本公開涉及模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在多數(shù)情況下，利用微帶線作為在介電基板上傳輸高頻信號的手段。但是，在毫米波、太赫茲波等頻帶中，由于作為高頻固有的現(xiàn)象的趨膚效應及界面凹凸的影響，由導體損耗導致的傳輸損耗會變大。

2、通過使構(gòu)成微帶線的電介質(zhì)(基板)變厚，能夠減小導體損耗，但在該情況下，能量作為電磁波而被輻射的輻射損耗變大，難以減小傳輸損耗。

3、另一方面，作為縮小傳輸損耗的手段之一，有如下的柱壁波導結(jié)構(gòu)，即，用一對導體層夾著電介質(zhì)，由在信號的傳輸方向(電磁波的傳播方向)上以λ/2(λ：電磁波的波長)的間隔排列的導通孔群將導體層彼此電連接，將主導體層作為波導管的寬壁使用，將導通孔群作為波導管的窄壁使用的柱壁波導結(jié)構(gòu)。由于柱壁波導的四周被導體包圍，所以即使增加基板厚度，輻射損耗也不會增加。因此，能夠使電介質(zhì)變厚，能夠使導體損耗和輻射損耗同時減小。

4、若考慮到產(chǎn)生高頻信號的集成電路(ic：integrated?circuit)的安裝，則可知，ic大多是經(jīng)由錫球而安裝在微帶線上，難以直接向柱壁波導供電。因此，在將柱壁波導作為傳輸路徑使用的情況下，要構(gòu)成連接微帶線和柱壁波導的傳播(傳輸)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)(以下，簡稱為模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu))。另外，“模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)”也可以替換為“模式轉(zhuǎn)換裝置”等用語。

5、作為模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)，例如在專利文獻1中公開了一種微帶線的線導體與柱壁波導的一個寬壁位于同一平面上、且微帶線的接地導體(以下稱為gnd)與柱壁波導的另一個寬壁位于同一平面上的(連接同一厚度的微帶線和柱壁波導的)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。

6、現(xiàn)有技術(shù)文獻

7、專利文獻

8、專利文獻1：日本特開2004-153368號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、然而，在專利文獻1所記載的現(xiàn)有技術(shù)中，微帶線的厚度與柱壁波導的厚度相同，因此，難以連接厚度不同的微帶線和柱壁波導。

2、在專利文獻1所記載的現(xiàn)有技術(shù)中，在連接薄的微帶線和薄的柱壁波導的情況下，輻射損耗變小而導體損耗變大，在連接厚的微帶線和厚的柱壁波導的情況下，導體損耗變小而輻射損耗變大，難以減小微帶線的輻射損耗和柱壁波導的導體損耗。

3、本公開的非限定性的實施例有助于提供如下模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，該模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)能夠在抑制傳輸損耗的同時連接厚度不同的微帶線和柱壁波導。

4、本公開的一個實施例的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)具備：第一介電基板，具有由線導體和與所述線導體對置的第一接地導體構(gòu)成的微帶線，且具有第一厚度；第二介電基板，具有柱壁波導，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波導包含與所述線導體在同一平面上連接的第一導體層和與所述第一導體層對置的第二導體層；以及第一通孔，將所述第一接地導體和所述第二導體層電連接。

5、根據(jù)本公開的一個實施例，能夠在抑制傳輸損耗的同時連接厚度不同的微帶線和柱壁波導。

6、本公開的一個實施例的更多優(yōu)點和效果將通過說明書和附圖予以闡明。這些優(yōu)點和/或效果分別由若干個實施方式、以及說明書及附圖所記載的特征提供，但未必需要為了獲得一個或一個以上的相同的特征而全部提供。

技術(shù)特征：

1.一種模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其特征在于，具備：

2.如權(quán)利要求1所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，

3.如權(quán)利要求2所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，還具備：

4.如權(quán)利要求2所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，還具備：

5.如權(quán)利要求4所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，

6.如權(quán)利要求1所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，

7.如權(quán)利要求1所述的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，

技術(shù)總結(jié)
本公開的一個實施例的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)具備：第一介電基板，具有由線導體和與所述線導體對置的第一接地導體構(gòu)成的微帶線，且具有第一厚度；第二介電基板，具有柱壁波導，且具有比所述第一厚度厚的第二厚度，所述柱壁波導包含與所述線導體在同一平面上連接的第一導體層和與所述第一導體層對置的第二導體層；以及第一通孔，將所述第一接地導體和所述第二導體層電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：高橋健,瀧波浩二,村田智洋
受保護的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17