專利名稱:具有讀出放大器的半導(dǎo)體裝置及讀出放大器的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的方法。更具體而言，本發(fā)明涉及一種當(dāng)讀出放大器形成為信號(hào)放大器件時(shí)防止位線在P+拾取器(pickup)區(qū)上彼此跨接的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置中，DRAM包括單元區(qū)、外圍電路區(qū)和核心區(qū)。單元區(qū)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。外圍電路區(qū)用于將外部電壓轉(zhuǎn)換為內(nèi)部電壓或者作為包括單元在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片內(nèi)外的信號(hào)的媒介。核心區(qū)用于當(dāng)在單元中寫數(shù)據(jù)或者讀取存儲(chǔ)在單元中的數(shù)據(jù)時(shí)選擇性地控制連接到相應(yīng)單元的字線和位線。
通常，單元區(qū)中具有最小寬度的圖案形成在DRAM，且外圍電路區(qū)設(shè)置有具有比單元區(qū)大的寬度以及具有自由區(qū)域(free area)的圖案。核心區(qū)設(shè)置有稱為讀出放大器的放大裝置，其包括非常復(fù)雜的電路。這意味著核心區(qū)與單元區(qū)相比要求細(xì)致的設(shè)計(jì)規(guī)則。在一些情況下，由于當(dāng)前器件高集成度的趨勢(shì)，核心區(qū)的圖案小于單元區(qū)中的圖案。
現(xiàn)在將參考圖1A到1E描述形成讀出放大器的常規(guī)方法。
圖1A到1E是示出用于形成讀出放大器的常規(guī)方法中使用的一系列工藝步驟的俯視圖。
參考圖1A，器件隔離層110形成在半導(dǎo)體襯底100的讀出放大器形成區(qū)中，從而界定出用于形成讀出放大器的有源區(qū)。有源區(qū)包括NMOS形成區(qū)120a、PMOS形成區(qū)130a、N+拾取器形成區(qū)120b和P+拾取器形成區(qū)130b。
柵極絕緣層、柵極導(dǎo)電層和硬掩模層在襯底上層疊，以形成環(huán)形柵極140。具體地，N型柵極形成在NMOS和PMOS形成區(qū)中，且假設(shè)形成在有源區(qū)之外的器件隔離層110上的那些柵極140具有位于柵極140和導(dǎo)線之間的接觸。
參考圖1B，緩沖氧化物層(未顯示)和間隔氮化物層(未顯示)連續(xù)形成在所得的襯底的前表面上，該前表面上已形成柵極140。然后，絕緣層(未顯示)形成在間隔氮化物層上以覆蓋柵極。
具有用于暴露NMOS形成區(qū)120a和N+拾取器形成區(qū)120b的線型開口的第一掩模圖案M1形成在絕緣層上。在暴露的NMOS形成區(qū)120a和N+拾取器形成區(qū)120b中的絕緣層通過使用第一掩模圖案M1作為蝕刻掩模而蝕刻。下面的間隔氮化物層和緩沖氧化物層被進(jìn)行各向異性蝕刻，使得間隔件(未顯示)形成在柵極140的側(cè)壁上，同時(shí)暴露柵極140之間的襯底的有源區(qū)，以及N+拾取器形成區(qū)120b。
N型雜質(zhì)被離子注入到襯底的有源區(qū)中，該襯底的有源區(qū)已經(jīng)暴露在NMOS形成區(qū)120a中的柵極140之間，該N型雜質(zhì)還被注入到暴露的N+拾取器形成區(qū)120b中，以形成N+結(jié)區(qū)150a和N+拾取器區(qū)150b。
參考圖1C，第一掩模圖案M1被除去，且具有用于選擇性地暴露PMOS形成區(qū)130a和一部分P+拾取器形成區(qū)130b的線型開口的第二掩模圖案M2形成在所得的襯底的前表面上。在暴露的PMOS形成區(qū)130a和P+拾取器形成區(qū)130b中的絕緣層通過使用第二掩模圖案M2作為蝕刻掩模而蝕刻。下面的間隔氮化物層和緩沖氧化物層被進(jìn)行各向異性蝕刻，使得間隔件(未顯示)形成在柵極140的側(cè)壁上，同時(shí)暴露柵極140之間的襯底的有源區(qū)，以及P+拾取器形成區(qū)130b。
P型雜質(zhì)被離子注入到有源區(qū)中，該有源區(qū)已經(jīng)暴露在PMOS形成區(qū)130a中的柵極140之間，該P(yáng)型雜質(zhì)還被注入到暴露的P+拾取器形成區(qū)130b，以形成P+結(jié)區(qū)160a和P+拾取器區(qū)160b。
第二掩模圖案M2被設(shè)計(jì)成覆蓋P+拾取器形成區(qū)130b的中間部分，使得層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案保留在被覆蓋的部分上。這是為了把保留在P+拾取器形成區(qū)130b左邊的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案連接到保留在其右邊的圖案。所得的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案具有局部的H形結(jié)構(gòu)。
如果第二掩模圖案M2將P+拾取器形成區(qū)130b完全暴露，即，如果沒有層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層保留在P+拾取器形成區(qū)130b中，則分別保留在P+拾取器形成區(qū)130b的左右的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案在y軸方向延長，而沒有在x軸方向延伸并將它們彼此連接的支撐物。這意味著左、右圖案在結(jié)構(gòu)上是不穩(wěn)定的，即容易變形。因此，第二掩模圖案M2必須覆蓋部分P+拾取器形成區(qū)130b。應(yīng)該注意，最后沒有位線接觸孔形成在被覆蓋的部分。
雖然保留在N+拾取器區(qū)域150b和PMOS區(qū)之間的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層圖案在y軸方向延長，但是該圖案不可能變形，因?yàn)槠渑cPMOS區(qū)中的柵極140接觸。
參考圖1D，第二掩模圖案M2被除去，并形成第一絕緣夾層，以覆蓋所得的襯底。第一絕緣夾層被進(jìn)行回蝕或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，直到暴露柵極140。第二絕緣夾層形成在第一絕緣夾層上。第一和第二絕緣夾層的預(yù)定部分被蝕刻以形成分別暴露N+結(jié)區(qū)150a、P+結(jié)區(qū)160a、N+拾取器區(qū)150b和P+拾取器區(qū)160b的位線接觸孔170。此外，也形成位線接觸孔170以暴露形成在有源區(qū)外的器件隔離層110上的柵極140。
第三掩模圖案M3以與第二掩模圖案M2相同的方式形成在所得的襯底上，該襯底具有形成在其上的位線接觸孔170。具體地，第三掩模圖案M3具有用于暴露P+結(jié)區(qū)160a和部分P+拾取器區(qū)160b的線型開口，但不暴露P+拾取器區(qū)160b的中間部分。
在由第三掩模圖案M3所暴露的P+結(jié)區(qū)160a和P+拾取器區(qū)160b中的位線接觸孔170內(nèi)進(jìn)行另外的離子注入。通常，僅在P+結(jié)區(qū)160a和P+拾取器區(qū)160b中進(jìn)行該另外的離子注入，而不在NMOS區(qū)和N+拾取器區(qū)150b中進(jìn)行。這是因?yàn)镻型雜質(zhì)比N型雜質(zhì)更容易固溶(resolve)，必須補(bǔ)償導(dǎo)致的P+結(jié)區(qū)160a和P+拾取器區(qū)160b中接觸電阻的增加。換言之，在假設(shè)具有形成在其中的接觸的區(qū)域中的另外的離子注入增加了接觸界面的摻雜濃度，并降低接觸電阻。
該另外的離子注入不在形成于有源區(qū)外的柵極140上的位線接觸孔170內(nèi)進(jìn)行，因?yàn)镻型雜質(zhì)向作為N型柵極的柵極140的離子注入增加電阻。
參考圖1E，將第三掩模圖案M3除去，并進(jìn)行清潔工藝，以從位線接觸孔170內(nèi)除去雜質(zhì)。在清潔工藝中，位線接觸孔170外的第二絕緣夾層部分損失其厚度。
雖然在附圖中未示出，位線導(dǎo)電層例如通過使用鎢沉積在第二絕緣夾層上，以填充已被清潔的位線接觸孔170。位線導(dǎo)電層被構(gòu)圖以形成位線，該位線分別與N+結(jié)區(qū)150a、P+結(jié)區(qū)160a、N+拾取器區(qū)150b、P+拾取器區(qū)160b和柵極140形成接觸。
此后，進(jìn)一步進(jìn)行一系列常規(guī)工藝以完成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器。
然而，常規(guī)工藝的問題在于，另外的離子注入過程中P+拾取器區(qū)160b被部分覆蓋，因?yàn)橛糜谠摿硗獾碾x子注入的掩模圖案(即第三掩模圖案M3)具有與第二掩模圖案M2相同的形狀。這意味著不對(duì)相應(yīng)于P+拾取器區(qū)160b的被覆蓋部分的第二絕緣夾層的部分進(jìn)行該另外的離子注入。
當(dāng)P+拾取器區(qū)160b具有不進(jìn)行另外的離子注入的部分時(shí)，當(dāng)位線接觸孔170在后續(xù)工藝中被清潔時(shí)，在已進(jìn)行另外的離子注入的部分上發(fā)生的第二絕緣夾層的厚度損失量不同于在未進(jìn)行另外的離子注入的部分上發(fā)生的損失量。這是因?yàn)橐堰M(jìn)行另外的離子注入的部分由于離子所導(dǎo)致的破壞在清潔中具有更快的損失率。
結(jié)果，在沉積位線導(dǎo)電層之前，在第二絕緣夾層上產(chǎn)生臺(tái)階部分。雖然這樣的臺(tái)階部分在具有至少100nm線寬的情況下引起很少問題，但在具有小于100nm線寬的高集成器件的情況下導(dǎo)致很多問題。特別地，器件的高集成度降低了位線的線寬以及它們之間的間隔。因此，構(gòu)圖位線導(dǎo)電層的工藝變得更加困難。第二絕緣夾層上的臺(tái)階部分降低了位線導(dǎo)電層的表面平整度。這降低了在用于形成位線的曝光工藝中的DOF(焦深)余量，結(jié)果，引起有缺陷的構(gòu)圖，例如位線之間的跨接。
圖2是沿圖1E的線a-a’所取的剖面圖，并顯示了臺(tái)階部分，該臺(tái)階部分在清潔位線接觸孔170時(shí)在第二絕緣夾層ILD2上產(chǎn)生，這在位線導(dǎo)電層180沉積之前，但在位線導(dǎo)電層180被構(gòu)圖之后。參考標(biāo)號(hào)ILD1代表第一絕緣夾層。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種防止位線被P型雜質(zhì)的不規(guī)則濃度導(dǎo)致的產(chǎn)生于絕緣夾層上的臺(tái)階部分彼此跨接的方法，該P(yáng)型雜質(zhì)在形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器時(shí)被離子注入到P+拾取器區(qū)中的絕緣夾層。
為了實(shí)現(xiàn)此目的，提供了一種形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，該襯底具有形成在襯底上的用于讀出放大器的NMOS和PMOS、形成在NMOS和PMOS之間的襯底上的具有平行條形狀的P+拾取器(pickup)和N+拾取器，以及具有形成在NMOS與P+拾取器之間、P+拾取器與N+拾取器之間以及N+拾取器與PMOS之間的襯底上的絕緣層，使得形成在P+拾取器與N+拾取器之間的一部分絕緣層跨接到形成在其它區(qū)域中的一部分絕緣層；在絕緣層上形成絕緣夾層以覆蓋NMOS、PMOS、P+拾取器和N+拾取器；蝕刻絕緣夾層，以形成用于分別暴露NMOS的結(jié)區(qū)、PMOS的結(jié)區(qū)、P+拾取器、N+拾取器和柵極的接觸孔；在襯底上形成掩模圖案，接觸孔形成在襯底上，掩模圖案具有用于選擇性地暴露PMOS的結(jié)區(qū)和P+拾取器區(qū)域中的接觸孔的孔型開口；通過使用掩模圖案作為離子注入阻隔，在由接觸孔所暴露的PMOS的結(jié)區(qū)中和由接觸孔暴露的P+拾取器的區(qū)域中進(jìn)行P型雜質(zhì)的離子注入；除去掩模圖案；清潔襯底，掩模圖案已經(jīng)從襯底除去；和在絕緣夾層上形成位線，以填充接觸孔。
具有孔型開口的掩模圖案通過使用ArF曝光設(shè)備而形成。
從結(jié)合附圖的下面詳細(xì)說明中，本發(fā)明的上述和其他目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更為明顯，在附圖中圖1A到1E是分別示出用于形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的現(xiàn)有技術(shù)的步驟的俯視圖；圖2是示出在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生問題的半導(dǎo)體裝置的剖面圖；圖3A到3E是分別示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的一系列工藝的俯視圖；圖4A到4C是示出本發(fā)明另一實(shí)施例的俯視圖。
具體實(shí)施方式此后，將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。在后面的描述和附圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)用于指代相同或類似的元件，且因此將省略對(duì)于相同與或類似元件的重復(fù)描述。
圖3A到3E是分別示出用于形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的一系列工藝的俯視圖。
參考圖3A，器件隔離層310形成在半導(dǎo)體襯底300的讀出放大器形成區(qū)中，從而界定形成讀出放大器的有源區(qū)。該有源區(qū)包括NMOS形成區(qū)320a、PMOS形成區(qū)330a、N+拾取器形成區(qū)320b和P+拾取器形成區(qū)330b。
柵極絕緣層、柵極導(dǎo)電層和硬掩模層在襯底300上層疊，以形成環(huán)形的N型柵極340。具體地，柵極340形成在NMOS和PMOS形成區(qū)320a和330a中，且假設(shè)形成在有源區(qū)外的器件隔離層310上的那些柵極340具有在柵極340和導(dǎo)線之間的接觸。
參考圖3B，緩沖氧化物層(未顯示)和間隔氮化物層(未顯示)連續(xù)形成在所得的襯底的前表面上，該前表面上形成有柵極340。然后，絕緣層(未顯示)形成在間隔氮化物層上，以覆蓋柵電極340。緩沖氧化物層由TEOS(四乙基原硅酸)氧化物或HTO(高溫氧化物)形成并具有20-500的厚度，且間隔氮化物層具有50-700的厚度。
具有用于暴露NMOS形成區(qū)320a和N+拾取器形成區(qū)320b的線型開口的第一掩模圖案M1’形成在絕緣層上。在暴露的NMOS形成區(qū)320a和N+拾取器形成區(qū)320b中的絕緣層通過使用第一掩模圖案M1’作為蝕刻掩模而蝕刻。下面的間隔氮化物層和緩沖氧化物層被進(jìn)行各向異性蝕刻，使得間隔件(未顯示)形成在柵極340的側(cè)壁上，同時(shí)暴露柵極340之間的有源區(qū)以及N+拾取器形成區(qū)320b。
N型雜質(zhì)被離子注入到已經(jīng)暴露在NMOS形成區(qū)320a中的柵極340之間的有源區(qū)中，并注入到暴露的N+拾取器形成區(qū)320b中，以形成N+結(jié)區(qū)350a和N+拾取器區(qū)350b。
參考圖3C，第一掩模圖案M1’被除去，且具有用于選擇性地暴露PMOS形成區(qū)330a和一部分P+拾取器形成區(qū)330b的線型開口的第二掩模圖案M2’形成在所得的襯底的前表面上。在暴露的PMOS形成區(qū)330a和P+拾取器形成區(qū)330b中的絕緣層通過使用第二掩模圖案M2’作為蝕刻掩模而蝕刻。下面的間隔氮化物層和緩沖氧化物層被進(jìn)行各向異性蝕刻，使得間隔件形成在柵極340的側(cè)壁上，同時(shí)暴露柵極140之間的有源區(qū)，以及P+拾取器形成區(qū)330b。
P型雜質(zhì)被離子注入到已經(jīng)暴露在PMOS形成區(qū)330a中的柵極340之間的有源區(qū)中，并注入到暴露的P+拾取器形成區(qū)330b中，以形成P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b。
第二掩模圖案M2’設(shè)計(jì)來覆蓋P+拾取器形成區(qū)330b的中間部分，使得層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層圖案保留在被覆蓋的部分上。這是為了將保留在P+拾取器形成區(qū)330b左邊的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層圖案連接到保留在其右邊的圖案。層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的所得圖案具有局部的H形結(jié)構(gòu)。保留在x軸方向的疊層圖案和在y軸方向延長的圖案具有100-5000的寬度和高度。
結(jié)果，形成了用于讀出放大器的NMOS和PMOS。P+拾取器區(qū)360b和N+拾取器區(qū)350b以平行條的形狀形成在NMOS和PMOS之間的襯底上。絕緣層形成在NMOS和P+拾取器區(qū)360b之間、P+拾取器區(qū)360b和N+拾取器區(qū)350b之間、和N+拾取器區(qū)350b和PMOS之間的襯底上。具體地，形成在P+拾取器區(qū)360b和N+拾取器區(qū)350b之間的一部分絕緣層跨接到其形成在NMOS和P+拾取器區(qū)360b之間的一部分，因此提供半導(dǎo)體襯底。
參考圖3D，第二掩模圖案M2’被除去，且形成第一絕緣夾層以覆蓋所得的襯底。第一絕緣夾層被進(jìn)行回蝕或CMP，直到暴露柵極340。第二絕緣夾層例如通過使用BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)形成在第一絕緣夾層上，且表面被平坦化。第一和第二絕緣夾層的預(yù)定部分被蝕刻以形成用于分別暴露N+結(jié)區(qū)350a、P+結(jié)區(qū)360a、N+拾取器區(qū)350b和P+拾取器區(qū)360b的位線接觸孔370。此外，位線接觸孔370還形成來暴露形成在有源區(qū)外的器件隔離層310上的柵極340。
第三掩模圖案M3’形成在具有形成在其上的位線接觸孔370的所得的襯底上，其方式為第三掩模圖案M3’具有選擇性地暴露P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b中的位線接觸孔370的孔型開口。
為了形成具有孔型開口的第三掩模圖案M3’，采用以ArF作為其光源的ArF曝光裝置。這是因?yàn)槌Ｒ?guī)的I線曝光裝置不能形成具有精細(xì)孔型開口的圖案。
為了提高接觸電阻，通過使用第三掩模圖案M3’作為離子注入阻隔，在已經(jīng)通過位線接觸孔370暴露的P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b中進(jìn)行P型雜質(zhì)的另外的離子注入。
在現(xiàn)有技術(shù)的情況下，第三掩模圖案M3以與第二掩模圖案M2相同的方式設(shè)計(jì)。具體地，第三掩模圖案M3覆蓋P+拾取器區(qū)160b的中間部分，使得在P+拾取器區(qū)域160b之上的第二絕緣夾層的一些區(qū)域中不進(jìn)行另外的離子注入。相反，根據(jù)本發(fā)明的第三掩模圖案M3’僅選擇性地暴露位于P+結(jié)區(qū)360b和P+拾取器區(qū)360b中的位線接觸孔370，使得對(duì)形成在P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b之上的第二絕緣夾層不進(jìn)行另外的離子注入。
參考圖3E，除去第三掩模圖案M3’，并進(jìn)行清潔工藝以從位線接觸孔370內(nèi)除去雜質(zhì)。在清潔工藝中，在位線接觸孔370之外的第二絕緣夾層部分損失其厚度。
在現(xiàn)有技術(shù)的情況下，在清潔工藝中第二絕緣夾層損失的厚度量是不規(guī)則的，因?yàn)樵赑+拾取器區(qū)160b之上的第二絕緣夾層的一些區(qū)域中進(jìn)行另外的離子注入，但在其他區(qū)域中沒有進(jìn)行。相反，根據(jù)本發(fā)明，在清潔工藝中第二絕緣夾層損失的厚度量是均勻的，因?yàn)樵赑+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b之上的第二絕緣夾層的任何區(qū)域中都沒有進(jìn)行另外的離子注入。
雖然在附圖中未示出，位線導(dǎo)電層例如通過使用鎢沉積在第二絕緣夾層上，從而填充已被清潔的位線接觸孔370。位線導(dǎo)電層被構(gòu)圖以形成位線，該位線分別與N+結(jié)區(qū)350a、P+結(jié)區(qū)360a、N+拾取器區(qū)350b、P+拾取器區(qū)360b和柵極340形成接觸。
此后，進(jìn)一步進(jìn)行一系列常規(guī)工藝以完成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明用于另外的離子注入的第三掩模M3’具有用于選擇性地暴露P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b中的位線接觸孔370的孔型開口，使得不對(duì)P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b之上的第二絕緣夾層進(jìn)行另外的離子注入。結(jié)果，當(dāng)位線接觸孔370被清潔時(shí)，第二絕緣夾層在P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b的所有區(qū)域中均勻地?fù)p失其厚度。這意味著在第二絕緣夾層上不產(chǎn)生臺(tái)階部分，且沉積在第二絕緣夾層上的位線導(dǎo)電層的平整程度提高了。因此，本發(fā)明提高了當(dāng)位線導(dǎo)電層被構(gòu)圖時(shí)的曝光工藝的DOF余量，并防止位線彼此跨接。這提高了半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)率。
考慮到對(duì)準(zhǔn)余量，第三掩模圖案M3’的開口優(yōu)選大于位線接觸孔370。在此情形，在另外的離子注入期間，P+雜質(zhì)被離子注入到每個(gè)位線接觸孔370的上邊緣上的一部分第二絕緣夾層。結(jié)果，發(fā)生在離子注入部分上的損失率大于其他部分。然而，即使當(dāng)?shù)诙^緣夾層在每個(gè)位線接觸孔370的上邊緣上被部分損失，不會(huì)像現(xiàn)有技術(shù)一樣在第二絕緣夾層上產(chǎn)生局部臺(tái)階部分。相反，每個(gè)位線接觸孔370的入口增加，且有利地，接觸孔可以更容易地填充。
在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，第二掩模圖案M2’覆蓋P+拾取器區(qū)360b的中間部分，使得保留在NMOS區(qū)和P+拾取器區(qū)360b之間的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案跨接到保留在P+拾取器區(qū)360b和N+拾取器區(qū)350b之間的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案，由此防止圖案變形。或者，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，如圖4A到4C所示，第二掩模圖案M2”可以使P+拾取器區(qū)360b完全暴露，且第一掩模圖案M1”可以覆蓋N+拾取器區(qū)350b的中間部分，使得保留在PMOS區(qū)和N+拾取器區(qū)350b之間的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案跨接到保留在P+拾取器區(qū)360b和N+拾取器區(qū)350b之間的層疊的緩沖氧化物層、間隔氮化物層和絕緣層的圖案，由此防止圖案變形。在此情形，第三掩模圖案M3”具有用于選擇性地暴露P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b中的位線接觸孔370的孔型開口。這防止了位線由于第二絕緣夾層的不規(guī)則損失而彼此跨接。
雖然本發(fā)明描述并示出了在P+結(jié)區(qū)360a和P+拾取器區(qū)360b中進(jìn)行另外的離子注入的情況，但是本發(fā)明不限于此，例如本發(fā)明適用于在N+結(jié)區(qū)350a和N+拾取器區(qū)350b中進(jìn)行另外的離子注入的情形。
如上所述，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器時(shí)，用于P型雜質(zhì)的另外的離子注入的掩模圖案具有用于選擇性地暴露P+結(jié)區(qū)和P+拾取器區(qū)中的位線接觸孔的孔型開口，使得不對(duì)位線接觸孔外的絕緣夾層進(jìn)行另外的離子注入。這防止了由于不規(guī)則的另外的離子注入而在絕緣夾層上產(chǎn)生的臺(tái)階部分，并防止位線彼此跨接。結(jié)果，提高了半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)率。
雖然為了示例的目的描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行各種改進(jìn)、增加和替換，而不脫離由權(quán)利要求
所限定的本發(fā)明的精神和范疇。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的方法，包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有形成在所述襯底上的用于讀出放大器的NMOS和PMOS、形成在NMOS和PMOS之間的襯底上具有平行條形狀的P+拾取器和N+拾取器，并且具有形成在NMOS與P+拾取器之間、P+拾取器與N+拾取器之間以及N+拾取器與PMOS之間的襯底上的絕緣層，使得形成在P+拾取器與N+拾取器之間的一部分絕緣層跨接到形成在其它區(qū)域中的一部分絕緣層；在所述絕緣層上形成絕緣夾層以覆蓋所述NMOS、PMOS、P+拾取器和N+拾取器；蝕刻所述絕緣夾層，以形成用于分別暴露所述NMOS的結(jié)區(qū)、PMOS的結(jié)區(qū)、P+拾取器、N+拾取器和柵極的接觸孔；在所述襯底上形成掩模圖案，所述接觸孔形成在所述襯底上，所述掩模圖案具有用于選擇性地在暴露PMOS的結(jié)區(qū)和P+拾取器區(qū)域中的接觸孔的孔型開口；通過使用掩模圖案作為離子注入阻隔，在由所述接觸孔所暴露的PMOS的結(jié)區(qū)中和由所述接觸孔暴露的P+拾取器的區(qū)域中進(jìn)行P型雜質(zhì)的離子注入；除去所述掩模圖案；清潔所述襯底，且所述掩模圖案已經(jīng)從所述襯底除去；和在所述絕緣夾層上形成位線，以填充所述接觸孔。
2.如權(quán)利要求
1所述的方法，其中具有孔型開口的所述掩模圖案通過使用ArF曝光設(shè)備而形成。
3.一種具有讀出放大器的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底，具有形成在所述襯底上的用于讀出放大器的NMOS和PMOS、形成在NMOS和PMOS之間的所述襯底上具有平行條形狀的P+拾取器和N+拾取器，并且具有形成在NOMS與P+拾取器之間、P+拾取器與N+拾取器之間以及N+拾取器與PMOS之間的襯底上的絕緣層，使得形成在P+拾取器與N+拾取器之間的一部分絕緣層跨接到形成在其它區(qū)域中的一部分絕緣層；形成在所述絕緣層上的絕緣夾層，所述絕緣層覆蓋所述NMOS、PMOS、P+拾取器和N+拾取器；蝕刻進(jìn)所述絕緣夾層的接觸孔，分別暴露所述NMOS的結(jié)區(qū)、PMOS的結(jié)區(qū)、P+拾取器、N+拾取器和柵極；P型雜質(zhì)，注入進(jìn)由所述接觸孔暴露的PMOS的結(jié)區(qū)中和由所述接觸孔暴露的P+拾取器的區(qū)域中；和位線，形成在所述絕緣夾層上以填充所述接觸孔。
4.如權(quán)利要求
3所述的半導(dǎo)體裝置，其中使用掩模圖案作為離子注入阻隔將雜質(zhì)注入。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器的方法，該方法防止位線由于P型雜質(zhì)的不規(guī)則密度而在絕緣夾層上產(chǎn)生的臺(tái)階部分彼此跨接，該P(yáng)型雜質(zhì)在形成半導(dǎo)體裝置的讀出放大器時(shí)離子注入到P+拾取器區(qū)中的絕緣夾層中。半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)率得到提高。
文檔編號(hào)H01L27/092GK1992228SQ200610151861
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年9月13日
發(fā)明者具東哲 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan