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一種包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正極顆粒的制作方法

文檔序號(hào):40475002發(fā)布日期:2024-12-27 09:45閱讀:11來源:國(guó)知局
一種包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正極顆粒的制作方法

本技術(shù)涉及正極材料,尤其是一種包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒。


背景技術(shù):

1、電池主要是由正極及負(fù)極置于電解液中所形成。其中正極是將為數(shù)眾多的正極導(dǎo)電單元(正極材,如鈷酸鋰)混拌分散于漿料中。一般而言正極導(dǎo)電單元必須先與導(dǎo)電漿料混拌后方能使用于電極片上,并組裝成電池。因此眾多的正極導(dǎo)電單元(正極材)其彼此間是通過導(dǎo)電漿料所連接,因此導(dǎo)電漿料必須具有助導(dǎo)性或是導(dǎo)電性,方能使自由電子能在不同的正極導(dǎo)電單元中遷移且不必因內(nèi)電阻而消耗過多能量,而達(dá)到有效的導(dǎo)電目的。因此制造漿料時(shí)必須考慮到使用特定導(dǎo)電材調(diào)節(jié)漿料的導(dǎo)電性。

2、一般為了增加導(dǎo)電性,在正極漿料內(nèi)會(huì)填充多個(gè)正極顆粒,其中該正極顆粒的材料可以選自ncm(鎳鈷錳酸鋰)、lmfp(磷酸錳鐵鋰)等或其混合物,該正極顆粒分布在該正極漿料內(nèi)。

3、在申請(qǐng)人的其他專利中,為了更進(jìn)一步增加整個(gè)漿料的導(dǎo)電性,在漿料中添加納米碳管用于包圍電池的正極材料中的正極顆粒,再使用納米碳管跨接不同的正極導(dǎo)電單元,進(jìn)而降低電子跨越漿料至另一正極導(dǎo)電單元所產(chǎn)生的內(nèi)電阻,而提升整個(gè)正極的導(dǎo)電性。

4、上述的現(xiàn)有技術(shù)最主要的是對(duì)于正極漿料內(nèi)的內(nèi)容物增加其整體的導(dǎo)電性,進(jìn)而增加整個(gè)正極的電容量及導(dǎo)電能力。

5、申請(qǐng)人基于對(duì)于電池材料長(zhǎng)久的經(jīng)驗(yàn),希望提出一種嶄新的設(shè)計(jì),可以使得目前的固態(tài)電池的正極具有更高的電容量及導(dǎo)電性,以更進(jìn)一步提升電池的性能。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、所以本實(shí)用新型的目的為解決上述現(xiàn)有技術(shù)上的問題,本實(shí)用新型中提出一種包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,形成外表面被眾多ga-llzo細(xì)顆粒及l(fā)atp細(xì)顆粒所包覆的ncm大顆粒。因?yàn)樵搇atp細(xì)顆粒容納及均流鋰離子的能力遠(yuǎn)高于ncm大顆粒,且可避免該ncm大顆粒被電解液侵蝕,同時(shí)延長(zhǎng)電池的使用壽命。而且在該多個(gè)ncm大顆粒的表面上附著多個(gè)ga-llzo細(xì)顆粒,該ga-llzo細(xì)顆粒也具有容納及均流鋰離子的能力。所以當(dāng)鋰離子通過該正極時(shí),可以通過分散的該ga-llzo細(xì)顆粒及該latp細(xì)顆粒的導(dǎo)引,而分散鋰離子的渠道,所以本實(shí)用新型正極的設(shè)計(jì)可以使得鋰離子具有更好的渠道。本實(shí)用新型還在包覆有g(shù)a-llzo及l(fā)atp細(xì)顆粒的ncm大顆粒的外側(cè)再包覆納米碳管,即cnt。納米碳管的作用即是在各種不同的ga-llzo細(xì)顆粒及l(fā)atp細(xì)顆粒的周圍形成導(dǎo)電性的架橋,而使得電子可以在該復(fù)合ncm大顆粒上傳導(dǎo)。本實(shí)用新型的構(gòu)架可以提供整體正極漿料結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,所以可以減少鈷的使用量。

2、為達(dá)到上述目的本實(shí)用新型中提出一種包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,包括:一正極基板,為一載板用于承載一正極的材料;一正極漿料層涂覆在該正極基板上,其中該正極漿料層包括:含有結(jié)合劑的正極漿料;多個(gè)正極顆粒分布在該正極漿料內(nèi),各正極顆粒包括:一ncm大顆粒;其中該ncm大顆粒呈不規(guī)則的立方體形狀,其外表面被眾多ga-llzo細(xì)顆粒(鎵參雜的鋰鑭鋯氧化合物)及眾多l(xiāng)atp細(xì)顆粒(l?i?1+xa?lxt?i?2-x(po4)3)所包覆,其整體形成復(fù)合ncm大顆粒;其中該ga-llzo細(xì)顆粒在該ncm大顆粒上呈一凸弧型的分布,為中間高兩端平緩的型態(tài);該ga-llzo細(xì)顆粒的底部與該ncm大顆粒之間形成一ga-llzo介相層,其作用主要為導(dǎo)引鋰離子,其次為保護(hù)該ncm大顆粒;其中該latp細(xì)顆粒在該ncm大顆粒上呈一凸弧型的分布,為中間高兩端平緩的型態(tài);該latp細(xì)顆粒的底部與該ncm大顆粒之間形成一latp介相層,其作用主要做為保護(hù)層,其次為導(dǎo)引鋰離子;當(dāng)鋰離子通過該正極時(shí),可以通過分散的該ga-llzo細(xì)顆粒的導(dǎo)引,而分散鋰離子的渠道;而該latp細(xì)顆??杀苊庠搉cm大顆粒被電解液侵蝕,而且該latp細(xì)顆粒對(duì)于鋰離子具有更高的鋰離子容納及均流能力;該ga-llzo細(xì)顆粒、該latp細(xì)顆粒及該ncm大顆粒均為晶體結(jié)構(gòu);其中該復(fù)合ncm大顆粒的外圍包覆有cnt(carbon?nanotube,納米碳管),該cnt為短鏈cnt,其長(zhǎng)度介于0.5微米至1微米。

3、進(jìn)一步的,該ncm大顆粒尺寸大小為3至5微米;其為單晶結(jié)構(gòu)。

4、進(jìn)一步的,該ga-llzo介相層的徑向厚度介于2至10納米;該ga-llzo介相層是由ga-llzo及鈷的氧化物所形成。

5、進(jìn)一步的,該latp介相層的徑向厚度介于2至10納米;該latp介相層是由latp及鈷的氧化物所形成。

6、進(jìn)一步的,該ga-llzo細(xì)顆粒的橫向尺寸介于100至280納米;該latp細(xì)顆粒的橫向尺寸介于50至100納米。

7、進(jìn)一步的,該ga-llzo細(xì)顆粒的總重量相對(duì)于單顆的該ncm大顆粒的重量的比介于0.5至0.8wt%;該latp細(xì)顆粒的總重量相對(duì)于單顆的該ncm大顆粒的重量的比介于0.1至0.3wt%。

8、進(jìn)一步的,該cnt總體重量占單顆該ncm大顆粒重量的比例小于0.25%。

9、進(jìn)一步的,該短鏈cnt用于跨接該ga-llzo細(xì)顆粒和該ncm大顆粒,及跨接該latp細(xì)顆粒和該ncm大顆粒。

10、本實(shí)用新型的有益效果是:

11、本實(shí)用新型以該latp細(xì)顆粒局部替代部分的該ga-llzo細(xì)顆粒,減少該ncm大顆粒界面的負(fù)反應(yīng),也降低包覆該ncm大顆粒的成本。該latp細(xì)顆粒的離子電導(dǎo)低于該ga-llzo細(xì)顆粒的電導(dǎo),使用部分該ga-llzo細(xì)顆粒去取代成該latp細(xì)顆粒,其可在不改變離子的電導(dǎo)的情況下降低整體的生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型中在該ncm大顆粒的外表面附著該多個(gè)ga-llzo細(xì)顆粒,因?yàn)樵揼a-llzo細(xì)顆粒對(duì)于鋰離子的離子導(dǎo)引能力遠(yuǎn)高于該ncm大顆粒,而且不會(huì)與鋰離子產(chǎn)生負(fù)反應(yīng)。所以可以當(dāng)鋰離子通過該正極時(shí),可以通過分散的該ga-llzo細(xì)顆粒的導(dǎo)引,而分散鋰離子的渠道,所以本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)可以使得鋰離子具有更好的渠道,而大大的增加整體電池的性能。而該latp細(xì)顆??杀苊庠搉cm大顆粒被電解液侵蝕,而且該latp細(xì)顆粒對(duì)于鋰離子具有更高的鋰離子容納及均流能力。本實(shí)用新型中的該ga-llzo細(xì)顆粒、該latp細(xì)顆粒及該ncm大顆粒均為晶體結(jié)構(gòu),所以整體上有良好的安定性,不會(huì)輕易釋出或解離,所以可以提高整個(gè)電池的電壓。

12、由下文的說明可更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及其優(yōu)點(diǎn),閱讀時(shí)并請(qǐng)參考附圖。



技術(shù)特征:

1.一種包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,包括:

2.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該ncm大顆粒尺寸大小為3至5微米;其為單晶結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該ga-llzo介相層的徑向厚度介于2至10納米;該ga-llzo介相層是由ga-llzo及鈷的氧化物所形成。

4.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該latp介相層的徑向厚度介于2至10納米;該latp介相層是由latp及鈷的氧化物所形成。

5.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該ga-llzo細(xì)顆粒的橫向尺寸介于100至280納米;該latp細(xì)顆粒的橫向尺寸介于50至100納米。

6.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該ga-llzo細(xì)顆粒的總重量相對(duì)于單顆的該ncm大顆粒的重量的比介于0.5至0.8wt%;該latp細(xì)顆粒的總重量相對(duì)于單顆的該ncm大顆粒的重量的比介于0.1至0.3wt%。

7.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該cnt總體重量占單顆該ncm大顆粒重量的比例小于0.25%。

8.如權(quán)利要求1所述的包覆有g(shù)a-llzo、latp及cnt的ncm正極顆粒,其特征在于,該短鏈cnt用于跨接該ga-llzo細(xì)顆粒和該ncm大顆粒,及跨接該latp細(xì)顆粒和該ncm大顆粒。


技術(shù)總結(jié)
一種包覆有Ga?LLZO、LATP及CNT的NCM正極顆粒,包括:一正極基板;一正極漿料層涂覆在該正極基板上,該正極漿料層包括:含有結(jié)合劑的正極漿料,及多個(gè)正極顆粒,其各包括:一NCM大顆粒;其外表面被眾多Ga?LLZO細(xì)顆粒及眾多LATP細(xì)顆粒所包覆,整體形成復(fù)合NCM大顆粒;其中該Ga?LLZO細(xì)顆粒及該LATP細(xì)顆粒在該NCM大顆粒上呈一凸弧型的分布;該Ga?LLZO細(xì)顆粒的底部與該NCM大顆粒之間形成一Ga?LLZO介相層,該LATP細(xì)顆粒的底部與該NCM大顆粒之間形成一LATP介相層。該復(fù)合NCM大顆粒的外圍包覆的CNT為短鏈CNT,短鏈CNT長(zhǎng)度介于0.5微米至1微米。

技術(shù)研發(fā)人員:陳文忠,王伯萍
受保護(hù)的技術(shù)使用者:蘇州固太科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240227
技術(shù)公布日:2024/12/26
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