁波元件162一個端區(qū)162a中的變換器160a傳播到160b。
第二信號的電平最好被由電阻132組成的第一衰減器22衰減30dB。由于已經(jīng)被衰減的第二信號的電平較低,該信號通過第二靜磁波濾波器163,而不被其限幅。應(yīng)該指出,由于第二靜磁波濾波器163的插入損耗造成被衰減的第二信號的電平略有衰減。此時,靜磁表面波從靜磁波元件162另一端區(qū)162b中的變換器160c傳播到160d。
第二衰減器24最好將第一靜磁波濾波器輸出信號的電平衰減30dB。
然后,由在1.4MHz至2.4MHz寬帶寬范圍內(nèi)具有90度相差的第二90度混合裝置140將第二衰減器的輸出信號與第二靜磁波濾波器163輸出的信號組合。此時,在由第二90度混合裝置140組成的第一和第二信號通路中的兩個信號內(nèi)的噪聲電平被作為電平調(diào)節(jié)裝置的第一和第二衰減器均衡。此外,由第二90度混合裝置140組合的第一和第二信號通路中的兩個信號的相差為180度,即在通過第一90度混合裝置120和第二90度混合裝置140寬帶寬中相位相反。因此,在由第二90度混合裝置40組合的第一和第二信號通路中的兩個信號內(nèi)的噪聲在寬帶寬內(nèi)被抵消。此外,從第二90度混合裝置140的輸出端獲得與被第一靜磁波濾波器162限幅的電平對應(yīng)的主信號。
與上述信噪比增強(qiáng)器10類似,用作第一靜磁波濾波器161的鐵磁性基片和用作第二靜磁波濾波器163的鐵磁性基片形成在基底中,以便其在信噪比增強(qiáng)器110的這些靜磁波濾波器中以與靜磁波傳播方向相同的方向延伸,從而便于構(gòu)成具有相同輸入/輸出特性的第一靜磁波濾波器161和第二靜磁波濾波器163,可以便于獲得良好的增強(qiáng)特性,并便于切割和處理鐵磁性基片并因此而提高產(chǎn)量。
此外,在信噪比增強(qiáng)器110中,由于靜磁波吸收元件164b相對于YIG薄膜縱向構(gòu)成在YIG薄膜的中部,能夠防止在其它情況下可能由第一靜磁波濾波器161和第二靜磁波濾波器163之間的靜磁波所造成的干擾。
此外,在信噪比增強(qiáng)器110中,靜磁波吸收元件164a和164c相對于YIG薄膜縱向形成在YIG薄膜的一端和另一端區(qū),可以使由YIG薄膜34兩端區(qū)相對于其縱向反射的多余靜磁波被吸收。
應(yīng)該指出,由于信噪比增強(qiáng)器110使用采用靜磁表面波模式的靜磁波元件作為第一靜磁波濾波器,即使被第一靜磁波濾波器161限定的主信號幅度的最低電平,即第一靜磁波濾波器161的飽和電平較低并且該主信號的電平也低,也能夠增強(qiáng)輸入信號的信噪比。
還應(yīng)指出,在信噪比增強(qiáng)器110中,由于由第二90度混合裝置140組合的第一和第二信號通路中的兩個信號的相位在寬帶寬范圍內(nèi)變?yōu)榛榉聪?,可以在寬帶范圍?nèi)獲得超過所需的增強(qiáng)工作帶寬。
此外,由于信噪比增強(qiáng)器110的工作帶寬較寬,因此便于調(diào)節(jié)其工作帶寬,以便所使用的頻率處于該工作帶寬內(nèi),并且僅需較短時間調(diào)節(jié)該工作帶寬,除此之外,當(dāng)溫度變化時,即使出現(xiàn)波動該工作頻帶寬度幾乎不會偏離實(shí)際使用的頻率。
再者,在信噪比增強(qiáng)器110中,由于使用90度混合裝置分別作為第一混合裝置和第二混合裝置,可以用同樣的混合裝置制作第一混合裝置和第二混合裝置,從而提高了生產(chǎn)第一混合裝置和第二混合裝置的效率。
應(yīng)該指出,在上述的每個實(shí)施例中,雖然已經(jīng)采用具有帶通功能的靜磁表面波模式的靜磁波元件作為第一靜磁波濾波器161和第二靜磁波濾波器163,也可以使用采用靜磁正向音量(volume)波模式或靜磁反向量波模式的靜磁波元件,或是例如使用靜磁波的低通濾波器,使用靜磁波的高通濾波器的濾波器以及使用靜磁波的帶除濾波器。
此外,在上述每個實(shí)施例中,雖然已經(jīng)采用YIG薄膜作為鐵磁性基片,在本發(fā)明中也可以使用除YIG薄膜這外的鐵磁性基片。
再者,在上述每個實(shí)施例中,每個變換器是由一直線形的線材形成的,組成每個變換器的線材的形狀和數(shù)量可以任意變化。另外,不必將每個變換器的尺寸與YIG薄膜的尺寸匹配。
雖然在上面的每個實(shí)施例中已經(jīng)使用永磁體向YIG薄膜施加磁場,可以用電磁鐵代替永磁體或可以將電磁體與永磁體一起使用。
雖然在上面的每個實(shí)施例中是在變換器延伸方向向YIG薄膜施加磁場,也可以在與其主表面垂直的方向向YIG薄膜施加磁場。這種情況下,超前靜磁波的音量相對于YIG薄膜縱向在YIG薄膜中傳播。或,也可以相對于YIG薄膜縱向向YIG薄膜施加磁場。這種情況下,再處理靜磁波的音量相對于YIG薄膜縱向在YIG薄膜中傳播。
此外,在上面的每個實(shí)施例中已經(jīng)使用第一和第二衰減器作為電平調(diào)節(jié)裝置,也可以在組合器和第一混合裝置前級設(shè)置一衰減器,在第一靜磁波濾波器的前級設(shè)置一放大器,以及在第二以及在第二靜磁波濾波器的后級設(shè)置一放大器代替第一和第二衰減器?;?,可以分別在組合器和第一混合裝置的前級在第一靜磁波濾波器的前級和后級,以及在第二靜磁波濾波器的前級和后級設(shè)置放大器和衰減器。
也可以在YIG薄膜的中部形成一槽來代替在YIG薄膜中部相對其縱向形成靜磁波吸收元件,以防止在其它情況下可能由第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器之間的靜磁波所造成的干擾。
應(yīng)該指出,如每個實(shí)施例中所述,最好在YIG薄膜中部相對于其縱向輸入低電平信號的第二靜磁波濾波器的輸入側(cè)配置變換器,通過下述理由抑制在其它情況下可能由第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器之間的靜磁波所造成的干擾。即,最好在第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器中均衡靜磁波的傳播方向,以便有效地傳播靜磁波,并且在該情況下,第一靜磁波濾波器和第二靜磁波濾波器中一fm輸入側(cè)的變換器被配置在YIG薄膜的中部。如果位于第二靜磁波濾波器輸入低電平信號的輸入側(cè)上的變換器被配置在YIG薄膜中部,位于第一靜磁波濾波器輸入高電平信號的輸入側(cè)上的變換器則能夠離開第二靜磁波濾波器的變換器。
為防止在YIG薄膜兩端相對于其縱向反射的多余靜磁波的不利影響,可以使YIG薄膜兩端區(qū)相對于其縱向傾斜構(gòu)成來代替在YIG薄膜兩端形成靜磁波吸收元件,以使多余靜磁波不被反射到變換器。
應(yīng)該指出,雖然在圖3所示實(shí)施例中已經(jīng)使用90度混合裝置作為第一混合裝置和第二混合裝置,在本發(fā)明中也可以0度混合裝置和180度混合裝置或180度混合裝置和0度混合裝置。應(yīng)該指出,可以通過采用兩個90度混合裝置考慮它們的相差構(gòu)成0度混合裝置或180度混合裝置。
還應(yīng)指出,本發(fā)明中所描述的″90度″和″180度″將包括以文字涵義為中心的根據(jù)本發(fā)明的目的、操作和效果的基本相同范圍。
至此已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,本領(lǐng)域的技術(shù)人員在由下述權(quán)利要求描繪的范圍內(nèi)可以對其做出變化。
權(quán)利要求
1.一種信噪比增強(qiáng)器,包括一個第一靜磁波濾波器,用于限定輸入信號內(nèi)主信號的幅度,和一個第二靜磁波濾波器,用于通過所述主信號,其特征在于在一個基底中形成一個作為所述第一靜磁波濾波器的鐵磁性基片和一個作為所述第二靜磁波濾波器的鐵磁性基片形成在一個基底中,以便在所述第一靜磁波濾波器和所述第二靜磁波濾波器中與靜磁波傳播方向相同的方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信噪比增強(qiáng)器,其中在所述鐵磁性基片一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個所述第一靜磁波濾波器的變換器,在所述鐵磁性基片另一端側(cè)相對其縱向以一定間隔配置兩個所述第二靜磁波濾波器的變換器,相對于所述鐵磁性基片縱向在所述鐵磁性基片中部形成一個用于吸收靜磁波的靜磁波吸收元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信噪比增強(qiáng)器,包括一個分配器,設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述第二靜磁波濾波器前級,用于將所述輸入信號分成第一信號和第二信號,將所述第一信號輸出到所述第一靜磁波濾波器,和將所述第二信號輸出到所述第二靜磁波濾波器;一個組合器,設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述第二靜磁波濾波器后級,用于將從所述第一靜磁波濾波器輸出的信號和所述第二靜磁波濾波器輸出的信號進(jìn)行組合;電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由所述組合器組合的所述兩個信號中噪聲的電平;和相位調(diào)節(jié)裝置,用于將所述兩個信號中噪聲的相位調(diào)節(jié)為相互反相。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信噪比增強(qiáng)器,其中所述電平調(diào)節(jié)裝置包括一個在所述分配器和所述第二靜磁波濾波器之間的第一衰減器,和一個設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述組合器之間的第二衰減器,并且所述相位調(diào)節(jié)裝置包括一個設(shè)置在所述第二胸磁波濾波器和所述組合器之間的移相器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信噪比增強(qiáng)器,包括一個第一混合裝置,設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述第二靜磁波濾波器前級,用于將所述輸入信號分成第一信號和在寬帶寬范圍內(nèi)具有第一相差的第二信號,將所述第一信號輸出到所述第一靜磁波濾波器并將所述第二信號輸出到所述第二靜磁波濾波器;一個第二混合裝置,設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述第二靜磁波濾波器后級,用于對從所述第一靜磁波濾波器輸出的信號和從所述第二靜磁波濾波器輸出的信號在寬帶寬范圍內(nèi)以第二相差進(jìn)行組合;和電平調(diào)節(jié)裝置,用于均衡由所述第二混合,裝置組合的所述兩個信號中噪聲的電平;所述第一相差和所述第二相差之和是(2n+1)×180度(n=0,1,2,3,…)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信噪比增強(qiáng)器,其中所述電平調(diào)節(jié)裝置包括一個設(shè)置在所述第一混合裝置所述和所述第二靜磁波濾波器之間的第一衰減器,和一個設(shè)置在所述第一靜磁波濾波器和所述第二混合裝置之間的第二衰減器。
全文摘要
一種易于獲得增強(qiáng)特性的信噪比增強(qiáng)器10包括依次包括一條狀GGG基片32的靜磁波元件30。作為鐵磁性基片的YIG薄膜34形成在GGG基片32的一主表面上。靜磁波元件30配置在四個變換器16a至16d上。然后,第一靜磁波濾波器由兩個變換器16a和16b、靜磁波元件30的一個端區(qū)30a和類似部分組成,第二靜磁波濾波器由兩個變換器16c和16d、靜磁波元件30的另一個端區(qū)30b和類似部分組成。
文檔編號H01P7/00GK1139322SQ96104370
公開日1997年1月1日 申請日期1996年1月24日 優(yōu)先權(quán)日1995年1月24日
發(fā)明者岡田剛和, 新村悟, 金谷文夫, 市口真一郎, 野本俊裕 申請人:日本放送協(xié)會, 株式會社村田制作所
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1