專(zhuān)利名稱(chēng)：形成半導(dǎo)體器件圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件圖形的方法，特別是涉及一種能夠防止圖形寬度變化的形成半導(dǎo)體器件圖形的方法，這種方法是利用一個(gè)膠質(zhì)層和一個(gè)金屬層作為蝕刻阻擋層，通過(guò)蝕刻一個(gè)光致抗蝕劑層和一個(gè)導(dǎo)電層以便在一個(gè)處于下方的具有很強(qiáng)反射性質(zhì)的層上形成精細(xì)圖形。
現(xiàn)有技術(shù)的形成半導(dǎo)體裝置圖形的方法是通過(guò)在需要制作圖形的導(dǎo)電層或介電層上涂覆一層光致抗蝕劑，利用掩膜對(duì)光致抗蝕劑的選擇部分曝光，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影，形成一個(gè)光致抗蝕劑膜圖形。在此之后用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻阻擋層對(duì)導(dǎo)電層或介電層進(jìn)行蝕刻。但是在這樣的方法中，如果處于下層的導(dǎo)電層或介電層的反射率和曝光時(shí)是大的情況，由于強(qiáng)曝光能量產(chǎn)生的無(wú)規(guī)則折射就會(huì)造成光致抗蝕劑圖尺寸的差異。此外，由于半導(dǎo)體器件是極為高度集成的，上述問(wèn)題使得形成精細(xì)圖形更為困難。
因此本發(fā)明的目的是提供一種能夠消除上述缺陷的形成半導(dǎo)體器件圖形的方法，本方法是利用一個(gè)膠質(zhì)層和一個(gè)金屬層作為蝕刻阻擋層，通過(guò)蝕刻一個(gè)光致抗蝕劑層和一個(gè)導(dǎo)電層以便在一個(gè)具有很強(qiáng)反射性質(zhì)的下層上形成精細(xì)圖形。
為達(dá)到目的，形成半導(dǎo)體裝置圖形的方法包括以下步驟在導(dǎo)電層或介電層上涂覆光致抗蝕劑并用掩膜曝光，在光致抗蝕劑上形成一個(gè)曝光區(qū)；在形成曝光區(qū)后在得到的結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)膠質(zhì)層，然后用顯影液除去曝光區(qū)和曝光區(qū)上的膠質(zhì)層部分；僅在殘留的膠質(zhì)層上有選擇地形成一個(gè)金屬層，用金屬層作為蝕刻阻擋層除去光致抗蝕劑以及導(dǎo)電層或介電層的曝光部分；隨后相繼除去金屬層，殘留膠質(zhì)層和光致抗蝕劑。
為了更為充分地理解本發(fā)明的性質(zhì)和目的，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中

圖1A至1E是本發(fā)明形成半導(dǎo)體器件圖形的方法的說(shuō)明圖的剖視圖。
在幾個(gè)附視圖中相同的參考標(biāo)號(hào)對(duì)應(yīng)于相同的部件。
圖1A至1E是本發(fā)明形成半導(dǎo)體器件圖形的方法的說(shuō)明圖的剖視圖。
圖1A顯示了一種結(jié)構(gòu)，在其上形成了一個(gè)導(dǎo)電層或介電層2的襯底1上涂覆了一層光致抗蝕劑3，在選定的位置上設(shè)置一個(gè)掩膜4，并用低曝光能量對(duì)光致抗蝕劑3曝光。用于平整下層的光致抗蝕劑3形成的厚度為1至2μm。在曝光時(shí)，只有光致抗蝕劑3的表面(從表面起0.5μm的厚度)被低曝光能量曝光。
圖1B顯示了一種結(jié)構(gòu)，其中光致抗蝕劑3的被曝光部分上形成了一個(gè)曝光區(qū)6，在整個(gè)光致抗蝕劑3上形成一個(gè)膠質(zhì)層5。膠質(zhì)層5是利用膠體pd/Sn催化劑通過(guò)汽相淀積法形成的。
參見(jiàn)圖1C，用顯影液除去曝光區(qū)6和部分膠質(zhì)層5。即顯影液滲透進(jìn)曝光區(qū)6將其除去，與此同時(shí)也除去了曝光區(qū)6上的膠質(zhì)層5。其后用無(wú)電鍍槽通過(guò)浸漬法有選擇地僅在殘留的膠質(zhì)層5上形成一個(gè)金屬層7。
圖1D顯示了一種結(jié)構(gòu)，其中利用金屬層7作為蝕刻阻擋層通過(guò)等離子蝕刻法除去了光致抗蝕劑3的曝過(guò)光的部分。然后用等離子蝕刻法除去曝過(guò)光的導(dǎo)電層或介電層2，并相繼除去金屬層7，膠質(zhì)層5和光致抗蝕劑膜3，這樣就形成了如圖1E中所示的導(dǎo)電層或介電層2的圖形。由于金屬層7如膠質(zhì)層5是分別用浸鍍法和汽相淀積法形成的，在所述襯底1的背面可能會(huì)留下殘存物，因此最好除去硝酸。
如上所述，即使是在下層是導(dǎo)電層的情況下，通過(guò)利用僅僅殘留在光致抗蝕劑未曝光部分的膠質(zhì)層和有選擇地僅僅形成于膠質(zhì)層上的金屬層作為蝕刻阻擋層來(lái)除去光致抗蝕劑，和隨后在導(dǎo)電層或介電層上形成圖形的方法，使本發(fā)明具有優(yōu)良的效果，防止了凹陷和頸縮現(xiàn)象，和防止了圖形寬度的變化。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的圖形的方法，其包括以下步驟在一個(gè)導(dǎo)電層或介電層上涂覆光致抗蝕劑，和利用掩膜曝光在所述光致抗蝕劑上形成一個(gè)曝光區(qū)；形成所述曝光區(qū)后在所得到的結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)膠質(zhì)層，隨后利用顯影液除去所述曝光區(qū)和所述曝光區(qū)上的部分所述膠質(zhì)層；有選擇地僅僅在所述殘留膠質(zhì)層上形成一個(gè)金屬層，利用所述金屬層作為蝕刻阻擋層除去所述光致抗蝕劑和所述導(dǎo)電層或介電層的曝光部分；和相繼除去所述金屬層，所述殘留膠質(zhì)層和光致抗蝕劑。
2.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述曝光區(qū)形成的深度為從所述光致抗蝕劑的表面起0.3至0.5μm。
3.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膠質(zhì)層是利用膠體Pd/Sn催化劑通過(guò)汽相淀積法形成的。
4.一種如權(quán)項(xiàng)1所述的方法，其中所述金屬層是利用無(wú)電鍍槽通過(guò)浸鍍法形成的。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種形成高度集成化的半導(dǎo)體器件的圖形的方法，該方法能夠防止圖形的寬度變化。它是通過(guò)利用僅僅殘留在光致抗蝕劑未曝光部分的膠質(zhì)層和有選擇地僅僅形成于膠質(zhì)層上的金屬層作為蝕刻阻擋層來(lái)除去光致抗蝕劑，和隨后在導(dǎo)電層或介電層上形成圖形的方法防止了由于強(qiáng)曝光能引起的慢反射造成的圖形尺寸的變化。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK1124406SQ9511582
公開(kāi)日1996年6月12日 申請(qǐng)日期1995年7月28日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月28日
發(fā)明者黃, 金容和 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社