專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體器件，該本體包括由單晶硅制成的表面鄰近區(qū)域，該區(qū)域側(cè)面至少部分地由埋沒(méi)的氧化物層所包圍;以及設(shè)置在該區(qū)域上面的重?fù)诫s硅層，所述硅層側(cè)面由氧化物層同所述區(qū)域大體上完全分開(kāi);所述區(qū)域包括具有與至少鄰接于所述區(qū)域邊緣的硅層相同的導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)以及鄰接的第二區(qū)。該硅層是與所述區(qū)域表面的邊緣部分上的第一區(qū)鄰接的，所述第二區(qū)備有電極。
本發(fā)明還涉及制造該器件的方法。
上述那種晶體管器件可從Washio等人發(fā)表的，標(biāo)題為“用自定位雙極型工藝規(guī)程的E48脈沖/秒的發(fā)射極耦合邏輯”(E48psECLinaself-AlignedBipo-larTechology)(ISSCC，1987，P58-59)一文得知。
該文章公開(kāi)了一種雙極型晶體管，這種晶體管是在平面狀的硅半導(dǎo)體區(qū)域中形成的。該平臺(tái)狀區(qū)域位于濃摻雜隱埋層的上面，并且，側(cè)面由埋沒(méi)的氧化物層和配置其上的多晶硅層所包圍;后者鄰接平臺(tái)上表面的重?fù)诫s基極接觸區(qū)，并由側(cè)面氧化物層與所述平臺(tái)大體上完全分開(kāi)。
該公知的晶體管具有很小的尺寸，這是由于已經(jīng)進(jìn)行了各種有成效的試驗(yàn)，以便使所述多晶硅層以自定位方式與平臺(tái)的很窄的邊緣區(qū)域鄰接的緣故。
但是，這種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是多晶基極接線(xiàn)和基極區(qū)之間的連接是僅僅經(jīng)由多晶硅擴(kuò)散成的基極接觸區(qū)而建立的。該邊緣區(qū)域中的凹凸不平(這是由于埋沒(méi)的氧化物層的所謂“鳥(niǎo)喙”邊緣結(jié)構(gòu)不總是相同而容易發(fā)生的)會(huì)引起基極接觸不良，或者多晶硅基極接線(xiàn)和發(fā)射區(qū)之間的距離太短。由于基極接觸區(qū)和發(fā)射極區(qū)(它們都是濃摻雜的)互相鄰接，所以，會(huì)使發(fā)射極-基極間的擊穿電壓顯著降低;同時(shí)，在若干給定場(chǎng)合下，甚至?xí)乖摪l(fā)射極-基極結(jié)部分地伸入多晶材料中，這會(huì)有害地影響晶體管的特性。
應(yīng)當(dāng)指出，在本申請(qǐng)中，應(yīng)當(dāng)把術(shù)語(yǔ)“多晶硅層”理解為任何非單晶硅層，因此也可理解為例如無(wú)定形硅層。
本發(fā)明的目的尤其是要提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件和它的制造方法，利用這種方法可避免所述缺點(diǎn)或至少顯著地減少這些缺點(diǎn)。
按照本發(fā)明開(kāi)頭一節(jié)中所述的半導(dǎo)體器件的特征在于以自定位方式形成的氧化物帶使所述硅層同電極分開(kāi)，并且，在第一和第二區(qū)之間存在于氧化物帶下面的至少一個(gè)摻雜連接區(qū)，所述連接區(qū)是與所述第一和第二區(qū)鄰接的，并且具有由所述氧化物帶所確定的寬度。
通過(guò)使用一種可自由選定其摻雜濃度和可將其寬度做得很窄的自定位的連接區(qū)，就能避免前述缺點(diǎn)而不顯著增加該晶體管的尺寸。
按照第一最佳實(shí)施例，所述第一區(qū)構(gòu)成雙極型晶體管的基極接觸區(qū)，所述第二區(qū)構(gòu)成發(fā)射極區(qū)以及所述硅層構(gòu)成所述雙極型晶體管的基極連接線(xiàn)。
另一個(gè)最佳實(shí)施例的特征在于所述第一區(qū)構(gòu)成雙極型晶體管的發(fā)射極區(qū)，所述第二區(qū)構(gòu)成基極接觸區(qū)以及所述硅層構(gòu)成所述雙極型晶體管的發(fā)射極連接線(xiàn)。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)具有亞微米尺寸的發(fā)射極區(qū)的晶體管，這將在下文中更充分地說(shuō)明。
本發(fā)明還涉及一種特別適用的方法，利用這種方法就能用最少的掩蔽步驟來(lái)制造這種半導(dǎo)體器件。
按照本發(fā)明，這種方法的特征在于1在單晶硅區(qū)域表面上形成含有氧化硅的絕緣中間層，以及在該中間層上形成第一氮化硅層，2.在所述第一氮化硅層上形成第一硅層，3.由第一硅層刻蝕出一種硅圖案，4.通過(guò)熱氧化過(guò)程至少為所述硅圖案的邊緣提供氧化物層，5.去除第一氮化硅層的復(fù)蓋部分和直接在其下面的中間層，6.在所述硅區(qū)域的暴露部分上腐蝕出凹陷區(qū)，7.去除未復(fù)蓋的氧化物，8.通過(guò)熱氧化物過(guò)程為所述未復(fù)蓋的硅提供另一層氧化物層，9.把所述第一氮化硅層和所述中間層的剩下的暴露部分都清除掉，1.0在該組件上形成重?fù)诫s的第二硅層，按平面化原則(Planarization)腐蝕所述第二硅層，然后，把它腐蝕到位于第一硅層上的氧化物的水平面以下的水平面，1.1.通過(guò)腐蝕而有選擇地去除暴露的氧化硅，1.2.把所述第一氮化硅層的暴露部分清除掉，并通過(guò)摻雜而在所述硅區(qū)域的直接在下面的部分中形成至少一個(gè)連接區(qū)，1.3.有選擇地把所述第一硅層清除掉，使所述第二硅層和所述連接區(qū)氧化、并通過(guò)從所述第二硅層的擴(kuò)散過(guò)程形成至少一個(gè)第一區(qū)，1.4把所述第氮化硅層清除掉，以及1.5.在位于如此形成的窗口中的第二區(qū)的表面上形成電極，該電極是由所述另一氧化物層定界的。
按照這個(gè)方法，只需通過(guò)單獨(dú)一個(gè)掩蔽步驟就可使該半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程大體上一直進(jìn)行到金屬化的步驟。
最好以這樣的方式來(lái)進(jìn)行此方法，即，在步驟6之后，步驟7之前，為未復(fù)蓋的硅提供氧化物層，在該氧化物層上形成第二氮化硅層，然后，通過(guò)等離子體腐蝕工藝從平行于表面的面上去除第二氮化硅層，以及在步驟8以后、步驟9之前，去除所述第二氮化硅層的剩下的暴露部分，并使因此而露出的硅表面氧化。
按照另一個(gè)最佳實(shí)施例，該方法以這樣的方式來(lái)進(jìn)行，即，在步驟7以后、步驟8之前，在該組件上形成第二氮化硅層，后者比所述第一氮化硅層薄，并通過(guò)等離子體腐蝕工藝從平行于表面的面上把它清除掉，以及在步驟8之后、步驟9之前，去除所述第二氮化硅層的剩下的暴露部分，并使因此而暴露出的硅表面氧化。
現(xiàn)將參考幾個(gè)實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更充分的描述，在各附圖中

圖1以剖面圖的形式用圖解法說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，圖2至9以剖面圖的形式用圖解法說(shuō)明處在順序的制作步驟中的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，圖10和11說(shuō)明本發(fā)明的方法的第一變型的順序步驟，圖12說(shuō)明本發(fā)明的方法的第二變型的步驟，圖13至15說(shuō)明以本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施例制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的順序步驟。
為清晰起見(jiàn)，各圖都是簡(jiǎn)圖，并且是不按比例繪制的。各對(duì)應(yīng)部件一般都用同一標(biāo)號(hào)標(biāo)出。具有相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體區(qū)域都畫(huà)有相同方向的截面線(xiàn)。
圖1以面圖的形式用圖解法說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件。該器件包括半導(dǎo)體本體1，后者具有鄰接表面2并在側(cè)面至少部分地由埋沒(méi)的氧化層4所包圍的單晶硅半導(dǎo)體區(qū)域3和配置在它上面的，并在側(cè)面大體上完全由氧化物層6與區(qū)域3隔開(kāi)的濃摻雜硅層5。在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體件區(qū)域是由生長(zhǎng)在具有相反的導(dǎo)電類(lèi)型的襯底7上的外延層的一部分構(gòu)成的。具有與區(qū)域3相同的導(dǎo)電類(lèi)型的濃摻雜隱埋層8位于區(qū)域3和襯底7之間。
區(qū)域3還包括具有與同區(qū)域3的邊緣鄰接的硅層5相同的導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)9和鄰接的第二摻雜區(qū)10。在本實(shí)施例中，區(qū)域3是n型導(dǎo)電的，硅層5和區(qū)9都是P型導(dǎo)電，而區(qū)10是n型導(dǎo)電的。
硅層5在半導(dǎo)體區(qū)域3的表面2的邊緣部分上同第一區(qū)9鄰接，而在表面2上形成鄰接于第二區(qū)10的電極層11。
按照本發(fā)明，以自定位方式形成的氧化物帶12A把硅層5同電極11隔開(kāi)，同時(shí)，在第一區(qū)9和第二區(qū)10之間存在至少一個(gè)位于氧化物帶12A下面的摻雜連接區(qū)13;區(qū)13鄰接第一區(qū)9同第二區(qū)10，并且有由氧化物帶12A所確定的寬度。
因?yàn)檫B接區(qū)13是以自定位方式獲得的，所以，可以把它做得很窄。通過(guò)使用這種可自由選定其摻雜濃度的連接區(qū)，就能避免上述的埋沒(méi)的氧化物邊緣處的問(wèn)題了。
在本實(shí)施例中，第一區(qū)9構(gòu)成雙極型晶體管的基極接觸區(qū)。具有同一導(dǎo)電類(lèi)型的次濃摻雜區(qū)14構(gòu)成該晶體管的有源基區(qū)(參看圖1)。具有相反導(dǎo)電類(lèi)型的第二區(qū)10構(gòu)成發(fā)射極區(qū)(發(fā)射極連線(xiàn)E)，而硅層5構(gòu)成基極接線(xiàn)。經(jīng)由隱埋層8而與集電極(c)接觸;該集電極接觸點(diǎn)位于圖平面之外，并且，僅僅示意地表示。
所述半導(dǎo)體器件可如同下述那樣制造。
原材料(參看圖2)是P型導(dǎo)電的硅襯底7，在該襯底中，用離子注入法形成濃摻雜n型層8，然后，在該層上生長(zhǎng)一層具有可以是大約1μm的厚度和可以是大約1016at/cm3的摻雜濃度的外延層3。
按照本發(fā)明，在單晶外延層3的表面上生成具有厚度可以是50nm的、含有氧化硅或氮化硅的薄的中間氧化硅層20，而在這中間層上形成第一氮化硅層21(厚度大約120nm)。在該后一層上淀積厚度可以是大約1.2μm的、未摻雜的多晶硅層22。
接著，用照相制版工藝刻蝕出一個(gè)由硅層22構(gòu)成的，例如島形的圖案，隨后，通過(guò)在1000℃下持續(xù)3.5小時(shí)的熱氧化過(guò)程、該圖案?jìng)溆泻穸却蠹s1μm的氧化物層。接著，通過(guò)在熱磷酸中和氟化氫緩沖水溶液中進(jìn)行選擇性腐蝕而把層21和20上的無(wú)復(fù)蓋物部分除去。這樣就得到了示于圖2中的結(jié)構(gòu)。
于是，在凹陷區(qū)上刻蝕出所述硅層的一部分，該部分是暴露的、未復(fù)蓋的，因此，獲得一個(gè)臺(tái)狀區(qū)域。在本實(shí)施例中(參看圖3)，該臺(tái)狀區(qū)域只包括外延層3的一部分，然而，也可穿過(guò)層3而刻蝕所述凹陷區(qū)。
在所述方法的實(shí)施例中，通過(guò)熱氧化過(guò)程，使該未復(fù)蓋的硅備有氧化物層24，在該層24上形成厚度大約50nm的第二氮化硅層25。然后，用等離子體腐蝕法，從平行于表面2的面上有選擇地去除層25，而在垂直面上保留層25(參看圖3)。
于是，通過(guò)腐蝕除去未復(fù)蓋的氧化物層(在本實(shí)施例中是氧化物層23和24)，此后，通過(guò)熱氧化過(guò)程使該未復(fù)蓋的硅備有新的氧化物層4和26(參看圖4)。氧化物層4具有可以是1μm的厚度，而在多晶硅22上的氧化物層26具有大約1.2μm的厚度。
接著，把第二氮化硅層25的剩下的暴露部分腐蝕掉，但保留一部分氮化硅21;此后，通過(guò)熱氧化過(guò)程形成具有可以是0.3μm厚的氧化層6(參看圖5)。
然后，通過(guò)腐蝕除去第一氮化硅層和中間層20的剩下的暴露部分。于是，在該組件上形成第二硅層5，在該形成過(guò)程期間或該過(guò)程之后，該第二硅層是濃摻雜的。然后，按平面化(Planarization)原則去除硅層5，并且，用公知工藝把它腐蝕到低于第一硅層22上的氧化物26的水平面。于是，獲得圖6中所示的狀態(tài)。
然后，有選擇地把暴露的氧化硅層26腐蝕掉;此后，把第一氮化硅層21的暴露部分除去。接著，通過(guò)硼離子注入工藝在上述去除部分的正下方的硅區(qū)域的各部分中形成P型連接區(qū)13。于是，獲得圖7中所示的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，連接區(qū)13的摻雜濃度為1018at/cm3，其厚度為0.3μm。該離子注入過(guò)程是以30kev能量和3×1013個(gè)硼離子/cm2的劑量，穿過(guò)30nm厚的氧化物層20而進(jìn)行的。也可用不同的方法，例如，用擴(kuò)散法來(lái)實(shí)現(xiàn)這些連接區(qū)，這時(shí)，在進(jìn)行擴(kuò)散處理之前最好去除氧化物層20 此時(shí)，通過(guò)在KOH溶液中的腐蝕作用有選擇地去除第一硅層22。由于在上述溶液中輕摻雜硅22的腐蝕速率顯著地高于P型濃摻雜的多晶硅層5的腐蝕速率，所以，不需要抗腐蝕掩模。
接著，對(duì)第二硅層5和連接區(qū)13進(jìn)行熱氧化，于是，獲得比層20厚的氧化物層12。通過(guò)從濃摻雜多晶硅層5的擴(kuò)散過(guò)程，獲得強(qiáng)的P型導(dǎo)電的“第一”區(qū)9。應(yīng)當(dāng)指出，如果層20是由氧氮化硅制成的，則該層的暴露部分必須在進(jìn)行熱氧化過(guò)程之前腐蝕掉。
接著(參看圖9)，通過(guò)腐蝕而有選擇地把第一氮化硅層21除去。在這樣形成的由氧化物層12的邊緣12A所圍成的窗口內(nèi)，通過(guò)硼離子注入而形成有源基極區(qū)14，然后，通過(guò)注入施主離子，例如磷或砷離子而形成射極區(qū)10(即“第二”區(qū))。這些離子注入過(guò)程可以或者穿過(guò)層20而進(jìn)行，或者在除去層20以后進(jìn)行。也可用其它各種例如擴(kuò)散過(guò)程的摻雜方法。
在已經(jīng)使發(fā)射極區(qū)10的表面暴露以后，就可(經(jīng)由氧化層12中的各接觸窗口)形成電極11和連接到層5的接線(xiàn)。通過(guò)連接到隱埋層8(經(jīng)由氧化層4中的窗口)的接線(xiàn)可接觸集電極區(qū)。這樣，就獲得圖1的晶體管結(jié)構(gòu)。
上述制造方法在許多方面是可改變的。
按照本方法的另一個(gè)實(shí)施例，以同實(shí)現(xiàn)圖2中所示結(jié)構(gòu)相同的方式開(kāi)始。
接著，象前面的實(shí)施例那樣，對(duì)以所述硅區(qū)的暴露部分的形式出現(xiàn)的凹陷區(qū)進(jìn)行腐蝕。但是，與前面的實(shí)施例相反，這時(shí)立即把暴露的硅23腐蝕掉，隨后，該組件配備一層氮化硅層，用等離子體腐蝕法從水平面上除去層25，而保留垂直面上的層25(參看圖10)。較厚的第一氮化硅層21未被完全除去。然后，通過(guò)熱氧化過(guò)程形成氧化層4和26(參看圖11)。
此時(shí)，通過(guò)在一種例如熱磷酸的腐蝕液中進(jìn)行各向同性腐蝕，把氮化硅25全部腐蝕掉、而把暴露的、較厚的氮化硅21部分地腐蝕掉。然后，使區(qū)域3的如此暴露出來(lái)的硅以及層22熱氧化，形成氧化層6。于是，得到與圖5中相同的狀態(tài)，然后，再以同參考圖5至9所描述的相同的方式進(jìn)行進(jìn)一步的工序。
按照本方法的第三實(shí)施例，在已經(jīng)獲得圖2所示的結(jié)構(gòu)，已經(jīng)在層3上刻蝕出凹陷區(qū)并已將氧化物23除去以后，在未形成第二氮化硅層的情況下，使暴露的硅氧化。這樣，就得到了圖12的狀態(tài)。該結(jié)構(gòu)類(lèi)似于圖5中所示的結(jié)構(gòu)，所不同的僅在于現(xiàn)在氧化物層6實(shí)際上具有與氧化物層4相同的厚度，這是因?yàn)樵谒銎脚_(tái)的垂直壁上未形成抗氧化物層。上述方法的進(jìn)一步的工藝步驟與參考圖6至9所描述的工藝步驟相同。
在至今所描述的本發(fā)明的方法的各實(shí)施例中，總是形成以剖面圖的形式用圖解法示出圖1中的結(jié)構(gòu)。于是，形成一種雙極型晶體管;此時(shí)，“第一”區(qū)9起基極接觸區(qū)的作用，而“第二”區(qū)構(gòu)成該晶體管的發(fā)射極，多晶硅層5構(gòu)成基極接線(xiàn)。
然而，本發(fā)明的方法也非常適用于制造其它半導(dǎo)體器件。例如，利用本發(fā)明，尤其可以實(shí)現(xiàn)具有亞微米尺寸的射極區(qū)的雙極型晶體管。
為此，從圖7所示的狀態(tài)開(kāi)始，首先有選擇地腐蝕掉多晶硅層22。接著，注入砷離子，以便在硅層5中形成重?fù)诫s的n型層(參看圖13)。然后，把中間層20的暴露部分腐蝕掉。此后，進(jìn)行熱氧化。在該熱氧化過(guò)程中，為層5提供氧化層12，同時(shí)，硼和砷從層5擴(kuò)散進(jìn)入?yún)^(qū)域3。由于硼的擴(kuò)散比砷的快，因此，形成一個(gè)很小的n型射極區(qū)9和一個(gè)有源的P型基極區(qū)30(參看圖14)。由于使用了大劑量的砷，所以，層5全部變成重?fù)诫s的n型硅，該層構(gòu)成射極連接線(xiàn)。
最后，把層20和21的剩下部分腐蝕掉，此后，通過(guò)注入硼離子而形成重?fù)诫s的P型第二區(qū)10，即，基極接觸區(qū)，然后，又可在該區(qū)上形成電極層11(參看圖15)。因此，就獲得一種具有很小的發(fā)射極區(qū)9的雙極型晶體管。
本發(fā)明并不局限于制造雙極型半導(dǎo)體器件，也可方便地用來(lái)制造MOS晶體管。例如，如果圖8中的區(qū)9和區(qū)13是在同區(qū)9和區(qū)13分開(kāi)的左側(cè)上形成的(利用附加的掩蔽步驟)，則這兩個(gè)區(qū)(9、13)就構(gòu)成絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的源區(qū)和漏區(qū)。在層20和21已經(jīng)被新形成的柵極氧化物層所取代之后，必要的話(huà)，應(yīng)當(dāng)在層20和21的區(qū)域上或至少在層20和21的區(qū)域內(nèi)形成柵極。在某些場(chǎng)合下，也可以用多晶硅層22作為柵極。此時(shí)，也象懊嫻母魘凳├茄?，嫡浕?經(jīng)由“中間區(qū)”13連接到“第二”區(qū);在這種情況下，后者是由MOS晶體管的溝道區(qū)域構(gòu)成的，并且，備有上述的柵極。
此外，在所有實(shí)施例中，各導(dǎo)電類(lèi)型可以用其相反類(lèi)型替換(全部同時(shí)替換)。此外，可以使用抗氧化層，而不使用氧氮化硅/氮化硅混合物。
最后，應(yīng)當(dāng)指出，為了改善導(dǎo)電性，可以用通常的工藝為層5提供由金屬硅化物構(gòu)成的表面層。
權(quán)利要求
1.一種具有半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體器件，該本體包括側(cè)面至少部分地由埋沒(méi)的氧化物層所包圍的單晶硅表面鄰近區(qū)域和設(shè)置在它上面的重?fù)诫s硅層，所述硅層側(cè)成大體全部由氧化物層同所述區(qū)域分開(kāi)，所述區(qū)域包括具有與至少鄰接于該區(qū)域邊緣的硅層相同的導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)和鄰接的第二摻雜區(qū)，該硅層是在所述區(qū)域表面的邊緣部分上與第一區(qū)鄰接的，所述第二區(qū)備有電極，其特征在于該硅層是由以自定位方式形成的氧化物帶同該電極分開(kāi)的，在第一和第二區(qū)之間設(shè)置至少一條位于該氧化物條下面的摻雜的連接區(qū)，所述連接區(qū)同所述第一和第二區(qū)鄰接，并具有由所述氧化物帶所確定的寬度。
2.如權(quán)利要求1中所要求的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一區(qū)構(gòu)成雙極型晶體管的基極接觸區(qū)，所述第二區(qū)構(gòu)成發(fā)射極區(qū)，而所述硅層構(gòu)成所述雙極型晶體管的基極連接線(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1中所要求的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一區(qū)構(gòu)成雙極型晶體管的發(fā)射極區(qū)，所述第二區(qū)構(gòu)成基極接觸區(qū)，而所述硅層構(gòu)成所述雙極型晶體管的發(fā)射極連接線(xiàn)。
4.制造如前面的各權(quán)利要求中任一項(xiàng)所要求的半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于1)在單晶硅區(qū)域上形成含有氧化硅的絕緣中間層，以及在所述中間層上形成第一氮化硅層，2)在所述第一氮化硅層上形成第一硅層，3)由第一硅層刻蝕出一種硅圖案，4)通過(guò)熱氧化過(guò)程至少為所述硅圖案的邊緣提供氧化物層，5)去除第一氮化硅層的未復(fù)蓋部分和直接在其下面的中間層。6)在所述硅區(qū)域的暴露部分上腐蝕出凹陷區(qū)，7)去除未復(fù)蓋的氧化物，8)通過(guò)熱氧化過(guò)程為所述未復(fù)蓋的硅提供另一層氧化物層，9)把所述第一氮化硅層和所述中間層的剩下的暴露部分清除掉，10)在該組件上形成重?fù)诫s的第二硅層，按平面化原則(Planarization)腐蝕所述第二硅層，然后把它向下腐蝕到低于第一硅層上的氧化物的水平面。11)通過(guò)腐蝕而有選擇地去除暴露的氧化硅，12)把所述第一氮化硅層的暴露部分清除掉，并通過(guò)摻雜在所述硅區(qū)域的底層部分中形成至少一個(gè)連接區(qū)，13)有選擇地把所述第一硅層清除掉，使所述第二硅層和所述連接區(qū)氧化，并通過(guò)從所述第二硅層的擴(kuò)散過(guò)程形成至少一個(gè)第一區(qū)，14)把所述第一氮化硅層清除掉，以及15)在位于如此形成的窗口中的第二區(qū)的表面上形成電極，該電極是由所述另一氧化物層定界的。
5.如權(quán)利要求4中所要求的方法，其特征在于在步驟6之后、步驟7之前，為未復(fù)蓋的硅提供氧化物層，在該氧化物層上形成第二氮化硅層，然后，通過(guò)等離子體腐蝕而從平行于表面的面上把該第二氮化硅層清除掉，在步驟8之后、步驟9之前，把所述第二氮化硅層的剩下的各暴露部分清除掉，并使此暴露出的硅表面氧化。
6.如權(quán)利要求4中所要求的方法，其特征在于在步驟7之后、步驟8之前，在該組件上形成第二氮化硅層，該層比所述第一氮化物層薄，并通過(guò)等離子體腐蝕而從平行于表面的面上被腐蝕掉，在步驟8以后、步驟9之前，把所述第二氮化硅層的剩下的暴露部分清除掉，并使因此露出的硅表面氧化。
全文摘要
半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件的單晶硅區(qū)域3包括第一區(qū)9和鄰接的第二區(qū)10，其側(cè)面由埋沒(méi)的氧化物層4和重疊的摻雜多晶硅層5所包圍。硅層5側(cè)面由氧化硅層6同區(qū)域3分開(kāi)，并鄰接區(qū)域3的上表面的窄邊緣部分上的第一區(qū)9，后者具有與硅層5相同的導(dǎo)電類(lèi)型。硅層5由以自定位方式形成的氧化物帶12A與電極層11分開(kāi)，而具有由氧化物帶確定的寬度的至少一個(gè)摻雜連接區(qū)13位于第一和第二區(qū)之間，并位于氧化物帶12A的下面。
文檔編號(hào)H01L29/423GK1034827SQ89100478
公開(kāi)日1989年8月16日 申請(qǐng)日期1989年1月23日 優(yōu)先權(quán)日1988年1月25日
發(fā)明者約翰·內(nèi)斯·威廉馬斯·阿德里安納斯·范德韋爾登, 亨利卡斯·戈迪弗里達(dá)斯·拉斐爾·馬斯, 馬奎賴(lài)特·瑪麗亞凱瑟琳娜·范伊爾塞施夫馬赫 申請(qǐng)人:菲利浦光燈制造公司