本技術(shù)涉及浪涌保護(hù)器設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種熔斷器及后備保護(hù)浪涌保護(hù)器。

背景技術(shù)：

1、浪涌保護(hù)器本體的作用是保護(hù)其所接入的線路，浪涌保護(hù)器本體應(yīng)用于電氣回路或通信線路中，其原理是通過內(nèi)部的壓敏電阻，實(shí)現(xiàn)對(duì)沖擊電流的導(dǎo)通分流，從而避免沖擊電流對(duì)電氣回路或通信線路上的設(shè)備造成損害。壓敏電阻在長時(shí)間使用后可能劣化，傳統(tǒng)方案中應(yīng)用于電氣回路的浪涌保護(hù)器本體內(nèi)設(shè)有熱脫扣組件，當(dāng)壓敏電阻劣化使得浪涌保護(hù)器本體遭受持續(xù)小電流沖擊時(shí)，熱脫扣組件能夠通過熔斷使得線路與接地線之間的連接斷開，從而達(dá)到熱脫扣目的；而針對(duì)工頻電流，浪涌保護(hù)器本體通過與熔斷器的串聯(lián)實(shí)現(xiàn)對(duì)浪涌保護(hù)器本體的保護(hù)，具體的，當(dāng)工頻電流流過熔斷器時(shí)，熔斷器內(nèi)的電路斷開，從而避免工頻電路產(chǎn)生的熱量引起浪涌保護(hù)器本體燃燒。上述方案的缺陷在于浪涌保護(hù)器本體通過與熔斷器串聯(lián)，工頻電流流過時(shí)，由于浪涌保護(hù)器本體的壓敏電阻的阻值較大，因此流過熔斷器的電流較小，要使得熔斷器熔斷，則需要采用額定電流較小的型號(hào)，而沖擊電流流過浪涌保護(hù)器本體時(shí)，必然流過熔斷器，可能造成額定電流較小的熔斷器內(nèi)的電路斷開，因此上述方案中的熔斷器耐沖擊電流的能力較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一方面，本實(shí)用新型提供了一種熔斷器，能夠提高熔斷器耐沖擊電流的能力；

2、另一方面，本實(shí)用新型提供了一種后備保護(hù)浪涌保護(hù)器。

3、本實(shí)用新型提供的熔斷器，用于浪涌保護(hù)器本體的后備保護(hù)，包括熔斷件和加熱件，所述熔斷件用于與浪涌保護(hù)器本體串聯(lián)，所述加熱件與所述熔斷件配合，所述加熱件用于當(dāng)所述浪涌保護(hù)器本體所在的防雷電路通過工頻電流時(shí)，通電產(chǎn)熱將所述熔斷件熔斷，以使得所述防雷電路斷開。

4、進(jìn)一步的，所述熔斷件包括熔斷部，所述加熱件包括電極端，所述電極端與所述熔斷部配合，所述電極端用于產(chǎn)生電弧將所述熔斷部熔化。

5、進(jìn)一步的，所述熔斷器包括用于形成所述熔斷件的熔斷絲，還包括用于形成所述加熱件的打火電極，所述熔斷絲具有分別與所述防雷電路相連的第一連接端和第二連接端，位于第一連接端和第二連接端之間的所述熔斷絲上設(shè)有所述熔斷部，所述打火電極具有電極端，所述電極端與所述熔斷部之間間隙配合。

6、進(jìn)一步的，所述電極端與所述熔斷部之間設(shè)有墊片，所述墊片上設(shè)有通孔，所述電極端和所述熔斷部分別位于所述通孔的兩端開口處。

7、進(jìn)一步的，所述熔斷器還包括夾具，所述夾具具有第一夾持部和第二夾持部，所述第一夾持部與所述打火電極配合，所述第二夾持部與所述熔斷絲配合。

8、進(jìn)一步的，所述防雷電路能夠通過所述第一夾持部與所述打火電極電連接，所述第二夾持部與所述熔斷絲之間設(shè)有絕緣塊。

9、進(jìn)一步的，所述夾具包括第一片體、第二片體和第三片體，所述第一片體和所述第二片體相連，所述第一片體和所述第二片體之間存在用于形成所述第一夾持部的第一間隙，所述第二片體和所述第三片體相連，所述第二片體和所述第三片體之間存在用于形成所述第二夾持部的第二間隙。

10、進(jìn)一步的，所述夾具包括能夠?qū)щ姷陌寮龅谝黄w、所述第二片體和所述第三片體為所述板件彎折形成。

11、進(jìn)一步的，所述熔斷器還包括管體和兩個(gè)熔芯帽，所述管體內(nèi)設(shè)有兩端分別開口的腔體，兩個(gè)所述熔芯帽分別設(shè)置在兩個(gè)所述開口處，且與所述管體套設(shè)，所述熔斷件和所述加熱件均位于所述腔體內(nèi)。

12、本實(shí)用新型提供的后備保護(hù)浪涌保護(hù)器，包括如上述任一項(xiàng)所述的熔斷器。

13、有益效果

14、本方案中的熔斷件串聯(lián)設(shè)置在浪涌保護(hù)器本體所在的防雷電路上，加熱件能夠從防雷電路取電，當(dāng)有工頻電流流過浪涌保護(hù)器本體所在的防雷電路上時(shí)，加熱件產(chǎn)生熱量，并將熔斷件熔斷。相較于傳統(tǒng)方案中浪涌保護(hù)器本體通過與熔斷器串聯(lián)，工頻電流流過時(shí)，由于浪涌保護(hù)器本體的壓敏電阻的阻值較大，因此流過熔斷器的電流較小，要使得熔斷器熔斷，則需要采用額定電流較小的型號(hào)，而沖擊電流流過浪涌保護(hù)器本體時(shí)，必然流過熔斷器，可能造成額定電流較小的熔斷器內(nèi)的電路斷開，因此熔斷器耐沖擊電流的能力較差。本方案中的熔斷器只有熔斷件串聯(lián)在浪涌保護(hù)器本體所在的電路上，加熱件可以采用在同等電流條件下，發(fā)熱溫度更高的材質(zhì)，由于加熱件能夠提供更高的熔化溫度，因此可以選用額定溫度更高的熔斷件，從而避免沖擊電流將熔斷器內(nèi)的電路斷開，提高了熔斷器耐沖擊電流的能力。

技術(shù)特征：

1.一種熔斷器，用于浪涌保護(hù)器本體的后備保護(hù)，其特征在于，包括熔斷件(2)和加熱件(1)，所述熔斷件(2)用于與浪涌保護(hù)器本體串聯(lián)，所述加熱件(1)與所述熔斷件(2)配合，所述加熱件(1)用于當(dāng)所述浪涌保護(hù)器本體所在的防雷電路通過工頻電流時(shí)，通電產(chǎn)熱將所述熔斷件(2)熔斷，以使得所述防雷電路斷開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷件(2)包括熔斷部(13)，所述加熱件(1)包括電極端(14)，所述電極端(14)與所述熔斷部(13)配合，所述電極端(14)用于產(chǎn)生電弧將所述熔斷部(13)熔化。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷器包括用于形成所述熔斷件(2)的熔斷絲，還包括用于形成所述加熱件(1)的打火電極，所述熔斷絲具有分別與所述防雷電路相連的第一連接端(15)和第二連接端(16)，位于第一連接端(15)和第二連接端(16)之間的所述熔斷絲上設(shè)有所述熔斷部(13)，所述打火電極靠近所述熔斷絲的一端形成所述電極端(14)，所述電極端(14)與所述熔斷部(13)之間間隙配合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熔斷器，其特征在于，所述電極端(14)與所述熔斷部(13)之間設(shè)有墊片(12)，所述墊片(12)上設(shè)有通孔，所述電極端(14)和所述熔斷部(13)分別位于所述通孔的兩端開口處。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷器還包括夾具(3)，所述夾具(3)具有第一夾持部(5)和第二夾持部(6)，所述第一夾持部(5)與所述打火電極配合，所述第二夾持部(6)與所述熔斷絲配合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔斷器，其特征在于，所述防雷電路能夠通過所述第一夾持部(5)與所述打火電極電連接，所述第二夾持部(6)與所述熔斷絲之間設(shè)有絕緣塊(4)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔斷器，其特征在于，所述夾具(3)包括第一片體(7)、第二片體(8)和第三片體(9)，所述第一片體(7)和所述第二片體(8)相連，所述第一片體(7)和所述第二片體(8)之間存在用于形成所述第一夾持部(5)的第一間隙(10)，所述第二片體(8)和所述第三片體(9)相連，所述第二片體(8)和所述第三片體(9)之間存在用于形成所述第二夾持部(6)的第二間隙(11)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熔斷器，其特征在于，所述夾具(3)包括能夠?qū)щ姷陌寮?，所述第一片體(7)、所述第二片體(8)和所述第三片體(9)為所述板件彎折形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷器還包括管體和兩個(gè)熔芯帽，所述管體內(nèi)設(shè)有兩端分別開口的腔體，兩個(gè)所述熔芯帽分別設(shè)置在兩個(gè)所述開口處，且與所述管體套設(shè)，所述熔斷件(2)和所述加熱件(1)均位于所述腔體內(nèi)。

10.一種后備保護(hù)浪涌保護(hù)器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的熔斷器。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及浪涌保護(hù)器設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種熔斷器及后備保護(hù)浪涌保護(hù)器。本技術(shù)提供的熔斷器，用于浪涌保護(hù)器本體的后備保護(hù)，包括熔斷件和加熱件，所述熔斷件用于與浪涌保護(hù)器本體串聯(lián)，所述加熱件與所述熔斷件配合，所述加熱件用于當(dāng)所述浪涌保護(hù)器本體所在的防雷電路通過工頻電流時(shí)，通電產(chǎn)熱將所述熔斷件熔斷，以使得所述防雷電路斷開。能夠提高熔斷器耐沖擊電流的能力。

技術(shù)研發(fā)人員：孫巍巍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津市中力神盾電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231230
技術(shù)公布日：2024/12/17