本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤。

背景技術(shù)：

1、晶圓的吸附是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，在吸附過程中，晶圓必須被穩(wěn)定、精確地固定在正確的位置上，才能確保高效的芯片生產(chǎn)。

2、機(jī)械真空吸附晶圓的過程為：機(jī)械手自動(dòng)提取晶圓并放置于三根pin針上，三根pin針下降到指定高度后chuck盤真空打開，晶圓降至chuck盤上真空吸附至設(shè)定要求后，膠泵、超聲波和氮?dú)馔瑫r(shí)啟動(dòng)開始霧化光刻膠，x、y軸的手臂電缸在設(shè)定位置進(jìn)行移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)噴涂。若晶圓存在翹曲，不能很好地貼附在chuck盤表面，在噴涂過程中，會(huì)使得晶圓被氮?dú)獯灯?，滑出chuck盤，造成破片，進(jìn)而導(dǎo)致晶圓的良率降低。特別地，如果存在翹曲度大于1mm的晶圓，在吸附過程中還需要人為手動(dòng)干預(yù)，影響產(chǎn)品的潔凈度，也會(huì)降低晶圓的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在不足，本實(shí)用新型提供了一種增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，使得晶圓能夠緊緊地貼附在chuck盤表面，提高晶圓的良率。

2、本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的的。

3、一種增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，包括表面加工的真空孔、pin針孔和凹槽，所述真空孔分為外緣部分和中間部分，所述凹槽至少將中間部分真空孔連通。

4、上述技術(shù)方案中，所述凹槽是將所有真空孔連通的不規(guī)則槽。

5、上述技術(shù)方案中，所述凹槽是將中間部分真空孔連通的多個(gè)同心圓，且多個(gè)同心圓沿徑向連通。

6、上述技術(shù)方案中，所述同心圓的數(shù)量為1-6個(gè)。

7、上述技術(shù)方案中，所述同心圓為3個(gè)，中間部分真空孔恰好位于第二個(gè)圓上。

8、上述技術(shù)方案中，所述凹槽是將中間部分真空孔連通的多個(gè)同心正方形，且多個(gè)同心正方形沿徑向連通。

9、上述技術(shù)方案中，所述同心正方形的數(shù)量為1-6個(gè)。

10、上述技術(shù)方案中，所述同心正方形為3個(gè)，中間部分真空孔恰好位于第二個(gè)正方形上。

11、上述技術(shù)方案中，所述凹槽的深度范圍為0.1mm-0.5mm、寬度范圍為0.5mm-0.8mm。

12、上述技術(shù)方案中，所述凹槽的深度為0.3mm，寬度為0.5mm。

13、本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型在現(xiàn)有chuck盤表面加工有多種形式的凹槽，凹槽形式有不規(guī)則形、同心圓或和同心正方形，增加了晶圓與chuck盤的真空吸附面積，即使翹曲的晶圓在與真空吸附面增大的情況下，也能夠緊緊地貼附在chuck盤上，從而穩(wěn)定完成噴涂作業(yè)，有效地解決了晶圓翹曲帶來的噴涂不均、需進(jìn)行人工干預(yù)，以及晶圓移位導(dǎo)致破片的問題，提高晶圓的良率。

技術(shù)特征：

1.一種增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，包括表面加工的真空孔（1）、pin針孔（2）和凹槽（3），所述真空孔（1）分為外緣部分和中間部分，所述凹槽（3）至少將中間部分真空孔（1）連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述凹槽（3）是將中間部分真空孔（1）連通的多個(gè)同心圓，且多個(gè)同心圓沿徑向連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述同心圓的數(shù)量為1-6個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述同心圓為3個(gè)，中間部分真空孔（1）恰好位于第二個(gè)圓上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述凹槽（3）是將中間部分真空孔（1）連通的多個(gè)同心正方形，且多個(gè)同心正方形沿徑向連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述同心正方形的數(shù)量為1-6個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述同心正方形為3個(gè)，中間部分真空孔（1）恰好位于第二個(gè)正方形上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述凹槽的深度范圍為0.1mm-0.5mm、寬度范圍為0.5mm-0.8mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，其特征在于，所述凹槽的深度為0.3mm，寬度為0.5mm。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種增加對(duì)晶圓真空吸附力的chuck盤，保留了現(xiàn)有chuck盤上的真空孔和pin針孔，還在chuck盤上表面加工有凹槽，凹槽的形式有多樣，包括不規(guī)則形、同心圓和同心正方形；凹槽的加工，能夠增加晶圓與chuck盤的真空吸附面積，保證晶圓在吸附過程中緊緊地貼附在chuck盤上，穩(wěn)定完成噴涂作業(yè)，且無需人為手動(dòng)干預(yù)，顯著提高晶圓的良率。

技術(shù)研發(fā)人員：魯聲南,陳勝,江勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州科陽半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231211
技術(shù)公布日：2024/12/26