本技術(shù)涉及熱敏電阻，尤其是涉及一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻。

背景技術(shù)：

1、熱敏電阻器已廣泛應(yīng)用于浪涌電流抑制、溫度測(cè)量、控制、溫度補(bǔ)償?shù)?，熱敏電阻器廣泛應(yīng)用于電路與電子元件的過(guò)流保護(hù)、啟動(dòng)，以及流速、流量、射線測(cè)量的相關(guān)儀器與應(yīng)用領(lǐng)域。

2、現(xiàn)有的陶瓷熱敏電阻一般包括有陶瓷外殼以及熱敏電阻主體，熱敏電阻主體置于陶瓷外殼的內(nèi)部，并通過(guò)高溫?zé)Y(jié)，使之與陶瓷外殼固定裝配，以及熱傳導(dǎo)連接。但是，熱敏電阻使用時(shí)處于高溫環(huán)境中，使用時(shí)間久后，容易導(dǎo)致芯片老化，影響熱敏電阻器件的壽命；另外，常用的陶瓷熱敏電阻結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱系數(shù)任然較低，導(dǎo)致熱敏電阻器件起效延遲，靈敏性較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，保留陶瓷熱敏電阻耐高溫的特性，并提高其熱敏性，提高熱敏電阻的熱敏準(zhǔn)度以及散熱性能。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，包括陶瓷外殼以及芯片，芯片固定于陶瓷外殼的內(nèi)腔，陶瓷外殼的設(shè)有多個(gè)通口，通口嵌入裝配有多個(gè)導(dǎo)熱鋼片；芯片的上下表面設(shè)有導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)包括多個(gè)波浪狀的導(dǎo)熱片單元，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)觸碰連接于陶瓷外殼以及各導(dǎo)熱鋼片；陶瓷外殼的內(nèi)腔填充有陶瓷固化體，陶瓷固化體緊密擠壓于芯片以及導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)。

3、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，陶瓷外殼包括上半殼和下半殼，上半殼和下半殼的四個(gè)角部分別設(shè)有沉底孔，上半殼和下半殼對(duì)齊蓋合設(shè)置，并于上下對(duì)齊的兩個(gè)沉底孔之間穿插有鋼釘，上半殼和下半殼通過(guò)各鋼釘連接裝配。

4、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，導(dǎo)熱片單元沖壓型成“v”型折彎結(jié)構(gòu)，各導(dǎo)熱片單元呈間隔分布設(shè)置。

5、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，上半殼和下半殼的內(nèi)側(cè)壁成型有兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)，這兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)分別設(shè)于上半殼和下半殼對(duì)應(yīng)的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁，凹槽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)直線槽，相對(duì)的兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)之間，各直線槽分別一一對(duì)齊設(shè)置，導(dǎo)熱片單元的兩端分別插接于相應(yīng)的直線槽。

6、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，陶瓷外殼的側(cè)部設(shè)有兩個(gè)穿孔；芯片設(shè)有兩個(gè)引腳，這兩個(gè)引腳呈對(duì)稱(chēng)設(shè)置，引腳穿出于陶瓷外殼的穿孔，引腳的穿出部分沖壓形成彎曲部，彎曲部呈“s”型設(shè)置。

7、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，芯片由外之內(nèi)包括有玻璃內(nèi)殼、鈦鎢層、銀極層以及熱敏電阻主體。

8、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，銀極層的厚度為3μm-6μm。

9、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，鈦鎢層的厚度為0.1μm-0.2μm。

10、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，鈦鎢層中的鈦和鎢比重符合以下質(zhì)量比條件：1∶10。

11、采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是：本實(shí)用新型提供了一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，通過(guò)陶瓷外殼結(jié)構(gòu)中設(shè)置導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)熱鋼片，提高其導(dǎo)熱性能，保留陶瓷熱敏電阻耐高溫的特性，同時(shí)，提高熱敏電阻的熱敏性以及熱敏準(zhǔn)度；通過(guò)折彎的導(dǎo)熱片單元組成的導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)，能夠提高其熱傳導(dǎo)面積，從而提高芯片與陶瓷外殼之間的熱偶靈敏度，從而進(jìn)一步提高熱敏電阻器件的精準(zhǔn)度；具有導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)的陶瓷外殼，能夠提高陶瓷熱敏電阻的散熱性能，延長(zhǎng)其使用壽命；由玻璃內(nèi)殼和鈦鎢層組成的芯片殼體結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高熱敏電阻器件的耐熱性。

技術(shù)特征：

1.一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，包括陶瓷外殼(1)以及芯片(4)，其特征在于：芯片(4)固定于陶瓷外殼(1)的內(nèi)腔，陶瓷外殼(1)的設(shè)有多個(gè)通口，通口嵌入裝配有多個(gè)導(dǎo)熱鋼片(2)；芯片(4)的上下表面設(shè)有導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)包括多個(gè)波浪狀的導(dǎo)熱片單元(3)，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)觸碰連接于陶瓷外殼(1)以及各導(dǎo)熱鋼片(2)；陶瓷外殼(1)的內(nèi)腔填充有陶瓷固化體(5)，陶瓷固化體(5)緊密擠壓于芯片(4)以及導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述陶瓷外殼(1)包括上半殼(11)和下半殼(12)，上半殼(11)和下半殼(12)的四個(gè)角部分別設(shè)有沉底孔(10)，上半殼(11)和下半殼(12)對(duì)齊蓋合設(shè)置，并于上下對(duì)齊的兩個(gè)沉底孔(10)之間穿插有鋼釘，上半殼(11)和下半殼(12)通過(guò)各鋼釘連接裝配。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述導(dǎo)熱片單元(3)沖壓型成“v”型折彎結(jié)構(gòu)，各導(dǎo)熱片單元(3)呈間隔分布設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述上半殼(11)和所述下半殼(12)的內(nèi)側(cè)壁成型有兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)，這兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)分別設(shè)于上半殼(11)和下半殼(12)對(duì)應(yīng)的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁，凹槽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)直線槽，相對(duì)的兩個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)之間，各直線槽分別一一對(duì)齊設(shè)置，所述導(dǎo)熱片單元(3)的兩端分別插接于相應(yīng)的直線槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述陶瓷外殼(1)的側(cè)部設(shè)有兩個(gè)穿孔；所述芯片(4)設(shè)有兩個(gè)引腳(9)，這兩個(gè)引腳(9)呈對(duì)稱(chēng)設(shè)置，引腳(9)穿出于所述陶瓷外殼(1)的穿孔，引腳(9)的穿出部分沖壓形成彎曲部(91)，彎曲部(91)呈“s”型設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述芯片(4)由外之內(nèi)包括有玻璃內(nèi)殼(44)、鈦鎢層(43)、銀極層(42)以及熱敏電阻主體(41)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述銀極層(42)的厚度為3μm-6μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述鈦鎢層(43)的厚度為0.1μm-0.2μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，其特征在于：所述鈦鎢層(43)中的鈦和鎢比重符合以下質(zhì)量比條件：1∶10。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種耐高溫的陶瓷熱敏電阻，包括陶瓷外殼以及芯片，芯片固定于陶瓷外殼的內(nèi)腔，陶瓷外殼的設(shè)有多個(gè)通口，通口嵌入裝配有多個(gè)導(dǎo)熱鋼片；芯片的上下表面設(shè)有導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)包括多個(gè)波浪狀的導(dǎo)熱片單元，導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)觸碰連接于陶瓷外殼以及各導(dǎo)熱鋼片；陶瓷外殼的內(nèi)腔填充有陶瓷固化體，陶瓷固化體緊密擠壓于芯片以及導(dǎo)熱片結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了陶瓷熱敏電阻耐高溫性能，同時(shí)提高其熱敏準(zhǔn)度以及散熱性能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉寒遷,余晏斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市仙橋電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231231
技術(shù)公布日：2024/12/12