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一種組合式電容器的制作方法

文檔序號(hào):6810216閱讀:237來源:國知局
專利名稱:一種組合式電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種組合式電容器,尤其是涉及一種組合式抑制電干擾用的電容器。
目前抑制干擾用的電容器采用由一個(gè)較大電容量的電容器與兩個(gè)等值而電容量較小的電容組合成三角形結(jié)構(gòu),并從三角形的三個(gè)角引出電接線。在其結(jié)構(gòu)上,主要有兩種一種如日本目前普遍使用的采用分體式結(jié)構(gòu),先繞制一個(gè)大電容量的主電容,然后與兩個(gè)繞制在一起的小電容組合而成;另一種則采用整體式結(jié)構(gòu),在繞制好大電容量的電容后,再根據(jù)電容量的大小在所述大電容量電容的外面繞上其上覆蓋有光膜和鋁箔的雙金屬化膜,構(gòu)成兩個(gè)具有相同電容量的小電容。前一種結(jié)構(gòu)的組合式電容器,制作工藝復(fù)雜、工序多,功效低而且體積相對較大。后一種結(jié)構(gòu)的組合式電容器,雖然體積較小,但要制得兩個(gè)相同電容量的小電容,則必須使雙金屬化膜的兩邊金屬膜等寬,并在覆蓋鋁箔和光膜時(shí)必須使得鋁箔與雙金屬化膜的兩金屬膜相覆蓋部分的面積相同,技術(shù)難度大,同時(shí)會(huì)因噴金不均,使得兩個(gè)小電容難以承受較大的沖擊電壓,而且在噴金后不易將兩個(gè)小電容量的電容接線引出。
本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,提供一種體積小、結(jié)構(gòu)簡單、噴金均勻,能承受較高沖擊電壓的組合式電容器。
本實(shí)用新型的目的是通過如下方式來實(shí)現(xiàn)的在繞較大電容量的電容的兩個(gè)金屬化膜的近未尾一端的中間分別插入一定長度的光膜和金屬片,所述光膜與其中一個(gè)金屬化膜的金屬層相接觸,金屬片與另一金屬化膜的絕緣層相接觸,并從兩金屬化膜的金屬層和金屬片上分別引出電接線。
由于本實(shí)用新型采用在繞制大容量電容的同時(shí),在其兩金屬化膜的近未端處插入一光膜和金屬片后再經(jīng)繞制、熱壓、噴金并引出電接線而制得其極板互為公用的三個(gè)構(gòu)成三角形的組合式電容器,較之現(xiàn)有技術(shù),具有制作方便、產(chǎn)品體積小、成品率高等顯著優(yōu)點(diǎn)。另外,因其噴金均勻,有效導(dǎo)電面積大而具有耐高壓沖擊電壓等突出優(yōu)點(diǎn)。
圖一為本實(shí)用新型組合式電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。
現(xiàn)結(jié)合附圖
詳細(xì)描述本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例將金屬化膜[1]的金屬層[3]朝上,其留邊向右,金屬化膜[2]的金屬層[5]朝上并緊貼所述的金屬化膜[1]的絕緣層[4],并將其留邊向左后進(jìn)行繞制,當(dāng)繞制到設(shè)計(jì)所需電容量的長度后,在金屬化膜[1]的絕緣層[4]和金屬化膜[2]的金屬層[5]間自上而下依次插入銅箔[8]和光膜[7]后再進(jìn)行繞制。當(dāng)繞到設(shè)計(jì)的電容量后切斷金屬化膜[1]和[2],并將銅箔[8]在外面再繞一圈,切斷銅箔[8],再將光膜[7]在銅箔[8]外面包一至二圈,使銅箔[8]固定,并作為一電極。當(dāng)繞制結(jié)束后,將繞得的組合式電容器的初品經(jīng)80—90度熱壓,并與其左右兩端面進(jìn)行噴金,然后于其左右兩端面及所述的銅泊[8]上各引出一電接線。金屬層[3]和金屬層[5]構(gòu)成一大電容,銅箔[8]和金屬層[3]、[5]分別構(gòu)成二個(gè)小電容。
權(quán)利要求1.一種組合式電容器,由金屬化膜[1]、[2],金屬片[8]和光膜[7]所組成,其特征在于在所述的金屬化膜[2]的金屬層[5]緊貼金屬化膜[1]的絕緣層[4],并在所述的金屬化膜[1]和金屬化膜[2]的近未端處分別插入金屬片[8]和光膜[7],所述的金屬片[8]與金屬化膜[1]的絕緣層[4]相接觸,光膜[7]間于金屬化膜[2]的金屬層[5]和所述金屬片[8]之間,并從兩金屬化膜的金屬層[3]、[5]和金屬片[8]上分別引出電接線。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種組合式抑制電干擾用的電容器。其特征在于在所述的金屬化膜(2)的金屬層(5)緊貼金屬化膜(1)的絕緣層(4),在金屬化膜(1)和(2)的近末端處分別插入金屬片(8)和光膜(7),金屬片(8)與金屬化膜(1)的絕緣層(4)相接觸,光膜(7)間于金屬化膜(2)的金屬層(5)和所述金屬片(8)之間,并從兩金屬化膜的金屬層(3)、(5)和金屬片(8)上分別引出電接線。具有制作方便、產(chǎn)品體積小、成品率高及耐高壓沖擊電壓等突出優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01G4/38GK2248383SQ9521712
公開日1997年2月26日 申請日期1995年9月25日 優(yōu)先權(quán)日1995年9月25日
發(fā)明者許衛(wèi)照 申請人:舟山市普陀電容器廠
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