本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體工藝設備的裝載腔室。

背景技術(shù)：

1、在半導體技術(shù)領域，根據(jù)工藝需求，有時需要將半導體工藝設備設置于密閉的裝載腔室中。

2、在相關(guān)技術(shù)中，裝載腔室的腔體設置有開口，開口處設置有門體。在利用門體對開口進行密封的過程中，門體可以先移動至與開口相對的位置，然后，可以進一步驅(qū)動門體朝向開口移動，而使得門體上的密封環(huán)抵接于開口的外周，從而利用密封環(huán)對門體和開口處的間隙進行密封。

3、在相關(guān)技術(shù)中，門體至少需要設置兩套驅(qū)動裝置，一套驅(qū)動裝置用于驅(qū)動門體移動至與開口相對的位置，另一套驅(qū)動裝置用于驅(qū)動門體朝向開口移動。這樣，使得裝載腔室存在門體的驅(qū)動結(jié)構(gòu)較復雜的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供了一種半導體工藝設備的裝載腔室，以解決如何簡化門體的驅(qū)動結(jié)構(gòu)的問題。

2、本申請實施例提供的半導體工藝設備的裝載腔室包括：腔體、門體和密封環(huán)；所述腔體設有開口，處于關(guān)門位置的所述門體與所述開口相對，所述密封環(huán)位于所述門體與所述開口的外周之間的間隙區(qū)域，所述密封環(huán)包括沿其自身的高度方向相互遠離的頂端和底端，所述密封環(huán)內(nèi)具有第一密封腔，所述第一密封腔沿所述密封環(huán)的環(huán)繞方向設置，所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力可調(diào)整，所述頂端與所述底端的間距隨所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力增大而增大；所述底端設置于所述門體和所述開口的外周中的一者，所述頂端用于抵接于所述門體和所述開口的外周中的另一者。

3、可選地，在所述半導體工藝設備的裝載腔室處于密封狀態(tài)的情況下，所述門體處于所述關(guān)門位置，所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力增大至第一壓力，使所述密封環(huán)膨脹，以使所述頂端與所述底端的間距增大至第一距離；在所述半導體工藝設備的裝載腔室由所述密封狀態(tài)切換至開啟狀態(tài)的過程中，所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力減小至第二壓力，使所述密封環(huán)收縮，以使所述頂端與所述底端的間距由所述第一距離減小至第二距離，所述門體從所述關(guān)門位置移動至開門位置，而與所述開口錯開。

4、可選地，所述密封環(huán)的外側(cè)包括相互背離的第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述第一側(cè)部和所述第二側(cè)部分別位于所述頂端和所述底端之間；所述第一側(cè)部設置有多個第一伸出部，所述第二側(cè)部設置多個第二伸出部，所述第一伸出部和所述第二伸出部朝相互背離的方向伸出，在所述第一伸出部的伸出方向上，所述第一伸出部的頂面朝遠離所述頂端的方向傾斜，在所述第二伸出部的伸出方向上，所述第二伸出部的頂面朝遠離所述頂端的方向傾斜。

5、可選地，相鄰的所述第一伸出部的頂面與所述第一伸出部的底面形成第一v型面，相鄰的所述第二伸出部的頂面與所述第二伸出部的底面形成第二v型面，所述第一v型面的開口方向和所述第二v型面的開口方向相互背離。

6、可選地，所述門體開設有容置槽，在沿所述容置槽的槽底朝向槽口的方向，所述容置槽的開口逐漸減小，所述容置槽用于卡接所述底端。

7、可選地，所述底端內(nèi)具有第二密封腔，所述第二密封腔沿所述密封環(huán)的環(huán)繞方向設置，所述第一密封腔設于所述第二密封腔與所述頂端之間；在所述底端卡接于所述容置槽內(nèi)的情況下，所述第二密封腔的腔內(nèi)壓力能夠增大至第三壓力，以使所述底端脹緊連接于所述容置槽內(nèi)；所述第二密封腔的腔內(nèi)壓力能夠從所述第三壓力減小至第四壓力，以使所述底端收縮。

8、可選地，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括導向軸，所述導向軸與所述腔體連接，所述導向軸的延伸方向與目標平面平行，其中，所述目標平面與所述門體的厚度方向垂直，所述門體與所述導向軸滑動連接，所述門體能夠沿與所述導向軸的延伸方向平行的方向滑動，以在所述關(guān)門位置和開門位置之間切換。

9、可選地，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括門框，所述門框與所述腔體連接，所述門框圍設于所述開口的外周，所述導向軸設置于所述門框，所述門體位于所述門框所圍的區(qū)域內(nèi)。

10、可選地，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括閉門緩沖器，所述閉門緩沖器設置于所述門框，所述閉門緩沖器包括伸縮桿，所述伸縮桿沿與所述導向軸平行的方向設置，所述伸縮桿的伸出端朝向所述門體，在所述門體切換至所述關(guān)門位置的情況下，所述門體與所述伸出端抵接并驅(qū)動所述伸縮桿內(nèi)縮。

11、可選地，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括門體調(diào)整框、多個連接件和多個螺紋頂絲，在沿所述門體的厚度方向上，所述門體調(diào)整框與所述門體并排設置，所述門體調(diào)整框通過所述連接件與所述門體連接，所述連接件沿所述門體調(diào)整框的周向間隔分布，所述螺紋頂絲沿所述門體調(diào)整框的周向間隔分布，所述螺紋頂絲分別位于相鄰的所述連接件之間，所述螺紋頂絲螺紋連接于所述門體調(diào)整框，所述螺紋頂絲的朝向所述門體的端部與所述門體抵接。

12、本申請實施例采用的上述至少一個技術(shù)方案能夠達到以下有益效果：

13、在本申請的實施例中，可以將密封環(huán)設置于門體或腔體的開口處，可以通過增大第一密封腔的腔內(nèi)壓力的方式，使得頂端與底端的間距增大，而使得密封環(huán)的頂端與腔體的開口或門體抵接。從而可以利用密封環(huán)對門體與腔體的開口之間的間隙進行密封。這樣，采用本申請實施例提供的方案，可以通過使得密封環(huán)的頂端與底端的間距隨第一密封腔的腔內(nèi)壓力進行調(diào)整的方式，省去相關(guān)技術(shù)中的用于驅(qū)動門體朝開口運動的驅(qū)動裝置，可以簡化門體的驅(qū)動結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，包括：腔體(110)、門體(120)和密封環(huán)(130)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述密封環(huán)(130)的外側(cè)包括相互背離的第一側(cè)部(134)和第二側(cè)部(135)，所述第一側(cè)部(134)和所述第二側(cè)部(135)分別位于所述頂端(131)和所述底端(132)之間；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，相鄰的所述第一伸出部(1341)的頂面(1342)與所述第一伸出部(1341)的底面(1343)形成第一v型面，相鄰的所述第二伸出部(1351)的頂面(1352)與所述第二伸出部(1351)的底面(1353)形成第二v型面，所述第一v型面的開口方向和所述第二v型面的開口方向相互背離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述門體(120)開設有容置槽(121)，在沿所述容置槽(121)的槽底朝向槽口的方向，所述容置槽(121)的開口逐漸減小，所述容置槽(121)用于卡接所述底端(132)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述底端(132)內(nèi)具有第二密封腔(136)，所述第二密封腔(136)沿所述密封環(huán)(130)的環(huán)繞方向設置，所述第一密封腔(133)設于所述第二密封腔(136)與所述頂端(131)之間；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括導向軸(140)，所述導向軸(140)與所述腔體(110)連接，所述導向軸(140)的延伸方向與目標平面平行，其中，所述目標平面與所述門體的厚度方向垂直，所述門體(120)與所述導向軸(140)滑動連接，所述門體(120)能夠沿與所述導向軸(140)的延伸方向平行的方向滑動，以在所述關(guān)門位置和開門位置之間切換。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括門框(150)，所述門框(150)與所述腔體(110)連接，所述門框(150)圍設于所述開口的外周，所述導向軸(140)設置于所述門框(150)，所述門體(120)位于所述門框(150)所圍的區(qū)域內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括閉門緩沖器(160)，所述閉門緩沖器(160)設置于所述門框(150)，所述閉門緩沖器(160)包括伸縮桿，所述伸縮桿沿與所述導向軸(140)平行的方向設置，所述伸縮桿的伸出端朝向所述門體(120)，在所述門體(120)切換至所述關(guān)門位置的情況下，所述門體(120)與所述伸出端抵接并驅(qū)動所述伸縮桿內(nèi)縮。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體工藝設備的裝載腔室，其特征在于，所述半導體工藝設備的裝載腔室還包括門體調(diào)整框(170)、多個連接件(171)和多個螺紋頂絲(172)，在沿所述門體(120)的厚度方向上，所述門體調(diào)整框(170)與所述門體(120)并排設置，所述門體調(diào)整框(170)通過所述連接件(171)與所述門體(120)連接，所述連接件(171)沿所述門體調(diào)整框(170)的周向間隔分布，

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了一種半導體工藝設備的裝載腔室，其包括：腔體、門體和密封環(huán)；所述腔體設有開口，處于關(guān)門位置的所述門體與所述開口相對，所述密封環(huán)位于所述門體與所述開口的外周之間的間隙區(qū)域，所述密封環(huán)包括沿其自身的高度方向相互遠離的頂端和底端，所述密封環(huán)內(nèi)具有第一密封腔，所述第一密封腔沿所述密封環(huán)的環(huán)繞方向設置，所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力可調(diào)整，所述頂端與所述底端的間距隨所述第一密封腔的腔內(nèi)壓力增大而增大；所述底端設置于所述門體和所述開口的外周中的一者，所述頂端用于抵接于所述門體和所述開口的外周中的另一者。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇辰
受保護的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19