本申請屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室。

背景技術(shù)：

1、晶圓作為半導(dǎo)體材料中不可或缺的一部分，厚度和電阻率為晶圓的重要指標(biāo)。為了信息技術(shù)獲得更好的搭載器件，需要保證晶圓厚度、電阻率具有一致性，而在生長的相關(guān)工藝中，對厚度、電阻率產(chǎn)生影響的因素較多。

2、相關(guān)技術(shù)中的一些工藝腔室，在晶圓到基座的傳輸過程中，由于晶圓與基座中間存在一定的空間，在晶圓落到基座時由于存在表面張力，會導(dǎo)致晶圓在基座上出現(xiàn)滑移現(xiàn)象，并且，在晶圓升降過程中，由于升降機(jī)構(gòu)的抖動或震動，會導(dǎo)致升降晶圓的頂針出現(xiàn)抖動，從而導(dǎo)致晶圓落在基座時會加重偏邊或貼邊現(xiàn)象。然而，滑移、偏邊、貼邊等現(xiàn)象均會影響工藝的正常進(jìn)行，從而造成晶圓厚度、電阻率均勻性較差，并且還會導(dǎo)致晶圓溫度場分布不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例的目的是提供一種承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，至少能夠解決晶圓升降過程中出現(xiàn)滑移、偏邊、貼邊現(xiàn)象而影響厚度、電阻率均勻性，以及溫度場分布均勻性等問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請實(shí)施例提供了一種承載裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，所述承載裝置包括：承載座、多個升降件和多個限位件；

4、所述承載座設(shè)有多個第一通孔和多個第二通孔，多個所述第一通孔和多個所述第二通孔分別沿所述承載座的軸向貫通所述承載座；

5、多個所述升降件分別可升降地穿設(shè)于多個所述第一通孔，用于在取放晶圓時凸出所述承載座的表面設(shè)置以用于支撐所述晶圓；多個所述限位件分別可升降地穿設(shè)于所述第二通孔，用于與所述晶圓的外緣抵接。

6、本申請實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，包括腔體以及上述承載裝置；

7、所述承載裝置設(shè)于所述腔體內(nèi)。

8、本申請實(shí)施例中，通過多個升降件可以對晶圓進(jìn)行承載，并且可以帶動晶圓進(jìn)行升降，以滿足工藝需求；通過多個限位件可以對多個升降件所承載的晶圓的邊緣進(jìn)行限位，以防止晶圓升降過程中或放置于承載座時出現(xiàn)晶圓滑移、偏邊、貼邊等情況發(fā)生，從而可以保證晶圓在基座上的位置精度，進(jìn)而可以保證后續(xù)的工藝精度，以提高晶圓厚度、電阻率以及溫度場的均勻性，進(jìn)一步保證產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種承載裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，其特征在于，所述承載裝置(100)包括：承載座(110)、多個升降件(120)和多個限位件(130)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述承載座(110)的表面設(shè)有用于容納所述晶圓的凹槽(114)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述凹槽(114)的邊緣處設(shè)有臺階結(jié)構(gòu)(115)，所述臺階結(jié)構(gòu)(115)包括用于支撐所述晶圓的支撐面(1152)和位于所述支撐面(1152)外緣處的第一限位面(1151)，所述第一限位面(1151)連接于所述支撐面(1152)與所述承載座(110)的表面之間；

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的承載裝置，其特征在于，所述限位件(130)所具有的限位端(131)在面向所述承載座(110)中心線的一側(cè)設(shè)有第二限位面(1311)，所述第二限位面(1311)為平面或弧面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置(100)還包括第一升降機(jī)構(gòu)(140)，所述第一升降機(jī)構(gòu)(140)包括多個第一支撐臂(141)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的承載裝置，其特征在于，所述升降件(120)與所述限位件(130)的數(shù)量相同，其中任一所述升降件(120)與相應(yīng)的所述限位件(130)位于所述承載座(110)的同一直徑上，且位于同一直徑上的所述升降件(120)與所述限位件(130)均與同一所述第一支撐臂(141)對應(yīng)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的承載裝置，其特征在于，在每個所述升降件(120)和對應(yīng)的所述限位件(130)各自的底端均與同一所述第一支撐臂(141)接觸的情況下，多個所述限位件(130)的限位端(131)的頂端面均位于第一平面(m)，多個所述升降件(120)的支撐端(121)的頂端面均位于第二平面(n)；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置(100)還包括第二升降機(jī)構(gòu)(150)，所述第二升降機(jī)構(gòu)(150)包括多個第二支撐臂(151)；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，多個所述升降件(120)沿所述承載座(110)的周向均勻分布；

10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室包括腔體(200)以及權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的承載裝置(100)；

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種承載裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，承載裝置包括：承載座、多個升降件和多個限位件；承載座設(shè)有多個第一通孔和多個第二通孔，多個第一通孔和多個第二通孔分別沿承載座的軸向貫通承載座；多個升降件分別可升降地穿設(shè)于多個第一通孔，用于在取放晶圓時凸出承載座的表面設(shè)置以用于支撐晶圓；多個限位件分別可升降地穿設(shè)于第二通孔，用于與晶圓的外緣抵接。一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，包括上述承載裝置。本申請至少能夠解決晶圓升降過程中出現(xiàn)滑移、偏邊、貼邊現(xiàn)象而影響厚度、電阻率均勻性，以及溫度場分布均勻性等問題。

技術(shù)研發(fā)人員：羅超偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240119
技術(shù)公布日：2024/12/26