專利名稱:電容器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及高頻特性優(yōu)良的電容器。
背景技術：
近年來，隨著電子設備的高性能化，對于其中所使用的電子零件而言，也極力要求能對應于高頻區(qū)域的性能。例如，在高頻電路中用作旁路電容器或去耦電容器的電容器中，共振頻率的高頻化及大容量化是不可缺少的。而且，為了獲得更高的共振頻率，必須降低電容器的等效串聯(lián)電感(低ESL化)。尤其，對于高性能化顯著且用于CPU中的去耦電容器而言，需要可即時提供更多電力的性能。如此，為了能夠滿足高速運作的要求，電容器的低ESL化成為重要的環(huán)節(jié)。
高頻特性優(yōu)良的現(xiàn)有的電容器，例如在日本專利特開2002-299152號公報中有所揭示。該陶瓷電容器的兩端，交替排列有正的電極端子與負的電極端子。以此，可實現(xiàn)低ESL化。進一步而言，還已知有通過各個電極端子交替排列為矩陣狀以降低電感從而減少ESL的疊層陶瓷電容器。這樣的電容器，例如在日本專利特開2001-189234號公報中有所揭示。這些電容器中，通過使由電容器中流動的電流所引起的磁場相抵消的方式來構成電極結構。而且，縮短了電極的電流路徑長。通過這些相輔相成的效果，可實現(xiàn)低ESL化。
然而，在這樣的電容器結構中，內(nèi)部電極形狀及端子電極的結構較為復雜，因此導致容量變小并且生產(chǎn)性下降。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的電容器具有第一電容器元件、及層疊于該第一電容器元件上的第二電容器元件。第一電容器元件具有閥金屬薄板體、介電被膜、固體電解質層、集電體層及第一通孔電極。閥金屬薄板體的一面上設有多孔質層，且介電被膜形成于多孔質層上。固體電解質層形成于介電被膜上，集電體層形成于固體電解質層上。第一通孔電極與集電體層導通而與閥金屬薄板體絕緣，且貫通閥金屬薄板體。第二電容器元件具有介電層、第一電極、第二電極、多個第二通孔電極及第二電極的多個取出部。第一電極與第二電極隔著介電層而相互絕緣，第一電極電性連接于第一通孔電極，第二電極電性連接于閥金屬薄板體。第二通孔電極設為貫通介電層，與第一電極相連接并且與第二電極絕緣。第二電極的取出部從介電層露出。而且，第二通孔電極與取出部交替配。該電容器中，組合靜電電容較大的第一電容器元件、及具有低ESL特性的第二電容器元件。因此，可以獲得能夠確保大電容并且具有低ESL特性的電容器。
圖1是本發(fā)明實施方式1的電容器的外觀立體圖。
圖2A是圖1所示電容器的剖面構造圖。
圖2B是圖2所示電容器的主要部分放大圖。
圖2C是表示本發(fā)明實施方式1的其他電容器的上面部分的主要部分放大圖。
圖3A是本發(fā)明實施方式1的電容器的其他剖面構造圖。
圖3B是本發(fā)明實施方式1的電容器的其他剖面構造圖。
圖4是用以說明本發(fā)明實施方式1的電容器的第一電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖5是用以說明繼圖4之后第一電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖6是用以說明繼圖5之后第一電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖7是用以說明繼圖6之后第一電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖8是用以說明本發(fā)明實施方式1的電容器的第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖9是用以說明繼圖8之后第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖10是用以說明繼圖9之后第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖11是用以說明繼圖10之后第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖12是用以說明繼圖11之后第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖13是用以說明繼圖12之后第二電容器元件的制造方法過程的剖面圖。
圖14是本發(fā)明實施方式2的電容器的剖面構造圖。
符號的說明1 閥金屬薄板體1A 第一面1B 第二面2 第一通孔電極2A 通孔3 絕緣膜3A 絕緣材料4 陰極端子5 陽極端子5A 陽極開口部6 多孔質層7 集電體層8 陰陽極分離部9 陰極電極層10 加強板11 基板12 第一貫通電極13 第二貫通電極12A、13A 通孔14 下部電極15 上部電極16 介電層17 絕緣部18、22 第二通孔電極18A 盲孔
19 第一端子電極20 第二端子電極21 絕緣保護層21A 外表面23 第三通孔電極31 介電被膜32 固體電解質層33 碳層34、35 內(nèi)層電極36 連接凸塊37 絕緣膜41 第一電容器元件42、43 第二電容器元件具體實施方式
(實施方式1)圖1是本發(fā)明實施方式1的電容器的外觀立體圖。圖2A是圖1的A-A線的剖面構造圖，圖2B是圖2A的主要部分放大圖。圖2C是表示本實施方式其他例的電容器的上面部分的主要部分放大圖。而且，圖3A是本實施方式其他例的電容器的剖面構造圖，圖3B是其他例的電容器的剖面構造圖。
在圖1、圖2A、圖2B中，在閥金屬薄板體(以下，稱為薄板)1的第一面1A側，具有形成了多個微孔的多孔質層6，且在多孔質層6的表面上形成有介電被膜31。這些均是通過對例如鋁(Al)施行藥液處理及熱氧化處理形成的。作為薄板1，從靜電電容方面考慮，除Al之外，優(yōu)選的是鉭(Ta)或鈮(Nb)。
介電被膜31的表面上形成有固體電解質層32。另外，圖2A中未表示出固體電解質層32。固體電解質層32的表面上形成有集電體層7。集電體層7由碳層33及陰極電極層9構成，該陰極電極層9形成于該碳層33之上且由銀(Ag)膏等構成。固體電解質層32可由聚吡咯或聚噻吩等導電性高分子的聚合法形成。碳層33用于降低固體電解質層32與陰極電極層9之間的界面電阻。
進而，在薄板1上形成有第一通孔電極2，該第一通孔電極2從第一面1A側到與第一面1A相向的第二面1B側貫通薄板1。通孔電極2與陰極電極層9電性導通。通孔電極2的內(nèi)壁與薄板1的第2面?zhèn)鹊拇蟛糠稚闲纬捎薪^緣膜3，絕緣膜3使得通孔電極2與薄板1絕緣。而且，形成于薄板1的第一面1A側外周部的陰陽極分離部8，防止了固體電解質層32與集電體層7在端部與薄板1導通，從而提高了電容器的可靠性。
貼合到陰極電極層9之上的加強板10提高了整體的機械強度。另外，陰陽極分離部8與加強板10可根據(jù)需要設，而并非是必需的結構。
在薄板1的第二面1B側的通孔電極2的露出面上，形成有陰極端子4。形成于薄板1的第二面1B上的絕緣膜3的一部分上設有開口部，在該開口部上設有與薄板1導通的陽極端子5。另外，端子4、5未必是必需的，但通過設端子4、5可以提高連接的可靠性。通過以上所述的結構，可形成第一電容器元件41。
其次，對第二電容器元件42的結構進行說明。電容器元件42設在構成電容器元件41的薄板1的第二面1B側。首先，使用薄膜工序等方法，由銅(Cu)等導電性優(yōu)良的金屬構成的下部電極14連接于電容器元件41的陰極端子4上。然后，利用濺鍍等方法，在下部電極14之上設由鈦酸鋇等的介電材料薄膜構成的介電層16。接著，在介電層16上設與電容器元件41的陽極端子5連接的上部電極15。如此，下部電極14、介電層16及上部電極15層疊。另外，當未設有端子4、5時，下部電極14接連接于通孔電極2，上部電極15接連接于薄板1。即，作為第一電極的下部電極14與作為第二電極的上部電極15，隔著介電層16而相互絕緣，下部電極14電性連接于通孔電極2，上部電極15電性連接于薄板1。
介電層16與上部電極15的一部分上形成有通孔，在該通孔中設有與下部電極14連接的第二通孔電極18。設于通孔內(nèi)壁的絕緣部17使得通孔電極18與上部電極15電性絕緣。即，通孔電極18設為貫通介電層16，且與下部電極14連接，并且與上部電極15絕緣。根據(jù)需要，在通孔電極18上設露出于外表面21A且連接于通孔電極18的第一端子電極20。而且，在上部電極15上設露出于外表面21A且與上部電極15的取出部連接的第二端子電極19。通過上述方式構成了電容器元件42。
電容器元件42的特征在于配有露出于絕緣保護層21的外表面21A的上部電極15的電極取出部、及與下部電極14連接的通孔電極18的電極取出部。圖1中，此電極取出部分別相當于端子電極19、20。端子電極19、20如圖1所示，以分別交替設的位關系設有多個。當未設端子電極19、20時，也可以使通孔電極18露出于外表面21A，且在相當于端子電極19的位上設與上部電極15形成為一體的凸部。通過設成這樣的結構，可使電容器元件42的ESL變得非常低。
具有電容器元件41、42且具有上述結構的電容器，例如可用作MPU等去耦電容器。在這樣的用途中，對于MPU的驟然的電壓變化在初始階段發(fā)揮重要作用的電源供給能力由ESL特性決定的。
在此初始階段發(fā)揮必要的電源供給作用的電容器，要求具有低ESL特性，此時所需的靜電電容為50nF左右。因此，要盡可能地縮短本實施方式中電容器元件42的電流路徑長。而且，要對端子電極19、20進行配，以低ESL特性設為最優(yōu)先。通過如上所述的電容器元件42的結構，可滿足這些條件，且通過電容器元件42的靜電電容設為大概大于等于50nF，可進行初始階段所必需的電源供給。
另一方面，下一階段的電源供給時需要較大的電容。對應于此要求，電容器元件41提供較多的電荷。因此，電容器元件41中需要具有低等效串聯(lián)電阻(低ESR)特性且大容量的電容器。電容器元件41為固體電解電容器，因此可適應于這樣的大容量要求。
如上所述，本實施方式的電容器中，電容器元件41具有較大的電容，電容器元件42具有低ESL特性。這樣，通過分擔功能，可不犧牲靜電電容而有效地獲得大容量且具有低ESL特性的電容器。而且，通過具有這樣的結構，可獲得極薄的高頻用電容器。另外，優(yōu)選的是，電容器元件42做為如上所述利用薄膜形成法形成介電層16及電極14、15的薄膜電容器。以此，能夠以微細的間距尺寸且以高精度實現(xiàn)端子電極19與端子電極20之間的間距。
另外，在以上的說明中，在電容器元件41上，利用薄膜工序進行接成膜，從而形成電容器元件42。除此以外，也可以另外制造具有與電容器元件42相同功能的電容器，并層疊配于電容器元件41之上。此時，陰極端子4與下部電極14之間、陽極端子5與上部電極15之間，分別通過Ag、Cu膏或者各向異性導電膏電性連接。而且，此時，利用粘結劑等電容器元件41與電容器元件42接合，從而可提高可靠性。當通過這樣的方式進行制造時，由于最終分別獨立制造出的各個電容器元件層疊接合，因此可提高最終成品的良品率。
另外，如果由有機薄膜電容器構成電容器元件42，則可獲得耐應力性優(yōu)良的電容器。如果由陶瓷電容器構成電容器元件42，則可獲得具有低ESR特性及低ESL特性的電容器。如果由固體電解電容器構成電容器元件42，則可利用與電容器元件41相同的工序制造出電容器元件42，可獲得生產(chǎn)性優(yōu)良的大容量電容器。
而且，如圖2C所示，優(yōu)選的是，在端子電極19、20之上設連接凸塊36。當未設端子電極19、20時，也可以在通孔電極18上及上部電極15的取出部上設連接凸塊36。從而，能夠以最短的距離半導體裝及電容器元件42接連接，從而提高高頻區(qū)域內(nèi)電源供給的性能。而且，通過電容器元件42的端子電極19、20之間的距離設為小于電容器元件41的陽極端子5與陰極端子4之間的距離，可以獲得低ESL特性優(yōu)良的電容器。
而且，通過利用焊接連接陰極端子4與下部電極14，并且利用焊接連接陽極端子5與上部電極15，從而提高安裝性及可靠性。而且，通過利用導電性粘結劑連接陰極端子4與下部電極14，并且利用導電性粘結劑連接陽極端子5與上部電極15，從而提高生產(chǎn)性。而且，陽極端子5與上部電極15之間、陰極端子4與下部電極14之間也可以分別利用各向異性導電膏連接。由此，能夠以狹窄的間距排列端子電極19、20。
而且，通過使用Al、Ta、Nb中的任一種來構成薄板1，從而可利用現(xiàn)有的技術即可獲得大容量的電容器。而且，通過利用以Ag、Cu、或者Ag與Cu的混合物、Ag與Cu的合金中的任一種為主要成分的導電膏來形成陽極端子5、陰極端子4、端子電極19、20，從而可提高生產(chǎn)性。也可以根據(jù)需要分別由獨立的材料構成。
接著，通過圖3A對本實施方式其他例的電容器的結構進行說明。此處，圖3A所示的電容器與圖1中的電容器的不同之處在于在電容器元件41、42之間設有基板11。另外，圖3A中也與圖2A同樣，未表示出固體電解質層。
在基板11上設有第一貫通電極12、第二貫通電極13。貫通電極13連接于下部電極14，介電層16設于下部電極14之上。上部電極15設于介電層16之上，上部電極15連接于貫通電極12。而且，陰極端子4、陽極端子5分別連接于貫通電極13、12。即，通孔電極2與下部電極14通過貫通電極13彼此電性連接，薄板1與上部電極15通過貫通電極12彼此電性連接。電容器元件42的端子電極19、20與圖2A中的電極配相同。如此，通過滿足各個特性的各電容器元件相接合，可提高產(chǎn)品的良品率。另外，在制造這樣的電容器時，在基板11上預先形成電容器元件42，之后，該連接體連接安裝于電容器元件41上。
如果在基板11中使用絕緣性材料，則可在基板11之上使用薄膜法來形成電容器元件42。而且，在檢查了電容器元件42的特性之后，確定其特性并其安裝到電容器元件41上，以此可高精度且有效地獲得具有所需特性的電容器。進而，通過利用有機材料形成絕緣性基板11，可提高生產(chǎn)效率。作為有機材料，通過使用含有聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、硅樹脂等中的至少一種的有機材料，能提高可靠性及生產(chǎn)性。
而且，也可以利用無機材料形成基板11。而且，通過利用含有氧化鋁、玻璃、石英、陶瓷中的任一種的絕緣性材料形成基板11，可獲得耐熱等具有較高可靠性的電容器。
另一方面，如圖3B所示，也可以在基板11中使用例如Cu、Ag、硅(Si)等具有導電性的金屬材料。此時，同樣由金屬構成的電容器元件41的薄板1的膨脹系數(shù)與基板11的膨脹系數(shù)接近。因此，可提高可靠性并且可提高散熱性。另外，圖3B中也與圖2A同樣，未表示出固體電解質層。
而且，如果利用導電性材料構成基板11，則可以省去貫通電極12、13中的一個。如圖3B所示，例如可無需貫通電極13，但是必須以使上部電極15及貫通電極12不與基板11導通的方式來設絕緣膜37。這樣的結構，例如使用Cu基板作為基板11，并利用干式蝕刻來預先設通孔。其次，利用濺鍍或蒸鍍等方法，而在基板11上依次形成下部電極14、介電層16。此時，在通孔內(nèi)、通孔周邊也形成一部分介電層16，以此形成絕緣膜37。然后，在通孔內(nèi)利用Ag納米膏等形成貫通電極12。最后，利用濺鍍或蒸鍍等方法形成上部電極15。按照上述方式，能夠使電容器元件42層疊形成為均勻的薄膜狀?；蛘撸缦滤?，也可以在基板11上設用以形成貫通電極12、13的通孔之后，通過對整體進行熱氧化處理在基板11的表面上形成氧化物的絕緣膜。
另外，在圖3A、圖3B所示電容器中，通過利用粘結劑基板11與電容器元件41接合，可提高生產(chǎn)性。
以下，對圖3A所示電容器的制造方法的一例進行說明。首先，通過圖4～圖7說明電容器元件41的制造方法。
首先，準備在第一面1A上形成有多孔質層6的薄板1。多孔質層6可通過在Al等的薄板1上進行酸處理及熱氧化處理獲得。通過這些處理，也可在多孔質層6表面上形成介電層31。而且，在薄板1上利用沖壓加工等形成通孔2A。接著，從薄板1的第二面1B側開始，涂敷由樹脂材料構成的絕緣材料3A。此時，樹脂材料3A填充于薄板1的第二面1B側表面，并且也填充于通孔2A的內(nèi)部。而且，如圖4所示，從薄板1的第一面1A側開始噴射空氣，去除通孔2A中殘余的樹脂材料3A，從而對通孔2A再次開孔。并且，進行加熱，使樹脂材料3A硬化。圖3A中的絕緣膜3可利用上述方法形成。
此后，如圖5所示，根據(jù)需要在薄板1的第一面1A側外周部涂敷樹脂并使其硬化，形成陰陽極分離部8。進而，例如利用化學聚合法、電解聚合法等方法，使聚噻吩等導電性高分子膜聚合于介電層31上，從而形成固體電解質層32。在其上涂敷碳膏，使其硬化形成較薄的碳層33。
之后，如圖6所示，Ag膏涂敷碳層33上、并填充于通孔2A的內(nèi)部，從而形成通孔電極2與陰極電極層9。此時，根據(jù)需要，也可以利用Ag膏，使得由Ag、Cu等構成的導電性加強板10貼合到陰極電極層9。以此，提高電容器元件41的機械強度，并且減小電阻值，從而，使電荷的提取變得容易。
接著，利用激光加工等，對絕緣膜3的預定位進行加工，從而形成陽極開口部5A，并露出薄板1的表層。其后，如圖7所示，利用鍍敷等方法，在通孔電極2的露出面及陽極開口部5A上形成端子4、5。使用以上方法，可形成電容器元件41。
其次，參照圖8～圖13，表示在基板11上制造電容器元件42的方法。首先，在Si的平板即基板11上，形成經(jīng)圖案化的抗蝕劑(未圖示)等之后，利用干式蝕刻法等方法通孔12A、13A形成在預定部位。接著，通過對基板11進行熱氧化處理，從而在基板11表面上形成SiO2絕緣膜(未圖示)。其次，如圖8所示，在通孔12A、13A中填充Ag納米膏等，使其硬化形成貫通電極12、13。
接著，如圖9所示，利用濺鍍法等方法依次形成由Cu構成的下部電極14、以鈦酸鋇為主要成份的介電層16及由Cu構成的上部電極15。這些部分分別由金屬掩模限定成膜部位、或者在整個面成膜后利用光刻法或蝕刻法形成為規(guī)定形狀。
然后，如圖10所示，在預定的位上形成盲孔18A。在形成盲孔18A時可使用激光加工或蝕刻等方法。而且，如圖11所示，在盲孔18A的內(nèi)壁上形成絕緣部17。絕緣部17可由以下方法形成，即，在例如使用感光性的聚酰亞胺等進行臨時硬化之后，以使聚酰亞胺僅殘留在預定部位上之方式，在曝光后進行顯影并進行真硬化。
然后，如圖12所示，在盲孔18A中，印刷填充Ag或者Cu膏等并使其硬化，從而形成通孔電極18。而且，如圖13所示，在通孔電極18之上及上部電極15的預定部位上形成端子電極19、20。如此，可制造出電容器元件42。端子電極19、20可利用濺鍍法或光刻、蝕刻法形成。
以上說明的電容器元件41、42隔著基板11進行層疊、彼此連接。此時，利用膏等，陰極端子4與下部電極14通過貫通電極13導通連接，陽極端子5與上部電極15通過貫通電極12導通連接。如此可制造出電容器。而且，根據(jù)需要，如圖3A所示，可通過形成絕緣保護層21而制造出可靠性與有效性得到提高的電容器。
如上所述，在本實施方式的電容器中，電容器元件42可實現(xiàn)低ESL特性，并且可利用電容器元件41確保大容量。因此，可獲得高頻特性優(yōu)良的電容器。如上所述，通過組合特性不同的電容器元件，可用于多種用途。即，這些各電容器元件中，由于內(nèi)部具有通孔電極在內(nèi)部導出逆向電流的流動，因此，可使因電流產(chǎn)生的磁場自行抵消。以此，最小化因磁場引起的ESL的值。尤其，由于電容器元件42中形成有多個通孔電極18，所以其效果顯著。通過這樣的電容器元件42與容量較大的電容器元件41相結合，可使用在要求高精度的安裝技術的電子設備中。
(實施方式2)圖14是本發(fā)明實施方式2的電容器的剖面圖。電容器元件41與實施方式1中相同。作為第二電容器元件的電容器元件43與實施方式1中的電容器元件42的不同之處在于電容器元件43具有層疊構造。另外，圖14中也與圖2A同樣，未表示出固體電解質層。
在電容器元件43中，作為第一電極的內(nèi)層電極34與作為第二電極的內(nèi)層電極35設在介電層16的內(nèi)層。換而言之，內(nèi)層電極34與內(nèi)層電極35是隔著介電層16交替層疊的。而且，第二通孔電極22與內(nèi)層電極34導通，并且第三通孔電極(以下稱作通孔電極)23與內(nèi)層電極35導通，且與內(nèi)層電極34絕緣。通孔電極22、23在宏觀上貫通介電層16。內(nèi)層電極34與內(nèi)層電極35是以不會通過通孔電極22、23相互短路之方式圖案化的。在圖14中，可觀察到各通孔電極22之間相互獨立，但是這些電極是通過多個內(nèi)層電極34相互電性連接。在各內(nèi)層電極34、35的外表面21A側上設有端子電極19、20。
而且，通孔電極23中的任一個與電容器元件41的陽極端子5連接，且通孔電極22中的任一個與陰極端子4連接。因此，內(nèi)層電極34連接于電容器元件41的陽極端子5，內(nèi)層電極35連接于陰極端子4。
具有這樣的結構的層疊型電容器元件43與電容器元件41層疊并連接，以此可實現(xiàn)更大的容量且可實現(xiàn)低ESR化。因此，可獲得具有更優(yōu)良特性的電容器。作為具有這樣的層疊結構的電容器元件43包括薄膜電容器、有機薄膜電容器、層疊陶瓷電容器等。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的電容器的生產(chǎn)性優(yōu)良，且可實現(xiàn)低ESL化及大容量化。因此，可適用于以MPU等去耦電容器為代表的需要低阻抗特性的電子設備等中。
權利要求
1.一種電容器，其包括第一電容器元件及第二電容器元件，所述第一電容器元件具有閥金屬薄板體，其在第一面上設有多孔質層；介電被膜，其形成于所述多孔質層上；固體電解質層，其形成于所述介電被膜上；集電體層，其形成于所述固體電解質層上；以及第一通孔電極，其設置為與所述集電體層導通而與所述閥金屬薄板體絕緣，且所述閥金屬薄板體從所述第一面貫通至與所述第一面相向的第二面，所述第二電容器元件具有介電層；第一電極與第二電極，兩者設置為通過所述介電層相互絕緣，且所述第一電極電性連接于所述第一通孔電極，所述第二電極電性連接于所述閥金屬薄板體；多個第二通孔電極，其設置為貫通所述介電層，且與所述第一電極連接并且與所述第二電極絕緣；以及多個所述第二電極的取出部，其從所述介電層露出，并且，所述多個第二通孔電極與所述多個取出部交替配置，且所述第二電容器元件層疊于構成所述第一電容器元件的所述閥金屬薄板體的所述第二面?zhèn)取?br>2.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，在所述第二電容器元件中，層疊有所述第一電極、所述介電層及所述第二電極。
3.根據(jù)權利要求
2所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件為薄膜電容器。
4.根據(jù)權利要求
2所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件為有機薄膜電容器。
5.根據(jù)權利要求
2所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件為陶瓷電容器。
6.根據(jù)權利要求
2所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件為固體電解電容器。
7.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，還包括分別設于所述第二通孔電極上及所述取出部上的連接凸塊。
8.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述第一通孔電極的陰極端子。
9.根據(jù)權利要求
8所述的電容器，其特征在于，所述陰極端子由以銀、銅、銀與銅的混合物、銀與銅的合金中的任一種為主要成分的導電膏構成。
10.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述閥金屬薄板體的陽極端子。
11.根據(jù)權利要求
10所述的電容器，其特征在于，所述陽極端子由以銀、銅、銀與銅的混合物、銀與銅的合金中的任一種為主要成分的導電膏構成。
12.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述第一通孔電極的陰極端子；以及露出于所述第二面且連接于所述閥金屬薄板體的陽極端子，并且，所述陰極端子與所述第一電極、所述陽極端子與所述第二電極分別利用焊錫連接。
13.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述第一通孔電極的陰極端子；以及露出于所述第二面且連接于所述閥金屬薄板體的陽極端子，并且，所述陰極端子與所述第一電極、所述陽極端子與所述第二電極分別利用導電性粘結劑連接。
14.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件還具有露出于外表面且連接于所述第二通孔電極的第一端子電極。
15.根據(jù)權利要求
14所述的電容器，其特征在于，所述第一端子電極由以銀、銅、銀與銅的混合物、銀與銅的合金中的任一種為主要成分的導電膏構成。
16.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件還具有露出于外表面且連接于所述取出部的第二端子電極。
17.根據(jù)權利要求
16所述的電容器，其特征在于，所述第二端子電極由以銀、銅、銀與銅的混合物、銀與銅的合金中的任一種為主要成分的導電膏構成。
18.根據(jù)權利要求
16所述的電容器，其特征在于，所述第二電容器元件還具有露出于外表面且連接于所述第二通孔電極的第一端子電極，并且，還包括分別設于所述第一端子電極上及所述第二端子電極上的連接凸塊。
19.根據(jù)權利要求
16所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述第一通孔電極的陰極端子；以及露出于所述第二面且連接于所述閥金屬薄板體的陽極端子，所述第二電容器元件還具有露出于外表面且連接于所述第二通孔電極的第一端子電極，所述第一端子電極與所述第二端子電極之間的距離，小于所述陽極端子與所述陰極端子之間的距離。
20.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述第一電容器元件還具有露出于所述第二面且連接于所述第一通孔電極的陰極端子；以及露出于所述第二面且連接于所述閥金屬薄板體的陽極端子，所述陰極端子與所述第一電極、所述陽極端子與所述第二電極分別利用各向異性導電膏連接。
21.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，所述閥金屬薄板體由鋁、鉭、鈮中的任一種構成。
22.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，還包括基板，其設于所述第一電容器元件與所述第二電容器元件之間，且具有與所述第一通孔電極及所述第一電極電性連接的第一貫通電極；以及與所述閥金屬薄板體及所述第二電極電性連接的第二貫通電極。
23.根據(jù)權利要求
22所述的電容器，其特征在于，所述基板由絕緣性材料構成。
24.根據(jù)權利要求
23所述的電容器，其特征在于，所述絕緣性材料為有機材料。
25.根據(jù)權利要求
24所述的電容器，其特征在于，所述有機材料至少含有聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、硅樹脂中的任一種。
26.根據(jù)權利要求
23所述的電容器，其特征在于，所述絕緣性材料為無機材料。
27.根據(jù)權利要求
26所述的電容器，其特征在于，所述無機材料至少含有氧化鋁、玻璃、石英、陶瓷中的任一種。
28.根據(jù)權利要求
22所述的電容器，其特征在于，所述基板由導電性材料構成。
29.根據(jù)權利要求
28所述的電容器，其特征在于，所述導電性材料為金屬。
30.根據(jù)權利要求
29所述的電容器，其特征在于，所述金屬為銅、銀、硅中的任一種。
31.根據(jù)權利要求
22所述的電容器，其特征在于，所述基板與所述第一電容器元件利用粘結劑接合。
32.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，還包括由導電性材料構成的基板，該基板設于所述第一電容器元件與所述第二電容器元件之間，且該基板具有與所述第一通孔電極及所述第一電極電性連接且與所述閥金屬薄板體及所述第二電極絕緣的第一貫通電極及與所述閥金屬薄板體及所述第二電極電性連接且與所述第一通孔電極及所述第一電極絕緣的第二貫通電極中的任一個。
33.根據(jù)權利要求
32所述的電容器，其特征在于，所述基板與所述第一電容器元件利用粘結劑接合。
34.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，在所述第二電容器元件中，所述第一電極、所述第二電極分別形成于所述介電層的內(nèi)層，且該電容器還設有與所述第二電極連接且與所述第一電極絕緣并貫通所述介電層的第三通孔。
35.根據(jù)權利要求
1所述的電容器，其特征在于，還包括貼合到所述集電體層上的加強板。
專利摘要
本發(fā)明的電容器具有第一電容器元件、以及層疊于該第一電容器元件上的第二電容器元件。第一電容器元件是設有貫通閥金屬薄板體的通孔電極，且在其中一面上取出陰極、陽極端子部的固體電解質電容器。第二電容器元件具有隔著介電層設的第一電極、第二電極；以及貫通介電層的第二通孔電極。第二通孔電極連接于第一電極，并且與第二電極絕緣。第二電極的取出部從介電層露出。而且，第二通孔電極與取出部交替配置。第一電極電性連接于第一通孔電極，第二電極電性連接于閥金屬薄板體。
文檔編號H01G9/004GK1998056SQ200580022421
公開日2007年7月11日 申請日期2005年7月7日
發(fā)明者三木勝政, 藤井達雄, 御堂勇治, 木村涼 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan