本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種介質(zhì)窗及半導(dǎo)體工藝腔室。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體刻蝕機(jī)等半導(dǎo)體工藝腔室內(nèi)的顆粒數(shù)量是評(píng)價(jià)工藝結(jié)果的一個(gè)重要指標(biāo)。而半導(dǎo)體工藝腔室的介質(zhì)窗是顆粒物的一個(gè)主要來(lái)源。因而，如何降低介質(zhì)窗產(chǎn)生的顆粒物數(shù)量是本領(lǐng)域的技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種介質(zhì)窗及半導(dǎo)體工藝腔室，如何減少介質(zhì)窗產(chǎn)生的顆粒物。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的介質(zhì)窗，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝腔室，所述介質(zhì)窗的底面具有凹面區(qū)，所述凹面區(qū)的表面朝靠近所述介質(zhì)窗的頂面的方向凹陷，所述凹面區(qū)位于所述介質(zhì)窗的底面靠中心的區(qū)域。

3、可選地，所述凹面區(qū)的表面為回轉(zhuǎn)面，所述回轉(zhuǎn)面的軸線沿所述介質(zhì)窗的厚度方向延伸，所述回轉(zhuǎn)面的母線為直線，所述母線與所述軸線共面，所述母線與所述軸線的夾角小于90度。

4、可選地，所述軸線穿過(guò)所述底面的中心。

5、可選地，所述母線與所述軸線的夾角大于或等于85度。

6、可選地，所述母線的延長(zhǎng)線與所述軸線之間形成目標(biāo)交點(diǎn)，所述母線的遠(yuǎn)離所述目標(biāo)交點(diǎn)的一側(cè)具有目標(biāo)端點(diǎn)，在與所述軸線平行的方向上，所述目標(biāo)交點(diǎn)與所述目標(biāo)端點(diǎn)的間距為1至4毫米，在與所述軸線垂直的方向上，所述目標(biāo)端點(diǎn)與所述軸線的間距為133.5至320毫米。

7、可選地，所述介質(zhì)窗的底面具有邊緣區(qū)，所述邊緣區(qū)的表面水平設(shè)置。

8、可選地，所述介質(zhì)窗的底面的位于所述邊緣區(qū)與所述凹面區(qū)之間的區(qū)域?yàn)檫^(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)的表面為弧形面。

9、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體工藝腔室包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的任意一種介質(zhì)窗。

10、可選地，所述半導(dǎo)體工藝腔室設(shè)有反應(yīng)腔，所述介質(zhì)窗封蓋于所述反應(yīng)腔上方，且所述凹面區(qū)朝向所述反應(yīng)腔。

11、可選地，所述半導(dǎo)體工藝腔室還包括上電極和下電極，所述上電極設(shè)置于所述介質(zhì)窗的上方，所述下電極設(shè)置于所述介質(zhì)窗的下方，所述下電極的頂部設(shè)有晶圓承載面，所述凹面區(qū)朝向所述晶圓承載面。

12、本申請(qǐng)實(shí)施例采用的上述至少一個(gè)技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：

13、在本申請(qǐng)的實(shí)施例中，通過(guò)在介質(zhì)窗的底面的靠中心的區(qū)域設(shè)置凹面區(qū)的方式，可以起到類(lèi)似“拱橋”的效果，能夠減小介質(zhì)窗的底面的形變，能夠降低沉積于介質(zhì)窗的底面的顆粒物出現(xiàn)剝離現(xiàn)象的可能性。進(jìn)而可以降低在半導(dǎo)體工藝腔室工作過(guò)程中，因介質(zhì)窗產(chǎn)生的顆粒物數(shù)量。

技術(shù)特征：

1.一種介質(zhì)窗(110)，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝腔室(100)，其特征在于，所述介質(zhì)窗(110)的底面(111)具有凹面區(qū)(1111)，所述凹面區(qū)(1111)的表面朝靠近所述介質(zhì)窗(110)的頂面(112)的方向凹陷，所述凹面區(qū)(1111)位于所述介質(zhì)窗(110)的底面(111)靠中心的區(qū)域；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述凹面區(qū)(1111)的表面為回轉(zhuǎn)面，所述回轉(zhuǎn)面的軸線沿所述介質(zhì)窗(110)的厚度方向延伸，所述回轉(zhuǎn)面的母線為直線，所述母線與所述軸線共面，所述母線與所述軸線的夾角小于90度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述軸線穿過(guò)所述底面(111)的中心。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述母線與所述軸線的夾角大于或等于85度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述母線的延長(zhǎng)線與所述軸線之間形成目標(biāo)交點(diǎn)，所述母線的遠(yuǎn)離所述目標(biāo)交點(diǎn)的一側(cè)具有目標(biāo)端點(diǎn)，在與所述軸線平行的方向上，所述目標(biāo)交點(diǎn)與所述目標(biāo)端點(diǎn)的間距為1至4毫米，在與所述軸線垂直的方向上，所述目標(biāo)端點(diǎn)與所述軸線的間距為133.5至320毫米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述介質(zhì)窗(110)的底面(111)具有邊緣區(qū)(1112)，所述邊緣區(qū)(1112)的表面水平設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)窗(110)，其特征在于，所述介質(zhì)窗(110)的底面(111)的位于所述邊緣區(qū)(1112)與所述凹面區(qū)(1111)之間的區(qū)域?yàn)檫^(guò)渡區(qū)(1113)，所述過(guò)渡區(qū)(1113)的表面為弧形面。

8.一種半導(dǎo)體工藝腔室(100)，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的介質(zhì)窗(110)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體工藝腔室(100)，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝腔室(100)設(shè)有反應(yīng)腔(120)，所述介質(zhì)窗(110)封蓋于所述反應(yīng)腔(120)上方，且所述凹面區(qū)(1111)朝向所述反應(yīng)腔(120)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝腔室(100)，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝腔室(100)還包括上電極(130)和下電極(140)，所述上電極(130)設(shè)置于所述介質(zhì)窗(110)的上方，所述下電極(140)設(shè)置于所述介質(zhì)窗(110)的下方，所述下電極(140)的頂部設(shè)有晶圓承載面(141)，所述凹面區(qū)(1111)朝向所述晶圓承載面(141)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種介質(zhì)窗及半導(dǎo)體工藝腔室，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述介質(zhì)窗應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝腔室，所述介質(zhì)窗的底面具有凹面區(qū)，所述凹面區(qū)的表面朝靠近所述介質(zhì)窗的頂面的方向凹陷，所述凹面區(qū)位于所述介質(zhì)窗的底面靠中心的區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：閆昊,張超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20230713
技術(shù)公布日：2024/12/26